Produkte > VS-
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| VS-3C12ED07T-M3/I | Vishay | Description: RF DIODE SCHOTTKY 650V 105W SMPD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant Diode Type: Schottky - Single Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Capacitance @ Vr, F: 54pF @ 400V, 1MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Supplier Device Package: SMPD Current - Max: 12 A Power Dissipation (Max): 105 W | auf Bestellung 1989 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C12ED07T-M3\I | Vishay | Sic-G3-SMPD 2L | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3C12ET07S2L-M3 | VISHAY | Description: VISHAY - VS-3C12ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 34 nC, TO-263AB (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 34nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (04-Feb-2026) | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3C12ET07S2L-M3 | Vishay Semiconductors | SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A SM POWER SIC | auf Bestellung 1464 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C12ET07S2L-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C12ET07S2L-M3 | VISHAY | Description: VISHAY - VS-3C12ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 34 nC, TO-263AB (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 34nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (04-Feb-2026) | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3C12ET07S2L-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V | auf Bestellung 1557 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C12ET07T-M3 | VISHAY | Description: VISHAY - VS-3C12ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 34 nC, TO-220AC tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Kapazitive Gesamtladung: 34nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (04-Feb-2026) | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3C12ET07T-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C12ET07T-M3 | Vishay Semiconductors | SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL POWER SIC | auf Bestellung 1624 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C15EP12L-M3 | Vishay | Schottky Diodes & Rectifiers SIC 1.2KV 15A GEN 3 SCHOTTKY | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C15ET12S2L-M3 | Vishay | SiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK | auf Bestellung 1502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C15ET12S2L-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: 15A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Diode Type: Schottky - Single Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 56pF @ 800V, 1MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Current - Max: 15 A Power Dissipation (Max): 111 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1200 V | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C15ET12S2L-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: 15A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Diode Type: Schottky - Single Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 56pF @ 800V, 1MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Current - Max: 15 A Power Dissipation (Max): 111 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1200 V | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C15ET12T-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: 15A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Diode Type: Schottky - Single Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 56pF @ 800V, 1MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Current - Max: 15 A Power Dissipation (Max): 111 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1200 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C15ET12T-M3 | Vishay Semiconductors | SiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - TO-220 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C16CP07L-M3 | Vishay Semiconductors | SiC Schottky Diodes RECT 650V 8A RDL POWER SIC | auf Bestellung 886 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C16CP07L-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC) Supplier Device Package: TO-247AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V | auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C16ED07T-M3/I | Vishay | Schottky Diodes & Rectifiers SIC-G3-SMPD 2L 16A 650V | auf Bestellung 1769 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C16ET07S2L-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C16ET07S2L-M3 | Vishay Semiconductors | SiC Schottky Diodes RECT 650V 16A SM POWER SIC | auf Bestellung 1276 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C16ET07S2L-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C16ET07T-M3 | Vishay Semiconductors | SiC Schottky Diodes RECT 650V 16A RDL POWER SIC | auf Bestellung 1321 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C16ET07T-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C20CP07L-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247AD Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C20CP07L-M3 | Vishay Semiconductors | SiC Schottky Diodes RECT 650V 20A RDL POWER SIC | auf Bestellung 512 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C20CP12L-M3 | Vishay | Schottky Diodes & Rectifiers SIC 1.2KV 2 X 10A GEN 3 SCHTKY | auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C20CP12L-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO247AD | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C20ED07T-M3/I | VISHAY | Description: VISHAY - VS-3C20ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 20 A, 53 nC, SMPD Bauform - Diode: SMPD Kapazitive Gesamtladung: 53nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: eSMP Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3C20ED07T-M3/I | Vishay | Schottky Diodes & Rectifiers SIC-G3-SMPD 2L 20A 650V | auf Bestellung 1994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C20ED07T-M3/I | VISHAY | Description: VISHAY - VS-3C20ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 20 A, 53 nC, SMPD tariffCode: 85411000 productTraceability: No Kapazitive Gesamtladung: 53nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3C20EP12L-M3 | Vishay | Schottky Diodes & Rectifiers SIC 1.2KV 20A GEN 3 SCHOTTKY | auf Bestellung 465 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C20ET07S2L-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | auf Bestellung 663 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C20ET07S2L-M3 | VISHAY | Description: VISHAY - VS-3C20ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 53 nC, TO-263AB (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 53nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3C20ET07S2L-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3C20ET07S2L-M3 | VISHAY | Description: VISHAY - VS-3C20ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 53 nC, TO-263AB (D2PAK) Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 53nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3C20ET07S2L-M3 | Vishay Semiconductors | SiC Schottky Diodes RECT 650V 20A SM POWER SIC | auf Bestellung 1166 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C20ET07T-M3 | VISHAY | Description: VISHAY - VS-3C20ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 20 A, 53 nC, TO-220AC Bauform - Diode: TO-220AC Kapazitive Gesamtladung: 53nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3C20ET07T-M3 | Vishay Semiconductors | SiC Schottky Diodes RECT 650V 20A RDL POWER SIC | auf Bestellung 789 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C20ET07T-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C20ET12S2L-M3 | Vishay | SiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK | auf Bestellung 1340 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C20ET12T-M3 | Vishay | SiC Schottky Diodes SIC 1.2KV 20A GEN 3 SCHOTTKY | auf Bestellung 1959 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C30CP12L-M3 | Vishay | Schottky Diodes & Rectifiers SILICON CARBIDE DIODE - TO-247 | auf Bestellung 473 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C30EP12L-M3 | Vishay | Schottky Diodes & Rectifiers SIC 1.2KV 30A GEN 3 SCHOTTKY | auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C40CP07L-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ARR SIC 650V 20A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC) Supplier Device Package: TO-247AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | auf Bestellung 494 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C40CP07L-M3 | Vishay Semiconductors | SiC Schottky Diodes RECT 650V 20A RDL POWER SIC | auf Bestellung 672 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3C40CP07L-M3 | VISHAY | Description: VISHAY - VS-3C40CP07L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 53 nC, TO-247AD tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247AD Kapazitive Gesamtladung: 53nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3C40CP12L-M3 | Vishay | SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 40A RDL POWER SIC | auf Bestellung 792 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3EAH02-M3/H | VISHAY | Description: VISHAY - VS-3EAH02-M3/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 960 mV, 11 ns, 61 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN3820A Durchlassstoßstrom: 61A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 960mV Sperrverzögerungszeit: 11ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: FRED Pt Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 3480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EAH02-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 3A DFN3820A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-VDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DFN3820A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V | auf Bestellung 4871 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3EAH02-M3/H | VISHAY | Description: VISHAY - VS-3EAH02-M3/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 960 mV, 11 ns, 61 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN3820A Durchlassstoßstrom: 61A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 960mV Sperrverzögerungszeit: 11ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: FRED Pt Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 3480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EAH02-M3/H | Vishay | Rectifiers REDS - DFN3820A-E3 | auf Bestellung 6715 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3EAH02-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 3A DFN3820A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-VDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DFN3820A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EAH02-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: 3A, 200V, FRED HYPERFAST RECTIFI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-VDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DFN3820A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3EAH02-M3/I | Vishay | Rectifiers REDS - DFN3820A-E3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 14000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EAH02-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: 3A, 200V, FRED HYPERFAST RECTIFI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-VDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DFN3820A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3EAH02HM3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 3A DFN3820A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-VDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DFN3820A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EAH02HM3/H | VISHAY | Description: VISHAY - VS-3EAH02HM3/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 960 mV, 11 ns, 61 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN3820A Durchlassstoßstrom: 61A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 960mV Sperrverzögerungszeit: 11ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: FRED Pt Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 1195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EAH02HM3/H | VISHAY | Description: VISHAY - VS-3EAH02HM3/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 960 mV, 11 ns, 61 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN3820A Durchlassstoßstrom: 61A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 960mV Sperrverzögerungszeit: 11ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: FRED Pt Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 1195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EAH02HM3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 3A DFN3820A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-VDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DFN3820A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2561 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3EAH02HM3/H | Vishay | Rectifiers FREDS - DFN3820A-E3 | auf Bestellung 5680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3EAH02HM3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: 3A, 200V, FRED HYPERFAST RECTIFI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-VDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DFN3820A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3EAH02HM3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: 3A, 200V, FRED HYPERFAST RECTIFI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-VDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DFN3820A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3EAH02HM3/I | VISHAY | Description: VISHAY - VS-3EAH02HM3/I - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 960 mV, 11 ns, 61 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN3820A Durchlassstoßstrom: 61A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 960mV Sperrverzögerungszeit: 11ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: FRED Pt Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (04-Feb-2026) | auf Bestellung 13955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3ECH01-M3/9AT | Vishay Semiconductors | Rectifiers fred 100V 3A - SMC | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3ECH01-M3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AB, SMC Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Current - Average Rectified (Io): 3A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3ECH01HM3/9AT | Vishay Semiconductors | Rectifiers fred 100V 3A - SMC | auf Bestellung 3127 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3ECH01HM3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AB, SMC Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3ECH02-M3/9AT | Vishay Semiconductors | Rectifiers fred 200V 3A - SMC | auf Bestellung 2687 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3ECH02-M3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AB, SMC Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3ECH02HM3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3ECH02HM3/9AT | Vishay Semiconductors | Rectifiers fred 200V 3A - SMC | auf Bestellung 3319 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3ECH02HM3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3EGH06-M3/5BT | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 25ns; DO214AA,SMB; Ufmax: 1.7V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Reverse recovery time: 25ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: DO214AA; SMB Max. forward voltage: 1.7V Kind of package: 13 inch reel Quantity in set/package: 3200pcs. | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EGH06-M3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE FRED SMB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EGH06-M3/5BT | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3 Amp 600 Volts Hyperfast - Low QRR | auf Bestellung 4050 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3EGU06-M3/5BT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EGU06-M3/5BT | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3 Amp 600 Volts Ultrafast - Low VF | auf Bestellung 5837 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3EGU06-M3/5BT | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; DO214AA,SMB; Ufmax: 1.7V; 3200pcs. Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: DO214AA; SMB Max. forward voltage: 1.7V Kind of package: 13 inch reel Quantity in set/package: 3200pcs. | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EGU06-M3/5BT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V | auf Bestellung 628 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3EGU06WHM3/5BT | Vishay Semiconductors | Rectifiers fred 600V 3A - SMB | auf Bestellung 5390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3EGU06WHM3/5BT | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 41ns; DO214AA,SMB; Ufmax: 1.35V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Reverse recovery time: 41ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: DO214AA; SMB Max. forward voltage: 1.35V Kind of package: 13 inch reel Application: automotive industry Quantity in set/package: 3200pcs. | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EGU06WHM3/5BT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EGU06WHM3/5BT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3EJH01-M3/6A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EJH01-M3/6A | Vishay Semiconductors | Rectifiers Hyperfst 3A 100V Fred Pt Rectfr | auf Bestellung 1331 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EJH01-M3/6B | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 14000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EJH01-M3/6B | Vishay Semiconductors | Rectifiers Hyperfst 3A 100V Fred Pt Rectfr | auf Bestellung 10410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3EJH01-M3/6B | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC | auf Bestellung 7962 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EJH01HM3/6A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EJH01HM3/6A | Vishay Semiconductors | Rectifiers Hyperfst 3A 100V Fred Pt Rfr AEC-Q101 | auf Bestellung 3508 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3EJH01HM3/6B | Vishay Semiconductors | Rectifiers Hyperfst 3A 100V Fred Pt Rfr AEC-Q101 | auf Bestellung 12638 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3EJH01HM3/6B | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC | auf Bestellung 181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EJH01HM3/6B | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 14000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EJH02-M3/6A | Vishay Semiconductors | Rectifiers Hyperfst 3A 200V Fred Pt Rectfr | auf Bestellung 4899 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EJH02-M3/6A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EJH02-M3/6B | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 14000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EJH02-M3/6B | VISHAY | Description: VISHAY - VS-3EJH02-M3/6B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 930 mV, 30 ns, 85 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-221AC Durchlassstoßstrom: 85A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 930mV Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: FRED Pt® SlimSMA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (04-Feb-2026) | auf Bestellung 28507 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| VS-3EJH02-M3/6B | Vishay Semiconductors | Rectifiers Hyperfst 3A 200V Fred Pt Rectfr | auf Bestellung 12390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| VS-3EJH02-M3/6B | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
