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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
VS-3C12ED07T-M3/IVishayDescription: RF DIODE SCHOTTKY 650V 105W SMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 54pF @ 400V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: SMPD
Current - Max: 12 A
Power Dissipation (Max): 105 W
auf Bestellung 1989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.62 EUR
10+5.01 EUR
25+4.61 EUR
100+4.18 EUR
250+3.97 EUR
500+3.84 EUR
1000+3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C12ED07T-M3\IVishay Sic-G3-SMPD 2L
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C12ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C12ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 34 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C12ET07S2L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 12A SM POWER SIC
auf Bestellung 1464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.03 EUR
10+6.49 EUR
100+5.09 EUR
500+4.86 EUR
800+4.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C12ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+6.87 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C12ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C12ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 34 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C12ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
auf Bestellung 1557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.67 EUR
10+9.57 EUR
100+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C12ET07T-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C12ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 34 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C12ET07T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.16 EUR
10+9.12 EUR
100+7.47 EUR
500+6.36 EUR
1000+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C12ET07T-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL POWER SIC
auf Bestellung 1624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.05 EUR
10+5.33 EUR
100+4.63 EUR
1000+4.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C15EP12L-M3VishaySchottky Diodes & Rectifiers SIC 1.2KV 15A GEN 3 SCHOTTKY
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.31 EUR
10+12.23 EUR
100+10.91 EUR
250+10.67 EUR
500+9.64 EUR
1000+8.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C15ET12S2L-M3VishaySiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK
auf Bestellung 1502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.55 EUR
10+7.9 EUR
100+6.02 EUR
500+5.3 EUR
800+5.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C15ET12S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 15A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky - Single
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 56pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Max: 15 A
Power Dissipation (Max): 111 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1200 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C15ET12S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 15A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky - Single
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 56pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Max: 15 A
Power Dissipation (Max): 111 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1200 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.76 EUR
10+8.34 EUR
100+6.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C15ET12T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 15A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Schottky - Single
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 56pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Max: 15 A
Power Dissipation (Max): 111 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.21 EUR
50+7.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C15ET12T-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - TO-220
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.21 EUR
10+7.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C16CP07L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 8A RDL POWER SIC
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.12 EUR
10+6.21 EUR
100+4.72 EUR
500+4.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C16CP07L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.25 EUR
25+8.98 EUR
100+8.04 EUR
500+7.09 EUR
1000+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C16ED07T-M3/IVishaySchottky Diodes & Rectifiers SIC-G3-SMPD 2L 16A 650V
auf Bestellung 1769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.28 EUR
10+8.64 EUR
100+6.99 EUR
250+6.6 EUR
500+6.2 EUR
1000+5.32 EUR
2000+5.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C16ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.97 EUR
10+11.71 EUR
100+9.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C16ET07S2L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 16A SM POWER SIC
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.35 EUR
10+6.6 EUR
2400+3.91 EUR
4800+3.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C16ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+8.73 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C16ET07T-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 16A RDL POWER SIC
auf Bestellung 1321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.76 EUR
10+5.77 EUR
100+5.7 EUR
500+5.68 EUR
2500+4.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C16ET07T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.51 EUR
10+11.31 EUR
100+9.36 EUR
500+8.15 EUR
1000+7.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C20CP07L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247AD
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15 EUR
10+12.86 EUR
100+10.72 EUR
500+9.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C20CP07L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 20A RDL POWER SIC
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.53 EUR
10+6.34 EUR
100+5.4 EUR
500+4.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C20CP12L-M3VishaySchottky Diodes & Rectifiers SIC 1.2KV 2 X 10A GEN 3 SCHTKY
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.06 EUR
10+17.25 EUR
25+14.61 EUR
100+13.75 EUR
250+13.5 EUR
500+12.46 EUR
1000+11.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C20CP12L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO247AD
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.21 EUR
25+13.13 EUR
100+11.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C20ED07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C20ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 20 A, 53 nC, SMPD
Bauform - Diode: SMPD
Kapazitive Gesamtladung: 53nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C20ED07T-M3/IVishaySchottky Diodes & Rectifiers SIC-G3-SMPD 2L 20A 650V
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.58 EUR
10+9.93 EUR
100+8.27 EUR
250+7.92 EUR
500+7.3 EUR
1000+6.56 EUR
2000+6.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C20ED07T-M3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3C20ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 20 A, 53 nC, SMPD
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 53nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C20EP12L-M3VishaySchottky Diodes & Rectifiers SIC 1.2KV 20A GEN 3 SCHOTTKY
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.22 EUR
10+15.35 EUR
100+13.71 EUR
250+13.41 EUR
500+12.11 EUR
1000+10.89 EUR
2500+10.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C20ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.7 EUR
10+15.1 EUR
100+12.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C20ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C20ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 53 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 53nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C20ET07S2L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C20ET07S2L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C20ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 53 nC, TO-263AB (D2PAK)
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 53nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C20ET07S2L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 20A SM POWER SIC
auf Bestellung 1166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.61 EUR
10+8.48 EUR
2400+4.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C20ET07T-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C20ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 20 A, 53 nC, TO-220AC
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 53nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C20ET07T-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 20A RDL POWER SIC
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.17 EUR
10+6.28 EUR
100+6.21 EUR
500+5.44 EUR
1000+3.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C20ET07T-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.72 EUR
10+15.11 EUR
100+12.51 EUR
500+10.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C20ET12S2L-M3VishaySiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.6 EUR
10+10.12 EUR
100+7.92 EUR
500+7.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C20ET12T-M3VishaySiC Schottky Diodes SIC 1.2KV 20A GEN 3 SCHOTTKY
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.5 EUR
10+14.77 EUR
100+13.2 EUR
250+12.9 EUR
500+11.65 EUR
1000+10.47 EUR
2500+10.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C30CP12L-M3VishaySchottky Diodes & Rectifiers SILICON CARBIDE DIODE - TO-247
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.04 EUR
10+22.02 EUR
25+18.67 EUR
50+18.66 EUR
100+17.56 EUR
250+17.25 EUR
500+15.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C30EP12L-M3VishaySchottky Diodes & Rectifiers SIC 1.2KV 30A GEN 3 SCHOTTKY
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.47 EUR
10+18.59 EUR
25+15.77 EUR
50+15.75 EUR
100+14.84 EUR
250+14.57 EUR
500+13.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C40CP07L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE ARR SIC 650V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.98 EUR
25+21.03 EUR
100+19.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C40CP07L-M3Vishay SemiconductorsSiC Schottky Diodes RECT 650V 20A RDL POWER SIC
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.35 EUR
10+10.54 EUR
100+9.17 EUR
500+8.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C40CP07L-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-3C40CP07L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 53 nC, TO-247AD
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Kapazitive Gesamtladung: 53nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C40CP12L-M3VishaySiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 40A RDL POWER SIC
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.39 EUR
10+15.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EAH02-M3/HVISHAYDescription: VISHAY - VS-3EAH02-M3/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 960 mV, 11 ns, 61 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN3820A
Durchlassstoßstrom: 61A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 11ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 3480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EAH02-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 200V 3A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
auf Bestellung 4871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.69 EUR
39+0.45 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EAH02-M3/HVISHAYDescription: VISHAY - VS-3EAH02-M3/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 960 mV, 11 ns, 61 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN3820A
Durchlassstoßstrom: 61A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 11ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 3480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EAH02-M3/HVishayRectifiers REDS - DFN3820A-E3
auf Bestellung 6715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+0.54 EUR
100+0.32 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.2 EUR
3500+0.19 EUR
7000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EAH02-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 200V 3A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EAH02-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 3A, 200V, FRED HYPERFAST RECTIFI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 14000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EAH02-M3/IVishayRectifiers REDS - DFN3820A-E3
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 14000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EAH02-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 3A, 200V, FRED HYPERFAST RECTIFI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.7 EUR
33+0.55 EUR
100+0.33 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.19 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EAH02HM3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 200V 3A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EAH02HM3/HVISHAYDescription: VISHAY - VS-3EAH02HM3/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 960 mV, 11 ns, 61 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN3820A
Durchlassstoßstrom: 61A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 11ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EAH02HM3/HVISHAYDescription: VISHAY - VS-3EAH02HM3/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 960 mV, 11 ns, 61 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN3820A
Durchlassstoßstrom: 61A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 11ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EAH02HM3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 200V 3A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.83 EUR
33+0.55 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EAH02HM3/HVishayRectifiers FREDS - DFN3820A-E3
auf Bestellung 5680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+0.56 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.25 EUR
3500+0.22 EUR
7000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EAH02HM3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 3A, 200V, FRED HYPERFAST RECTIFI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.67 EUR
32+0.57 EUR
100+0.39 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.22 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EAH02HM3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 3A, 200V, FRED HYPERFAST RECTIFI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 14000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EAH02HM3/IVISHAYDescription: VISHAY - VS-3EAH02HM3/I - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 960 mV, 11 ns, 61 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN3820A
Durchlassstoßstrom: 61A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 11ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 13955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3ECH01-M3/9ATVishay SemiconductorsRectifiers fred 100V 3A - SMC
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.76 EUR
100+0.53 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.34 EUR
2500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3ECH01-M3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3ECH01HM3/9ATVishay SemiconductorsRectifiers fred 100V 3A - SMC
auf Bestellung 3127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.03 EUR
10+0.89 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.37 EUR
10500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3ECH01HM3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3ECH02-M3/9ATVishay SemiconductorsRectifiers fred 200V 3A - SMC
auf Bestellung 2687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.76 EUR
100+0.53 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.34 EUR
2500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3ECH02-M3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3ECH02HM3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.02 EUR
21+0.88 EUR
100+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3ECH02HM3/9ATVishay SemiconductorsRectifiers fred 200V 3A - SMC
auf Bestellung 3319 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.02 EUR
10+0.88 EUR
100+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3ECH02HM3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EGH06-M3/5BTVISHAYCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 25ns; DO214AA,SMB; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 25ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: DO214AA; SMB
Max. forward voltage: 1.7V
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 3200pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EGH06-M3/5BTVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE FRED SMB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EGH06-M3/5BTVishay SemiconductorsRectifiers 3 Amp 600 Volts Hyperfast - Low QRR
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.52 EUR
10+0.47 EUR
100+0.36 EUR
500+0.32 EUR
3200+0.26 EUR
6400+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EGU06-M3/5BTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EGU06-M3/5BTVishay SemiconductorsRectifiers 3 Amp 600 Volts Ultrafast - Low VF
auf Bestellung 5837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.83 EUR
10+0.55 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
3200+0.25 EUR
6400+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EGU06-M3/5BTVISHAYCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; DO214AA,SMB; Ufmax: 1.7V; 3200pcs.
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: DO214AA; SMB
Max. forward voltage: 1.7V
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 3200pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EGU06-M3/5BTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.69 EUR
30+0.59 EUR
100+0.41 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EGU06WHM3/5BTVishay SemiconductorsRectifiers fred 600V 3A - SMB
auf Bestellung 5390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.85 EUR
10+0.57 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
2500+0.26 EUR
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EGU06WHM3/5BTVISHAYCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 41ns; DO214AA,SMB; Ufmax: 1.35V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 41ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: DO214AA; SMB
Max. forward voltage: 1.35V
Kind of package: 13 inch reel
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3200pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EGU06WHM3/5BTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EGU06WHM3/5BTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.76 EUR
28+0.65 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EJH01-M3/6AVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EJH01-M3/6AVishay SemiconductorsRectifiers Hyperfst 3A 100V Fred Pt Rectfr
auf Bestellung 1331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EJH01-M3/6BVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 14000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EJH01-M3/6BVishay SemiconductorsRectifiers Hyperfst 3A 100V Fred Pt Rectfr
auf Bestellung 10410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+0.87 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.35 EUR
5000+0.33 EUR
14000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EJH01-M3/6BVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC
auf Bestellung 7962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EJH01HM3/6AVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EJH01HM3/6AVishay SemiconductorsRectifiers Hyperfst 3A 100V Fred Pt Rfr AEC-Q101
auf Bestellung 3508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.91 EUR
10+0.78 EUR
100+0.59 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EJH01HM3/6BVishay SemiconductorsRectifiers Hyperfst 3A 100V Fred Pt Rfr AEC-Q101
auf Bestellung 12638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.51 EUR
10+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.39 EUR
5000+0.35 EUR
14000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EJH01HM3/6BVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EJH01HM3/6BVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 14000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EJH02-M3/6AVishay SemiconductorsRectifiers Hyperfst 3A 200V Fred Pt Rectfr
auf Bestellung 4899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EJH02-M3/6AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EJH02-M3/6BVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 14000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EJH02-M3/6BVISHAYDescription: VISHAY - VS-3EJH02-M3/6B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 930 mV, 30 ns, 85 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-221AC
Durchlassstoßstrom: 85A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 930mV
Sperrverzögerungszeit: 30ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt® SlimSMA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 28507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EJH02-M3/6BVishay SemiconductorsRectifiers Hyperfst 3A 200V Fred Pt Rectfr
auf Bestellung 12390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.35 EUR
10+0.87 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.37 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3EJH02-M3/6BVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC
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