Produkte > DMN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMN2008LFU-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2008LFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 14.5 A, 14.5 A, 0.0054 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2030 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0054ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2008LFU-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2008LFU-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 3318 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2008LFU-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2008LFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 14.5 A, 14.5 A, 0.0054 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2030 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0054ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2009LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2555 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 44028 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2009LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 20V 12A | auf Bestellung 5979 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2009LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2555 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 42500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2009UCA4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN1717-4 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2009USS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 1.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm | auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2009USS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 8SOIC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3251 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2009USS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 1.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm | auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2009USS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 6594 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2009USS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 8SOIC Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2010UDZ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2010UDZ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Ch Enh FET 24V 8Vgss 0.7W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2010UDZ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6 | auf Bestellung 10644 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2011UFDE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3372 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2011UFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2011UFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W | auf Bestellung 69546 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2011UFDE-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2011UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.7 A, 0.0065 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.97W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2011UFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V | auf Bestellung 107118 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2011UFDE-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2011UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.7 A, 0.0065 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.97W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2011UFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 105000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2011UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2011UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2011UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2011UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2011UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K | auf Bestellung 3136 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2011UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2011UFX-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 20Vds 12Vgs 2248pF | auf Bestellung 5919 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2011UFX-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN Part Status: Active Supplier Device Package: V-DFN2050-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 2.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2011UFX-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: V-DFN2050-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 2.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain | auf Bestellung 4797 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2011UTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP | auf Bestellung 12723 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2011UTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2011UTS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2012UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2012UCA6-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 24V 13A X3-DSN2718 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2417pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X3-DSN2718-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2013UFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2013UFDE-7 | Diodes | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2013UFDE-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.03W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2824 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2013UFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K | auf Bestellung 1667 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2013UFDE-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.03W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2824 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2013UFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2013UFDEQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2013UFX-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 10A 0.78W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2013UFX-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2013UFX-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN | auf Bestellung 2828 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2013UFX-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2013UFX-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN | auf Bestellung 2828 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2014LHAB-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2014LHAB-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.3 A, 9.3 A, 0.01 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2030 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 9950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2014LHAB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2014LHAB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2030-6 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2014LHAB-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2014LHAB-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.3 A, 9.3 A, 0.01 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2030 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 9950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2014LHAB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) | auf Bestellung 9930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2014LHAB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) Part Status: Active | auf Bestellung 2592 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2014LHAB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET FET BVDSS 8V 24V N-Ch Dual 20V 1550pF | auf Bestellung 2763 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2014LHAB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2014LHAB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2014LHAB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2015UFDE-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2015UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 9300 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2015UFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 138000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2015UFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) | auf Bestellung 138015 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2015UFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K | auf Bestellung 2385 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2015UFDE-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2015UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 9300 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2015UFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 140960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2015UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2015UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2015UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 2011 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2015UFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 6800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm | auf Bestellung 2755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2015UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439 pF @ 10 V | auf Bestellung 192000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2015UFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 6800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm | auf Bestellung 2755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2015UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439 pF @ 10 V | auf Bestellung 194767 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2016LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN | auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2016LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2016LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET N-CHANNEL DFN DFN3030-8 GREEN 3K | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2016LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN | auf Bestellung 80900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2016LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2016LHAB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2016LHAB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET DUAL N-CH MOSFET 20V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2016LHAB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2016UFX-7 | Diodes Zetex | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2016UFX-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 24V 9.9A 4VDFN Supplier Device Package: V-DFN2050-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Power - Max: 1.07W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2016UFX-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2016UTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 880mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.58A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | auf Bestellung 115000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2016UTS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2016UTS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2016UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.58 A, 8.58 A, 0.011 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.58A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm Verlustleistung, p-Kanal: 880mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 880mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2016UTS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS | auf Bestellung 4985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2016UTS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2016UTS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2016UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.58 A, 8.58 A, 0.011 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.58A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm Verlustleistung, p-Kanal: 880mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 880mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2016UTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 880mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.58A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | auf Bestellung 117727 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2019UTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 780mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active | auf Bestellung 21429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2019UTS-13 | Diodes | 2 N-Channel , 20V, TSSOP-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2019UTS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 24V TSSOP-8 T&R 2.5 | auf Bestellung 2357 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2019UTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 780mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2019UTS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2019UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.0155 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm Verlustleistung, p-Kanal: 780mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 780mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2075 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2019UTS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2019UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.0155 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm Verlustleistung, p-Kanal: 780mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 780mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2075 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2020LSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R | auf Bestellung 2318 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2020LSN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2020LSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SC-59-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2020LSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |