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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
HP8Amphenol FCIArray
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HP8-ZH-BPL5RSCC Aerospace & DefenseLow Smoke, Zero Halogen Crossed-Linked Polyolefin
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+17.43 EUR
500+13.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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HP8-ZH-BPL5RSCC Aerospace & DefenseLow Smoke, Zero Halogen Crossed-Linked Polyolefin
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HP802HUAYAMICRO08+
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HP804HUAYA MICRO2008
auf Bestellung 9930 Stücke:
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HP8060-9RGBel Power SolutionsDescription: POWER SUPPLYHP8060-9RGDC-DCIN 16
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HP8060-9RGBel Power SolutionsHP8060-9RG
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HP8060-9RGBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Rack Mount 187W 16.8-137.5Vi 5.1/24/24Vo 12/2.5A
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HP8120AHENWOOD0106+
auf Bestellung 127 Stücke:
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HP8126AHENWOOD0136+
auf Bestellung 11365 Stücke:
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HP8127AHENWOOD2002
auf Bestellung 6220 Stücke:
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HP8128AHENWOOD2002
auf Bestellung 1600 Stücke:
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HP820PORTASOLPORTA-HP820 Gas soldering irons & torches
auf Bestellung 6 Stücke:
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1+87.24 EUR
2+86.44 EUR
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HP8210PRO ELECDescription: PRO ELEC - HP8210 - Steckverbinder-Adapter, Kaltgerätestecker (IEC 60320 C14), 1 -polig, Stecker
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
Zielpositionen: 2-polig
rohsCompliant: YES
Ausführung Zielsteckverbinder: Buchse
Steckverbinder zwischen versch. Baureihen B: Kaltgerätebuchse (IEC C13), x2
euEccn: NLR
Steckverbinder zwischen versch. Baureihen A: Kaltgerätestecker (IEC 60320 C14)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausführung Ausgangssteckverbinder: Stecker
Ausgangspositionen: 1-polig
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP838H8NibcoDescription: S585HP66LF-HC 3/4 SLD X 3/4 HOSE
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP840X8NibcoDescription: PC-585HP-LF 3/4 PRESS BALL VALVE
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP843X8NibcoDescription: PC585HPLF-HC 3/4 PRESS X 3/4 HOS
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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HP8JE5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+1.82 EUR
100+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8JE5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs -100V 12.5A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for Switching and Motor drives applications.
auf Bestellung 3609 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.56 EUR
10+2.62 EUR
100+2.11 EUR
250+1.85 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8JE5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 127mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8JE5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 12.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.127ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8JE5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.65 EUR
60+2.40 EUR
100+2.06 EUR
200+1.57 EUR
500+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8JE5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 12.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.127ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8JE5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 127mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
auf Bestellung 1104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.28 EUR
10+2.90 EUR
100+2.03 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8K
auf Bestellung 7820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8K22TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 57A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 6150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.16 EUR
11+1.72 EUR
100+1.20 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8K22TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/57A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.09 EUR
250+1.01 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 137
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8K22TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 57A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8K22TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/57A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8K22TBROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET
auf Bestellung 30237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.74 EUR
100+1.22 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.91 EUR
2500+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8K22TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/57A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.83 EUR
101+1.42 EUR
200+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8K24ROHM SemiconductorMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8K24TBROHMDescription: ROHM - HP8K24TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0067 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 27
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8K24TBROHM SemiconductorMOSFETs HP8K24 is the high reliability transistor, suitable for switching and DC-DC converter.
auf Bestellung 1402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.19 EUR
10+2.09 EUR
100+1.43 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.08 EUR
2500+1.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8K24TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.61 EUR
250+1.35 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8K24TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 2410pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 10855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.15 EUR
10+2.07 EUR
100+1.42 EUR
500+1.20 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8K24TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.61 EUR
250+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8K24TBROHMDescription: ROHM - HP8K24TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0067 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8K24TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+2.69 EUR
100+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8K24TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 2410pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KA1TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 1165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KA1TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KA1TBROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N CHAN 30V
auf Bestellung 1479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.58 EUR
100+1.11 EUR
500+0.90 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KA1TBROHM SEMICONDUCTORHP8KA1TB Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KA1TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+1.91 EUR
102+1.41 EUR
200+1.24 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KA1TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.85 EUR
10+1.81 EUR
100+1.21 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 16.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KB5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 16.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KB5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs HS0P8 N CHAN 40V
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HP8KB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 500 Stücke:
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112+1.33 EUR
149+0.96 EUR
200+0.79 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 112
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HP8KB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 16.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.08 EUR
10+1.97 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KB5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 16.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KB6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.0157 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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HP8KB6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
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91+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KB6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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HP8KB6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.0157 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KB6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.90 EUR
100+1.94 EUR
200+1.65 EUR
500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KB6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.71 EUR
10+2.11 EUR
100+1.45 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.20 EUR
2500+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KB6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.66 EUR
10+2.35 EUR
100+1.60 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 16A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.61 EUR
10+3.67 EUR
100+2.55 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KB7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KB7TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
auf Bestellung 4993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.91 EUR
10+3.26 EUR
100+2.62 EUR
250+2.32 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.97 EUR
2500+1.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.33 EUR
50+2.94 EUR
100+2.46 EUR
200+1.90 EUR
500+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 16A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KB7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.56 EUR
100+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KC5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs HS0P8 N CHAN 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.33 EUR
149+0.96 EUR
200+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 111
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KC5TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 12A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.10 EUR
10+1.97 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KC5TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 12A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KC6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.91 EUR
100+1.84 EUR
200+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KC6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KC6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 23 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.68 EUR
10+2.36 EUR
100+1.61 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KC6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+2.11 EUR
100+1.66 EUR
250+1.45 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
2500+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KC6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KC6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 23 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KC6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KC7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KC7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13.5A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 13.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KC7TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
auf Bestellung 4996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.00 EUR
10+3.27 EUR
100+2.64 EUR
250+2.32 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.97 EUR
2500+1.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13.5A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.55 EUR
50+3.08 EUR
100+2.58 EUR
200+1.99 EUR
500+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KC7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KC7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13.5A 8-Pin HSOP EP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 13.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.63 EUR
10+3.68 EUR
100+2.57 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KE5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.37 EUR
145+0.99 EUR
200+0.81 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KE5TB1Rohm SemiconductorDescription: 100V 8.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KE5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KE5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 100V 8.5A N CHAN MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KE5TB1Rohm SemiconductorDescription: 100V 8.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.15 EUR
10+2.00 EUR
100+1.35 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.91 EUR
100+1.87 EUR
200+1.63 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.08 EUR
2000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.73 EUR
10+2.40 EUR
100+1.63 EUR
500+1.30 EUR
1000+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KE6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KE6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
auf Bestellung 4883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.34 EUR
10+2.38 EUR
100+1.69 EUR
250+1.64 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.23 EUR
2500+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KE6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KE7TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
auf Bestellung 4740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.58 EUR
10+3.89 EUR
100+2.75 EUR
500+2.22 EUR
1000+2.08 EUR
2500+2.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.18 EUR
50+2.91 EUR
100+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.79 EUR
10+3.79 EUR
100+2.65 EUR
500+2.16 EUR
1000+2.00 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KE7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0151 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0151ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.47 EUR
100+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KE7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0151 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0151ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8M31TB1ROHMDescription: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8M31TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.04 EUR
100+2.72 EUR
200+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8M31TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.72 EUR
10+3.29 EUR
100+2.30 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8M31TB1ROHM SEMICONDUCTORHP8M31TB1 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8M31TB1ROHMDescription: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8M31TB1ROHM SemiconductorMOSFETs HP8M31TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for motor drive.
auf Bestellung 4168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.03 EUR
10+3.52 EUR
100+2.55 EUR
250+2.45 EUR
500+1.97 EUR
1000+1.83 EUR
2500+1.70 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8M31TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8M31TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8M51TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8M51TB1ROHM SEMICONDUCTORHP8M51TB1 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8M51TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP T/R
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82+2.84 EUR
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HP8M51TB1ROHM SemiconductorMOSFETs HP8M51TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching application.
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HP8M51TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP T/R
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HP8M51TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
auf Bestellung 667 Stücke:
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4+4.68 EUR
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HP8M51TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP T/R
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82+2.84 EUR
100+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 82
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HP8MA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 15A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8-Pin HSOP EP T/R
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92+1.74 EUR
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HP8MA2TB1ROHM SEMICONDUCTORHP8MA2TB1 Multi channel transistors
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HP8MA2TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8-Pin HSOP EP T/R
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85+1.76 EUR
100+1.62 EUR
250+1.50 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.29 EUR
2500+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 15A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
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6+2.94 EUR
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500+1.44 EUR
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HP8MA2TB1ROHM SemiconductorMOSFETs HP8MA2 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET for switching application.
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1+2.96 EUR
10+2.39 EUR
100+1.72 EUR
500+1.41 EUR
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2500+1.30 EUR
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HP8MB5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8MB5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 16.5 A, 18 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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HP8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc), 7A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V, 44mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8MB5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
auf Bestellung 4985 Stücke:
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1+3.20 EUR
10+1.83 EUR
100+1.25 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.03 EUR
5000+0.90 EUR
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HP8MB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6A/7A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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HP8MB5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8MB5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 16.5 A, 18 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6A/7A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.16 EUR
100+1.58 EUR
200+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc), 7A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V, 44mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.22 EUR
10+2.05 EUR
100+1.38 EUR
500+1.10 EUR
1000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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HP8MC5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
auf Bestellung 4967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.20 EUR
10+1.83 EUR
100+1.25 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.03 EUR
2500+0.90 EUR
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HP8MC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4A/5A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.42 EUR
100+1.65 EUR
200+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8MC5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc), 5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V, 96mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.22 EUR
10+2.05 EUR
100+1.38 EUR
500+1.10 EUR
1000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8MC5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8MC5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 12 A, 12 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8MC5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc), 5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V, 96mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8MC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4A/5A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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HP8MC5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8MC5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 12 A, 12 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8ME5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.148 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.148ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
auf Bestellung 3642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.24 EUR
10+2.06 EUR
100+1.39 EUR
500+1.10 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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HP8ME5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.24 EUR
250+1.12 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 120
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HP8ME5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.96 EUR
10+2.06 EUR
100+1.43 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
2500+0.94 EUR
5000+0.90 EUR
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HP8ME5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.148 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.148ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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HP8ME5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
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HP8S36ROHM SemiconductorMOSFETs
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HP8S36TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
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HP8S36TB
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Transistoren > MOSFET N-CH
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HP8S36TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Not For New Designs
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HP8S36TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
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HP8S36TBROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET
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HP8S36TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Not For New Designs
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