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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXS 60K-3KERNDescription: KERN - IXS 60K-3 - Waage, Plattformwaage, 60kg, Edelstahl-Auswertegerät, Produktreihe IXS
Lademasse, max.: 60
Waage: Tafelwaage
Auflösung (g): 2
Produktpalette: IXS Series
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXS 60K-3LKERNDescription: KERN - IXS 60K-3L - Waage, Plattformwaage, 60kg, Edelstahl-Auswertegerät, Produktreihe IXS
Lademasse, max.: 60
Waage: Tafelwaage
Auflösung (g): 2
Produktpalette: IXS Series
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXS100004+
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXS839AQ2IXYS Integrated CircuitsGate Drivers 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXS839AQ2IXYSDescription: IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 10QFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 484 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXS839AQ2T/RIXYSDescription: IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 10QFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXS839BQ2IXYSDescription: IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 10QFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 363 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXS839BQ2T/RIXYSDescription: IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 10QFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXS839S1IXYSDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 4A
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 15ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 24 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXS839S1T/RIXYSDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 24 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 15ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 4A
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA025000AVC5*725MKDS
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA10N60B2D1IXYSDescription: IGBT 600V 20A 100W TO263
Power - Max: 100 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Gate Charge: 17 nC
Test Condition: 480V, 10A, 30Ohm, 15V
Switching Energy: 430µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/180ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA110N65L2-7TRIXYSDescription: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 600 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+10.88 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA110N65L2-7TRIXYSSiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.61 EUR
10+16.42 EUR
100+13.07 EUR
500+12.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA110N65L2-7TRIXYSDescription: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA110N65L2-7TRIXYSDescription: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 600 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.04 EUR
10+16.73 EUR
100+13.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA15N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 30A TO-263AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/148ns
Switching Energy: 1.75mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA20N120L2-7TRIXYSSiC MOSFETs SiC MOSFET in TO263
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.08 EUR
10+9.53 EUR
100+6.95 EUR
500+6.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA20N120L2-7TRIXYSDescription: 1200V 60M (20A @25C) SIC MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA20N120L2-7TRIXYSSiC MOSFETs 1200V 60mohm (20A a.25C) SiC MOSFET in TO263-7L
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA20N120L2-7TRIXYSDescription: 1200V 60M (20A @25C) SIC MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.88 EUR
10+8 EUR
100+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA20N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 35A TO-263AA
Power - Max: 190 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Gate Charge: 33 nC
Test Condition: 480V, 16A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 380µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/116ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 16A
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA40N120L2-7TRIXYSDescription: 1200V 80m (40A @ 25C) SiC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA40N120L2-7TRIXYSDescription: 1200V 80m (40A @ 25C) SiC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 800 V
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.86 EUR
10+12.23 EUR
100+9.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA40N120L2-7TRIXYSSiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.53 EUR
10+12.02 EUR
100+9.07 EUR
500+8.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA40N65L2-7TRIXYSDescription: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+6.52 EUR
1600+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA40N65L2-7TRIXYSSiC MOSFETs SiC MOSFET in TO263-7L
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.06 EUR
10+10.97 EUR
100+8.07 EUR
500+7.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA40N65L2-7TRIXYSDescription: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.01 EUR
10+10.91 EUR
100+8.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA60N65L2-7TRIXYSSiC MOSFETs SiC MOSFET in TO263-7L
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.46 EUR
10+13.4 EUR
100+10.28 EUR
500+9.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA60N65L2-7TRIXYSDescription: 650V 40M (80A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 600 V
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.84 EUR
10+13.65 EUR
100+10.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA60N65L2-7TRIXYSDescription: 650V 40M (80A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 600 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA65N120L2-7TRIXYSSiC MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.68 EUR
10+15.33 EUR
100+12.78 EUR
500+11.16 EUR
800+10.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA80N120L2-7TRIXYSSiC MOSFETs 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.62 EUR
10+18.41 EUR
100+14.43 EUR
500+13.67 EUR
800+13.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA80N120L2-7TRIXYSDescription: 1200V 30m (80A @ 25C) SiC MOSF
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.43 EUR
10+16.3 EUR
100+12.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA80N120L2-7TRIXYSDescription: 1200V 30m (80A @ 25C) SiC MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+11.45 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSG110N65L2KLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXSG110N65L2K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 650 V, 0.033 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSG110N65L2KIXYSDescription: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 600 V
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.04 EUR
10+16.73 EUR
100+13.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSG110N65L2KLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXSG110N65L2K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 650 V, 0.033 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+27.81 EUR
11+21.91 EUR
13+16.58 EUR
50+14.89 EUR
100+13.2 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSG110N65L2KIXYSSiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.61 EUR
10+16.42 EUR
100+13.07 EUR
1000+12.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSG110N65L2KIXYSDescription: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSG40N65L2KIXYSDescription: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSG40N65L2KIXYSSiC MOSFETs SiC MOSFET in TOLL
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.9 EUR
10+10.83 EUR
100+7.96 EUR
500+7.88 EUR
1000+7.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSG40N65L2KIXYSDescription: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
auf Bestellung 1966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.84 EUR
10+10.77 EUR
100+7.91 EUR
500+7.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSG60N65L2KIXYSSiC MOSFETs SiC MOSFET in TOLL
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.23 EUR
10+13.23 EUR
100+10.12 EUR
1000+9.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSG60N65L2KIXYSDescription: 650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 600 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+8.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSG60N65L2KIXYSDescription: 650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 600 V
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.59 EUR
10+13.48 EUR
100+10.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH100N65L2KHVIXYSSiC MOSFETs 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.03 EUR
10+16.76 EUR
100+12.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH10N120AU1IXYSLittelfuse
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH10N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 20A TO-247AD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Gate Charge: 17 nC
Test Condition: 480V, 10A, 30Ohm, 15V
Switching Energy: 430µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/180ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Box
Power - Max: 100 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH15N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 30A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/148ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH15N120BIXYSIGBT Transistors 30 Amps 1200V 3.4 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH15N120BD1IXYSIGBT Transistors 30 Amps 1200V 3.4 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH15N120BD1IXYSDescription: IGBT PT 1200V 30A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/148ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH16N60U1IXYSLittelfuse
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH20N120L2KHVIXYSDescription: 1200V 60M (20A @25C) SIC MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.33 EUR
10+7.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH20N120L2KHVIXYSSiC MOSFETs 1200V 60mohm (20A a.25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH20N60B2D1IXYSIGBT Transistors 20 Amps 600V 2.5 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH20N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 35A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/116ns
Switching Energy: 380µJ (off)
Test Condition: 480V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 33 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 190 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH24N60IXYSDescription: IGBT 600V 48A 150W TO247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH24N60IXYSIGBT Transistors 48 Amps 600V 2.2 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH24N60AIXYSDescription: IGBT 600V 48A 150W TO247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH24N60AIXYSIGBT Transistors S-SERIES LO VCE SNGL 600V 24A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH24N60AU1IXYSIGBT Transistors 48 Amps 600V 2.7 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH24N60AU1IXYSDescription: IGBT 600V 48A 150W TO247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH24N60AU1IXYSMODULE
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH24N60BIXYSDescription: IGBT PT 600V 48A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/150ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 41 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH24N60BIXYSIGBT Transistors 48 Amps 600V 2.5 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH24N60BD1IXYSIGBT Transistors 48 Amps 600V 2.5 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH24N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 48A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/150ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 41 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH24N60U1IXYSDescription: IGBT 600V 48A 150W TO247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH24N60U1IXYSIGBT Transistors S-SERIE MED SPD IGBT FREEWHEELING 600V48A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH25N100IXYSIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH25N100AIXYSLittelfuse
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH25N120AIXYSDescription: IGBT 1200V 50A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/450ns
Switching Energy: 9.6mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH25N120AIXYSIGBT Transistors 50 Amps 1200V 4.0 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH25N120AU1IXYSDescription: IGBT 1200V 50A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/450ns
Switching Energy: 9.6mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH30N60IXYSIGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH30N60IXYSMODULE
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH30N60AU1IXYSDescription: IGBT 600V 50A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/400ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH30N60AU1IXYSIGBT Transistors 30 Amps 600V
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IXSH30N60BIXYSIGBT Transistors 55 Amps 600V 2 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH30N60BIXYSDescription: IGBT PT 600V 55A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH30N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 48A TO-247AD
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Gate Charge: 50 nC
Test Condition: 400V, 24A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 550µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/130ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
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IXSH30N60B2D1IXYSIGBT Transistors 30 Amps 600V 2.5 Rds
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IXSH30N60BD1IXYSIGBT Transistors 55 Amps 600V 2 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH30N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 55A TO-247AD
Power - Max: 200 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Gate Charge: 100 nC
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 55A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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IXSH30N60CIXYSIGBT Transistors 55 Amps 600V 2.5 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH30N60CIXYSDescription: IGBT 600V 55A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH30N60CIGBT 600V 55A TO-247AD Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH30N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 55A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH30N60CD1IXYSIGBT Transistors 55 Amps 600V 2.5 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH30N60U1IXYSIGBT Transistors 30 Amps 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH30N60U1IXYSDescription: IGBT 600V 50A 200W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/400ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH35N100AIXYSDescription: IGBT 1000V 70A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/400ns
Switching Energy: 10mJ (off)
Test Condition: 800V, 35A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 300 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH35N100AТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH35N100AIXYSIGBT Transistors 35 Amps 1000V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH35N120AIXYSIGBT Transistors HIGH SPEED IGBT 1200V, 70A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH35N120AIXYSDescription: IGBT 1200V 70A 300W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/400ns
Switching Energy: 10mJ (off)
Test Condition: 960V, 35A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH35N120BIXYSIGBT Transistors 70 Amps 1200V 3.6 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH35N120BТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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