Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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BCP53-16T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP53-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3046 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SD1802T-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1802T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZX84C36LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C36LT1G - Zener-Diode, 36 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 36V |
auf Bestellung 4703 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZX84B3V3LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84B3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Zener-Spannung, nom.: 3.3V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 4144 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZX84B3V3LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84B3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Zener-Spannung, nom.: 3.3V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 4144 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP114ASN280T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP114ASN280T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 2.8V/300mAout, 170mV Dropout, TSOP-5 tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Nennausgangsspannung: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 300mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.7V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 300mA 2.8V LDO Voltage Regulators productTraceability: Yes-Date/Lot Code Typische Dropout-Spannung bei Strom: 170mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP114ASN280T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP114ASN280T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 2.8V/300mAout, 170mV Dropout, TSOP-5 tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Nennausgangsspannung: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 300mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.7V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 300mA 2.8V LDO Voltage Regulators productTraceability: Yes-Date/Lot Code Typische Dropout-Spannung bei Strom: 170mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP69T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP69T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP69T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP69T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 375hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 12639 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SA572DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SA572DR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 6V bis 22V, WSOIC, 16 Pin(s), -40 °C tariffCode: 85423990 Audiosteuerung: Dynamikregler Versorgungsspannung: 6V bis 22V hazardous: false MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40 euEccn: NLR Steuer-/Bedienschnittstelle: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Bauform - Audio-IC: WSOIC Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SA572DTBR2G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SA572DTBR2G. - Audiosteuerung, Dynamikregler, 6V bis 22V, TSSOP, 16 Pin(s), -40 °C tariffCode: 85423990 Audiosteuerung: Dynamikregler Versorgungsspannung: 6V bis 22V hazardous: false MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40 euEccn: NLR Steuer-/Bedienschnittstelle: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Bauform - Audio-IC: TSSOP Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BZX84C68LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C68LT1G - Zener-Diode, 68 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Diodenmontage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 11530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTHL015N065SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 163A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 643W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6675BZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0108 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm |
auf Bestellung 28745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA2012-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2012-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage hazardous: false Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5 Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 350 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVHL040N120SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86540 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 136A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 127W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD57090DDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57090DDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: Nicht invertierend rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Channels Betriebstemperatur, min.: -65°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NCx57090y productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 801 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP5006SNT1G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5006SNT1G. - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 2.7V-5.5Vin, 24V/50mAout, TSOP-5 tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 1.2 IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 24 hazardous: false usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -25 Eingangsspannung, max.: 5.5 euEccn: NLR Bauform - Treiber: TSOP Bausteintopologie: Boost (Aufwärts) Ausgangsstrom, max.: 50 Eingangsspannung, min.: 2.7 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCP5006SNT1G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5006SNT1G. - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 2.7V-5.5Vin, 24V/50mAout, TSOP-5 tariffCode: 85423990 IC-Montage: Oberflächenmontage euEccn: NLR hazardous: false usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCP13992AADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP13992AADR2G - Resonanz-Controller, 12V bis 20V, NSOIC-16 tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Resonanz-Controller rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 IC-Bauform: NSOIC Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 12V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP13992ABDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP13992ABDR2G - AC/DC-Wandler, Current-Mode-Resonanz, Halbbrücke, 20V AC Eingangsspannung, NSOIC-16 tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 750kHz rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung Leistungsschalter: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Maximale Nennleistung: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 0 euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: - Topologie: Halbbrücke Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Isolation: Nicht isoliert Nennstrom Leistungsschalter: 1A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2479 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP1399ARDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1399ARDR2G - AC / DC CONVERTERS tariffCode: 85423990 MSL: MSL 3 - 168 Stunden euEccn: NLR hazardous: false usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGP10N60UNDF. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGP10N60UNDF. - IGBT, 20 A, 2 V, 139 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage hazardous: false Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 139 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Betriebstemperatur, max.: 150 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCP51560ABDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51560ABDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: 0 rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WSOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 38ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP51560ABDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51560ABDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: 0 Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WSOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 38ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NZT560A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NZT560A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 3A Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6898A. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6898A. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CPH6350-TL-W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH6350-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.033 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -999V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSD914XV2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSD914XV2T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSD914XV2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSD914XV2T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSD070ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSD070ALT1G - Kleinsignaldiode, Zwei in Reihe, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500 Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25 Sperrverzögerungszeit: 3 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NSD914F3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSD914F3T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-1123 Durchlassstoßstrom: 500 Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1 Sperrverzögerungszeit: 4 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NSD914F3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSD914F3T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA tariffCode: 85411000 euEccn: NLR hazardous: false usEccn: EAR99 Diodenmontage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVBLS1D1N08H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 351 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 311 Bauform - Transistor: MO-299A Anzahl der Pins: 9 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTBLS1D1N08H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 351 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 311 Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 9 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCV47701PDAJR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV47701PDAJR2G - LDO-Spannungsregler, AEC-Q100, einstellbar, max. 40Vin, 0.25V Dropout, 5V bis 20V/350mAout, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar hazardous: false Ausgangsstrom: 350 Nominelle feste Ausgangsspannung: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 20 Bauform - LDO-Regler: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 5 Eingangsspannung, max.: 40 euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 5.5 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Adj 350mA LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: 250 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV8711ASNADJT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8711ASNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.7V bis 18Vin, 215mV Dropout, 1.2-17 V/100mAout, TSOP-5 tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar hazardous: false Ausgangsstrom: 100 Nominelle feste Ausgangsspannung: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 17 Bauform - LDO-Regler: TSOP Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2 Eingangsspannung, max.: 18 euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Eingangsspannung, min.: 2.7 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: Adj 100mA LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: 215 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGBS3040E1-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGBS3040E1-F085 - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS tariffCode: 85423990 MSL: MSL 3 - 168 Stunden euEccn: NLR hazardous: false usEccn: EAR99 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SA575DTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SA575DTBR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, TSSOP, 20 Pin(s), -40 °C tariffCode: 85423990 Audiosteuerung: Dynamikregler Versorgungsspannung: 3V bis 7V hazardous: false MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40 euEccn: NLR Steuer-/Bedienschnittstelle: - Anzahl der Pins: 20 Produktpalette: - Bauform - Audio-IC: TSSOP Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SA575DTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SA575DTBR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, TSSOP, 20 Pin(s), -40 °C tariffCode: 85423990 euEccn: NLR hazardous: false usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SA575DR2G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SA575DR2G. - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, WSOIC, 20 Pin(s), -40 °C tariffCode: 85423990 Audiosteuerung: Dynamikregler Versorgungsspannung: 3V bis 7V hazardous: false MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40 euEccn: NLR Steuer-/Bedienschnittstelle: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 20 Produktpalette: - Bauform - Audio-IC: WSOIC Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FCH060N80-F155 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH060N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 58 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 58 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDB16AN08A0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 58 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 58 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 135 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGAF20S65AQ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGAF20S65AQ - IGBT, 40 A, 1.4 V, 75 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage hazardous: false Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75 Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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QEE123 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QEE123 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 50 °, Radial bedrahtet, 9 mW/Sr, 900 ns, 800 ns tariffCode: 85414100 Bauform - Diode: Radial bedrahtet Durchlassspannung Vf max.: 1.7V rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Abfallzeit tf: 800ns MSL: - usEccn: EAR99 Spitzenwellenlänge: 890nm Betriebstemperatur, min.: -40°C Strahlungsintensität (Ie): 9mW/Sr Halbwertswinkel: 50° euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA Produktpalette: QEE12X Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 100°C Anstiegszeit: 900ns SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA59N25 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDA59N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 59 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 59 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 392 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 392 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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GF1J | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GF1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1 V, 2 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 2µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: GF1J productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 12998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GF1K | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GF1K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 2 µs, 30 A tariffCode: 85412900 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30 hazardous: false Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2 Sperrverzögerungszeit: 2 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GF1K | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GF1K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 2 µs, 30 A tariffCode: 85412900 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30 hazardous: false Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2 Sperrverzögerungszeit: 2 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NC7NZ34K8X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7NZ34K8X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8 tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: - Logik-IC-Familie: 7NZ Bauform - Logikbaustein: US8 hazardous: false MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: - euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDG6303N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.45 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 500 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800 Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NC7SZ00P5X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ00P5X - NAND-Gatter, NC7S00, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5 tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 7400 Logikfunktion: NAND-Gatter Logik-IC-Familie: 7SZ Bauform - Logikbaustein: SC-70 hazardous: false Ausgangsstrom: 32 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S00 Logiktyp: NAND euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: 7S00 Versorgungsspannung, max.: 5.5 Anzahl der Eingänge: 2 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl von Elementen: Eins SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC546BTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC546BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Kleinsignal, NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3613 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF6N80T | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF6N80T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 3.3 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 51 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 51 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SD1624T-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1624T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6981 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSR0140P2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR0140P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 70 mA, 350 mV, 500 mA, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-923 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 350mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: NSR01 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 14276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV33152DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV33152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V bis 18V Versorgung, 1.5Aout, 40ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC euEccn: NLR hazardous: false Qualifikation: AEC-Q100 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCV33152DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV33152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V bis 18V Versorgung, 1.5Aout, 40ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.5 Treiberkonfiguration: Low-Side Leistungsschalter: MOSFET hazardous: false Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 6.1 Quellstrom: 1.5 euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 18 Eingabeverzögerung: 50 Ausgabeverzögerung: 40 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
BCP53-16T3G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP53-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BCP53-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2SD1802T-TL-E |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1802T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1802T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)BZX84C36LT1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C36LT1G - Zener-Diode, 36 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
Description: ONSEMI - BZX84C36LT1G - Zener-Diode, 36 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
auf Bestellung 4703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)BZX84B3V3LT1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - BZX84B3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)BZX84B3V3LT1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - BZX84B3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NCP114ASN280T1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP114ASN280T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 2.8V/300mAout, 170mV Dropout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 300mA 2.8V LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 170mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCP114ASN280T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 2.8V/300mAout, 170mV Dropout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 300mA 2.8V LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 170mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NCP114ASN280T1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP114ASN280T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 2.8V/300mAout, 170mV Dropout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 300mA 2.8V LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 170mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCP114ASN280T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 2.8V/300mAout, 170mV Dropout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 300mA 2.8V LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 170mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)BCP69T1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP69T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BCP69T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)BCP69T1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP69T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 375hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BCP69T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 375hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)SA572DR2G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA572DR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 6V bis 22V, WSOIC, 16 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 6V bis 22V
hazardous: false
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: WSOIC
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - SA572DR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 6V bis 22V, WSOIC, 16 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 6V bis 22V
hazardous: false
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: WSOIC
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
SA572DTBR2G. |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA572DTBR2G. - Audiosteuerung, Dynamikregler, 6V bis 22V, TSSOP, 16 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 6V bis 22V
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: TSSOP
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - SA572DTBR2G. - Audiosteuerung, Dynamikregler, 6V bis 22V, TSSOP, 16 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 6V bis 22V
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: TSSOP
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
BZX84C68LT1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C68LT1G - Zener-Diode, 68 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - BZX84C68LT1G - Zener-Diode, 68 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 11530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NTHL015N065SC1 |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 643W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 643W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FDS6675BZ |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0108 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0108 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
auf Bestellung 28745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2SA2012-TD-E |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2012-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 350
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 2SA2012-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 350
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NVHL040N120SC1 |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FDD86540 |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NCD57090DDWR2G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090DDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57090y
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCD57090DDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57090y
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NCP5006SNT1G. |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5006SNT1G. - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 2.7V-5.5Vin, 24V/50mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 1.2
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24
hazardous: false
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25
Eingangsspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: TSOP
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Ausgangsstrom, max.: 50
Eingangsspannung, min.: 2.7
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NCP5006SNT1G. - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 2.7V-5.5Vin, 24V/50mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 1.2
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24
hazardous: false
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25
Eingangsspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: TSOP
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Ausgangsstrom, max.: 50
Eingangsspannung, min.: 2.7
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP5006SNT1G. |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5006SNT1G. - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 2.7V-5.5Vin, 24V/50mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
IC-Montage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NCP5006SNT1G. - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 2.7V-5.5Vin, 24V/50mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
IC-Montage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP13992AADR2G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP13992AADR2G - Resonanz-Controller, 12V bis 20V, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Resonanz-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP13992AADR2G - Resonanz-Controller, 12V bis 20V, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Resonanz-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NCP13992ABDR2G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP13992ABDR2G - AC/DC-Wandler, Current-Mode-Resonanz, Halbbrücke, 20V AC Eingangsspannung, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 750kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Halbbrücke
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Nicht isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: 1A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP13992ABDR2G - AC/DC-Wandler, Current-Mode-Resonanz, Halbbrücke, 20V AC Eingangsspannung, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 750kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Halbbrücke
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Nicht isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: 1A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NCP1399ARDR2G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399ARDR2G - AC / DC CONVERTERS
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1399ARDR2G - AC / DC CONVERTERS
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FGP10N60UNDF. |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGP10N60UNDF. - IGBT, 20 A, 2 V, 139 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FGP10N60UNDF. - IGBT, 20 A, 2 V, 139 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP51560ABDWR2G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51560ABDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: 0
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCP51560ABDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: 0
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NCP51560ABDWR2G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51560ABDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: 0
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCP51560ABDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: 0
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NZT560A |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NZT560A |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FDS6898A. |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6898A. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDS6898A. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)CPH6350-TL-W |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6350-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.033 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -999V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
Description: ONSEMI - CPH6350-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.033 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -999V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NSD914XV2T1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD914XV2T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSD914XV2T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NSD914XV2T1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD914XV2T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSD914XV2T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NSD070ALT1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD070ALT1G - Kleinsignaldiode, Zwei in Reihe, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25
Sperrverzögerungszeit: 3
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NSD070ALT1G - Kleinsignaldiode, Zwei in Reihe, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25
Sperrverzögerungszeit: 3
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NSD914F3T5G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD914F3T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-1123
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: 4
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NSD914F3T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-1123
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: 4
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
NSD914F3T5G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD914F3T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NSD914F3T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS1D1N08H |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NVBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTBLS1D1N08H |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NTBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCV47701PDAJR2G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV47701PDAJR2G - LDO-Spannungsregler, AEC-Q100, einstellbar, max. 40Vin, 0.25V Dropout, 5V bis 20V/350mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Ausgangsstrom: 350
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 20
Bauform - LDO-Regler: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 5
Eingangsspannung, max.: 40
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 5.5
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Adj 350mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV47701PDAJR2G - LDO-Spannungsregler, AEC-Q100, einstellbar, max. 40Vin, 0.25V Dropout, 5V bis 20V/350mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Ausgangsstrom: 350
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 20
Bauform - LDO-Regler: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 5
Eingangsspannung, max.: 40
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 5.5
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Adj 350mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NCV8711ASNADJT1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8711ASNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.7V bis 18Vin, 215mV Dropout, 1.2-17 V/100mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Ausgangsstrom: 100
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 17
Bauform - LDO-Regler: TSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2
Eingangsspannung, max.: 18
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 2.7
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: Adj 100mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 215
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV8711ASNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.7V bis 18Vin, 215mV Dropout, 1.2-17 V/100mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Ausgangsstrom: 100
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 17
Bauform - LDO-Regler: TSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2
Eingangsspannung, max.: 18
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 2.7
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: Adj 100mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 215
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FGBS3040E1-F085 |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGBS3040E1-F085 - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FGBS3040E1-F085 - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
SA575DTBR2G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA575DTBR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, TSSOP, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 3V bis 7V
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: TSSOP
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - SA575DTBR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, TSSOP, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 3V bis 7V
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: TSSOP
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
SA575DTBR2G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA575DTBR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, TSSOP, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - SA575DTBR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, TSSOP, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
SA575DR2G. |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA575DR2G. - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, WSOIC, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 3V bis 7V
hazardous: false
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: WSOIC
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - SA575DR2G. - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, WSOIC, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 3V bis 7V
hazardous: false
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: WSOIC
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FCH060N80-F155 |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH060N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 58 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 58
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FCH060N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 58 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 58
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDB16AN08A0 |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 58 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 58
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDB16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 58 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 58
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FGAF20S65AQ |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGAF20S65AQ - IGBT, 40 A, 1.4 V, 75 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FGAF20S65AQ - IGBT, 40 A, 1.4 V, 75 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
QEE123 |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QEE123 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 50 °, Radial bedrahtet, 9 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: Radial bedrahtet
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 800ns
MSL: -
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 890nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 9mW/Sr
Halbwertswinkel: 50°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: QEE12X Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anstiegszeit: 900ns
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - QEE123 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 50 °, Radial bedrahtet, 9 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: Radial bedrahtet
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 800ns
MSL: -
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 890nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 9mW/Sr
Halbwertswinkel: 50°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: QEE12X Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anstiegszeit: 900ns
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FDA59N25 |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA59N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 59 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 59
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 392
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 392
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDA59N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 59 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 59
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 392
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 392
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
GF1J |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - GF1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: GF1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - GF1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: GF1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)GF1K |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - GF1K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 2
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - GF1K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 2
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)GF1K |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - GF1K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 2
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - GF1K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 2
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NC7NZ34K8X |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7NZ34K8X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 7NZ
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NC7NZ34K8X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 7NZ
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6303N |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.45 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 500
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.45 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 500
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NC7SZ00P5X |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ00P5X - NAND-Gatter, NC7S00, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7400
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
Ausgangsstrom: 32
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S00
Logiktyp: NAND
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 7S00
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NC7SZ00P5X - NAND-Gatter, NC7S00, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7400
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
Ausgangsstrom: 32
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S00
Logiktyp: NAND
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 7S00
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)BC546BTA |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC546BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Kleinsignal, NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC546BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Kleinsignal, NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3613 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FQPF6N80T |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF6N80T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF6N80T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
2SD1624T-TD-E |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1624T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2SD1624T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NSR0140P2T5G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0140P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 70 mA, 350 mV, 500 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 350mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSR0140P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 70 mA, 350 mV, 500 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 350mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NCV33152DR2G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V bis 18V Versorgung, 1.5Aout, 40ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
euEccn: NLR
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV33152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V bis 18V Versorgung, 1.5Aout, 40ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
euEccn: NLR
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCV33152DR2G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V bis 18V Versorgung, 1.5Aout, 40ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 6.1
Quellstrom: 1.5
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 18
Eingabeverzögerung: 50
Ausgabeverzögerung: 40
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV33152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V bis 18V Versorgung, 1.5Aout, 40ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 6.1
Quellstrom: 1.5
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 18
Eingabeverzögerung: 50
Ausgabeverzögerung: 40
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar