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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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QFET-3000
auf Bestellung 488 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3000-TR1G
auf Bestellung 355 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3002-TR1
auf Bestellung 170 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3003-TR1
auf Bestellung 3081 Stücke:
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QFET-3006-TR1
auf Bestellung 844 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3006-TR1G
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3006TR1G Agilent
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3006TR1G Agilent 0539+
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3008-TR1 AGILENT 2005 TO23-4
auf Bestellung 3050 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB047N10 FDB047N10 onsemi / Fairchild FDB047N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 7731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.12 EUR
10+3.52 EUR
100+3.27 EUR
500+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532 FDB2532 onsemi / Fairchild 5C71B921DDFCC5CCD32ECB6539B1867C264D8E91B77B219B9C42194F9FEC2274.pdf MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.14 EUR
10+4.05 EUR
100+3.22 EUR
800+3.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2670 FDD2670 onsemi / Fairchild FDD2670-D.PDF MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
auf Bestellung 3068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.4 EUR
10+2.36 EUR
100+1.72 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.34 EUR
2500+1.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2523P FDMC2523P onsemi / Fairchild FDMC2523P-D.pdf MOSFETs -150V P-Channel QFET
auf Bestellung 11779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.76 EUR
100+1.36 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.18 EUR
3000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N50CF FQA13N50CF ONSEMI ONSM-S-A0003590676-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA13N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.43 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 218W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA140N10 FQA140N10 onsemi / Fairchild FQA140N10-D.PDF MOSFETs 100V N-Channel QFET
auf Bestellung 1446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.86 EUR
10+6.76 EUR
120+6.04 EUR
510+5.84 EUR
2520+5.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.17 EUR
10+7.36 EUR
11+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA36P15 FQA36P15 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.29 EUR
16+4.75 EUR
20+3.73 EUR
21+3.53 EUR
120+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N10 FQA70N10 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199358C0F874259&compId=FQA70N10.pdf?ci_sign=349cba8499ef084419a1f1bc51a1bbbeffb3987e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N10 FQA70N10 onsemi / Fairchild FQA70N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
auf Bestellung 1041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.85 EUR
10+2.32 EUR
120+2.24 EUR
510+2.2 EUR
2520+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N100C FQA8N100C onsemi / Fairchild FQA8N100C-D.PDF MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
auf Bestellung 10919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.29 EUR
10+4.05 EUR
120+4.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.77 EUR
31+2.36 EUR
34+2.12 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB19N20LTM FQB19N20LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+1.9 EUR
42+1.72 EUR
46+1.59 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB19N20LTM FQB19N20LTM onsemi / Fairchild FQB19N20L-D.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 26540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+2.06 EUR
100+1.45 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB19N20TM FQB19N20TM onsemi / Fairchild FQB19N20-D.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 11843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.33 EUR
10+2.9 EUR
100+2.01 EUR
500+1.85 EUR
800+1.61 EUR
2400+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.6 EUR
36+2 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB22P10TM FQB22P10TM onsemi / Fairchild FQB22P10-D.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 24247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.91 EUR
10+2.68 EUR
100+1.85 EUR
800+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI ONSM-S-A0003590736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQB22P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI ONSM-S-A0003590736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQB22P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27P06TM FQB27P06TM onsemi / Fairchild FQB27P06-D.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 6055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.43 EUR
10+2.24 EUR
100+1.88 EUR
500+1.74 EUR
800+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.5 EUR
25+2.93 EUR
30+2.46 EUR
31+2.32 EUR
100+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34P10TM FQB34P10TM onsemi / Fairchild FQB34P10-D.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.75 EUR
10+3.17 EUR
100+2.57 EUR
500+2.53 EUR
800+2.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI 2304414.pdf Description: ONSEMI - FQB34P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.5 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI 2304414.pdf Description: ONSEMI - FQB34P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.5 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB44N10TM FQB44N10TM ONSEMI 2907419.pdf Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB44N10TM FQB44N10TM ONSEMI 2907419.pdf Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 onsemi / Fairchild FQB47P06-D.PDF MOSFETs 60V P-Channel QFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 ONSEMI 2299972.pdf Description: ONSEMI - FQB47P06TM-AM002 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2538 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 ONSEMI 2299972.pdf Description: ONSEMI - FQB47P06TM-AM002 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB4N80TM FQB4N80TM onsemi / Fairchild 97B1B4037C5B80B870EBB4FF748F328217CCD45148863D9C96C10ED542E0363C.pdf MOSFETs 800V N-Channel QFET
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2+2.6 EUR
10+2.09 EUR
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500+1.66 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB55N10 FQB55N10 ONSEMI 2572544.pdf Description: ONSEMI - FQB55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB55N10 FQB55N10 ONSEMI 2572544.pdf Description: ONSEMI - FQB55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.49 EUR
34+2.16 EUR
39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
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Mindestbestellmenge: 29
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FQB55N10TM FQB55N10TM onsemi / Fairchild FQB55N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
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2+2.55 EUR
10+2.08 EUR
100+1.78 EUR
500+1.69 EUR
800+1.59 EUR
2400+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI 2572544.pdf Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI 2572544.pdf Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB5N90TM FQB5N90TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197409012D40259&compId=FQB5N90.pdf?ci_sign=794e2f9b0f6a0883154a97fda2c236ae9e6d9415 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.57 EUR
30+2.39 EUR
32+2.26 EUR
50+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB5N90TM FQB5N90TM onsemi / Fairchild FQB5N90-D.PDF MOSFETs 900V N-Channel QFET
auf Bestellung 13276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.43 EUR
10+3.24 EUR
100+2.6 EUR
500+2.48 EUR
800+2.29 EUR
2400+2.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.69 EUR
55+1.31 EUR
62+1.16 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM onsemi / Fairchild 8BBD61E5B0F127A3E5884E5C373D8464B51EBB94D2E7E94C27A52B58FCF9DBAA.pdf MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V
auf Bestellung 4043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.11 EUR
10+1.46 EUR
100+0.96 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1411 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.37 EUR
69+1.04 EUR
84+0.86 EUR
138+0.52 EUR
146+0.49 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM FQD12N20LTM onsemi / Fairchild FQD12N20L-D.PDF MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 23373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.21 EUR
100+0.81 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI ONSM-S-A0003590772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 18935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI ONSM-S-A0003590772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 18935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974E719BEA0259&compId=FQD13N06L.pdf?ci_sign=4e9da335526d1bbeeac9e0f5053a81cdefc9e252 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+1.07 EUR
97+0.74 EUR
112+0.64 EUR
163+0.44 EUR
173+0.41 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06LTM FQD13N06LTM onsemi / Fairchild 859D1F19AD2F6E71990FD2B53C08470C7E75484BF43A699D839C0B00197FE58A.pdf MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
auf Bestellung 21077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+0.87 EUR
100+0.62 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197519098D18259&compId=FQD13N10L.pdf?ci_sign=0a0522534c40311ea9762b4c961f96baf7de80cd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+1.07 EUR
90+0.8 EUR
176+0.41 EUR
186+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTM FQD13N10LTM onsemi / Fairchild 0F795723B28BB5593F2D66C72FECF4A92D84D6D179DB77A849F45B7372106FE8.pdf MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 240149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.96 EUR
100+0.65 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3000
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3000-TR1G
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3002-TR1
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3003-TR1
auf Bestellung 3081 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3006-TR1
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3006-TR1G
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3006TR1G
Hersteller: Agilent
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3006TR1G
Hersteller: Agilent
0539+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3008-TR1
Hersteller: AGILENT
2005 TO23-4
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB047N10 FDB047N10-D.pdf
FDB047N10
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 7731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.12 EUR
10+3.52 EUR
100+3.27 EUR
500+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532 5C71B921DDFCC5CCD32ECB6539B1867C264D8E91B77B219B9C42194F9FEC2274.pdf
FDB2532
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.14 EUR
10+4.05 EUR
100+3.22 EUR
800+3.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2670 FDD2670-D.PDF
FDD2670
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
auf Bestellung 3068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.4 EUR
10+2.36 EUR
100+1.72 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.34 EUR
2500+1.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2523P FDMC2523P-D.pdf
FDMC2523P
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs -150V P-Channel QFET
auf Bestellung 11779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.24 EUR
10+1.76 EUR
100+1.36 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.18 EUR
3000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA13N50CF ONSM-S-A0003590676-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQA13N50CF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA13N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.43 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 218W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA140N10 FQA140N10-D.PDF
FQA140N10
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
auf Bestellung 1446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.86 EUR
10+6.76 EUR
120+6.04 EUR
510+5.84 EUR
2520+5.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.17 EUR
10+7.36 EUR
11+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA36P15 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741
FQA36P15
Hersteller: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
16+4.75 EUR
20+3.73 EUR
21+3.53 EUR
120+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199358C0F874259&compId=FQA70N10.pdf?ci_sign=349cba8499ef084419a1f1bc51a1bbbeffb3987e
FQA70N10
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N10 FQA70N10-D.pdf
FQA70N10
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
auf Bestellung 1041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.85 EUR
10+2.32 EUR
120+2.24 EUR
510+2.2 EUR
2520+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N100C FQA8N100C-D.PDF
FQA8N100C
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
auf Bestellung 10919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.29 EUR
10+4.05 EUR
120+4.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542
FQB12P20TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.77 EUR
31+2.36 EUR
34+2.12 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB19N20LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca
FQB19N20LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.9 EUR
42+1.72 EUR
46+1.59 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB19N20LTM FQB19N20L-D.pdf
FQB19N20LTM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 26540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.53 EUR
10+2.06 EUR
100+1.45 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB19N20TM FQB19N20-D.pdf
FQB19N20TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 11843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.33 EUR
10+2.9 EUR
100+2.01 EUR
500+1.85 EUR
800+1.61 EUR
2400+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB22P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1
FQB22P10TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.6 EUR
36+2 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB22P10TM FQB22P10-D.pdf
FQB22P10TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 24247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.91 EUR
10+2.68 EUR
100+1.85 EUR
800+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB22P10TM ONSM-S-A0003590736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQB22P10TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB22P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB22P10TM ONSM-S-A0003590736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQB22P10TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB22P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27P06TM FQB27P06-D.pdf
FQB27P06TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 6055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.43 EUR
10+2.24 EUR
100+1.88 EUR
500+1.74 EUR
800+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4
FQB34P10TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.5 EUR
25+2.93 EUR
30+2.46 EUR
31+2.32 EUR
100+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34P10TM FQB34P10-D.pdf
FQB34P10TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.75 EUR
10+3.17 EUR
100+2.57 EUR
500+2.53 EUR
800+2.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34P10TM 2304414.pdf
FQB34P10TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB34P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.5 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34P10TM 2304414.pdf
FQB34P10TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB34P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.5 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB44N10TM 2907419.pdf
FQB44N10TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB44N10TM 2907419.pdf
FQB44N10TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB47P06TM-AM002 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd
FQB47P06TM-AM002
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.08 EUR
24+3.02 EUR
26+2.85 EUR
50+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06-D.PDF
FQB47P06TM-AM002
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 54122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+5.42 EUR
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500+2.94 EUR
800+2.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB47P06TM-AM002 2299972.pdf
FQB47P06TM-AM002
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB47P06TM-AM002 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB47P06TM-AM002 2299972.pdf
FQB47P06TM-AM002
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB47P06TM-AM002 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB4N80TM 97B1B4037C5B80B870EBB4FF748F328217CCD45148863D9C96C10ED542E0363C.pdf
FQB4N80TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 800V N-Channel QFET
auf Bestellung 1597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.6 EUR
10+2.09 EUR
100+1.74 EUR
500+1.66 EUR
800+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB55N10 2572544.pdf
FQB55N10
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB55N10 2572544.pdf
FQB55N10
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB55N10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b
FQB55N10TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.49 EUR
34+2.16 EUR
39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
50+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB55N10TM FQB55N10-D.pdf
FQB55N10TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
auf Bestellung 7456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.55 EUR
10+2.08 EUR
100+1.78 EUR
500+1.69 EUR
800+1.59 EUR
2400+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB55N10TM 2572544.pdf
FQB55N10TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB55N10TM 2572544.pdf
FQB55N10TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB5N90TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197409012D40259&compId=FQB5N90.pdf?ci_sign=794e2f9b0f6a0883154a97fda2c236ae9e6d9415
FQB5N90TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
30+2.39 EUR
32+2.26 EUR
50+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB5N90TM FQB5N90-D.PDF
FQB5N90TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Channel QFET
auf Bestellung 13276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.43 EUR
10+3.24 EUR
100+2.6 EUR
500+2.48 EUR
800+2.29 EUR
2400+2.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59
FQD11P06TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.69 EUR
55+1.31 EUR
62+1.16 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM 8BBD61E5B0F127A3E5884E5C373D8464B51EBB94D2E7E94C27A52B58FCF9DBAA.pdf
FQD11P06TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V
auf Bestellung 4043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.11 EUR
10+1.46 EUR
100+0.96 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD11P06TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD11P06TM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c
FQD12N20LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1411 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
69+1.04 EUR
84+0.86 EUR
138+0.52 EUR
146+0.49 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM FQD12N20L-D.PDF
FQD12N20LTM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 23373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.87 EUR
10+1.21 EUR
100+0.81 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM ONSM-S-A0003590772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD12N20LTM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 18935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM ONSM-S-A0003590772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD12N20LTM
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 18935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974E719BEA0259&compId=FQD13N06L.pdf?ci_sign=4e9da335526d1bbeeac9e0f5053a81cdefc9e252
FQD13N06LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
97+0.74 EUR
112+0.64 EUR
163+0.44 EUR
173+0.41 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06LTM 859D1F19AD2F6E71990FD2B53C08470C7E75484BF43A699D839C0B00197FE58A.pdf
FQD13N06LTM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
auf Bestellung 21077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.26 EUR
10+0.87 EUR
100+0.62 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197519098D18259&compId=FQD13N10L.pdf?ci_sign=0a0522534c40311ea9762b4c961f96baf7de80cd
FQD13N10LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
90+0.8 EUR
176+0.41 EUR
186+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTM 0F795723B28BB5593F2D66C72FECF4A92D84D6D179DB77A849F45B7372106FE8.pdf
FQD13N10LTM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 240149 Stücke:
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