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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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6EDL04N065PRXUMA1 | Infineon Technologies |
 Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER |
auf Bestellung 2715 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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6EDL04N065PTXUMA1 | Infineon Technologies |
Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER |
auf Bestellung 999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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6EDL04N06PT | Infineon Technologies |
Gate Drivers 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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6EDL04N06PTXUMA1 | Infineon Technologies |
Gate Drivers 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT |
auf Bestellung 1585 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ACPL-074N-060E | Broadcom / Avago |
High Speed Optocouplers Optocoupler (15MBd), LF+VDE+UL |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC014N06NS | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS |
auf Bestellung 6007 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC014N06NSATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS |
auf Bestellung 8788 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC014N06NSTATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; Idm: 100A; 156W; PG-TDSON-8 FL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 156W Case: PG-TDSON-8 FL Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 1.45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 104nC Kind of channel: enhancement Technology: MOSFET |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC014N06NSTATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
auf Bestellung 4928 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC034N06NS | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
auf Bestellung 479 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC034N06NSATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
auf Bestellung 11444 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC094N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS |
auf Bestellung 12049 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DI114N06PQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 72.5A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 63.8W Case: QFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 78.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 4574 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB014N06N | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 |
auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB014N06NATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 180A Power dissipation: 214W Case: PG-TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB014N06NATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 |
auf Bestellung 851 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD034N06N3 G | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 2121 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD034N06N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Case: PG-TO252-3 Polarisation: unipolar On-state resistance: 3.4mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 167W Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD14N06S280ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
auf Bestellung 2844 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP014N06NF2SAKMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 198A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 198A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 203nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP024N06N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Power dissipation: 250W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISG0614N06NM5HATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
auf Bestellung 3499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ISG0614N06NM5HSCATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
auf Bestellung 1110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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M85049/2924N06 | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Backshells BACKSHELL NON ENV ST NICKEL SZ 24 |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTD24N06LT4G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 24A Power dissipation: 62.5W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTD24N06LT4G | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06L TNTD24N06L Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTD24N06LT4G | onsemi |
MOSFETs 24A 60V POWER MOSFET |
auf Bestellung 2098 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMJS1D4N06CLTWG | onsemi |
MOSFETs T6 60V LL LFPAK |
auf Bestellung 1474 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMJST1D4N06CLTXG | onsemi |
MOSFETs TRENCH 6 60V LFPAK 5X7 |
auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMYS014N06CLTWG | onsemi |
MOSFETs 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel |
auf Bestellung 2847 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTTFS024N06CTAG | onsemi |
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO |
auf Bestellung 917 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMFD024N06CT1G | onsemi |
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO |
auf Bestellung 25406 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMFWD024N06CT1G | onsemi |
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMFWS024N06CT1G | onsemi |
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO |
auf Bestellung 1326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMJST1D4N06CLTXG | onsemi |
MOSFETs TRENCH 6 60V LFPAK 5X7 |
auf Bestellung 6462 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVTFS024N06CTAG | onsemi |
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO |
auf Bestellung 1497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVTFWS024N06CTAG | onsemi |
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R1524N060B-TR-FE | Nisshinbo |
LDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator |
auf Bestellung 2853 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R1524N060B-TR-KE | Nisshinbo |
LDO Voltage Regulators Low Supply Current 36V Input 200mA Voltage Regulator for Automotive Applications |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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WMB014N06LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 278A Pulsed drain current: 1112A Power dissipation: 183.8W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WMB034N06HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 89.2W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WMB034N06LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 89.2W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WMLL014N06HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 378A; Idm: 1512A; 454.5W; TOLL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 378A Pulsed drain current: 1512A Power dissipation: 454.5W Case: TOLL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.55mΩ Mounting: SMD Gate charge: 102nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| XW4N-06D2-S | Omron Electronics |
Pluggable Terminal Blocks Socket,Double-row Gold |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 6EDL04N06PT | Infineon |
auf Bestellung 424000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC014N06NS | Infineon |
auf Bestellung 365000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC014N06NSATMA1 | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30, Qg, нКл = 89 @ 10 В, Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 156,... Група товару: Т Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
verfügbar 887 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BSC034N06NS | Infineon |
auf Bestellung 215000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| D4N06L | FAIRCHILD | 04+ |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| DD104N06 | EUPEC |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DD104N06K | EUPEC | 05+ |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| DD104N06K-A | EUPEC |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DD104N06K-K | EUPEC | 05+ |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| DT104N06KOF | EUPEC | 05+ |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| DT104N06KOF-A | EUPEC | 05+ |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| DT104N06KOF-K | EUPEC | 05+ |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB014N06N | Infineon technologies |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB054N06N3G | Infineon technologies |
|
auf Bestellung 161 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPD034N06N3G | Infineon technologies |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 6EDL04N065PRXUMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER
Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.99 EUR |
| 10+ | 2.76 EUR |
| 25+ | 2.52 EUR |
| 100+ | 2.27 EUR |
| 250+ | 2.15 EUR |
| 500+ | 2.08 EUR |
| 1000+ | 2.01 EUR |
| 6EDL04N065PTXUMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER
Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.78 EUR |
| 10+ | 2.82 EUR |
| 25+ | 2.57 EUR |
| 100+ | 2.31 EUR |
| 250+ | 2.18 EUR |
| 500+ | 2.11 EUR |
| 1000+ | 2.01 EUR |
| 6EDL04N06PT |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
Gate Drivers 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.8 EUR |
| 10+ | 2.82 EUR |
| 25+ | 2.57 EUR |
| 100+ | 2.31 EUR |
| 250+ | 2.24 EUR |
| 1000+ | 1.9 EUR |
| 6EDL04N06PTXUMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
Gate Drivers 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.4 EUR |
| 10+ | 2.66 EUR |
| 25+ | 2.48 EUR |
| 100+ | 2.31 EUR |
| 250+ | 2.18 EUR |
| 500+ | 2.11 EUR |
| 1000+ | 1.94 EUR |
| ACPL-074N-060E |
|
Hersteller: Broadcom / Avago
High Speed Optocouplers Optocoupler (15MBd), LF+VDE+UL
High Speed Optocouplers Optocoupler (15MBd), LF+VDE+UL
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.18 EUR |
| 10+ | 5.84 EUR |
| 100+ | 4.73 EUR |
| 500+ | 4.15 EUR |
| 1000+ | 3.98 EUR |
| 2500+ | 3.84 EUR |
| BSC014N06NS |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 6007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.52 EUR |
| 10+ | 4.93 EUR |
| 100+ | 3.68 EUR |
| 500+ | 3.08 EUR |
| 1000+ | 2.87 EUR |
| 2500+ | 2.85 EUR |
| 5000+ | 2.66 EUR |
| BSC014N06NSATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 8788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.11 EUR |
| 10+ | 4.7 EUR |
| 100+ | 3.33 EUR |
| 500+ | 2.87 EUR |
| 2500+ | 2.76 EUR |
| 5000+ | 2.66 EUR |
| BSC014N06NSTATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; Idm: 100A; 156W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8 FL
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; Idm: 100A; 156W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8 FL
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5000+ | 2.76 EUR |
| BSC014N06NSTATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 4928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.93 EUR |
| 10+ | 4.61 EUR |
| 100+ | 3.26 EUR |
| 500+ | 2.78 EUR |
| 2500+ | 2.69 EUR |
| 5000+ | 2.6 EUR |
| BSC034N06NS |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.24 EUR |
| 10+ | 2.73 EUR |
| 100+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.57 EUR |
| 1000+ | 1.39 EUR |
| 2500+ | 1.37 EUR |
| 5000+ | 1.25 EUR |
| BSC034N06NSATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 11444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.07 EUR |
| 10+ | 2.64 EUR |
| 100+ | 1.8 EUR |
| 500+ | 1.44 EUR |
| 1000+ | 1.34 EUR |
| 2500+ | 1.31 EUR |
| 5000+ | 1.25 EUR |
| BSC094N06LS5ATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
auf Bestellung 12049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.36 EUR |
| 10+ | 1.48 EUR |
| 100+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.78 EUR |
| 1000+ | 0.65 EUR |
| 5000+ | 0.59 EUR |
| DI114N06PQ |
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 40+ | 1.83 EUR |
| 44+ | 1.64 EUR |
| 50+ | 1.44 EUR |
| 100+ | 1.32 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |
| IPB014N06N |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.83 EUR |
| 10+ | 5.14 EUR |
| 100+ | 3.84 EUR |
| 500+ | 3.33 EUR |
| 1000+ | 2.82 EUR |
| 2000+ | 2.78 EUR |
| IPB014N06NATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 15+ | 4.93 EUR |
| 18+ | 4 EUR |
| 22+ | 3.27 EUR |
| 24+ | 3.02 EUR |
| IPB014N06NATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.32 EUR |
| 10+ | 4.84 EUR |
| 100+ | 3.43 EUR |
| 500+ | 2.97 EUR |
| 1000+ | 2.78 EUR |
| IPD034N06N3 G |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 2121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.63 EUR |
| 10+ | 2.32 EUR |
| 100+ | 1.59 EUR |
| 500+ | 1.26 EUR |
| 1000+ | 1.16 EUR |
| 2500+ | 1.06 EUR |
| IPD034N06N3GATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO252-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO252-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 29+ | 2.5 EUR |
| 36+ | 1.99 EUR |
| 41+ | 1.76 EUR |
| 55+ | 1.32 EUR |
| 100+ | 1.3 EUR |
| IPD14N06S280ATMA2 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 2844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.94 EUR |
| 10+ | 1.22 EUR |
| 100+ | 0.8 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| 1000+ | 0.56 EUR |
| 2500+ | 0.5 EUR |
| 5000+ | 0.45 EUR |
| IPP014N06NF2SAKMA2 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 198A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 198A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 198A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 198A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 4.58 EUR |
| 19+ | 3.89 EUR |
| 25+ | 2.97 EUR |
| 27+ | 2.69 EUR |
| IPP014N06NF2SAKMA2 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.59 EUR |
| 10+ | 3.92 EUR |
| 100+ | 3.57 EUR |
| 500+ | 2.96 EUR |
| 1000+ | 2.9 EUR |
| IPP024N06N3GXKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12+ | 6.23 EUR |
| 14+ | 5.36 EUR |
| 17+ | 4.3 EUR |
| ISG0614N06NM5HATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 3499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.87 EUR |
| 10+ | 5.24 EUR |
| 100+ | 3.73 EUR |
| 500+ | 3.31 EUR |
| 3000+ | 3.1 EUR |
| ISG0614N06NM5HSCATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.47 EUR |
| 10+ | 5.63 EUR |
| 100+ | 4.03 EUR |
| 500+ | 3.64 EUR |
| 1000+ | 3.52 EUR |
| 3000+ | 3.41 EUR |
| M85049/2924N06 |
Hersteller: Amphenol Pcd
Circular MIL Spec Backshells BACKSHELL NON ENV ST NICKEL SZ 24
Circular MIL Spec Backshells BACKSHELL NON ENV ST NICKEL SZ 24
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 74.15 EUR |
| 10+ | 68.92 EUR |
| 25+ | 68.9 EUR |
| 50+ | 67.44 EUR |
| 100+ | 61.92 EUR |
| 250+ | 61.25 EUR |
| NTD24N06LT4G |
|
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 72+ | 1 EUR |
| 77+ | 0.93 EUR |
| 99+ | 0.73 EUR |
| 117+ | 0.62 EUR |
| 121+ | 0.59 EUR |
| 127+ | 0.57 EUR |
| 200+ | 0.55 EUR |
| NTD24N06LT4G |
|
Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06L TNTD24N06L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06L TNTD24N06L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 30+ | 1.33 EUR |
| NTD24N06LT4G |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs 24A 60V POWER MOSFET
MOSFETs 24A 60V POWER MOSFET
auf Bestellung 2098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.78 EUR |
| 10+ | 2.22 EUR |
| 100+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.3 EUR |
| NTMJS1D4N06CLTWG |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs T6 60V LL LFPAK
MOSFETs T6 60V LL LFPAK
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.42 EUR |
| 10+ | 3.52 EUR |
| 100+ | 2.73 EUR |
| 500+ | 1.97 EUR |
| 1000+ | 1.87 EUR |
| 3000+ | 1.71 EUR |
| NTMJST1D4N06CLTXG |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
MOSFETs TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.72 EUR |
| 10+ | 3.06 EUR |
| 100+ | 2.11 EUR |
| 500+ | 1.71 EUR |
| 1000+ | 1.64 EUR |
| 3000+ | 1.53 EUR |
| NTMYS014N06CLTWG |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel
MOSFETs 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel
auf Bestellung 2847 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.99 EUR |
| 10+ | 1.9 EUR |
| 100+ | 1.28 EUR |
| 500+ | 1.02 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
| 3000+ | 0.82 EUR |
| NTTFS024N06CTAG |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.15 EUR |
| 10+ | 0.71 EUR |
| 100+ | 0.46 EUR |
| 500+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.28 EUR |
| 1500+ | 0.24 EUR |
| 3000+ | 0.23 EUR |
| NVMFD024N06CT1G |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
auf Bestellung 25406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.8 EUR |
| 10+ | 3.12 EUR |
| 100+ | 2.16 EUR |
| 500+ | 1.71 EUR |
| 1000+ | 1.56 EUR |
| NVMFWD024N06CT1G |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.8 EUR |
| 10+ | 3.12 EUR |
| 100+ | 2.15 EUR |
| 500+ | 1.74 EUR |
| 1000+ | 1.56 EUR |
| NVMFWS024N06CT1G |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
auf Bestellung 1326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.01 EUR |
| 10+ | 1.92 EUR |
| 100+ | 1.29 EUR |
| 500+ | 1.02 EUR |
| 1000+ | 0.83 EUR |
| NVMJST1D4N06CLTXG |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
MOSFETs TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
auf Bestellung 6462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.48 EUR |
| 10+ | 4.28 EUR |
| 100+ | 2.99 EUR |
| 500+ | 2.53 EUR |
| 1000+ | 2.52 EUR |
| 3000+ | 2.36 EUR |
| NVTFS024N06CTAG |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.68 EUR |
| 10+ | 1.71 EUR |
| 100+ | 1.14 EUR |
| 500+ | 0.9 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| NVTFWS024N06CTAG |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.01 EUR |
| 10+ | 1.92 EUR |
| 100+ | 1.29 EUR |
| 500+ | 1.02 EUR |
| 1000+ | 0.84 EUR |
| 1500+ | 0.83 EUR |
| R1524N060B-TR-FE |
|
Hersteller: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
LDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
auf Bestellung 2853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.18 EUR |
| 10+ | 1.59 EUR |
| 25+ | 1.43 EUR |
| 100+ | 1.26 EUR |
| 250+ | 1.18 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 1.02 EUR |
| R1524N060B-TR-KE |
|
Hersteller: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low Supply Current 36V Input 200mA Voltage Regulator for Automotive Applications
LDO Voltage Regulators Low Supply Current 36V Input 200mA Voltage Regulator for Automotive Applications
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.45 EUR |
| 10+ | 2.55 EUR |
| 25+ | 2.32 EUR |
| 100+ | 2.09 EUR |
| 250+ | 2.02 EUR |
| 1000+ | 1.74 EUR |
| 3000+ | 1.72 EUR |
| WMB014N06LG4 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 65+ | 1.1 EUR |
| 69+ | 1.04 EUR |
| 78+ | 0.92 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| WMB034N06HG4 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 67+ | 1.07 EUR |
| 68+ | 1.06 EUR |
| WMB034N06LG4 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 27+ | 2.65 EUR |
| WMLL014N06HG4 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 378A; Idm: 1512A; 454.5W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 378A
Pulsed drain current: 1512A
Power dissipation: 454.5W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 378A; Idm: 1512A; 454.5W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 378A
Pulsed drain current: 1512A
Power dissipation: 454.5W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 71.5 EUR |
| XW4N-06D2-S |
|
Hersteller: Omron Electronics
Pluggable Terminal Blocks Socket,Double-row Gold
Pluggable Terminal Blocks Socket,Double-row Gold
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 18.97 EUR |
| 10+ | 16.14 EUR |
| 25+ | 15.12 EUR |
| 50+ | 14.41 EUR |
| 105+ | 13.64 EUR |
| 210+ | 12.81 EUR |
| 6EDL04N06PT |
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 424000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSC014N06NS |
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 365000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSC014N06NSATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30, Qg, нКл = 89 @ 10 В, Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 156,... Група товару: Т
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30, Qg, нКл = 89 @ 10 В, Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 156,... Група товару: Т
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 887 Stücke:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BSC034N06NS |
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 215000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| D4N06L |
Hersteller: FAIRCHILD
04+
04+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DD104N06 |
Hersteller: EUPEC
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DD104N06K |
Hersteller: EUPEC
05+
05+
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DD104N06K-A |
Hersteller: EUPEC
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DD104N06K-K |
Hersteller: EUPEC
05+
05+
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DT104N06KOF |
Hersteller: EUPEC
05+
05+
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DT104N06KOF-A |
Hersteller: EUPEC
05+
05+
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DT104N06KOF-K |
Hersteller: EUPEC
05+
05+
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IPB014N06N |
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IPB054N06N3G |
|
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IPD034N06N3G |
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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