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PHB9N60E
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PHP9N60E
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PHW9N60E
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SIHFIB9N60A-E3
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SKP9N60
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STD9N60M2 STMicroelectronics en.DM00080324.pdf
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF9N60M2 STMicroelectronics en.DM00086741.pdf
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STP9N60
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRFB9N60APBF 9.2A 600V N-ch TO-220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRFS9N60ATRLPBF 9.2A 600V N-ch D2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
N-600-2 N-600-2 Bivar N-___-_.pdf Racks & Rack Cabinet Accessories Narr-O-Gide 6in Nylon Natural 94V-2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML08N60C4 WML08N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 12A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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88+0.82 EUR
97+0.74 EUR
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250+0.65 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF9N60NT FCPF9N60NT
Produktcode: 112124
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FAIRS46032-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcpf9n60nt-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60A IRFB9N60A
Produktcode: 36734
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IRFB9N60A.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60APBF
Produktcode: 143119
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91103.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF
Produktcode: 44716
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sihs9n60.pdf Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH39N60BD1 IXGH39N60BD1
Produktcode: 25259
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97548.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDF9N60TH
Produktcode: 82367
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8542 39 90 00
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STD9N60M2 STD9N60M2
Produktcode: 108710
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STMicroelectronics en.DM00080324.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60W5
Produktcode: 183831
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT199N60 ONSEMI fcmt199n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; Idm: 60.6A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 208W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60.6A
Gate charge: 57nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT299N60 ONSEMI fcmt299n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 125W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 51nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP099N60E ONSEMI fcp099n60e-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37A; Idm: 111A; 357W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37A
Power dissipation: 357W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 111A
Gate charge: 88nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMAT7439N-60 FMAT7439N-60 Fairview Microwave FMAT7439N-60.pdf Attenuators - Interconnects 0 to 60 dB Rotary Step Attenuator, N-type Female to N-type Female With 10 dB Step Rated to 2 Watts Up to 6 GHz
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992910C4D40E0C7&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=af0385a689137498bdc05444fff20101cbaeca6f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRRPBF VISHAY sihs9n60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL9N60APBF VISHAY sihsl9n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL9N60APBF IRFSL9N60APBF Vishay / Siliconix sihsl9n6.pdf MOSFETs N-Chan 600V 9.2 Amp
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKC19N60C5 IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 430ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCTK099N60SH-TP MCTK099N60SH-TP Micro Commercial Components (MCC) MCTK099N60SH_TOLL_8L_KS_.pdf MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L-KS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL099N60S5 ONSEMI nthl099n60s5-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 95A; 184W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Power dissipation: 184W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 95A
Gate charge: 48nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PE7439N-60 PE7439N-60 Pasternack PE7439N-60.pdf Attenuators - Interconnects 0 to 60 dB Rotary Step Attenuator, N-type Female to N-type Female With 10 dB Step Rated to 2 Watts Up to 6 GHz
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF099N60EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF099N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 88A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Gate charge: 60nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29N60S02 Eaton Electrical Industrial Control Transformers 2 KVA ENCAPS TX, 1PH 208-600, 115C RISE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29N60S03 Eaton Electrical Industrial Control Transformers 3 KVA ENCAPS TX 1PH 208-600115C RISE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29N60S07CU Eaton Electrical Industrial Control Transformers 7.5KVA ENCAPS XFMR 1PH 208-600 115C
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD9N60E-GE3 VISHAY sihd9n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 368mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 52nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS9N60A-GE3 VISHAY sihs9n60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS9N60ATRL-GE3 SIHFS9N60ATRL-GE3 Vishay Semiconductors MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS9N60ATRR-GE3 SIHFS9N60ATRR-GE3 Vishay Semiconductors MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFSL9N60A-GE3 SIHFSL9N60A-GE3 Vishay Semiconductors MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3 VISHAY sihg039n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 199A
Gate charge: 126nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL039N60E-GE3 SIHL039N60E-GE3 Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 600V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2 STMicroelectronics en.DM00080324.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M6 STMicroelectronics Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 13.4A; 76W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 76W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 13.4A
Gate charge: 10nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M6 STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 670 mOhm typ., 6 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL19N60M2 STL19N60M2 STMicroelectronics en.DM00263618.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.278 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL19N60M6 STMicroelectronics en.DM00671637.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 11 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL9N60M2 STL9N60M2 STMicroelectronics en.DM00102384.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU9N60M2 STMicroelectronics en.DM00080324.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60X,S1F TK39N60X,S1F Toshiba 3338313730443637364546383735373737424234433530444530363342414538.pdf MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF09N60C2 WMF09N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD89BD8ADBAA0C4&compId=WMF09N60C2.pdf?ci_sign=1b626106b7d0ec7b9f82db25f0883cf7db8cafd5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMG09N60C2 WMG09N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD90D8CA62340C4&compId=WMx09N60C2.pdf?ci_sign=c2500c98390796df7676a15ee5870e63b821da12 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH09N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD90D8CA62340C4&compId=WMx09N60C2.pdf?ci_sign=c2500c98390796df7676a15ee5870e63b821da12 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMP09N60C2 WMP09N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD90D8CA62340C4&compId=WMx09N60C2.pdf?ci_sign=c2500c98390796df7676a15ee5870e63b821da12 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XM-A9N6-0404C XM-A9N6-0404C Quantic X-Microwave RF Development Tools High Pass Filters, HF0BA1840A700SMT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XM-B9N6-0409D XM-B9N6-0409D Quantic X-Microwave RF Development Tools Splitter, EP2K1+ [PCB: 1397]F=2G-26.5G
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XM-C9N6-0604D XM-C9N6-0604D Quantic X-Microwave RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-2
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XR-A9N6-0404C XR-A9N6-0404C Quantic X-Microwave RF Development Tools High Pass Filters, HF0BA1840A700SMT
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XR-B9N6-0409D XR-B9N6-0409D Quantic X-Microwave RF Development Tools Splitter, EP2K1+ [PCB: 1397]F=2G-26.5G
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STD9N60M2 en.DM00080324.pdf
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Транзистор польовий IRFB9N60APBF 9.2A 600V N-ch TO-220
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Транзистор польовий IRFS9N60ATRLPBF 9.2A 600V N-ch D2PAK
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N-600-2 N-___-_.pdf
N-600-2
Hersteller: Bivar
Racks & Rack Cabinet Accessories Narr-O-Gide 6in Nylon Natural 94V-2
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WML08N60C4
WML08N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 12A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FCPF9N60NT
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FCPF9N60NT
Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFB9N60A
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IRFB9N60A
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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IRFB9N60APBF
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFS9N60ATRLPBF
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sihs9n60.pdf
IRFS9N60ATRLPBF
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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IXGH39N60BD1
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IXGH39N60BD1
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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MDF9N60TH
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8542 39 90 00
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STD9N60M2
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STD9N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Transistoren > MOSFET N-CH
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TK39N60W5
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT199N60 fcmt199n60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; Idm: 60.6A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 208W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60.6A
Gate charge: 57nC
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FCMT299N60 fcmt299n60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 125W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 51nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP099N60E fcp099n60e-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37A; Idm: 111A; 357W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37A
Power dissipation: 357W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 111A
Gate charge: 88nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMAT7439N-60 FMAT7439N-60.pdf
FMAT7439N-60
Hersteller: Fairview Microwave
Attenuators - Interconnects 0 to 60 dB Rotary Step Attenuator, N-type Female to N-type Female With 10 dB Step Rated to 2 Watts Up to 6 GHz
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IRFS9N60ATRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992910C4D40E0C7&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=af0385a689137498bdc05444fff20101cbaeca6f
IRFS9N60ATRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRRPBF sihs9n60.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL9N60APBF sihsl9n6.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL9N60APBF sihsl9n6.pdf
IRFSL9N60APBF
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-Chan 600V 9.2 Amp
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IXKC19N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 430ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCTK099N60SH-TP MCTK099N60SH_TOLL_8L_KS_.pdf
MCTK099N60SH-TP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L-KS
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NTHL099N60S5 nthl099n60s5-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 95A; 184W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Power dissipation: 184W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 95A
Gate charge: 48nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PE7439N-60 PE7439N-60.pdf
PE7439N-60
Hersteller: Pasternack
Attenuators - Interconnects 0 to 60 dB Rotary Step Attenuator, N-type Female to N-type Female With 10 dB Step Rated to 2 Watts Up to 6 GHz
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF099N60EC_T0_00601 PJMF099N60EC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 88A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Gate charge: 60nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29N60S02
Hersteller: Eaton Electrical
Industrial Control Transformers 2 KVA ENCAPS TX, 1PH 208-600, 115C RISE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29N60S03
Hersteller: Eaton Electrical
Industrial Control Transformers 3 KVA ENCAPS TX 1PH 208-600115C RISE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29N60S07CU
Hersteller: Eaton Electrical
Industrial Control Transformers 7.5KVA ENCAPS XFMR 1PH 208-600 115C
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD9N60E-GE3 sihd9n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 368mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 52nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS9N60A-GE3 sihs9n60.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS9N60ATRL-GE3
SIHFS9N60ATRL-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS9N60ATRR-GE3
SIHFS9N60ATRR-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFSL9N60A-GE3
SIHFSL9N60A-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3 sihg039n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 199A
Gate charge: 126nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL039N60E-GE3
SIHL039N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 600V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2 en.DM00080324.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 13.4A; 76W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 76W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 13.4A
Gate charge: 10nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 670 mOhm typ., 6 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL19N60M2 en.DM00263618.pdf
STL19N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.278 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL19N60M6 en.DM00671637.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 11 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL9N60M2 en.DM00102384.pdf
STL9N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU9N60M2 en.DM00080324.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60X,S1F 3338313730443637364546383735373737424234433530444530363342414538.pdf
TK39N60X,S1F
Hersteller: Toshiba
MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
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WMF09N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD89BD8ADBAA0C4&compId=WMF09N60C2.pdf?ci_sign=1b626106b7d0ec7b9f82db25f0883cf7db8cafd5
WMF09N60C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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WMG09N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD90D8CA62340C4&compId=WMx09N60C2.pdf?ci_sign=c2500c98390796df7676a15ee5870e63b821da12
WMG09N60C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMH09N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD90D8CA62340C4&compId=WMx09N60C2.pdf?ci_sign=c2500c98390796df7676a15ee5870e63b821da12
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMP09N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD90D8CA62340C4&compId=WMx09N60C2.pdf?ci_sign=c2500c98390796df7676a15ee5870e63b821da12
WMP09N60C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XM-A9N6-0404C
XM-A9N6-0404C
Hersteller: Quantic X-Microwave
RF Development Tools High Pass Filters, HF0BA1840A700SMT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XM-B9N6-0409D
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Hersteller: Quantic X-Microwave
RF Development Tools Splitter, EP2K1+ [PCB: 1397]F=2G-26.5G
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XM-C9N6-0604D
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Hersteller: Quantic X-Microwave
RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-2
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XR-A9N6-0404C
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Hersteller: Quantic X-Microwave
RF Development Tools High Pass Filters, HF0BA1840A700SMT
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XR-B9N6-0409D
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Hersteller: Quantic X-Microwave
RF Development Tools Splitter, EP2K1+ [PCB: 1397]F=2G-26.5G
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