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MDP9N60TH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDP9N60TH=FQP10N60
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PFB9N60
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHB9N60E
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHP9N60E
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHW9N60E
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFIB9N60A-E3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SKP9N60
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2 STMicroelectronics en.DM00080324.pdf
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF9N60M2 STMicroelectronics en.DM00086741.pdf
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP9N60
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRFB9N60APBF 9.2A 600V N-ch TO-220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRFS9N60ATRLPBF 9.2A 600V N-ch D2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A8504912409N A8504912409N Amphenol PCD M85049-38-Strain-Relief-Clamp-1.pdf Description: CONN CABLE CLAMP SZ9 SILVER
Packaging: Bag
Features: Clamp Screws
Color: Silver
Material: Aluminum Alloy
Shielding: Shielded
Type: Cable Clamp
Shell Size - Insert: 9, A
Cable Exit: 180°
Plating: Electroless Nickel
Diameter - Outside: 0.860" (21.84mm)
Cable Opening: 0.220" (5.60mm)
Part Status: Active
Primary Material: Metal
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.83 EUR
10+38.94 EUR
25+36.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A85049124S09N A85049124S09N Amphenol PCD M85049-38-Strain-Relief-Clamp-1.pdf Description: CONN CABLE CLAMP SZ9 SILVER
Packaging: Bag
Features: Clamp Screws, Self-Locking
Color: Silver
Material: Aluminum Alloy
Shielding: Shielded
Type: Cable Clamp
Shell Size - Insert: 9, A
Cable Exit: 180°
Plating: Electroless Nickel
Diameter - Outside: 0.860" (21.84mm)
Cable Opening: 0.220" (5.60mm)
Part Status: Active
Primary Material: Metal
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+66.44 EUR
10+56.47 EUR
25+52.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D3899932W9N D3899932W9N Amphenol PCD QPL_October_3.pdf Description: D38999/32 - PLUG CAP, CAD
Features: Wire Rope with Ring
Packaging: Bag
Color: Olive
For Use With/Related Products: MIL-DTL-38999 Series III Plug
Material: Aluminum Alloy
Accessory Type: Cap (Cover), Dust
Shell Size - Insert: 9
Grade: Military
Qualification: MIL-DTL-38999
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.26 EUR
10+23.17 EUR
25+21.72 EUR
50+20.69 EUR
100+19.70 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D3899932Z19N D3899932Z19N Amphenol PCD QPL_October_3.pdf Description: DUST CAP SHELL SIZE 19 PLUG MIL
Packaging: Bag
Features: Contains Strap with Ring, Environment Resistant
Color: Black
For Use With/Related Products: MIL-DTL-38999 Series III Plug
Material: Aluminum Alloy
Accessory Type: Cap (Cover), Dust
Shell Size - Insert: 19
Grade: Military
Qualification: MIL-DTL-38999
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.64 EUR
10+43.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D3899933W19N D3899933W19N Amphenol PCD hd38999-data-sheet Description: CONN PROTECTIVE COVER 19 OLIVE
Packaging: Bulk
Features: Contains Strap with Ring, Environment Resistant
Color: Olive
For Use With/Related Products: MIL-DTL-38999 Series III Receptacle
Material: Aluminum Alloy
Accessory Type: Cap (Cover), Protective
Shell Size - Insert: 19
Grade: Military
Qualification: MIL-DTL-38999
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.82 EUR
10+30.43 EUR
25+28.52 EUR
50+27.16 EUR
100+25.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MS27502B19N MS27502B19N Amphenol PCD 38999-catalog Description: JAMMS275012 - RECPT, CAD
Packaging: Bag
Features: Metal Chain with Ring
Color: Olive
For Use With/Related Products: MIL-DTL-38999 Series I Receptacle
Material: Aluminum Alloy
Accessory Type: Cap (Cover), Dust
Shell Size - Insert: 19
Grade: Military
Qualification: MIL-DTL-38999 Series I
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.74 EUR
10+34.62 EUR
25+32.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MS27502B9N MS27502B9N Amphenol PCD 38999-catalog Description: JAMMS275012 - RECPT, CAD
Features: Metal Chain with Ring
Packaging: Bag
Color: Olive
For Use With/Related Products: MIL-DTL-38999 Series I Receptacle
Material: Aluminum Alloy
Accessory Type: Cap (Cover), Dust
Shell Size - Insert: 9
Grade: Military
Qualification: MIL-DTL-38999 Series I
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.86 EUR
10+24.52 EUR
25+22.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
N74F109N,602 N74F109N,602 NXP USA Inc. DS_568_74F109.pdf Description: IC FF JK TYPE DUAL 1BIT 16DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: JK Type
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 17 mA
Current - Output High, Low: 1mA, 20mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 125 MHz
Supplier Device Package: 16-DIP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 8ns @ 5V, 50pF
Number of Bits per Element: 1
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1158+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1158
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
N74F299N,602 N74F299N,602 NXP USA Inc. 74F299D.pdf Description: IC SHIFT REGISTER 8BIT 20DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Universal
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 20-DIP
Number of Bits per Element: 8
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
533+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 533
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML08N60C4 WML08N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 12A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Gate charge: 7.3nC
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+1.13 EUR
72+1.01 EUR
85+0.84 EUR
95+0.76 EUR
118+0.61 EUR
124+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF9N60NT FCPF9N60NT
Produktcode: 112124
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FAIRS46032-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcpf9n60nt-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60A IRFB9N60A
Produktcode: 36734
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IRFB9N60A.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60APBF
Produktcode: 143119
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91103.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF
Produktcode: 44716
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sihs9n60.pdf Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH39N60BD1 IXGH39N60BD1
Produktcode: 25259
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97548.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDF9N60TH
Produktcode: 82367
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IC > IC andere
8542 39 90 00
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2 STD9N60M2
Produktcode: 108710
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STMicroelectronics en.DM00080324.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60W5
Produktcode: 183831
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT299N60 ONSEMI fcmt299n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 125W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 51nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT299N60 ONSEMI fcmt299n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 125W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 51nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP9N60N-F102 FCP9N60N-F102 onsemi Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF9N60NT FCPF9N60NT onsemi fcpf9n60nt-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF9N60NTYDTU FCPF9N60NTYDTU onsemi fcpf9n60nt-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQAF19N60 FQAF19N60 onsemi FQAF19N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF VISHAY IRFS9N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF Vishay Siliconix sihs9n60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRRPBF VISHAY sihs9n60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL9N60APBF VISHAY sihsl9n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL9N60APBF VISHAY sihsl9n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKC19N60C5 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkc19n60c5_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 430ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKC19N60C5 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkc19n60c5_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCTK099N60SH-TP MCTK099N60SH-TP MCC (Micro Commercial Components) Description: N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L-KS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TOLL-8L-KS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2224 pF @ 100 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCTK099N60SH-TP MCTK099N60SH-TP MCC (Micro Commercial Components) Description: N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L-KS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TOLL-8L-KS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2224 pF @ 100 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF099N60EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF099N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF099N60EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF099N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD9N60E-GE3 VISHAY sihd9n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 368mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 52nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD9N60E-GE3 VISHAY sihd9n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 368mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 52nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD9N60E-GE3 SIHD9N60E-GE3 Vishay Siliconix sihd9n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 368mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 100 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS9N60A-GE3 VISHAY sihs9n60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS9N60A-GE3 VISHAY sihs9n60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS9N60A-GE3 SIHFS9N60A-GE3 Vishay Siliconix sihs9n60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3 VISHAY sihg039n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 199A
Gate charge: 126nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3 VISHAY sihg039n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 199A
Gate charge: 126nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3 SIHG039N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg039n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 63A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 100 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2 STMicroelectronics en.DM00080324.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M6 STMicroelectronics Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M6 STMicroelectronics Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDP9N60TH
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDP9N60TH=FQP10N60
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PFB9N60
auf Bestellung 2332 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHB9N60E
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHP9N60E
auf Bestellung 6368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHW9N60E
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFIB9N60A-E3
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SKP9N60
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2 en.DM00080324.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF9N60M2 en.DM00086741.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP9N60
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRFB9N60APBF 9.2A 600V N-ch TO-220
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRFS9N60ATRLPBF 9.2A 600V N-ch D2PAK
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A8504912409N M85049-38-Strain-Relief-Clamp-1.pdf
A8504912409N
Hersteller: Amphenol PCD
Description: CONN CABLE CLAMP SZ9 SILVER
Packaging: Bag
Features: Clamp Screws
Color: Silver
Material: Aluminum Alloy
Shielding: Shielded
Type: Cable Clamp
Shell Size - Insert: 9, A
Cable Exit: 180°
Plating: Electroless Nickel
Diameter - Outside: 0.860" (21.84mm)
Cable Opening: 0.220" (5.60mm)
Part Status: Active
Primary Material: Metal
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+45.83 EUR
10+38.94 EUR
25+36.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A85049124S09N M85049-38-Strain-Relief-Clamp-1.pdf
A85049124S09N
Hersteller: Amphenol PCD
Description: CONN CABLE CLAMP SZ9 SILVER
Packaging: Bag
Features: Clamp Screws, Self-Locking
Color: Silver
Material: Aluminum Alloy
Shielding: Shielded
Type: Cable Clamp
Shell Size - Insert: 9, A
Cable Exit: 180°
Plating: Electroless Nickel
Diameter - Outside: 0.860" (21.84mm)
Cable Opening: 0.220" (5.60mm)
Part Status: Active
Primary Material: Metal
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+66.44 EUR
10+56.47 EUR
25+52.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D3899932W9N QPL_October_3.pdf
D3899932W9N
Hersteller: Amphenol PCD
Description: D38999/32 - PLUG CAP, CAD
Features: Wire Rope with Ring
Packaging: Bag
Color: Olive
For Use With/Related Products: MIL-DTL-38999 Series III Plug
Material: Aluminum Alloy
Accessory Type: Cap (Cover), Dust
Shell Size - Insert: 9
Grade: Military
Qualification: MIL-DTL-38999
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+27.26 EUR
10+23.17 EUR
25+21.72 EUR
50+20.69 EUR
100+19.70 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D3899932Z19N QPL_October_3.pdf
D3899932Z19N
Hersteller: Amphenol PCD
Description: DUST CAP SHELL SIZE 19 PLUG MIL
Packaging: Bag
Features: Contains Strap with Ring, Environment Resistant
Color: Black
For Use With/Related Products: MIL-DTL-38999 Series III Plug
Material: Aluminum Alloy
Accessory Type: Cap (Cover), Dust
Shell Size - Insert: 19
Grade: Military
Qualification: MIL-DTL-38999
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+50.64 EUR
10+43.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D3899933W19N hd38999-data-sheet
D3899933W19N
Hersteller: Amphenol PCD
Description: CONN PROTECTIVE COVER 19 OLIVE
Packaging: Bulk
Features: Contains Strap with Ring, Environment Resistant
Color: Olive
For Use With/Related Products: MIL-DTL-38999 Series III Receptacle
Material: Aluminum Alloy
Accessory Type: Cap (Cover), Protective
Shell Size - Insert: 19
Grade: Military
Qualification: MIL-DTL-38999
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+35.82 EUR
10+30.43 EUR
25+28.52 EUR
50+27.16 EUR
100+25.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MS27502B19N 38999-catalog
MS27502B19N
Hersteller: Amphenol PCD
Description: JAMMS275012 - RECPT, CAD
Packaging: Bag
Features: Metal Chain with Ring
Color: Olive
For Use With/Related Products: MIL-DTL-38999 Series I Receptacle
Material: Aluminum Alloy
Accessory Type: Cap (Cover), Dust
Shell Size - Insert: 19
Grade: Military
Qualification: MIL-DTL-38999 Series I
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+40.74 EUR
10+34.62 EUR
25+32.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MS27502B9N 38999-catalog
MS27502B9N
Hersteller: Amphenol PCD
Description: JAMMS275012 - RECPT, CAD
Features: Metal Chain with Ring
Packaging: Bag
Color: Olive
For Use With/Related Products: MIL-DTL-38999 Series I Receptacle
Material: Aluminum Alloy
Accessory Type: Cap (Cover), Dust
Shell Size - Insert: 9
Grade: Military
Qualification: MIL-DTL-38999 Series I
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+28.86 EUR
10+24.52 EUR
25+22.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
N74F109N,602 DS_568_74F109.pdf
N74F109N,602
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: IC FF JK TYPE DUAL 1BIT 16DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: JK Type
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 17 mA
Current - Output High, Low: 1mA, 20mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 125 MHz
Supplier Device Package: 16-DIP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 8ns @ 5V, 50pF
Number of Bits per Element: 1
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1158+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1158
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
N74F299N,602 74F299D.pdf
N74F299N,602
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: IC SHIFT REGISTER 8BIT 20DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Universal
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 20-DIP
Number of Bits per Element: 8
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
533+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 533
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML08N60C4
WML08N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 12A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Gate charge: 7.3nC
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
72+1.01 EUR
85+0.84 EUR
95+0.76 EUR
118+0.61 EUR
124+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF9N60NT
Produktcode: 112124
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FAIRS46032-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcpf9n60nt-d.pdf
FCPF9N60NT
Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60A
Produktcode: 36734
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IRFB9N60A.pdf
IRFB9N60A
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB9N60APBF
Produktcode: 143119
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91103.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRLPBF
Produktcode: 44716
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sihs9n60.pdf
IRFS9N60ATRLPBF
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH39N60BD1
Produktcode: 25259
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97548.pdf
IXGH39N60BD1
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDF9N60TH
Produktcode: 82367
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IC > IC andere
8542 39 90 00
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2
Produktcode: 108710
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en.DM00080324.pdf
STD9N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK39N60W5
Produktcode: 183831
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT299N60 fcmt299n60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 125W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 51nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT299N60 fcmt299n60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 125W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 51nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP9N60N-F102
FCP9N60N-F102
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF9N60NT fcpf9n60nt-d.pdf
FCPF9N60NT
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF9N60NTYDTU fcpf9n60nt-d.pdf
FCPF9N60NTYDTU
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQAF19N60 FQAF19N60.pdf
FQAF19N60
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60A.pdf
IRFS9N60ATRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRLPBF sihs9n60.pdf
IRFS9N60ATRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60ATRRPBF sihs9n60.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL9N60APBF sihsl9n6.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL9N60APBF sihsl9n6.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKC19N60C5 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkc19n60c5_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 430ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKC19N60C5 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkc19n60c5_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCTK099N60SH-TP
MCTK099N60SH-TP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L-KS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TOLL-8L-KS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2224 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCTK099N60SH-TP
MCTK099N60SH-TP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L-KS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TOLL-8L-KS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2224 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF099N60EC_T0_00601 PJMF099N60EC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF099N60EC_T0_00601 PJMF099N60EC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD9N60E-GE3 sihd9n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 368mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 52nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD9N60E-GE3 sihd9n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 368mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 52nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD9N60E-GE3 sihd9n60e.pdf
SIHD9N60E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 368mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS9N60A-GE3 sihs9n60.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS9N60A-GE3 sihs9n60.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFS9N60A-GE3 sihs9n60.pdf
SIHFS9N60A-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3 sihg039n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 199A
Gate charge: 126nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3 sihg039n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 199A
Gate charge: 126nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG039N60E-GE3 sihg039n60e.pdf
SIHG039N60E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 63A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2 en.DM00080324.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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