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Stück im Wert von UAH
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Stück im Wert von UAH
8542 39 90 00
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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STP9N60 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Транзистор польовий IRFB9N60APBF 9.2A 600V N-ch TO-220 |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор польовий IRFS9N60ATRLPBF 9.2A 600V N-ch D2PAK |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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N-600-2 | Bivar |
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auf Bestellung 1262 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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WML08N60C4 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 12A; 26W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.6A Power dissipation: 26W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 780mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 12A Gate charge: 7.3nC |
auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCPF9N60NT Produktcode: 112124
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IRFB9N60A Produktcode: 36734
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IRFB9N60APBF Produktcode: 143119
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IRFS9N60ATRLPBF Produktcode: 44716
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IXGH39N60BD1 Produktcode: 25259
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MDF9N60TH Produktcode: 82367
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8542 39 90 00 |
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STD9N60M2 Produktcode: 108710
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STMicroelectronics |
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TK39N60W5 Produktcode: 183831
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FCMT199N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; Idm: 60.6A; 208W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 208W Case: Power88 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.199Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 60.6A Gate charge: 57nC |
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FCMT299N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.9A Power dissipation: 125W Case: Power88 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.299Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 36A Gate charge: 51nC |
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FCMT299N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.9A Power dissipation: 125W Case: Power88 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.299Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 36A Gate charge: 51nC Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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IRFS9N60ATRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.2A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 37A Gate charge: 49nC |
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IRFS9N60ATRRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.2A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 37A Gate charge: 49nC |
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IRFSL9N60APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.2A Power dissipation: 170W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 37A Gate charge: 49nC |
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IRFSL9N60APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.2A Power dissipation: 170W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 37A Gate charge: 49nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFSL9N60APBF | Vishay / Siliconix |
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IXKC19N60C5 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Case: ISOPLUS220™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Reverse recovery time: 430ns |
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IXKC19N60C5 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Case: ISOPLUS220™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Reverse recovery time: 430ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MCTK099N60SH-TP | Micro Commercial Components (MCC) |
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PJMF099N60EC_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 88A; 14W; ITO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A Power dissipation: 14W Case: ITO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 88A Gate charge: 60nC |
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PJMF099N60EC_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 88A; 14W; ITO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A Power dissipation: 14W Case: ITO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 88A Gate charge: 60nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHD9N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 78W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 368mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 22A Gate charge: 52nC |
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SIHD9N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 78W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 368mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 22A Gate charge: 52nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHFS9N60A-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; Idm: 37A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.8A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 37A Gate charge: 49nC |
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SIHFS9N60A-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; Idm: 37A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.8A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 37A Gate charge: 49nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHFS9N60ATRL-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V |
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SIHFS9N60ATRR-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V |
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SIHFSL9N60A-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V |
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SIHG039N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 40A Power dissipation: 357W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 199A Gate charge: 126nC |
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SIHG039N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 40A Power dissipation: 357W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 199A Gate charge: 126nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STD9N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.5A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 780mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 22A Gate charge: 10nC |
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STD9N60M6 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 13.4A; 76W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 76W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 13.4A Gate charge: 10nC |
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STD9N60M6 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 13.4A; 76W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 76W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 13.4A Gate charge: 10nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STD9N60M6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 670 mOhm typ., 6 A MDmesh M6 Power MOSFET |
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STF9N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.5A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 720mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 22A Gate charge: 10nC |
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STF9N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.5A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 720mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 22A Gate charge: 10nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STL19N60M2 | STMicroelectronics |
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STL19N60M6 | STMicroelectronics |
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STP9N60M2 | STMicroelectronics |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
STU9N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.5A Power dissipation: 60W Case: IPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 780mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 22A Gate charge: 10nC |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
STU9N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.5A Power dissipation: 60W Case: IPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 780mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 22A Gate charge: 10nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TK099N60Z1,S1F | Toshiba |
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TK39N60W5,S1VF | Toshiba |
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WMF09N60C2 | WAYON |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 6W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 6W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 980mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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WMG09N60C2 | WAYON |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251S3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 45W Case: TO251S3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 940mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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WMH09N60C2 | WAYON |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251S2 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 45W Case: TO251S2 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 940mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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WMP09N60C2 | WAYON |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 45W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 940mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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XM-A9N6-0404C | Quantic X-Microwave | Signal Conditioning High Pass Filters, HF0BA1840A700SMT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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XM-A9N6-0404D | Quantic X-Microwave | Signal Conditioning High Pass Filter, HF0BA1840A700 [PCB: 0778] |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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XM-B9N6-0409D | Quantic X-Microwave | Signal Conditioning Splitter, EP2K1+ [PCB: 1397]F=2G-26.5G |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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XM-C9N6-0604D | Quantic X-Microwave | RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-2 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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XR-A9N6-0404C | Quantic X-Microwave | Signal Conditioning High Pass Filters, HF0BA1840A700SMT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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XR-A9N6-0404D | Quantic X-Microwave | Signal Conditioning High Pass Filter, HF0BA1840A700 [PCB: 0778] |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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XR-B9N6-0409D | Quantic X-Microwave | Signal Conditioning Splitter, EP2K1+ [PCB: 1397]F=2G-26.5G |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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XR-C9N6-0604D | Quantic X-Microwave | RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-2 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
Транзистор польовий IRFB9N60APBF 9.2A 600V N-ch TO-220 |
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий IRFS9N60ATRLPBF 9.2A 600V N-ch D2PAK |
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
N-600-2 |
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Hersteller: Bivar
Racks & Rack Cabinet Accessories Narr-O-Gide 6in Nylon Natural 94V-2
Racks & Rack Cabinet Accessories Narr-O-Gide 6in Nylon Natural 94V-2
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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4+ | 0.93 EUR |
10+ | 0.81 EUR |
20+ | 0.79 EUR |
50+ | 0.76 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
200+ | 0.66 EUR |
500+ | 0.63 EUR |
WML08N60C4 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 12A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Gate charge: 7.3nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 12A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Gate charge: 7.3nC
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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FCMT199N60 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; Idm: 60.6A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 208W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60.6A
Gate charge: 57nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; Idm: 60.6A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 208W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60.6A
Gate charge: 57nC
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FCMT299N60 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 125W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 51nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 125W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 51nC
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Stück im Wert von UAH
FCMT299N60 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 125W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 51nC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 125W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 51nC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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IRFS9N60ATRLPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
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Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
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IRFS9N60ATRRPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
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Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
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Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
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IRFSL9N60APBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
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Stück im Wert von UAH
IRFSL9N60APBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IRFSL9N60APBF |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-Chan 600V 9.2 Amp
MOSFETs N-Chan 600V 9.2 Amp
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Stück im Wert von UAH
IXKC19N60C5 |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 430ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 430ns
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXKC19N60C5 |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 430ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
MCTK099N60SH-TP |
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Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L-KS
N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L-KS
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Stück im Wert von UAH
PJMF099N60EC_T0_00601 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 88A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Gate charge: 60nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 88A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Gate charge: 60nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJMF099N60EC_T0_00601 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 88A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Gate charge: 60nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 88A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Gate charge: 60nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SIHD9N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 368mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 52nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 368mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 52nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHD9N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 368mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 52nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 368mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 52nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SIHFS9N60A-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHFS9N60A-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
SIHFS9N60ATRL-GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SIHFS9N60ATRR-GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
SIHFSL9N60A-GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
SIHG039N60E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 199A
Gate charge: 126nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 199A
Gate charge: 126nC
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
SIHG039N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 199A
Gate charge: 126nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 199A
Gate charge: 126nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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STD9N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
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Stück im Wert von UAH
STD9N60M6 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 13.4A; 76W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 76W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 13.4A
Gate charge: 10nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 13.4A; 76W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 76W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 13.4A
Gate charge: 10nC
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STD9N60M6 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 13.4A; 76W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 76W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 13.4A
Gate charge: 10nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 13.4A; 76W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 76W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 13.4A
Gate charge: 10nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STD9N60M6 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 670 mOhm typ., 6 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 600 V, 670 mOhm typ., 6 A MDmesh M6 Power MOSFET
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STF9N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
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Stück im Wert von UAH
STF9N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
STL19N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.278 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 600 V, 0.278 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET
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Stück im Wert von UAH
STL19N60M6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ 11 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ 11 A MDmesh M6 Power MOSFET
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Stück im Wert von UAH
STP9N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STU9N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STU9N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
TK099N60Z1,S1F |
![]() |
Hersteller: Toshiba
MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 ohma.10V, TO-247, DTMOS?
MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 ohma.10V, TO-247, DTMOS?
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Stück im Wert von UAH
TK39N60W5,S1VF |
![]() |
Hersteller: Toshiba
MOSFETs Power MOSFET N-Channel
MOSFETs Power MOSFET N-Channel
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Stück im Wert von UAH
WMF09N60C2 |
![]() |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
WMG09N60C2 |
![]() |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
WMH09N60C2 |
![]() |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Stück im Wert von UAH
WMP09N60C2 |
![]() |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Stück im Wert von UAH
XM-A9N6-0404C |
Hersteller: Quantic X-Microwave
Signal Conditioning High Pass Filters, HF0BA1840A700SMT
Signal Conditioning High Pass Filters, HF0BA1840A700SMT
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
XM-A9N6-0404D |
Hersteller: Quantic X-Microwave
Signal Conditioning High Pass Filter, HF0BA1840A700 [PCB: 0778]
Signal Conditioning High Pass Filter, HF0BA1840A700 [PCB: 0778]
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
XM-B9N6-0409D |
Hersteller: Quantic X-Microwave
Signal Conditioning Splitter, EP2K1+ [PCB: 1397]F=2G-26.5G
Signal Conditioning Splitter, EP2K1+ [PCB: 1397]F=2G-26.5G
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Stück im Wert von UAH
XM-C9N6-0604D |
Hersteller: Quantic X-Microwave
RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-2
RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-2
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
XR-A9N6-0404C |
Hersteller: Quantic X-Microwave
Signal Conditioning High Pass Filters, HF0BA1840A700SMT
Signal Conditioning High Pass Filters, HF0BA1840A700SMT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
XR-A9N6-0404D |
Hersteller: Quantic X-Microwave
Signal Conditioning High Pass Filter, HF0BA1840A700 [PCB: 0778]
Signal Conditioning High Pass Filter, HF0BA1840A700 [PCB: 0778]
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
XR-B9N6-0409D |
Hersteller: Quantic X-Microwave
Signal Conditioning Splitter, EP2K1+ [PCB: 1397]F=2G-26.5G
Signal Conditioning Splitter, EP2K1+ [PCB: 1397]F=2G-26.5G
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
XR-C9N6-0604D |
Hersteller: Quantic X-Microwave
RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-2
RF Development Tools Mixers, ML1-0110HSM-2
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH