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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PJMF210N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 19A N-CH SJUNC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF210N65EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.87 EUR
40+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF210N65EC_T0_00601PanjitMOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+2.39 EUR
100+2.12 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF210N65EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1412 pF @ 400 V
auf Bestellung 1953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.93 EUR
50+2.43 EUR
100+2.18 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF280N60E1-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 13.8A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF280N60E1_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 1989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.72 EUR
10+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF280N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 926 pF @ 400 V
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
50+1.88 EUR
100+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF280N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.09 EUR
47+1.83 EUR
52+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF280N60E1_T0_00201PanjitMOSFETs 600V 280mohm Super Junction Easy versio
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.14 EUR
10+4 EUR
100+2.76 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.14 EUR
2000+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF280N65E1-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 13.8A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF280N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 400 V
auf Bestellung 1929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.46 EUR
50+2.17 EUR
100+1.94 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF280N65E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.37 EUR
34+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF280N65E1_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF280N65E1_T0_00201PanjitMOSFETs 650V 280mohm Super Junction Easy versio
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF310N65EC-T0PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF360N60E1-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 11A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF360N60E1_T0_00001PanjitMOSFETs 600V/ 360mohm Super Junction Easy version Gen.1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF360N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V/ 360MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 717 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF360N60E1_T0_00201PanjitMOSFETs 600V/ 360mohm Super Junction Easy versio
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF360N60EC-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 11A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF360N60EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF360N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 30W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 30W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF360N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.53 EUR
10+2.26 EUR
100+1.52 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF380N65E1-T0PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF380N65E1_T0_00001PanjitMOSFETs 650V/ 380mohm Super Junction Easy version Gen.1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF380N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V/ 380MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 769 pF @ 400 V
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.32 EUR
10+3.45 EUR
100+2.38 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF380N65E1_T0_00201PanjitMOSFETs 650V/ 380mohm Super Junction Easy versio
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF390N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 10A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF390N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.44 EUR
10+2.18 EUR
100+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF390N65EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.47 EUR
10+2.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF580N60E1-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 8A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF580N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 400 V
auf Bestellung 1949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
50+1.46 EUR
100+1.31 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF580N60E1_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF580N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 28W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF580N60E1_T0_00201PanjitMOSFETs 600V 580mohm Super Junction Easy versio
auf Bestellung 1993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.63 EUR
10+2.95 EUR
100+2 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.44 EUR
2000+1.34 EUR
4000+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF600N65E1-T0PanjitMOSFET ITO-220AB-F/MOS/NFET-650FCTMNH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF600N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 554 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.25 EUR
10+2.7 EUR
100+2.15 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF600N65E1_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 1917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+1.62 EUR
100+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF600N65E1_T0_00201PanjitMOSFETs 650V 600mohm Super Junction Easy versio
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.33 EUR
10+2.76 EUR
100+2.2 EUR
250+2.02 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.67 EUR
2000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF900N60E1_T0_00001PanjitMOSFETs 600V/ 900mohm Super Junction Easy version Gen.1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF900N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.45 EUR
10+2.2 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF900N60E1_T0_00201PanjitMOSFETs 600V/ 900mohm Super Junction Easy versio
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.89 EUR
10+2.48 EUR
100+1.64 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.23 EUR
2000+1.04 EUR
4000+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF900N60EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.89 EUR
10+3.86 EUR
100+2.76 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.18 EUR
2000+2.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF900N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 22.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
14+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF900N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 400 V
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
10+2.58 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF900N65E1_T0_00001PanjitMOSFETs 650V/ 900mohm Super Junction Easy version Gen.1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF900N65E1_T0_00201PanjitMOSFETs 650V/ 900mohm Super Junction Easy versio
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+2.48 EUR
100+1.7 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.25 EUR
2000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF990N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 4.7A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF990N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.51 EUR
14+1.58 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF990N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 22.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Power dissipation: 22.5W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 990mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF990N65EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.4 EUR
10+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH040N60EC-T0PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH040N60EC_T0_00201PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; Idm: 212A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 144nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH042N60FRC-T0PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH042N60FRC_T0_00201PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 69A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 69A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH042N60FRC_T0_00201PanjitMOSFETs 600V/ 42mO / 69A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH042N60FRC_T0_00201Panjit International Inc.Description: 600V 42mohm 69A SJ MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247AD
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.46 EUR
30+17.4 EUR
120+14.97 EUR
510+13.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH060N65FR2_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 58.3A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 58.3A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH060N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 60m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH060N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 60M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4614 pF @ 400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 23A, 10V
auf Bestellung 1492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.74 EUR
30+7.88 EUR
120+6.59 EUR
510+5.65 EUR
1020+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH074N60FRCPanjitMOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.2 EUR
10+12.42 EUR
120+10.22 EUR
510+9.12 EUR
1020+8.73 EUR
2520+8.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH074N60FRCPanjit International Inc.Description: 600V/ 74M / 53A/ FAST RECOVERY Q
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3871 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH074N60FRC-T0PanjitMOSFETs TO247 600V 53A N-CH SUPER J
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH074N60FRCH-T0PanjitMOSFETs TO247 600V 53A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH074N60FRCH_T0_00601PanjitMOSFETs 600V 74mohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH074N60FRCH_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 74M / 53A/ FAST RECOVERY Q
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
auf Bestellung 1491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.75 EUR
30+6.09 EUR
120+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH074N60FRCH_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH074N60FRC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.77 EUR
10+7.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH074N60FRC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 74MOHM / 53A/ FAST RECOVER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3871 pF @ 400 V
auf Bestellung 2919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.73 EUR
10+6.65 EUR
30+6.03 EUR
120+5.5 EUR
270+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH074N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 84nC
On-state resistance: 74mΩ
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 446W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH080N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 75m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH080N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 75M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 388W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3507 pF @ 400 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.53 EUR
30+5.31 EUR
120+4.38 EUR
510+3.7 EUR
1020+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH080N65FR2_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH099N60EC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 99mohms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.91 EUR
10+6.28 EUR
120+6.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH099N60EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 99M / 39A/ EASY TO DRIVER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247AD
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.72 EUR
30+6.15 EUR
120+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH105N60FRC-T0PanjitArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH105N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH105N60FRC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 105mO / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH120N60EC-T0PanjitMOSFETs TO247 600V 30A N-CH SUPER J
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH120N60EC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V 120mohm 30A Easy to driver SJ MOSFET
auf Bestellung 1456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.4 EUR
10+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH120N60EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 120MOHM / 30A/ EASY TO DRI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 400 V
auf Bestellung 1707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.53 EUR
10+4.13 EUR
30+3.72 EUR
120+3.36 EUR
270+3.2 EUR
510+3.11 EUR
1020+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH120N60EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH125N60FRC-T0PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH125N60FRC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V 125mohm 30A SJ MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247AD
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.5 EUR
30+6.56 EUR
120+5.47 EUR
510+4.68 EUR
1020+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH125N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO247AD-3
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Gate-source voltage: 30V
Case: TO247AD-3
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH125N60FRC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 125mO / 30A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMH190N60E1-T0PanjitMOSFETs TO247 600V 20.6A N-CH SUPER J
Produkt ist nicht verfügbar
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PJMH190N60E1_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 190MOHM / 20.6A/ EASY TO D
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
auf Bestellung 1351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.68 EUR
30+2.4 EUR
120+2.15 EUR
270+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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PJMH190N60E1_T0_00601PanjitMOSFETs 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET
auf Bestellung 1421 Stücke:
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1+3.67 EUR
10+3.01 EUR
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PJMH190N65FR2_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PJMH190N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 180m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PJMH190N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 180M / FAST RECOVERY QRR/
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 168.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1492 pF @ 400 V
auf Bestellung 1493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.69 EUR
30+4.22 EUR
120+3.46 EUR
510+2.89 EUR
1020+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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PJMK040N60EC_T0_00201PanjitMOSFETs 600V/ 40mOhms / 71A/ Easy to driver SJ MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PJMK040N60EC_T0_00201Panjit International Inc.Description: 600V/ 40M / 71A/ EASY TO DRIVER
Packaging: Tube
auf Bestellung 690 Stücke:
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1+24.91 EUR
10+19.62 EUR
30+18.06 EUR
120+16.68 EUR
270+16.1 EUR
510+15.72 EUR
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PJMK040N60EC_T0_00201PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 71A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 40V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PJMK074N60FRCH_T0_00201PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 74V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PJMK074N60FRCH_T0_00201PanjitMOSFETs 600V/ 74mOhms / 53A/ Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PJMK074N60FRCH_T0_00201Panjit International Inc.Description: 600V/ 74M / 53A/ FAST RECOVERY Q
Packaging: Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.54 EUR
10+12.04 EUR
30+11.02 EUR
120+10.1 EUR
270+9.71 EUR
510+9.46 EUR
1020+9.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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PJMN060N65FR2_R2_00201PanjitMOSFETs 650V/ 60mO / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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PJMN060N65FR2_R2_00201Panjit International Inc.Description: 650V/ 60M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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