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MOSFETs Pch -12V -4.5A Small Signal MOSFET

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2+	1.69 EUR
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RQ6A045APTCR

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 6 V

auf Bestellung 2733 Stücke:

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13+	1.7 EUR
20+	1.06 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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RQ6A045APTCR

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6A045ZPTR

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 6 V

Produkt ist nicht verfügbar

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RQ6A045ZPTR

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -12V(Vdss), -4.5A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)

auf Bestellung 340 Stücke:

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2+	2.23 EUR
500+	1.3 EUR
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3000+	0.55 EUR
6000+	0.5 EUR
9000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6A045ZPTR

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 6 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6A050ZPTR

Description: MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 4938 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.67 EUR
13+	1.69 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.87 EUR
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RQ6A050ZPTR

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -12V(Vdss), -5.0A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)

auf Bestellung 3305 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.57 EUR
10+	1.62 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR
3000+	0.67 EUR
6000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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RQ6A050ZPTR

Description: ROHM - RQ6A050ZPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.026 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm

auf Bestellung 1560 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.68 EUR
130+	1.8 EUR
196+	1.09 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.79 EUR

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RQ6A050ZPTR

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6A050ZPTR

Description: ROHM - RQ6A050ZPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.026 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm

auf Bestellung 1560 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	3.68 EUR
130+	1.8 EUR
196+	1.09 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 69 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6C050BCTCR

Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 7300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

221+	1.13 EUR
264+	0.88 EUR
415+	0.51 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 221 Stücke

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RQ6C050BCTCR

Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 6-Pin TSMT T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

131+	1.33 EUR
268+	0.64 EUR
293+	0.57 EUR
294+	0.56 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 131 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6C050BCTCR

Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 1400 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6C050BCTCR

Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 6-Pin TSMT T/R

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

285+	0.61 EUR
297+	0.58 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 285 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6C050BCTCR

Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 7300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

221+	1.13 EUR
264+	0.88 EUR
415+	0.51 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 221 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6C050BCTCR

Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.7 EUR
15+	1.46 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6C050BCTCR

MOSFETs Pch -20V -5A Si MOSFET

auf Bestellung 3220 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.48 EUR
10+	1.56 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.77 EUR
3000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6C050UNTR

Description: ROHM - RQ6C050UNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.03 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm

auf Bestellung 2190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

101+	2.49 EUR
208+	1.12 EUR
295+	0.73 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 101 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6C050UNTR

Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V

auf Bestellung 15784 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.49 EUR
23+	0.92 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6C050UNTR

MOSFETs 1.5V Drive Nch MOSFET

auf Bestellung 4623 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.5 EUR
10+	0.93 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.42 EUR
3000+	0.32 EUR
6000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6C050UNTR

Trans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin TSMT T/R

auf Bestellung 1718 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

412+	0.43 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 412 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6C050UNTR

Description: ROHM - RQ6C050UNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.03 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm

auf Bestellung 2190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

101+	2.49 EUR
208+	1.12 EUR
295+	0.73 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 101 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6C050UNTR

Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.35 EUR
6000+	0.32 EUR
9000+	0.31 EUR
15000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6C065BCTCR

Description: ROHM - RQ6C065BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm

auf Bestellung 1517 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

101+	2.5 EUR
180+	1.3 EUR
247+	0.87 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 101 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6C065BCTCR

MOSFETs Pch -20V -6.5A Si MOSFET

auf Bestellung 3158 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.26 EUR
10+	1.32 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR
3000+	0.58 EUR
6000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6C065BCTCR

Description: MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6C065BCTCR

Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 6-Pin TSMT T/R

auf Bestellung 2677 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

321+	0.55 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.49 EUR
2500+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 321 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6C065BCTCR

Description: ROHM - RQ6C065BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm

auf Bestellung 1517 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

101+	2.5 EUR
180+	1.3 EUR
247+	0.87 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 101 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6C065BCTCR

Description: MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E030ATTCR

Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.091 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm

auf Bestellung 1615 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

135+	1.87 EUR
216+	1.08 EUR
333+	0.64 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 135 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E030ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 690 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.59 EUR
22+	0.99 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E030ATTCR

Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.091 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm

auf Bestellung 1615 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

135+	1.87 EUR
216+	1.08 EUR
333+	0.64 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 135 Stücke

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RQ6E030ATTCR

MOSFETs Pch -30V -3A Middle Power MOSFET

auf Bestellung 2573 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.99 EUR
10+	0.86 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.38 EUR
3000+	0.32 EUR
9000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E030ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E030SPTR

MOSFETs Pch -30V -3A Small Signal MOSFET

auf Bestellung 4952 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.8 EUR
10+	1.13 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.51 EUR
3000+	0.44 EUR
6000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E030SPTR

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V

auf Bestellung 5523 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.78 EUR
19+	1.12 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E030SPTR

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E035ATTCR

ROHM - Japan

Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 3,5A; 1,25W; -55°C~150°C; RQ6E035ATTCR TRQ6e035attcr
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E035ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2440 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

21+	1 EUR
34+	0.62 EUR
100+	0.31 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E035ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E035ATTCR

Description: ROHM - RQ6E035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm

auf Bestellung 4930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

206+	1.21 EUR
268+	0.87 EUR
391+	0.55 EUR
559+	0.38 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 206 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E035ATTCR

MOSFET Pch -30V -3.5A Power MOSFET

auf Bestellung 3262 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.74 EUR
10+	0.57 EUR
100+	0.31 EUR
1000+	0.21 EUR
9000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E035SPTR

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E035SPTR

MOSFETs Pch -30V -3.5A Small Signal MOSFET

auf Bestellung 6656 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.98 EUR
10+	1.24 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.57 EUR
3000+	0.5 EUR
6000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E035SPTR

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

auf Bestellung 2704 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.24 EUR
20+	1.07 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E035TNTR

Description: ROHM - RQ6E035TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.054 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm

auf Bestellung 2488 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

120+	2.08 EUR
195+	1.19 EUR
299+	0.71 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 120 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E035TNTR

MOSFETs SOT457 N-CH 30V 3.5A

auf Bestellung 4725 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.8 EUR
10+	1.05 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.5 EUR
3000+	0.42 EUR
6000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E035TNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.8 EUR
19+	1.12 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E035TNTR

Description: ROHM - RQ6E035TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.054 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm

auf Bestellung 2488 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

120+	2.08 EUR
195+	1.19 EUR
299+	0.71 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 120 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E035TNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.44 EUR
6000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E040XNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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RQ6E040XNTCR

MOSFET RQ6E040XN is the low on-resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

auf Bestellung 873 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.12 EUR
10+	0.99 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.45 EUR
3000+	0.4 EUR
6000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E040XNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

auf Bestellung 2789 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.38 EUR
22+	0.98 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E045BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1375 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.24 EUR
28+	0.77 EUR
100+	0.38 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E045BNTCR

MOSFETs SOT457 N-CH 30V 4.5A

auf Bestellung 45 Stücke:

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3+	1.2 EUR
10+	0.74 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.27 EUR
6000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E045BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E045BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

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RQ6E045RPTR

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -4.5A(Id), (4.0V Drive)

auf Bestellung 8950 Stücke:

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2+	2.83 EUR
10+	1.65 EUR
100+	1.19 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.82 EUR
3000+	0.71 EUR
6000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E045SNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.27 EUR
20+	1.09 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E045SNTR

MOSFET MOSFET WITH G-S PROTECTION DIO

auf Bestellung 4143 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.19 EUR
10+	1.02 EUR
100+	0.71 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.5 EUR
3000+	0.45 EUR
6000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E045SNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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RQ6E045TNTR

MOSFETs Nch 30V 4.5A Small Signal MOSFET

auf Bestellung 5726 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.26 EUR
10+	0.89 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.5 EUR
3000+	0.44 EUR
6000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E045TNTR

Description: ROHM - RQ6E045TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm

auf Bestellung 2617 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

153+	1.63 EUR
248+	0.94 EUR
335+	0.64 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 153 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E045TNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E045TNTR

Description: ROHM - RQ6E045TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm

auf Bestellung 2617 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

153+	1.63 EUR
248+	0.94 EUR
335+	0.64 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 153 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E045TNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)

auf Bestellung 1560 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1.18 EUR
23+	0.92 EUR
100+	0.71 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E045TNTR

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSMT T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

300+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 300 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E050AJTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V

auf Bestellung 1896 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.84 EUR
18+	1.17 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E050AJTCR

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSMT T/R

auf Bestellung 1994 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

349+	0.95 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 349 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E050AJTCR

Description: ROHM - RQ6E050AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm

auf Bestellung 2985 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

119+	2.12 EUR
190+	1.23 EUR
290+	0.74 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 119 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E050AJTCR

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSMT T/R

auf Bestellung 1226 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

363+	0.48 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 363 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E050AJTCR

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 5.0A(Id), (2.5V Drive)

auf Bestellung 2880 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.55 EUR
10+	1.02 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.5 EUR
3000+	0.43 EUR
6000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E050AJTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E050AJTCR

Description: ROHM - RQ6E050AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm

auf Bestellung 2985 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

119+	2.12 EUR
190+	1.23 EUR
290+	0.74 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 119 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E050ATTCR

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -5.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

auf Bestellung 15496 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.5 EUR
10+	0.95 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.43 EUR
3000+	0.37 EUR
6000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E050ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 6170 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.86 EUR
30+	0.71 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E050ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E050ATTCR

Description: ROHM - RQ6E050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.021 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm

auf Bestellung 1978 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

127+	1.98 EUR
205+	1.13 EUR
316+	0.68 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 127 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E055BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E055BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 15 V

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	2.05 EUR
17+	1.29 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E055BNTCR

MOSFETs SOT23 N-CH 30V 5.5A

auf Bestellung 2822 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.07 EUR
10+	1.29 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.58 EUR
3000+	0.46 EUR
6000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E060ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 6A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active

auf Bestellung 693 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.31 EUR
15+	1.44 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E060ATTCR

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -6.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

auf Bestellung 3720 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.26 EUR
10+	1.42 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.65 EUR
3000+	0.57 EUR
6000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E060ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 6A TSMT6
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E080AJTCR

Description: ROHM - RQ6E080AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0125 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1605 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

102+	2.45 EUR
145+	1.61 EUR
217+	0.99 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 102 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E080AJTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 471 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.32 EUR
15+	1.46 EUR
100+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E080AJTCR

Description: ROHM - RQ6E080AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0125 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1605 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

102+	2.45 EUR
145+	1.61 EUR
217+	0.99 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 102 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E080AJTCR

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E080AJTCR

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 8.0A(Id), (2.5V Drive)

auf Bestellung 704 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.28 EUR
10+	1.44 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR
3000+	0.58 EUR
6000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E085BNTCR

Description: ROHM - RQ6E085BNTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.0111 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.5
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2463 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

111+	2.26 EUR
127+	1.84 EUR
165+	1.3 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 111 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E085BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E085BNTCR

MOSFETs Nch 30V 8.5A Si MOSFET

auf Bestellung 2282 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.76 EUR
10+	1.74 EUR
100+	1.15 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.82 EUR
3000+	0.73 EUR
6000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E085BNTCR

auf Bestellung 2463 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

111+	2.26 EUR
127+	1.84 EUR
165+	1.3 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 111 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6E085BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

auf Bestellung 1639 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.53 EUR
14+	1.61 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6G050ATTCR

Description: PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.67 EUR
6000+	0.62 EUR
9000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6G050ATTCR

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -5.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

auf Bestellung 5494 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.56 EUR
10+	1.62 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR
3000+	0.67 EUR
6000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6G050ATTCR

Description: ROHM - RQ6G050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 5 A, 0.04 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm

auf Bestellung 2702 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.7 EUR
139+	1.67 EUR
197+	1.09 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6G050ATTCR

Description: PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 16657 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.37 EUR
13+	1.62 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ6G050ATTCR