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SGW50N60HS SGW50N60HS
Produktcode: 73803
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Infineon Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
auf Bestellung 10 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW50N60CT-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.67 EUR
10+8.24 EUR
25+7.52 EUR
100+6.86 EUR
240+6.35 EUR
480+6.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60 FDBL0150N60 onsemi / Fairchild FDBL0150N60-D.pdf MOSFETs Update code D
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.93 EUR
10+7.78 EUR
100+6.86 EUR
500+6.41 EUR
1000+6.3 EUR
2000+5.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60T IGB50N60T Infineon Technologies Infineon-IGB50N60T-DS-v02_07-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.46 EUR
10+4.31 EUR
100+3.31 EUR
500+2.97 EUR
1000+2.5 EUR
2000+2.43 EUR
5000+2.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N60T-DS-v02_07-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.55 EUR
10+4.31 EUR
100+3.06 EUR
500+2.8 EUR
1000+2.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP50N60T IGP50N60T Infineon Technologies Infineon-IGP50N60T-DS-v02_08-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.21 EUR
10+4.07 EUR
100+3.12 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.32 EUR
2500+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP50N60TXKSA1 IGP50N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGP50N60T-DS-v02_08-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 1443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.18 EUR
10+3.85 EUR
100+2.99 EUR
500+2.8 EUR
1000+2.62 EUR
2500+2.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3 IGW50N60H3 Infineon Technologies IGW50N60H3_2_2.pdf IGBTs 600V 50A 333W
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.08 EUR
10+3.94 EUR
100+3.68 EUR
480+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.65 EUR
22+3.26 EUR
24+3.09 EUR
30+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 Infineon IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+14.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.65 EUR
22+3.26 EUR
24+3.09 EUR
30+2.9 EUR
120+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60T IGW50N60T Infineon Technologies Infineon-IGW50N60T-DataSheet-v02_08-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.51 EUR
10+4.28 EUR
100+3.19 EUR
480+2.85 EUR
1200+2.43 EUR
2640+2.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.22 EUR
17+4.23 EUR
18+4 EUR
30+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.22 EUR
17+4.23 EUR
18+4 EUR
30+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW50N60T-DataSheet-v02_08-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.58 EUR
10+4.28 EUR
100+3.19 EUR
480+2.78 EUR
1200+2.53 EUR
2640+2.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
9+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW50N60DH3E-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.04 EUR
10+4.63 EUR
100+3.5 EUR
480+3.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3XKSA1 IKFW50N60DH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW50N60DH3-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.32 EUR
10+6.92 EUR
100+6.02 EUR
480+4.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ETXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW50N60ET-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.47 EUR
10+7.62 EUR
100+6.53 EUR
480+6.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5CCBF5761D3D7&compId=IKW50N60DTP.pdf?ci_sign=94fc3287d74be6840256ba5010a252d8c5963f49 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 233ns
Turn-on time: 50ns
Technology: TRENCHSTOP™
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.25 EUR
32+2.25 EUR
34+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N60DTP-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.65 EUR
10+3.08 EUR
100+2.53 EUR
480+1.95 EUR
1200+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3 IKW50N60H3 Infineon Technologies Infineon-IKW50N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.3 EUR
10+5.84 EUR
100+4.72 EUR
480+4.19 EUR
1200+3.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 297ns
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Technology: TRENCHSTOP™ 3
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.71 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 297ns
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.71 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.4 EUR
10+4.8 EUR
100+4 EUR
480+3.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T Infineon INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+13.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T Infineon INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+13.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T IKW50N60T Infineon Technologies Infineon-IKW50N60T-DS-v02_06-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.66 EUR
10+6.55 EUR
100+5.28 EUR
480+4.7 EUR
1200+4.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.34 EUR
15+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.34 EUR
15+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N60T-DS-v02_06-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.28 EUR
10+5.28 EUR
100+4.26 EUR
480+3.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.36 EUR
8+9.18 EUR
9+8.68 EUR
30+8.35 EUR
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IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-50N60P3-Datasheet.PDF MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 190 Stücke:
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IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
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6+12.97 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
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IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-50N60P3-Datasheet.PDF MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 21 Stücke:
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IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+16.43 EUR
7+11.11 EUR
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IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.43 EUR
7+11.11 EUR
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IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Turn-on time: 0.1µs
Gate charge: 200nC
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Power dissipation: 1.36kW
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.79 EUR
6+12.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Turn-on time: 0.1µs
Gate charge: 200nC
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Power dissipation: 1.36kW
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 241 Stücke:
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IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH150N60C3-Datasheet.PDF IGBTs TO247 600V 150A XPT
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.35 EUR
10+16.42 EUR
120+16.24 EUR
510+15.93 EUR
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IXXH50N60B3 IXXH50N60B3 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXX-50N60B3-Datasheet.PDF IGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.08 EUR
10+14.24 EUR
120+11.79 EUR
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IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH50N60B3D1-Datasheet.PDF IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.24 EUR
10+14.8 EUR
510+14.52 EUR
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IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH50N60C3D1-Datasheet.PDF IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.16 EUR
10+10.26 EUR
120+9.28 EUR
510+9.08 EUR
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IXYN150N60B3 IXYN150N60B3 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYN150N60B3-Datasheet.PDF IGBTs SOT227 600V 140A GENX3
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40 EUR
10+33.42 EUR
100+33 EUR
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RM150N60HD-W RM150N60HD-W Rectron rm150n60hd.pdf MOSFETs
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.97 EUR
10+3.87 EUR
100+2.85 EUR
500+2.39 EUR
800+2.04 EUR
2400+1.92 EUR
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SIHA150N60E-GE3 SIHA150N60E-GE3 Vishay / Siliconix siha150n60e.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.11 EUR
10+4.35 EUR
100+3.13 EUR
500+2.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB150N60E-GE3 SIHB150N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb150n60e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V
auf Bestellung 1767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.95 EUR
10+4.73 EUR
100+3.59 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.87 EUR
2000+2.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG050N60E-GE3 SIHG050N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg050n60e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.87 EUR
10+11.79 EUR
100+9.82 EUR
500+9.12 EUR
1000+8.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG150N60E-GE3 SIHG150N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg150n60e.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.36 EUR
10+5.24 EUR
100+3.75 EUR
500+3.1 EUR
1000+3.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH150N60E-T1-GE3 SIHH150N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh150n60e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.73 EUR
10+6.3 EUR
100+4.54 EUR
500+4.52 EUR
1000+4.28 EUR
3000+3.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH250N60EF-T1GE3 SIHH250N60EF-T1GE3 Vishay Semiconductors sihh250n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 13A N-CH MOSFET
auf Bestellung 8970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.85 EUR
10+5.02 EUR
100+4.28 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.71 EUR
3000+3.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP050N60E-GE3 SIHP050N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp050n60e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.11 EUR
10+9.06 EUR
100+7.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP150N60E-GE3 SIHP150N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp150n60e.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.2 EUR
10+4.44 EUR
100+3.2 EUR
500+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP50N60DM6 STP50N60DM6 STMicroelectronics stp50n60dm6.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.89 EUR
10+5.33 EUR
100+4.89 EUR
500+4.4 EUR
1000+4.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
E250N60 ST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGW50N60HS
Produktcode: 73803
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SGW50N60HS
Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
auf Bestellung 10 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N60CTXKSA1 Infineon-AIKW50N60CT-DS-v02_01-EN.pdf
AIKW50N60CTXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.67 EUR
10+8.24 EUR
25+7.52 EUR
100+6.86 EUR
240+6.35 EUR
480+6.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60 FDBL0150N60-D.pdf
FDBL0150N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Update code D
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.93 EUR
10+7.78 EUR
100+6.86 EUR
500+6.41 EUR
1000+6.3 EUR
2000+5.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60T Infineon-IGB50N60T-DS-v02_07-EN.pdf
IGB50N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.46 EUR
10+4.31 EUR
100+3.31 EUR
500+2.97 EUR
1000+2.5 EUR
2000+2.43 EUR
5000+2.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1 Infineon-IGB50N60T-DS-v02_07-EN.pdf
IGB50N60TATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.55 EUR
10+4.31 EUR
100+3.06 EUR
500+2.8 EUR
1000+2.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP50N60T Infineon-IGP50N60T-DS-v02_08-EN.pdf
IGP50N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.21 EUR
10+4.07 EUR
100+3.12 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.32 EUR
2500+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP50N60TXKSA1 Infineon-IGP50N60T-DS-v02_08-EN.pdf
IGP50N60TXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 1443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.18 EUR
10+3.85 EUR
100+2.99 EUR
500+2.8 EUR
1000+2.62 EUR
2500+2.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3 IGW50N60H3_2_2.pdf
IGW50N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V 50A 333W
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.08 EUR
10+3.94 EUR
100+3.68 EUR
480+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb
IGW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.65 EUR
22+3.26 EUR
24+3.09 EUR
30+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af
Hersteller: Infineon
IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+14.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb
IGW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.65 EUR
22+3.26 EUR
24+3.09 EUR
30+2.9 EUR
120+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60T Infineon-IGW50N60T-DataSheet-v02_08-EN.pdf
IGW50N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.51 EUR
10+4.28 EUR
100+3.19 EUR
480+2.85 EUR
1200+2.43 EUR
2640+2.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628
IGW50N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.22 EUR
17+4.23 EUR
18+4 EUR
30+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628
IGW50N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.22 EUR
17+4.23 EUR
18+4 EUR
30+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 Infineon-IGW50N60T-DataSheet-v02_08-EN.pdf
IGW50N60TFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.58 EUR
10+4.28 EUR
100+3.19 EUR
480+2.78 EUR
1200+2.53 EUR
2640+2.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3EXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5
IKFW50N60DH3EXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3EXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5
IKFW50N60DH3EXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
9+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3EXKSA1 Infineon-IKFW50N60DH3E-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKFW50N60DH3EXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.04 EUR
10+4.63 EUR
100+3.5 EUR
480+3.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3XKSA1 Infineon-IKFW50N60DH3-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKFW50N60DH3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.32 EUR
10+6.92 EUR
100+6.02 EUR
480+4.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60ETXKSA1 Infineon-IKFW50N60ET-DS-v02_01-EN.pdf
IKFW50N60ETXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.47 EUR
10+7.62 EUR
100+6.53 EUR
480+6.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60DTPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5CCBF5761D3D7&compId=IKW50N60DTP.pdf?ci_sign=94fc3287d74be6840256ba5010a252d8c5963f49
IKW50N60DTPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 233ns
Turn-on time: 50ns
Technology: TRENCHSTOP™
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.25 EUR
32+2.25 EUR
34+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60DTPXKSA1 Infineon-IKW50N60DTP-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKW50N60DTPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.65 EUR
10+3.08 EUR
100+2.53 EUR
480+1.95 EUR
1200+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3 Infineon-IKW50N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IKW50N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.3 EUR
10+5.84 EUR
100+4.72 EUR
480+4.19 EUR
1200+3.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e
IKW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 297ns
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Technology: TRENCHSTOP™ 3
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.71 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e
IKW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 297ns
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.71 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 Infineon-IKW50N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IKW50N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.4 EUR
10+4.8 EUR
100+4 EUR
480+3.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+13.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+13.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T Infineon-IKW50N60T-DS-v02_06-EN.pdf
IKW50N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.66 EUR
10+6.55 EUR
100+5.28 EUR
480+4.7 EUR
1200+4.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091
IKW50N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.34 EUR
15+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091
IKW50N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.34 EUR
15+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 Infineon-IKW50N60T-DS-v02_06-EN.pdf
IKW50N60TFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.28 EUR
10+5.28 EUR
100+4.26 EUR
480+3.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFH50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.36 EUR
8+9.18 EUR
9+8.68 EUR
30+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFH50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.36 EUR
8+9.18 EUR
9+8.68 EUR
30+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-50N60P3-Datasheet.PDF
IXFH50N60P3
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.7 EUR
10+10.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFQ50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.74 EUR
8+9.02 EUR
9+8.52 EUR
120+8.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFQ50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.74 EUR
8+9.02 EUR
9+8.52 EUR
120+8.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFT50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.97 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFT50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.97 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60P3 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-50N60P3-Datasheet.PDF
IXFT50N60P3
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+18.94 EUR
10+13.45 EUR
120+12.62 EUR
510+11.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a
IXFT50N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.43 EUR
7+11.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a
IXFT50N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.43 EUR
7+11.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054
IXXH150N60C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Turn-on time: 0.1µs
Gate charge: 200nC
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Power dissipation: 1.36kW
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+17.79 EUR
6+12.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054
IXXH150N60C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Turn-on time: 0.1µs
Gate charge: 200nC
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Power dissipation: 1.36kW
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+17.79 EUR
6+12.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH150N60C3-Datasheet.PDF
IXXH150N60C3
Hersteller: IXYS
IGBTs TO247 600V 150A XPT
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+22.35 EUR
10+16.42 EUR
120+16.24 EUR
510+15.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXX-50N60B3-Datasheet.PDF
IXXH50N60B3
Hersteller: IXYS
IGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.08 EUR
10+14.24 EUR
120+11.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH50N60B3D1-Datasheet.PDF
IXXH50N60B3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+21.24 EUR
10+14.8 EUR
510+14.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH50N60C3D1-Datasheet.PDF
IXXH50N60C3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.16 EUR
10+10.26 EUR
120+9.28 EUR
510+9.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN150N60B3 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYN150N60B3-Datasheet.PDF
IXYN150N60B3
Hersteller: IXYS
IGBTs SOT227 600V 140A GENX3
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+40 EUR
10+33.42 EUR
100+33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RM150N60HD-W rm150n60hd.pdf
RM150N60HD-W
Hersteller: Rectron
MOSFETs
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.97 EUR
10+3.87 EUR
100+2.85 EUR
500+2.39 EUR
800+2.04 EUR
2400+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA150N60E-GE3 siha150n60e.pdf
SIHA150N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.11 EUR
10+4.35 EUR
100+3.13 EUR
500+2.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB150N60E-GE3 sihb150n60e.pdf
SIHB150N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V
auf Bestellung 1767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.95 EUR
10+4.73 EUR
100+3.59 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.87 EUR
2000+2.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG050N60E-GE3 sihg050n60e.pdf
SIHG050N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.87 EUR
10+11.79 EUR
100+9.82 EUR
500+9.12 EUR
1000+8.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG150N60E-GE3 sihg150n60e.pdf
SIHG150N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.36 EUR
10+5.24 EUR
100+3.75 EUR
500+3.1 EUR
1000+3.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH150N60E-T1-GE3 sihh150n60e.pdf
SIHH150N60E-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.73 EUR
10+6.3 EUR
100+4.54 EUR
500+4.52 EUR
1000+4.28 EUR
3000+3.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH250N60EF-T1GE3 sihh250n60ef.pdf
SIHH250N60EF-T1GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 13A N-CH MOSFET
auf Bestellung 8970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.85 EUR
10+5.02 EUR
100+4.28 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.71 EUR
3000+3.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP050N60E-GE3 sihp050n60e.pdf
SIHP050N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.11 EUR
10+9.06 EUR
100+7.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP150N60E-GE3 sihp150n60e.pdf
SIHP150N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.2 EUR
10+4.44 EUR
100+3.2 EUR
500+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP50N60DM6 stp50n60dm6.pdf
STP50N60DM6
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.89 EUR
10+5.33 EUR
100+4.89 EUR
500+4.4 EUR
1000+4.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
E250N60
Hersteller: ST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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