Suchergebnisse für "50n60" : > 60

Wählen Sie Seite:   1 2  Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SGW50N60HS SGW50N60HS
Produktcode: 73803
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Infineon Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
auf Bestellung 12 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW50N60CT_DS_v02_01_EN-1730981.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.79 EUR
10+9.10 EUR
25+8.31 EUR
100+7.60 EUR
240+7.29 EUR
480+6.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60 FDBL0150N60 onsemi / Fairchild fdbl0150n60-d.pdf MOSFETs Update code D
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.84 EUR
10+8.41 EUR
25+8.40 EUR
100+6.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60T IGB50N60T Infineon Technologies Infineon_IGB50N60T_DS_v02_07_EN-1226832.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.18 EUR
10+6.02 EUR
25+5.68 EUR
100+4.86 EUR
250+4.59 EUR
500+4.33 EUR
1000+3.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGB50N60T_DS_v02_07_EN-1226832.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.87 EUR
10+5.95 EUR
25+5.93 EUR
100+4.26 EUR
500+3.54 EUR
1000+3.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP50N60T IGP50N60T Infineon Technologies Infineon_IGP50N60T_DS_v02_08_EN-1628036.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.60 EUR
10+5.54 EUR
25+5.23 EUR
100+4.51 EUR
250+4.44 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP50N60TXKSA1 IGP50N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGP50N60T_DS_v02_08_EN-1628036.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.11 EUR
10+5.53 EUR
25+4.68 EUR
100+4.08 EUR
250+3.75 EUR
500+3.52 EUR
1000+3.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3 IGW50N60H3 Infineon Technologies IGW50N60H3_2_2-3360056.pdf IGBTs 600V 50A 333W
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.19 EUR
10+8.75 EUR
25+5.33 EUR
100+4.95 EUR
240+4.54 EUR
480+3.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 Infineon IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+15.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60T IGW50N60T Infineon Technologies Infineon_IGW50N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361685.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.93 EUR
10+5.84 EUR
25+5.51 EUR
100+4.72 EUR
240+4.45 EUR
480+4.19 EUR
1200+3.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.29 EUR
17+4.23 EUR
18+3.99 EUR
30+3.93 EUR
120+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.29 EUR
17+4.23 EUR
18+3.99 EUR
30+3.93 EUR
120+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW50N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361685.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.57 EUR
10+8.45 EUR
25+4.86 EUR
100+4.07 EUR
240+3.92 EUR
480+3.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TPXKSA1 IGW50N60TPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW50N60TP_DataSheet_v02_01_EN-3361671.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.69 EUR
25+3.73 EUR
100+3.06 EUR
240+2.71 EUR
480+2.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60DH3E.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 60ns
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60DH3E.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
9+7.95 EUR
480+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW50N60DH3E_DataSheet_v02_01_EN-3361966.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.48 EUR
10+7.46 EUR
25+5.12 EUR
100+4.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3XKSA1 IKFW50N60DH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW50N60DH3_DataSheet_v02_01_EN-3362166.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.41 EUR
240+6.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ETXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW50N60ET_DS_v02_01_EN-1369176.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.89 EUR
10+9.70 EUR
25+8.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60DTP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.53 EUR
30+2.43 EUR
32+2.30 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N60DTP_DataSheet_v02_01_EN-3362095.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.81 EUR
25+4.42 EUR
100+3.66 EUR
240+3.33 EUR
480+2.99 EUR
1200+2.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3 Infineon INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C;   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+9.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3 Infineon INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C;   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+9.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3 IKW50N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKW50N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362031.pdf IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.00 EUR
10+7.87 EUR
25+7.02 EUR
100+6.14 EUR
240+5.58 EUR
480+5.30 EUR
1200+4.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.61 EUR
14+5.26 EUR
15+4.98 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.61 EUR
14+5.26 EUR
15+4.98 EUR
120+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362031.pdf IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.43 EUR
10+7.39 EUR
25+4.63 EUR
100+4.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T Infineon INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+15.60 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T Infineon INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+15.60 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T IKW50N60T Infineon Technologies Infineon_IKW50N60T_DS_v02_06_EN-1226975.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.30 EUR
10+8.84 EUR
25+8.01 EUR
100+7.69 EUR
240+6.53 EUR
480+6.49 EUR
1200+5.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60T-dte.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.05 EUR
13+5.58 EUR
30+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60T-dte.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.05 EUR
13+5.58 EUR
30+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N60T_DS_v02_06_EN-1226975.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.77 EUR
10+10.24 EUR
25+6.16 EUR
100+5.61 EUR
240+5.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.56 EUR
8+9.02 EUR
120+8.87 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.56 EUR
8+9.02 EUR
120+8.87 EUR
510+8.68 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS media-3322766.pdf MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.78 EUR
10+15.66 EUR
30+11.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.31 EUR
8+9.02 EUR
9+8.52 EUR
30+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.31 EUR
8+9.02 EUR
9+8.52 EUR
30+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.76 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.76 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
510+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS media-3322766.pdf MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.18 EUR
30+13.83 EUR
120+11.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+16.43 EUR
7+11.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.43 EUR
7+11.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS IXXH150N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.18 EUR
9+8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS IXXH150N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.18 EUR
9+8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS media-3323158.pdf IGBTs TO247 600V 150A XPT
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.69 EUR
10+20.29 EUR
30+17.49 EUR
60+17.42 EUR
120+17.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3 IXXH50N60B3 IXYS media-3319329.pdf IGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.75 EUR
10+17.44 EUR
30+14.78 EUR
120+12.88 EUR
270+10.70 EUR
510+10.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1 IXYS media-3319508.pdf IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.98 EUR
10+21.31 EUR
30+14.17 EUR
120+13.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1 IXYS media-3323788.pdf IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.63 EUR
10+15.14 EUR
30+13.80 EUR
120+12.62 EUR
270+11.60 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN150N60B3 IXYN150N60B3 IXYS media-3320068.pdf IGBTs SOT227 600V 140A GENX3
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.55 EUR
10+36.92 EUR
20+34.44 EUR
50+33.37 EUR
100+32.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RM150N60HD-W RM150N60HD-W Rectron rm150n60hd-1395994.pdf MOSFETs
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.29 EUR
10+3.57 EUR
100+2.85 EUR
250+2.62 EUR
500+2.39 EUR
800+2.04 EUR
2400+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA150N60E-GE3 SIHA150N60E-GE3 Vishay / Siliconix siha150n60e.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.04 EUR
10+4.77 EUR
25+4.75 EUR
100+3.43 EUR
500+2.85 EUR
1000+2.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB150N60E-GE3 SIHB150N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb150n60e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V
auf Bestellung 1777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.37 EUR
10+5.17 EUR
25+5.14 EUR
100+4.19 EUR
250+4.17 EUR
500+3.71 EUR
1000+3.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG050N60E-GE3 SIHG050N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg050n60e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.73 EUR
10+11.49 EUR
25+10.89 EUR
100+8.68 EUR
500+8.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG150N60E-GE3 SIHG150N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg150n60e.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.04 EUR
10+5.47 EUR
100+3.96 EUR
500+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH150N60E-T1-GE3 SIHH150N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh150n60e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET PowerPAK 8x8, 155 mohm a. 10V
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.57 EUR
10+6.56 EUR
100+4.84 EUR
250+4.82 EUR
500+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH250N60EF-T1GE3 SIHH250N60EF-T1GE3 Vishay Semiconductors sihh250n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 13A N-CH MOSFET
auf Bestellung 8970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.52 EUR
10+5.74 EUR
100+4.12 EUR
500+3.43 EUR
1000+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP050N60E-GE3 SIHP050N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp050n60e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.48 EUR
10+9.29 EUR
100+8.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP150N60E-GE3 SIHP150N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp150n60e.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.20 EUR
10+4.88 EUR
100+3.52 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.90 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGW50N60HS
Produktcode: 73803
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

SGW50N60HS
Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
auf Bestellung 12 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N60CTXKSA1 Infineon_AIKW50N60CT_DS_v02_01_EN-1730981.pdf
AIKW50N60CTXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.79 EUR
10+9.10 EUR
25+8.31 EUR
100+7.60 EUR
240+7.29 EUR
480+6.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60 fdbl0150n60-d.pdf
FDBL0150N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Update code D
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.84 EUR
10+8.41 EUR
25+8.40 EUR
100+6.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60T Infineon_IGB50N60T_DS_v02_07_EN-1226832.pdf
IGB50N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.18 EUR
10+6.02 EUR
25+5.68 EUR
100+4.86 EUR
250+4.59 EUR
500+4.33 EUR
1000+3.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1 Infineon_IGB50N60T_DS_v02_07_EN-1226832.pdf
IGB50N60TATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.87 EUR
10+5.95 EUR
25+5.93 EUR
100+4.26 EUR
500+3.54 EUR
1000+3.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP50N60T Infineon_IGP50N60T_DS_v02_08_EN-1628036.pdf
IGP50N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.60 EUR
10+5.54 EUR
25+5.23 EUR
100+4.51 EUR
250+4.44 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP50N60TXKSA1 Infineon_IGP50N60T_DS_v02_08_EN-1628036.pdf
IGP50N60TXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.11 EUR
10+5.53 EUR
25+4.68 EUR
100+4.08 EUR
250+3.75 EUR
500+3.52 EUR
1000+3.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3 IGW50N60H3_2_2-3360056.pdf
IGW50N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V 50A 333W
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.19 EUR
10+8.75 EUR
25+5.33 EUR
100+4.95 EUR
240+4.54 EUR
480+3.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3-DTE.pdf
IGW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af
Hersteller: Infineon
IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+15.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60T Infineon_IGW50N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361685.pdf
IGW50N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.93 EUR
10+5.84 EUR
25+5.51 EUR
100+4.72 EUR
240+4.45 EUR
480+4.19 EUR
1200+3.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60T-DTE.pdf
IGW50N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
17+4.23 EUR
18+3.99 EUR
30+3.93 EUR
120+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60T-DTE.pdf
IGW50N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
17+4.23 EUR
18+3.99 EUR
30+3.93 EUR
120+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 Infineon_IGW50N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361685.pdf
IGW50N60TFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.57 EUR
10+8.45 EUR
25+4.86 EUR
100+4.07 EUR
240+3.92 EUR
480+3.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TPXKSA1 Infineon_IGW50N60TP_DataSheet_v02_01_EN-3361671.pdf
IGW50N60TPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.69 EUR
25+3.73 EUR
100+3.06 EUR
240+2.71 EUR
480+2.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3E.pdf
IKFW50N60DH3EXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 60ns
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3E.pdf
IKFW50N60DH3EXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
9+7.95 EUR
480+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3EXKSA1 Infineon_IKFW50N60DH3E_DataSheet_v02_01_EN-3361966.pdf
IKFW50N60DH3EXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.48 EUR
10+7.46 EUR
25+5.12 EUR
100+4.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3XKSA1 Infineon_IKFW50N60DH3_DataSheet_v02_01_EN-3362166.pdf
IKFW50N60DH3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.41 EUR
240+6.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60ETXKSA1 Infineon_IKFW50N60ET_DS_v02_01_EN-1369176.pdf
IKFW50N60ETXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.89 EUR
10+9.70 EUR
25+8.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTP.pdf
IKW50N60DTPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.53 EUR
30+2.43 EUR
32+2.30 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60DTPXKSA1 Infineon_IKW50N60DTP_DataSheet_v02_01_EN-3362095.pdf
IKW50N60DTPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.81 EUR
25+4.42 EUR
100+3.66 EUR
240+3.33 EUR
480+2.99 EUR
1200+2.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3 INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C;   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+9.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3 INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C;   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+9.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3 Infineon_IKW50N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362031.pdf
IKW50N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.00 EUR
10+7.87 EUR
25+7.02 EUR
100+6.14 EUR
240+5.58 EUR
480+5.30 EUR
1200+4.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3.pdf
IKW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.61 EUR
14+5.26 EUR
15+4.98 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3.pdf
IKW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.61 EUR
14+5.26 EUR
15+4.98 EUR
120+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 Infineon_IKW50N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362031.pdf
IKW50N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.43 EUR
10+7.39 EUR
25+4.63 EUR
100+4.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+15.60 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+15.60 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T Infineon_IKW50N60T_DS_v02_06_EN-1226975.pdf
IKW50N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.30 EUR
10+8.84 EUR
25+8.01 EUR
100+7.69 EUR
240+6.53 EUR
480+6.49 EUR
1200+5.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T-dte.pdf
IKW50N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.05 EUR
13+5.58 EUR
30+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T-dte.pdf
IKW50N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.05 EUR
13+5.58 EUR
30+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 Infineon_IKW50N60T_DS_v02_06_EN-1226975.pdf
IKW50N60TFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.77 EUR
10+10.24 EUR
25+6.16 EUR
100+5.61 EUR
240+5.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFH50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.56 EUR
8+9.02 EUR
120+8.87 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFH50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.56 EUR
8+9.02 EUR
120+8.87 EUR
510+8.68 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 media-3322766.pdf
IXFH50N60P3
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.78 EUR
10+15.66 EUR
30+11.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFQ50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.31 EUR
8+9.02 EUR
9+8.52 EUR
30+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFQ50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.31 EUR
8+9.02 EUR
9+8.52 EUR
30+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFT50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.76 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFT50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.76 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
510+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60P3 media-3322766.pdf
IXFT50N60P3
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+18.18 EUR
30+13.83 EUR
120+11.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFT50N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.43 EUR
7+11.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFT50N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.43 EUR
7+11.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3.pdf
IXXH150N60C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.18 EUR
9+8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3.pdf
IXXH150N60C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.18 EUR
9+8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3 media-3323158.pdf
IXXH150N60C3
Hersteller: IXYS
IGBTs TO247 600V 150A XPT
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+22.69 EUR
10+20.29 EUR
30+17.49 EUR
60+17.42 EUR
120+17.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3 media-3319329.pdf
IXXH50N60B3
Hersteller: IXYS
IGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.75 EUR
10+17.44 EUR
30+14.78 EUR
120+12.88 EUR
270+10.70 EUR
510+10.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3D1 media-3319508.pdf
IXXH50N60B3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+21.98 EUR
10+21.31 EUR
30+14.17 EUR
120+13.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3D1 media-3323788.pdf
IXXH50N60C3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.63 EUR
10+15.14 EUR
30+13.80 EUR
120+12.62 EUR
270+11.60 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN150N60B3 media-3320068.pdf
IXYN150N60B3
Hersteller: IXYS
IGBTs SOT227 600V 140A GENX3
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+41.55 EUR
10+36.92 EUR
20+34.44 EUR
50+33.37 EUR
100+32.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RM150N60HD-W rm150n60hd-1395994.pdf
RM150N60HD-W
Hersteller: Rectron
MOSFETs
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.29 EUR
10+3.57 EUR
100+2.85 EUR
250+2.62 EUR
500+2.39 EUR
800+2.04 EUR
2400+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA150N60E-GE3 siha150n60e.pdf
SIHA150N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.04 EUR
10+4.77 EUR
25+4.75 EUR
100+3.43 EUR
500+2.85 EUR
1000+2.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB150N60E-GE3 sihb150n60e.pdf
SIHB150N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V
auf Bestellung 1777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.37 EUR
10+5.17 EUR
25+5.14 EUR
100+4.19 EUR
250+4.17 EUR
500+3.71 EUR
1000+3.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG050N60E-GE3 sihg050n60e.pdf
SIHG050N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.73 EUR
10+11.49 EUR
25+10.89 EUR
100+8.68 EUR
500+8.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG150N60E-GE3 sihg150n60e.pdf
SIHG150N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.04 EUR
10+5.47 EUR
100+3.96 EUR
500+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH150N60E-T1-GE3 sihh150n60e.pdf
SIHH150N60E-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs E Series Power MOSFET PowerPAK 8x8, 155 mohm a. 10V
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.57 EUR
10+6.56 EUR
100+4.84 EUR
250+4.82 EUR
500+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH250N60EF-T1GE3 sihh250n60ef.pdf
SIHH250N60EF-T1GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 13A N-CH MOSFET
auf Bestellung 8970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.52 EUR
10+5.74 EUR
100+4.12 EUR
500+3.43 EUR
1000+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP050N60E-GE3 sihp050n60e.pdf
SIHP050N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.48 EUR
10+9.29 EUR
100+8.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP150N60E-GE3 sihp150n60e.pdf
SIHP150N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.20 EUR
10+4.88 EUR
100+3.52 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.90 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   1 2  Nächste Seite >> ]