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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SGW50N60HS SGW50N60HS
Produktcode: 217211
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China Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,8 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 100 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 50 А
auf Bestellung: 7 St.
  • 7 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+9.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGW50N60HS SGW50N60HS
Produktcode: 73803
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Infineon Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,8 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 100 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 50 А
auf Bestellung: 4 St.
  • 4 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+12.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CTXKSA1 Infineon Technologies infineon_aikw50n60ct_ds_en.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.08 EUR
10+11 EUR
100+9.32 EUR
480+9.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW50N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382c6127ca1 Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.49 EUR
30+10.92 EUR
120+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60 Fairchild Semiconductor fdbl0150n60-d.pdf Description: FDBL0150N60 - N-CHANNEL POWERTRE
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+9.65 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60 FDBL0150N60 onsemi FDBL0150N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 30 V
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.5 EUR
10+12 EUR
50+9.64 EUR
100+8.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60 FDBL0150N60 onsemi FDBL0150N60-D.pdf fdbl0150n60-d.pdf MOSFETs Update code D
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.59 EUR
10+9.7 EUR
100+9.01 EUR
1000+8.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60T IGB50N60T Infineon Technologies Infineon_IGB50N60T_DS_v02_07_EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.25 EUR
10+6.72 EUR
100+4.94 EUR
500+4.4 EUR
1000+3.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies IGB50N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42812613d55 Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.31 EUR
10+6.85 EUR
100+4.89 EUR
500+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies IGB50N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42812613d55 Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.78 EUR
2000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies infineon_igb50n60t_ds_en.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.78 EUR
10+6.5 EUR
100+4.65 EUR
500+4.19 EUR
1000+3.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3 IGW50N60H3 Infineon Technologies IGW50N60H3_2_2.pdf IGBTs 600V 50A 333W
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.95 EUR
10+4.99 EUR
100+4.11 EUR
480+3.97 EUR
1200+3.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 Infineon info-tigw50n60h3.pdf IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+17.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 Infineon Technologies IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/235ns
Switching Energy: 2.36mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.9 EUR
30+4.95 EUR
120+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 64A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 Infineon Technologies INFN-S-A0001299822-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.02 EUR
30+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3XKSA1 IKFW50N60DH3XKSA1 Infineon Technologies infineon_ikfw50n60dh3_datasheet_en.pdf IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.43 EUR
10+10.06 EUR
100+7.56 EUR
480+7.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ETXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW50N60ET-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e88a432b2 Description: IGBT TRENCH FS 600V 73A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 91 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/305ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1.42mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.82 EUR
30+9.21 EUR
120+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60DTP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
auf Bestellung 732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N60DTP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cbc2c1c17cc1 Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns
Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 249 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 319.2 W
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.52 EUR
30+4.11 EUR
120+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3 IKW50N60H3 Infineon info-tikw50n60h3.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C;   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+9.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 Infineon Technologies IKW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432a40a650012a47934b1e2bea Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
85+6.3 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T IKW50N60T Infineon TIKW50n60t_0001.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+13.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T IKW50N60T Infineon TIKW50n60t_0001.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+13.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T IKW50N60T Infineon Technologies Infineon_IKW50N60T_DS_v02_06_EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
auf Bestellung 1536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.7 EUR
10+9.17 EUR
100+7.39 EUR
480+6.53 EUR
1200+5.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TAFKSA1 IKW50N60TAFKSA1 Infineon Technologies IKW50N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4288ce93e21 Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 9853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
60+8.98 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60T-dte.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Infineon Technologies IKW50N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4288ce93e21 Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.11 EUR
30+7.51 EUR
120+6.28 EUR
510+5.38 EUR
1020+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Infineon Technologies infineon_ikw50n60t_ds_en.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
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IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7 Stücke:
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IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_50N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
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IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS IXFx50N60P3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
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IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 182 Stücke:
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IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
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IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS IXFx50N60P3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
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IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_50N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
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IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 660W
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 73mΩ
Reverse recovery time: 195ns
Gate charge: 116nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 14 Stücke:
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IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS IXXH150N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 1.36kW
Gate charge: 200nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 700A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 0.1µs
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
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IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH150N60C3_Datasheet.PDF IGBTs TO247 600V 150A XPT
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1+34.28 EUR
10+23.29 EUR
120+18.71 EUR
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IXXH50N60B3 IXXH50N60B3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXX_50N60B3_Datasheet.PDF IGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
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10+16.46 EUR
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IXXH50N60B3 IXXH50N60B3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixx-50n60b3-datasheet?assetguid=0584ed69-861c-477c-9ed3-244c01c8d170 Description: IGBT PT 600V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns
Switching Energy: 670µJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
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1+26.87 EUR
30+16.39 EUR
120+14.09 EUR
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IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1 IXYS DS100302BIXXH50N60B3D1.pdf Description: IGBT PT 600V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns
Switching Energy: 670µJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.48 EUR
30+19.36 EUR
120+16.7 EUR
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IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH50N60B3D1_Datasheet.PDF IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 177 Stücke:
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1+31.88 EUR
10+22.3 EUR
120+17.23 EUR
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IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH50N60C3D1_Datasheet.PDF IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
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1+20.61 EUR
10+14.58 EUR
120+12.38 EUR
510+10.85 EUR
1020+10.78 EUR
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IXYN150N60B3 IXYN150N60B3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYN150N60B3_Datasheet.PDF IGBTs SOT227 600V 140A GENX3
auf Bestellung 171 Stücke:
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1+56.6 EUR
10+41.5 EUR
100+40.21 EUR
500+38.96 EUR
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IXYN150N60B3 IXYN150N60B3 IXYS DS100548BIXYN150N60B3.pdf Description: IGBT 600V 250A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/167ns
Switching Energy: 4.2mJ (on), 2.6mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 750 A
Power - Max: 830 W
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+56.33 EUR
10+41.3 EUR
100+33.37 EUR
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NGTB50N60FWG NGTB50N60FWG onsemi ngtb50n60fw-d.pdf Description: IGBT 600V 100A 223W TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 10950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
76+7.04 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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NGTB50N60S1WG NGTB50N60S1WG onsemi NGTB50N60S1WG.pdf Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
81+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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NGTB50N60SWG NGTB50N60SWG onsemi ngtb50n60sw-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 376 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
91+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTG50N60FLWG NGTG50N60FLWG onsemi NGTG50N60FLWG.pdf Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/292ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
auf Bestellung 4314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
88+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTG50N60FWG NGTG50N60FWG onsemi ngtg50n60fw-d.pdf Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 117ns/285ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
91+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RM150N60HD-W RM150N60HD-W Rectron rm150n60hd.pdf MOSFETs
auf Bestellung 683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.6 EUR
10+4.93 EUR
100+3.42 EUR
500+2.84 EUR
800+2.62 EUR
2400+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGW50N60HSFKSA1 SGW50N60HSFKSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT NPT 600V 100A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/310ns
Switching Energy: 1.96mJ
Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 179 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 416 W
auf Bestellung 1870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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SIHA150N60E-GE3 SIHA150N60E-GE3 Vishay Siliconix siha150n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.77 EUR
10+5.8 EUR
50+4.52 EUR
100+4.11 EUR
500+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SIHA150N60E-GE3 SIHA150N60E-GE3 Vishay / Siliconix siha150n60e.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.82 EUR
10+4.57 EUR
100+4.14 EUR
500+3.42 EUR
1000+3.39 EUR
2000+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB150N60E-GE3 SIHB150N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb150n60e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V
auf Bestellung 1767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.17 EUR
10+4.76 EUR
100+4.32 EUR
500+3.81 EUR
1000+3.8 EUR
2000+3.56 EUR
5000+3.53 EUR
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SIHB150N60E-GE3 SIHB150N60E-GE3 Vishay Siliconix sihb150n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.13 EUR
10+6.05 EUR
50+4.72 EUR
100+4.3 EUR
500+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SIHD250N60EF-GE3 SIHD250N60EF-GE3 Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.24 EUR
10+3.81 EUR
100+2.83 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.18 EUR
3000+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG050N60E-GE3 SIHG050N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg050n60e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.28 EUR
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SGW50N60HS
Produktcode: 217211
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SGW50N60HS
Hersteller: China
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,8 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 100 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 50 А
auf Bestellung: 7 St.
  • 7 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGW50N60HS
Produktcode: 73803
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SGW50N60HS
Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,8 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 100 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 50 А
auf Bestellung: 4 St.
  • 4 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N60CTXKSA1 infineon_aikw50n60ct_ds_en.pdf
AIKW50N60CTXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 367 Stücke:
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1+18.08 EUR
10+11 EUR
100+9.32 EUR
480+9.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N60CTXKSA1 Infineon-AIKW50N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382c6127ca1
AIKW50N60CTXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+18.49 EUR
30+10.92 EUR
120+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60 fdbl0150n60-d.pdf
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: FDBL0150N60 - N-CHANNEL POWERTRE
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+9.65 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60 FDBL0150N60-D.pdf
FDBL0150N60
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 30 V
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+17.5 EUR
10+12 EUR
50+9.64 EUR
100+8.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60 FDBL0150N60-D.pdf fdbl0150n60-d.pdf
FDBL0150N60
Hersteller: onsemi
MOSFETs Update code D
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+17.59 EUR
10+9.7 EUR
100+9.01 EUR
1000+8.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60T Infineon_IGB50N60T_DS_v02_07_EN.pdf
IGB50N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.25 EUR
10+6.72 EUR
100+4.94 EUR
500+4.4 EUR
1000+3.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1 IGB50N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42812613d55
IGB50N60TATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+10.31 EUR
10+6.85 EUR
100+4.89 EUR
500+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1 IGB50N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42812613d55
IGB50N60TATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+3.78 EUR
2000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1 infineon_igb50n60t_ds_en.pdf
IGB50N60TATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.78 EUR
10+6.5 EUR
100+4.65 EUR
500+4.19 EUR
1000+3.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3 IGW50N60H3_2_2.pdf
IGW50N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V 50A 333W
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.95 EUR
10+4.99 EUR
100+4.11 EUR
480+3.97 EUR
1200+3.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3-DTE.pdf
IGW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 info-tigw50n60h3.pdf
IGW50N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon
IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+17.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af
IGW50N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/235ns
Switching Energy: 2.36mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.9 EUR
30+4.95 EUR
120+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60T-DTE.pdf
IGW50N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 64A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 INFN-S-A0001299822-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW50N60TFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.02 EUR
30+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3XKSA1 infineon_ikfw50n60dh3_datasheet_en.pdf
IKFW50N60DH3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+15.43 EUR
10+10.06 EUR
100+7.56 EUR
480+7.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60ETXKSA1 Infineon-IKFW50N60ET-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e88a432b2
IKFW50N60ETXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 73A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 91 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/305ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1.42mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+15.82 EUR
30+9.21 EUR
120+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTP.pdf
IKW50N60DTPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
auf Bestellung 732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60DTPXKSA1 Infineon-IKW50N60DTP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cbc2c1c17cc1
IKW50N60DTPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns
Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 249 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 319.2 W
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.52 EUR
30+4.11 EUR
120+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3 info-tikw50n60h3.pdf
IKW50N60H3
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C;   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+9.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432a40a650012a47934b1e2bea
IKW50N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
85+6.3 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T TIKW50n60t_0001.pdf
IKW50N60T
Hersteller: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+13.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T TIKW50n60t_0001.pdf
IKW50N60T
Hersteller: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+13.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T Infineon_IKW50N60T_DS_v02_06_EN.pdf
IKW50N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
auf Bestellung 1536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.7 EUR
10+9.17 EUR
100+7.39 EUR
480+6.53 EUR
1200+5.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TAFKSA1 IKW50N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4288ce93e21
IKW50N60TAFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 9853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+8.98 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T-dte.pdf
IKW50N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4288ce93e21
IKW50N60TFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+13.11 EUR
30+7.51 EUR
120+6.28 EUR
510+5.38 EUR
1020+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 infineon_ikw50n60t_ds_en.pdf
IKW50N60TFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
auf Bestellung 765 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+13.17 EUR
10+7.54 EUR
100+6.33 EUR
480+6.01 EUR
1200+5.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFH50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_50N60P3_Datasheet.PDF
IXFH50N60P3
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 151 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+24.63 EUR
10+13.78 EUR
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IXFH50N60P3 IXFx50N60P3.pdf
IXFH50N60P3
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
auf Bestellung 741 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+24.5 EUR
30+14.8 EUR
60+13.65 EUR
120+12.67 EUR
510+11.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFQ50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 182 Stücke:
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IXFT50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFT50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 106 Stücke:
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IXFT50N60P3 IXFx50N60P3.pdf
IXFT50N60P3
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+28.23 EUR
30+17.18 EUR
60+15.87 EUR
120+14.77 EUR
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IXFT50N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_50N60P3_Datasheet.PDF
IXFT50N60P3
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 357 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+27.92 EUR
10+15.96 EUR
120+15.35 EUR
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IXFT50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFT50N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 660W
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 73mΩ
Reverse recovery time: 195ns
Gate charge: 116nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 14 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3.pdf
IXXH150N60C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 1.36kW
Gate charge: 200nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 700A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 0.1µs
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
auf Bestellung 40 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH150N60C3_Datasheet.PDF
IXXH150N60C3
Hersteller: IXYS
IGBTs TO247 600V 150A XPT
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+34.28 EUR
10+23.29 EUR
120+18.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXX_50N60B3_Datasheet.PDF
IXXH50N60B3
Hersteller: IXYS
IGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+27 EUR
10+16.46 EUR
120+15.14 EUR
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IXXH50N60B3 littelfuse-discrete-igbts-ixx-50n60b3-datasheet?assetguid=0584ed69-861c-477c-9ed3-244c01c8d170
IXXH50N60B3
Hersteller: IXYS
Description: IGBT PT 600V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns
Switching Energy: 670µJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+26.87 EUR
30+16.39 EUR
120+14.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3D1 DS100302BIXXH50N60B3D1.pdf
IXXH50N60B3D1
Hersteller: IXYS
Description: IGBT PT 600V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns
Switching Energy: 670µJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+31.48 EUR
30+19.36 EUR
120+16.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH50N60B3D1_Datasheet.PDF
IXXH50N60B3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+31.88 EUR
10+22.3 EUR
120+17.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH50N60C3D1_Datasheet.PDF
IXXH50N60C3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+20.61 EUR
10+14.58 EUR
120+12.38 EUR
510+10.85 EUR
1020+10.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN150N60B3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYN150N60B3_Datasheet.PDF
IXYN150N60B3
Hersteller: IXYS
IGBTs SOT227 600V 140A GENX3
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+56.6 EUR
10+41.5 EUR
100+40.21 EUR
500+38.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN150N60B3 DS100548BIXYN150N60B3.pdf
IXYN150N60B3
Hersteller: IXYS
Description: IGBT 600V 250A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/167ns
Switching Energy: 4.2mJ (on), 2.6mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 750 A
Power - Max: 830 W
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+56.33 EUR
10+41.3 EUR
100+33.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60FWG ngtb50n60fw-d.pdf
NGTB50N60FWG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 600V 100A 223W TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 10950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+7.04 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60S1WG NGTB50N60S1WG.pdf
NGTB50N60S1WG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
81+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N60SWG ngtb50n60sw-d.pdf
NGTB50N60SWG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 376 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTG50N60FLWG NGTG50N60FLWG.pdf
NGTG50N60FLWG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/292ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
auf Bestellung 4314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTG50N60FWG ngtg50n60fw-d.pdf
NGTG50N60FWG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 117ns/285ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RM150N60HD-W rm150n60hd.pdf
RM150N60HD-W
Hersteller: Rectron
MOSFETs
auf Bestellung 683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.6 EUR
10+4.93 EUR
100+3.42 EUR
500+2.84 EUR
800+2.62 EUR
2400+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGW50N60HSFKSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
SGW50N60HSFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 100A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/310ns
Switching Energy: 1.96mJ
Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 179 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 416 W
auf Bestellung 1870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
84+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA150N60E-GE3 siha150n60e.pdf
SIHA150N60E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.77 EUR
10+5.8 EUR
50+4.52 EUR
100+4.11 EUR
500+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA150N60E-GE3 siha150n60e.pdf
SIHA150N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.82 EUR
10+4.57 EUR
100+4.14 EUR
500+3.42 EUR
1000+3.39 EUR
2000+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB150N60E-GE3 sihb150n60e.pdf
SIHB150N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V
auf Bestellung 1767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.17 EUR
10+4.76 EUR
100+4.32 EUR
500+3.81 EUR
1000+3.8 EUR
2000+3.56 EUR
5000+3.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SIHB150N60E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.13 EUR
10+6.05 EUR
50+4.72 EUR
100+4.3 EUR
500+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SIHD250N60EF-GE3
SIHD250N60EF-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.24 EUR
10+3.81 EUR
100+2.83 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.18 EUR
3000+1.83 EUR
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SIHG050N60E-GE3 sihg050n60e.pdf
SIHG050N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+20.28 EUR
10+11.3 EUR
100+10.45 EUR
500+10.26 EUR
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