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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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SGW50N60HS Produktcode: 73803
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Lieblingsprodukt
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Infineon |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247-3 Vces: 600 V Vce: 2,8 V Ic 25: 100 A Ic 100: 50 A |
auf Bestellung 12 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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AIKW50N60CTXKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDBL0150N60 | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 1275 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGB50N60T | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 436 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGB50N60TATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 525 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGP50N60T | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGP50N60TXKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 552 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGW50N60H3 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGW50N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3 Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 333W Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Technology: TRENCHSTOP™ 3 Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IGW50N60H3FKSA1 | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGW50N60T | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 154 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGW50N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 64A Pulsed collector current: 150A |
auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW50N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 64A Pulsed collector current: 150A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGW50N60TPXKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKFW50N60DH3EXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 95W Case: PG-TO247-3-AI Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Turn-off time: 192ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 37A Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 60ns |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKFW50N60DH3EXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 95W Case: PG-TO247-3-AI Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Turn-off time: 192ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 37A Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 60ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKFW50N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKFW50N60DH3XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKFW50N60ETXKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N60DTPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 61A Power dissipation: 159.6W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 249nC Kind of package: tube Turn-on time: 50ns Turn-off time: 233ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 910 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N60H3 | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N60H3 | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N60H3 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 315nC Kind of package: tube Turn-off time: 297ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 54ns |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 315nC Kind of package: tube Turn-off time: 297ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 54ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 431 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N60T | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N60T | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N60T | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 333W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ Mounting: THT Case: TO247-3 |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 333W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ Mounting: THT Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 657 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH50N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247-3 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH50N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247-3 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH50N60P3 | IXYS |
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auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFQ50N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO3P On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFQ50N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO3P On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFT50N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO268 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFT50N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO268 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFT50N60P3 | IXYS |
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auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFT50N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 660W Case: TO268 On-state resistance: 73mΩ Mounting: SMD Gate charge: 116nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 195ns |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFT50N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 660W Case: TO268 On-state resistance: 73mΩ Mounting: SMD Gate charge: 116nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 195ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXXH150N60C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 1.36kW Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Turn-off time: 230ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 700A Turn-on time: 0.1µs |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXXH150N60C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 1.36kW Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Turn-off time: 230ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 700A Turn-on time: 0.1µs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXXH150N60C3 | IXYS |
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auf Bestellung 294 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXXH50N60B3 | IXYS |
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auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXXH50N60B3D1 | IXYS |
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auf Bestellung 566 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXXH50N60C3D1 | IXYS |
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auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXYN150N60B3 | IXYS |
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auf Bestellung 267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RM150N60HD-W | Rectron |
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auf Bestellung 701 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHA150N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHB150N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 1777 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG050N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG150N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 396 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHH150N60E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 5960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHH250N60EF-T1GE3 | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 8970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP050N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 1120 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP150N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 892 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SGW50N60HS Produktcode: 73803
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
auf Bestellung 12 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AIKW50N60CTXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 11.79 EUR |
10+ | 9.10 EUR |
25+ | 8.31 EUR |
100+ | 7.60 EUR |
240+ | 7.29 EUR |
480+ | 6.92 EUR |
FDBL0150N60 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Update code D
MOSFETs Update code D
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 11.84 EUR |
10+ | 8.41 EUR |
25+ | 8.40 EUR |
100+ | 6.46 EUR |
IGB50N60T |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.18 EUR |
10+ | 6.02 EUR |
25+ | 5.68 EUR |
100+ | 4.86 EUR |
250+ | 4.59 EUR |
500+ | 4.33 EUR |
1000+ | 3.68 EUR |
IGB50N60TATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.87 EUR |
10+ | 5.95 EUR |
25+ | 5.93 EUR |
100+ | 4.26 EUR |
500+ | 3.54 EUR |
1000+ | 3.50 EUR |
IGP50N60T |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.60 EUR |
10+ | 5.54 EUR |
25+ | 5.23 EUR |
100+ | 4.51 EUR |
250+ | 4.44 EUR |
500+ | 3.75 EUR |
1000+ | 3.41 EUR |
IGP50N60TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.11 EUR |
10+ | 5.53 EUR |
25+ | 4.68 EUR |
100+ | 4.08 EUR |
250+ | 3.75 EUR |
500+ | 3.52 EUR |
1000+ | 3.22 EUR |
IGW50N60H3 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V 50A 333W
IGBTs 600V 50A 333W
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 9.19 EUR |
10+ | 8.75 EUR |
25+ | 5.33 EUR |
100+ | 4.95 EUR |
240+ | 4.54 EUR |
480+ | 3.89 EUR |
IGW50N60H3FKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IGW50N60H3FKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon
IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 15.27 EUR |
IGW50N60T |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.93 EUR |
10+ | 5.84 EUR |
25+ | 5.51 EUR |
100+ | 4.72 EUR |
240+ | 4.45 EUR |
480+ | 4.19 EUR |
1200+ | 3.57 EUR |
IGW50N60TFKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.29 EUR |
17+ | 4.23 EUR |
18+ | 3.99 EUR |
30+ | 3.93 EUR |
120+ | 3.85 EUR |
IGW50N60TFKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.29 EUR |
17+ | 4.23 EUR |
18+ | 3.99 EUR |
30+ | 3.93 EUR |
120+ | 3.85 EUR |
IGW50N60TFKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.57 EUR |
10+ | 8.45 EUR |
25+ | 4.86 EUR |
100+ | 4.07 EUR |
240+ | 3.92 EUR |
480+ | 3.38 EUR |
IGW50N60TPXKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.69 EUR |
25+ | 3.73 EUR |
100+ | 3.06 EUR |
240+ | 2.71 EUR |
480+ | 2.41 EUR |
IKFW50N60DH3EXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 60ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 60ns
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 11.91 EUR |
IKFW50N60DH3EXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 11.91 EUR |
9+ | 7.95 EUR |
480+ | 4.89 EUR |
IKFW50N60DH3EXKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.48 EUR |
10+ | 7.46 EUR |
25+ | 5.12 EUR |
100+ | 4.73 EUR |
IKFW50N60DH3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.41 EUR |
240+ | 6.78 EUR |
IKFW50N60ETXKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 9.89 EUR |
10+ | 9.70 EUR |
25+ | 8.91 EUR |
IKW50N60DTPXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 3.53 EUR |
30+ | 2.43 EUR |
32+ | 2.30 EUR |
IKW50N60DTPXKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.81 EUR |
25+ | 4.42 EUR |
100+ | 3.66 EUR |
240+ | 3.33 EUR |
480+ | 2.99 EUR |
1200+ | 2.97 EUR |
IKW50N60H3 |
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 9.02 EUR |
IKW50N60H3 |
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 9.02 EUR |
IKW50N60H3 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.00 EUR |
10+ | 7.87 EUR |
25+ | 7.02 EUR |
100+ | 6.14 EUR |
240+ | 5.58 EUR |
480+ | 5.30 EUR |
1200+ | 4.98 EUR |
IKW50N60H3FKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.61 EUR |
14+ | 5.26 EUR |
15+ | 4.98 EUR |
IKW50N60H3FKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.61 EUR |
14+ | 5.26 EUR |
15+ | 4.98 EUR |
120+ | 4.78 EUR |
IKW50N60H3FKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.43 EUR |
10+ | 7.39 EUR |
25+ | 4.63 EUR |
100+ | 4.24 EUR |
IKW50N60T |
![]() |
Hersteller: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 15.60 EUR |
IKW50N60T |
![]() |
Hersteller: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 15.60 EUR |
IKW50N60T |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.30 EUR |
10+ | 8.84 EUR |
25+ | 8.01 EUR |
100+ | 7.69 EUR |
240+ | 6.53 EUR |
480+ | 6.49 EUR |
1200+ | 5.84 EUR |
IKW50N60TFKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 7.05 EUR |
13+ | 5.58 EUR |
30+ | 5.36 EUR |
IKW50N60TFKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 7.05 EUR |
13+ | 5.58 EUR |
30+ | 5.36 EUR |
IKW50N60TFKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.77 EUR |
10+ | 10.24 EUR |
25+ | 6.16 EUR |
100+ | 5.61 EUR |
240+ | 5.58 EUR |
IXFH50N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.56 EUR |
8+ | 9.02 EUR |
120+ | 8.87 EUR |
IXFH50N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.56 EUR |
8+ | 9.02 EUR |
120+ | 8.87 EUR |
510+ | 8.68 EUR |
IXFH50N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 17.78 EUR |
10+ | 15.66 EUR |
30+ | 11.67 EUR |
IXFQ50N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.31 EUR |
8+ | 9.02 EUR |
9+ | 8.52 EUR |
30+ | 8.38 EUR |
IXFQ50N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.31 EUR |
8+ | 9.02 EUR |
9+ | 8.52 EUR |
30+ | 8.38 EUR |
IXFT50N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.76 EUR |
7+ | 10.64 EUR |
8+ | 10.05 EUR |
IXFT50N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.76 EUR |
7+ | 10.64 EUR |
8+ | 10.05 EUR |
510+ | 10.02 EUR |
IXFT50N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 18.18 EUR |
30+ | 13.83 EUR |
120+ | 11.23 EUR |
IXFT50N60X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 16.43 EUR |
7+ | 11.13 EUR |
IXFT50N60X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 16.43 EUR |
7+ | 11.13 EUR |
IXXH150N60C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.18 EUR |
9+ | 8.25 EUR |
IXXH150N60C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.18 EUR |
9+ | 8.25 EUR |
IXXH150N60C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs TO247 600V 150A XPT
IGBTs TO247 600V 150A XPT
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 22.69 EUR |
10+ | 20.29 EUR |
30+ | 17.49 EUR |
60+ | 17.42 EUR |
120+ | 17.41 EUR |
IXXH50N60B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
IGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 19.75 EUR |
10+ | 17.44 EUR |
30+ | 14.78 EUR |
120+ | 12.88 EUR |
270+ | 10.70 EUR |
510+ | 10.68 EUR |
IXXH50N60B3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 21.98 EUR |
10+ | 21.31 EUR |
30+ | 14.17 EUR |
120+ | 13.57 EUR |
IXXH50N60C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 16.63 EUR |
10+ | 15.14 EUR |
30+ | 13.80 EUR |
120+ | 12.62 EUR |
270+ | 11.60 EUR |
IXYN150N60B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs SOT227 600V 140A GENX3
IGBTs SOT227 600V 140A GENX3
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 41.55 EUR |
10+ | 36.92 EUR |
20+ | 34.44 EUR |
50+ | 33.37 EUR |
100+ | 32.56 EUR |
RM150N60HD-W |
![]() |
Hersteller: Rectron
MOSFETs
MOSFETs
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.29 EUR |
10+ | 3.57 EUR |
100+ | 2.85 EUR |
250+ | 2.62 EUR |
500+ | 2.39 EUR |
800+ | 2.04 EUR |
2400+ | 1.92 EUR |
SIHA150N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.04 EUR |
10+ | 4.77 EUR |
25+ | 4.75 EUR |
100+ | 3.43 EUR |
500+ | 2.85 EUR |
1000+ | 2.82 EUR |
SIHB150N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V
MOSFETs E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V
auf Bestellung 1777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.37 EUR |
10+ | 5.17 EUR |
25+ | 5.14 EUR |
100+ | 4.19 EUR |
250+ | 4.17 EUR |
500+ | 3.71 EUR |
1000+ | 3.24 EUR |
SIHG050N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 15.73 EUR |
10+ | 11.49 EUR |
25+ | 10.89 EUR |
100+ | 8.68 EUR |
500+ | 8.54 EUR |
SIHG150N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.04 EUR |
10+ | 5.47 EUR |
100+ | 3.96 EUR |
500+ | 3.36 EUR |
SIHH150N60E-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs E Series Power MOSFET PowerPAK 8x8, 155 mohm a. 10V
MOSFETs E Series Power MOSFET PowerPAK 8x8, 155 mohm a. 10V
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 9.57 EUR |
10+ | 6.56 EUR |
100+ | 4.84 EUR |
250+ | 4.82 EUR |
500+ | 4.21 EUR |
SIHH250N60EF-T1GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 13A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 600V 13A N-CH MOSFET
auf Bestellung 8970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.52 EUR |
10+ | 5.74 EUR |
100+ | 4.12 EUR |
500+ | 3.43 EUR |
1000+ | 3.36 EUR |
SIHP050N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 13.48 EUR |
10+ | 9.29 EUR |
100+ | 8.08 EUR |
SIHP150N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.20 EUR |
10+ | 4.88 EUR |
100+ | 3.52 EUR |
500+ | 2.94 EUR |
1000+ | 2.90 EUR |
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