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SGW50N60HS SGW50N60HS
Produktcode: 73803
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Infineon Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
auf Bestellung 10 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW50N60CT_DS_v02_01_EN-1730981.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.18 EUR
10+8.62 EUR
25+7.85 EUR
100+7.2 EUR
240+6.64 EUR
480+6.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60 FDBL0150N60 onsemi / Fairchild fdbl0150n60-d.pdf MOSFETs Update code D
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.44 EUR
10+8.15 EUR
100+7.2 EUR
500+6.86 EUR
1000+6.55 EUR
2000+6.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60T IGB50N60T Infineon Technologies Infineon_IGB50N60T_DS_v02_07_EN-1226832.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.74 EUR
10+4.51 EUR
100+3.45 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.62 EUR
2000+2.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGB50N60T_DS_v02_07_EN-1226832.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.74 EUR
10+4.51 EUR
100+3.45 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.62 EUR
2000+2.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP50N60T IGP50N60T Infineon Technologies Infineon_IGP50N60T_DS_v02_08_EN-1628036.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.42 EUR
10+4.95 EUR
100+4 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.04 EUR
2500+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP50N60TXKSA1 IGP50N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGP50N60T_DS_v02_08_EN-1628036.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.49 EUR
10+4.26 EUR
100+3.19 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.69 EUR
2500+2.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3 IGW50N60H3 Infineon Technologies IGW50N60H3_2_2-3360056.pdf IGBTs 600V 50A 333W
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.68 EUR
10+8.22 EUR
25+4.96 EUR
100+4.93 EUR
240+4.03 EUR
480+3.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+5.99 EUR
17+4.29 EUR
18+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.99 EUR
17+4.29 EUR
18+4.06 EUR
120+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 Infineon IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+14.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60T IGW50N60T Infineon Technologies Infineon_IGW50N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361685.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.72 EUR
10+5.24 EUR
100+4.24 EUR
480+3.77 EUR
1200+3.24 EUR
2640+3.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.52 EUR
17+4.23 EUR
18+4 EUR
30+3.98 EUR
120+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.52 EUR
17+4.23 EUR
18+4 EUR
30+3.98 EUR
120+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW50N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361685.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.81 EUR
10+4.47 EUR
100+3.34 EUR
480+2.97 EUR
1200+2.55 EUR
2640+2.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TPXKSA1 IGW50N60TPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW50N60TP_DataSheet_v02_01_EN-3361671.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.67 EUR
10+5.35 EUR
25+3.36 EUR
100+2.76 EUR
240+2.73 EUR
480+2.15 EUR
1200+2.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 60ns
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
9+7.95 EUR
480+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW50N60DH3E_DataSheet_v02_01_EN-3361966.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.83 EUR
25+4.28 EUR
240+4.26 EUR
480+4.1 EUR
5040+4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3XKSA1 IKFW50N60DH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW50N60DH3_DataSheet_v02_01_EN-3362166.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.23 EUR
10+8.31 EUR
100+6.72 EUR
480+5.97 EUR
1200+5.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ETXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW50N60ET_DS_v02_01_EN-1369176.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.08 EUR
25+7.8 EUR
100+7.64 EUR
240+7.62 EUR
2640+7.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5CCBF5761D3D7&compId=IKW50N60DTP.pdf?ci_sign=94fc3287d74be6840256ba5010a252d8c5963f49 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 50ns
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.6 EUR
29+2.47 EUR
31+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N60DTP_DataSheet_v02_01_EN-3362095.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.16 EUR
10+6.85 EUR
25+4.01 EUR
100+3.29 EUR
240+3.27 EUR
480+2.59 EUR
1200+2.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3 Infineon INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C;   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3 IKW50N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKW50N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362031.pdf IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.29 EUR
10+6.93 EUR
100+5.63 EUR
240+5.61 EUR
480+4.98 EUR
1200+4.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.61 EUR
14+5.12 EUR
15+4.83 EUR
120+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.61 EUR
14+5.12 EUR
15+4.83 EUR
120+4.76 EUR
480+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362031.pdf IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.24 EUR
10+8.99 EUR
25+5.32 EUR
100+4.42 EUR
240+4.4 EUR
480+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T Infineon INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+14.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T Infineon INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+14.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T IKW50N60T Infineon Technologies Infineon_IKW50N60T_DS_v02_06_EN-1226975.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.06 EUR
10+6.85 EUR
100+5.53 EUR
480+4.91 EUR
1200+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.84 EUR
13+5.56 EUR
30+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.84 EUR
13+5.56 EUR
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IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N60T_DS_v02_06_EN-1226975.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
auf Bestellung 564 Stücke:
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480+4.96 EUR
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IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.6 EUR
8+9.18 EUR
9+8.68 EUR
120+8.57 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 367 Stücke:
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7+10.6 EUR
8+9.18 EUR
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IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS media-3322766.pdf MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 289 Stücke:
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10+10.88 EUR
120+10.61 EUR
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IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+13.74 EUR
8+9.02 EUR
9+8.52 EUR
120+8.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 262 Stücke:
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6+13.74 EUR
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IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.76 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
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5+15.76 EUR
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8+10.05 EUR
510+10.02 EUR
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IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS media-3322766.pdf MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.18 EUR
10+12.34 EUR
120+12.32 EUR
510+11.23 EUR
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IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+16.43 EUR
7+11.13 EUR
10+11.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.43 EUR
7+11.13 EUR
10+11.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
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3+23.84 EUR
4+17.88 EUR
10+12.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS media-3323158.pdf IGBTs TO247 600V 150A XPT
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.48 EUR
10+18.06 EUR
120+16.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3 IXXH50N60B3 IXYS media-3319329.pdf IGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.69 EUR
10+16.03 EUR
120+11.74 EUR
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IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1 IXYS media-3319508.pdf IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.76 EUR
10+15.1 EUR
510+14.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1 IXYS media-3323788.pdf IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.27 EUR
10+12.37 EUR
120+10.6 EUR
510+10.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN150N60B3 IXYN150N60B3 IXYS media-3320068.pdf IGBTs SOT227 600V 140A GENX3
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.87 EUR
10+34.97 EUR
100+30.59 EUR
500+30.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RM150N60HD-W RM150N60HD-W Rectron rm150n60hd-1395994.pdf MOSFETs
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.8 EUR
10+3.57 EUR
100+2.85 EUR
500+2.39 EUR
800+2.04 EUR
2400+1.92 EUR
4800+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA150N60E-GE3 SIHA150N60E-GE3 Vishay / Siliconix siha150n60e.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.53 EUR
10+4.63 EUR
100+3.34 EUR
500+2.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB150N60E-GE3 SIHB150N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb150n60e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V
auf Bestellung 1767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.16 EUR
10+4.91 EUR
100+3.82 EUR
500+3.22 EUR
1000+3.01 EUR
2000+2.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG050N60E-GE3 SIHG050N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg050n60e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.38 EUR
10+11.33 EUR
100+10.7 EUR
500+9.54 EUR
1000+8.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG150N60E-GE3 SIHG150N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg150n60e.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.69 EUR
10+5.49 EUR
100+3.92 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH150N60E-T1-GE3 SIHH150N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh150n60e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.13 EUR
10+6.58 EUR
100+4.75 EUR
500+4.73 EUR
1000+4.47 EUR
3000+3.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH250N60EF-T1GE3 SIHH250N60EF-T1GE3 Vishay Semiconductors sihh250n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 13A N-CH MOSFET
auf Bestellung 8970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.93 EUR
10+5.09 EUR
100+4.47 EUR
500+3.98 EUR
1000+3.85 EUR
3000+3.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP050N60E-GE3 SIHP050N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp050n60e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.27 EUR
10+9.17 EUR
100+7.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP150N60E-GE3 SIHP150N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp150n60e.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.6 EUR
10+4.73 EUR
100+3.41 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.75 EUR
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SGW50N60HS
Produktcode: 73803
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SGW50N60HS
Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
auf Bestellung 10 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N60CTXKSA1 Infineon_AIKW50N60CT_DS_v02_01_EN-1730981.pdf
AIKW50N60CTXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.18 EUR
10+8.62 EUR
25+7.85 EUR
100+7.2 EUR
240+6.64 EUR
480+6.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60 fdbl0150n60-d.pdf
FDBL0150N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Update code D
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.44 EUR
10+8.15 EUR
100+7.2 EUR
500+6.86 EUR
1000+6.55 EUR
2000+6.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60T Infineon_IGB50N60T_DS_v02_07_EN-1226832.pdf
IGB50N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.74 EUR
10+4.51 EUR
100+3.45 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.62 EUR
2000+2.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1 Infineon_IGB50N60T_DS_v02_07_EN-1226832.pdf
IGB50N60TATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.74 EUR
10+4.51 EUR
100+3.45 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.62 EUR
2000+2.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP50N60T Infineon_IGP50N60T_DS_v02_08_EN-1628036.pdf
IGP50N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.42 EUR
10+4.95 EUR
100+4 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.04 EUR
2500+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP50N60TXKSA1 Infineon_IGP50N60T_DS_v02_08_EN-1628036.pdf
IGP50N60TXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 1043 Stücke:
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1+6.49 EUR
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2500+2.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3 IGW50N60H3_2_2-3360056.pdf
IGW50N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V 50A 333W
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1+8.68 EUR
10+8.22 EUR
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100+4.93 EUR
240+4.03 EUR
480+3.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb
IGW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 37 Stücke:
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12+5.99 EUR
17+4.29 EUR
18+4.06 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb
IGW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.99 EUR
17+4.29 EUR
18+4.06 EUR
120+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af
Hersteller: Infineon
IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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2+14.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60T Infineon_IGW50N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361685.pdf
IGW50N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
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1+6.72 EUR
10+5.24 EUR
100+4.24 EUR
480+3.77 EUR
1200+3.24 EUR
2640+3.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628
IGW50N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
auf Bestellung 136 Stücke:
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Anzahl Preis
11+6.52 EUR
17+4.23 EUR
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30+3.98 EUR
120+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628
IGW50N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
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Anzahl Preis
11+6.52 EUR
17+4.23 EUR
18+4 EUR
30+3.98 EUR
120+3.85 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 Infineon_IGW50N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361685.pdf
IGW50N60TFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 187 Stücke:
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1+6.81 EUR
10+4.47 EUR
100+3.34 EUR
480+2.97 EUR
1200+2.55 EUR
2640+2.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TPXKSA1 Infineon_IGW50N60TP_DataSheet_v02_01_EN-3361671.pdf
IGW50N60TPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.67 EUR
10+5.35 EUR
25+3.36 EUR
100+2.76 EUR
240+2.73 EUR
480+2.15 EUR
1200+2.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3EXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5
IKFW50N60DH3EXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 60ns
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3EXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5
IKFW50N60DH3EXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
9+7.95 EUR
480+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3EXKSA1 Infineon_IKFW50N60DH3E_DataSheet_v02_01_EN-3361966.pdf
IKFW50N60DH3EXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.83 EUR
25+4.28 EUR
240+4.26 EUR
480+4.1 EUR
5040+4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3XKSA1 Infineon_IKFW50N60DH3_DataSheet_v02_01_EN-3362166.pdf
IKFW50N60DH3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.23 EUR
10+8.31 EUR
100+6.72 EUR
480+5.97 EUR
1200+5.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60ETXKSA1 Infineon_IKFW50N60ET_DS_v02_01_EN-1369176.pdf
IKFW50N60ETXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.08 EUR
25+7.8 EUR
100+7.64 EUR
240+7.62 EUR
2640+7.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60DTPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5CCBF5761D3D7&compId=IKW50N60DTP.pdf?ci_sign=94fc3287d74be6840256ba5010a252d8c5963f49
IKW50N60DTPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 50ns
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.6 EUR
29+2.47 EUR
31+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60DTPXKSA1 Infineon_IKW50N60DTP_DataSheet_v02_01_EN-3362095.pdf
IKW50N60DTPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.16 EUR
10+6.85 EUR
25+4.01 EUR
100+3.29 EUR
240+3.27 EUR
480+2.59 EUR
1200+2.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3 INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C;   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+7.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3 Infineon_IKW50N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362031.pdf
IKW50N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.29 EUR
10+6.93 EUR
100+5.63 EUR
240+5.61 EUR
480+4.98 EUR
1200+4.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e
IKW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.61 EUR
14+5.12 EUR
15+4.83 EUR
120+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e
IKW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.61 EUR
14+5.12 EUR
15+4.83 EUR
120+4.76 EUR
480+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 Infineon_IKW50N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362031.pdf
IKW50N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.24 EUR
10+8.99 EUR
25+5.32 EUR
100+4.42 EUR
240+4.4 EUR
480+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+14.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+14.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60T Infineon_IKW50N60T_DS_v02_06_EN-1226975.pdf
IKW50N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.06 EUR
10+6.85 EUR
100+5.53 EUR
480+4.91 EUR
1200+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091
IKW50N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.84 EUR
13+5.56 EUR
30+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091
IKW50N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.84 EUR
13+5.56 EUR
30+5.46 EUR
120+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 Infineon_IKW50N60T_DS_v02_06_EN-1226975.pdf
IKW50N60TFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
auf Bestellung 564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.06 EUR
10+6.85 EUR
100+5.53 EUR
480+4.96 EUR
1200+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFH50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.6 EUR
8+9.18 EUR
9+8.68 EUR
120+8.57 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFH50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.6 EUR
8+9.18 EUR
9+8.68 EUR
120+8.57 EUR
510+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 media-3322766.pdf
IXFH50N60P3
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.48 EUR
10+10.88 EUR
120+10.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFQ50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.74 EUR
8+9.02 EUR
9+8.52 EUR
120+8.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFQ50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.74 EUR
8+9.02 EUR
9+8.52 EUR
120+8.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFT50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.76 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFT50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.76 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
510+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60P3 media-3322766.pdf
IXFT50N60P3
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+18.18 EUR
10+12.34 EUR
120+12.32 EUR
510+11.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a
IXFT50N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.43 EUR
7+11.13 EUR
10+11.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT50N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a
IXFT50N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.43 EUR
7+11.13 EUR
10+11.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054
IXXH150N60C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054
IXXH150N60C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
4+17.88 EUR
10+12.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3 media-3323158.pdf
IXXH150N60C3
Hersteller: IXYS
IGBTs TO247 600V 150A XPT
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+24.48 EUR
10+18.06 EUR
120+16.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3 media-3319329.pdf
IXXH50N60B3
Hersteller: IXYS
IGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.69 EUR
10+16.03 EUR
120+11.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3D1 media-3319508.pdf
IXXH50N60B3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+23.76 EUR
10+15.1 EUR
510+14.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3D1 media-3323788.pdf
IXXH50N60C3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.27 EUR
10+12.37 EUR
120+10.6 EUR
510+10.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN150N60B3 media-3320068.pdf
IXYN150N60B3
Hersteller: IXYS
IGBTs SOT227 600V 140A GENX3
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+41.87 EUR
10+34.97 EUR
100+30.59 EUR
500+30.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RM150N60HD-W rm150n60hd-1395994.pdf
RM150N60HD-W
Hersteller: Rectron
MOSFETs
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.8 EUR
10+3.57 EUR
100+2.85 EUR
500+2.39 EUR
800+2.04 EUR
2400+1.92 EUR
4800+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA150N60E-GE3 siha150n60e.pdf
SIHA150N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.53 EUR
10+4.63 EUR
100+3.34 EUR
500+2.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB150N60E-GE3 sihb150n60e.pdf
SIHB150N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V
auf Bestellung 1767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.16 EUR
10+4.91 EUR
100+3.82 EUR
500+3.22 EUR
1000+3.01 EUR
2000+2.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG050N60E-GE3 sihg050n60e.pdf
SIHG050N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.38 EUR
10+11.33 EUR
100+10.7 EUR
500+9.54 EUR
1000+8.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG150N60E-GE3 sihg150n60e.pdf
SIHG150N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.69 EUR
10+5.49 EUR
100+3.92 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH150N60E-T1-GE3 sihh150n60e.pdf
SIHH150N60E-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.13 EUR
10+6.58 EUR
100+4.75 EUR
500+4.73 EUR
1000+4.47 EUR
3000+3.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH250N60EF-T1GE3 sihh250n60ef.pdf
SIHH250N60EF-T1GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 13A N-CH MOSFET
auf Bestellung 8970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.93 EUR
10+5.09 EUR
100+4.47 EUR
500+3.98 EUR
1000+3.85 EUR
3000+3.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP050N60E-GE3 sihp050n60e.pdf
SIHP050N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.27 EUR
10+9.17 EUR
100+7.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP150N60E-GE3 sihp150n60e.pdf
SIHP150N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.6 EUR
10+4.73 EUR
100+3.41 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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