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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
RN2967(TE85L,F) RN2967(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN296(7-9)FE.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.83 EUR
29+0.61 EUR
100+0.34 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2969(TE85L,F) RN2969(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN296(7-9)FE.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.83 EUR
29+0.61 EUR
100+0.35 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2971(TE85L,F) RN2971(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2970%2C71.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.44 EUR
60+0.3 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4901FE(TE85L,F) RN4901FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4903FE(TE85L,F) RN4903FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4903FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4904FE(T5L,F,T) RN4904FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4904FE Description: TRAN DUAL PNP/NPN 50V 100MA ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4907FE(T5L,F,T) RN4907FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4907FE Description: TRAN DUAL PNP/NPN 50V 100MA ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4908FE(TE85L,F) RN4908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4908FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4909FE(TE85L,F) RN4909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4909FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4910FE(TE85L,F) RN4910FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4910FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4911FE(TE85L,F) RN4911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4911FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4601(TE85L,F) RN4601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18920&prodName=RN4601 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
auf Bestellung 548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.84 EUR
29+0.63 EUR
100+0.36 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4604(TE85L,F) RN4604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4604_datasheet_en_20191101.pdf?did=18928&prodName=RN4604 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
auf Bestellung 1798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.6 EUR
48+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4607(TE85L,F) RN4607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18934&prodName=RN4607 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.83 EUR
29+0.61 EUR
100+0.34 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4608(TE85L,F) RN4608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4608_datasheet_en_20191101.pdf?did=18937&prodName=RN4608 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
auf Bestellung 2639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.6 EUR
48+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4609(TE85L,F) RN4609(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4609_datasheet_en_20191101.pdf?did=18939&prodName=RN4609 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
auf Bestellung 1303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.6 EUR
48+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4610(TE85L,F) RN4610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4610 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4611(TE85L,F) RN4611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4611 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4612(TE85L,F) RN4612(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4612 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4901(T5L,F,T) RN4901(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4903(T5L,F,T) RN4903(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18952&prodName=RN4903 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4904(T5L,F,T) RN4904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4907(T5L,F,T) RN4907(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4907 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4908(T5L,F,T) RN4908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4908 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4909(T5L,F,T) RN4909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4909 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4910(T5L,F,T) RN4910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4910 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4911(T5L,F,T) RN4911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4911 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN49A1(T5L,F,T) RN49A1(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN49A1 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C03FU-A(TE85L,F HN1C03FU-A(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19156&prodName=HN1C03FU Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FE-Y,LF HN1C01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22307&prodName=HN1C01FE Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
auf Bestellung 2170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN2C01FE-GR(T5L,F) HN2C01FE-GR(T5L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FE Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN2C01FU-Y(TE85L,F HN2C01FU-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FU Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
auf Bestellung 5850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-O(TE85L,F) 2SC3325-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3325_datasheet_en_20140301.pdf?did=19247&prodName=2SC3325 Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102CT(TPL3) RN1102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN110xCT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103CT(TPL3) RN1103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104CT(TPL3) RN1104CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1104CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105CT(TPL3) RN1105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1106CT(TPL3) RN1106CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN110xCT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 50 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1107CT(TPL3) RN1107CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1107CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1108CT(TPL3) RN1108CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1109CT(TPL3) RN1109CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1110CT(TPL3) RN1110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1110CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1111CT(TPL3) RN1111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1111CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1112CT(TPL3) RN1112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1113CT(TPL3) RN1113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1113CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1102ACT(TPL3) RN1102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1103ACT(TPL3) RN1103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1104ACT(TPL3) RN1104ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1104ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
auf Bestellung 10000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105ACT(TPL3) RN1105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
auf Bestellung 9997 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1106ACT(TPL3) RN1106ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1107ACT(TPL3) RN1107ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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35+0.51 EUR
56+0.32 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1108ACT(TPL3) RN1108ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1109ACT(TPL3) RN1109ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
auf Bestellung 10000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1110ACT(TPL3) RN1110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
auf Bestellung 9980 Stücke:
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35+0.51 EUR
56+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1111ACT(TPL3) RN1111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
auf Bestellung 10000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1112ACT(TPL3) RN1112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112%2C13ACT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
auf Bestellung 9945 Stücke:
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35+0.51 EUR
57+0.31 EUR
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5000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1113ACT(TPL3) RN1113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
auf Bestellung 9990 Stücke:
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35+0.51 EUR
56+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1408(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1408 Description: TRAN NPN S-MINI 50V 100A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1415(TE85L,F) RN1415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1415 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
auf Bestellung 5638 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1416,LF RN1416,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 2999 Stücke:
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67+0.26 EUR
107+0.17 EUR
173+0.1 EUR
500+0.074 EUR
1000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2967(TE85L,F) RN296(7-9)FE.pdf
RN2967(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+0.83 EUR
29+0.61 EUR
100+0.34 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2969(TE85L,F) RN296(7-9)FE.pdf
RN2969(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+0.83 EUR
29+0.61 EUR
100+0.35 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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RN2971(TE85L,F) RN2970%2C71.pdf
RN2971(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+0.44 EUR
60+0.3 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4901FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901FE
RN4901FE(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4903FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4903FE
RN4903FE(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4904FE(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4904FE
RN4904FE(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL PNP/NPN 50V 100MA ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4907FE(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4907FE
RN4907FE(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL PNP/NPN 50V 100MA ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4908FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4908FE
RN4908FE(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4909FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4909FE
RN4909FE(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4910FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4910FE
RN4910FE(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4911FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4911FE
RN4911FE(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4601(TE85L,F) docget.jsp?did=18920&prodName=RN4601
RN4601(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
auf Bestellung 548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+0.84 EUR
29+0.63 EUR
100+0.36 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4604(TE85L,F) RN4604_datasheet_en_20191101.pdf?did=18928&prodName=RN4604
RN4604(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
auf Bestellung 1798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+0.6 EUR
48+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4607(TE85L,F) docget.jsp?did=18934&prodName=RN4607
RN4607(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+0.83 EUR
29+0.61 EUR
100+0.34 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4608(TE85L,F) RN4608_datasheet_en_20191101.pdf?did=18937&prodName=RN4608
RN4608(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
auf Bestellung 2639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+0.6 EUR
48+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4609(TE85L,F) RN4609_datasheet_en_20191101.pdf?did=18939&prodName=RN4609
RN4609(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
auf Bestellung 1303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+0.6 EUR
48+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4610(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4610
RN4610(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4611(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4611
RN4611(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4612(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4612
RN4612(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4901(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901
RN4901(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4903(T5L,F,T) docget.jsp?did=18952&prodName=RN4903
RN4903(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4904(T5L,F,T)
RN4904(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4907(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4907
RN4907(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4908(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4908
RN4908(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
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RN4909(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4909
RN4909(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
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RN4910(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4910
RN4910(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
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RN4911(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4911
RN4911(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
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RN49A1(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN49A1
RN49A1(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
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HN1C03FU-A(TE85L,F docget.jsp?did=19156&prodName=HN1C03FU
HN1C03FU-A(TE85L,F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
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HN1C01FE-Y,LF docget.jsp?did=22307&prodName=HN1C01FE
HN1C01FE-Y,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
auf Bestellung 2170 Stücke:
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HN2C01FE-GR(T5L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FE
HN2C01FE-GR(T5L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
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HN2C01FU-Y(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FU
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
auf Bestellung 5850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2SC3325-O(TE85L,F) 2SC3325_datasheet_en_20140301.pdf?did=19247&prodName=2SC3325
2SC3325-O(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
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RN1102CT(TPL3) RN110xCT.pdf
RN1102CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
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RN1103CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103CT
RN1103CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1104CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1104CT
RN1104CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1105CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105CT
RN1105CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1106CT(TPL3) RN110xCT.pdf
RN1106CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 50 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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RN1107CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1107CT
RN1107CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1108CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108CT
RN1108CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1109CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109CT
RN1109CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1110CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1110CT
RN1110CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1111CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1111CT
RN1111CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1112CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112CT
RN1112CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1113CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1113CT
RN1113CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1102ACT(TPL3)
RN1102ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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RN1103ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103ACT
RN1103ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
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RN1104ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1104ACT
RN1104ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
auf Bestellung 10000 Stücke:
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RN1105ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105ACT
RN1105ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
auf Bestellung 9997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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RN1106ACT(TPL3)
RN1106ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1107ACT(TPL3)
RN1107ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+0.51 EUR
56+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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RN1108ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108ACT
RN1108ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
auf Bestellung 9940 Stücke:
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RN1109ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109ACT
RN1109ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1110ACT(TPL3)
RN1110ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
auf Bestellung 9980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+0.51 EUR
56+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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RN1111ACT(TPL3)
RN1111ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1112ACT(TPL3) RN1112%2C13ACT.pdf
RN1112ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
auf Bestellung 9945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+0.51 EUR
57+0.31 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.11 EUR
5000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1113ACT(TPL3)
RN1113ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+0.51 EUR
56+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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RN1408(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1408
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN NPN S-MINI 50V 100A
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RN1415(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1415
RN1415(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
auf Bestellung 5638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1416,LF docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415
RN1416,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+0.26 EUR
107+0.17 EUR
173+0.1 EUR
500+0.074 EUR
1000+0.065 EUR
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