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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HN1C01FE-Y,LF HN1C01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22307&prodName=HN1C01FE Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
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HN2C01FE-GR(T5L,F) HN2C01FE-GR(T5L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FE Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
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HN2C01FU-Y(TE85L,F HN2C01FU-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FU Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
auf Bestellung 5850 Stücke:
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2SC3325-O(TE85L,F) 2SC3325-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3325_datasheet_en_20140301.pdf?did=19247&prodName=2SC3325 Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
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RN1102CT(TPL3) RN1102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN110xCT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
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RN1103CT(TPL3) RN1103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1104CT(TPL3) RN1104CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1104CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1105CT(TPL3) RN1105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1106CT(TPL3) RN1106CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN110xCT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 50 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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RN1107CT(TPL3) RN1107CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1107CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1108CT(TPL3) RN1108CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1109CT(TPL3) RN1109CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1110CT(TPL3) RN1110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1110CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1111CT(TPL3) RN1111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1111CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1112CT(TPL3) RN1112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1113CT(TPL3) RN1113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1113CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1102ACT(TPL3) RN1102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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RN1103ACT(TPL3) RN1103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
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RN1105ACT(TPL3) RN1105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
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RN1106ACT(TPL3) RN1106ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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RN1107ACT(TPL3) RN1107ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 9440 Stücke:
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35+0.61 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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RN1108ACT(TPL3) RN1108ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
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RN1109ACT(TPL3) RN1109ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
auf Bestellung 10000 Stücke:
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RN1110ACT(TPL3) RN1110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
auf Bestellung 9980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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RN1111ACT(TPL3) RN1111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
auf Bestellung 10000 Stücke:
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RN1112ACT(TPL3) RN1112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112%2C13ACT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
auf Bestellung 9945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
57+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.13 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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RN1113ACT(TPL3) RN1113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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RN1408(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1408 Description: TRAN NPN S-MINI 50V 100A
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RN1415(TE85L,F) RN1415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1415 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
auf Bestellung 5638 Stücke:
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RN1416,LF RN1416,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
107+0.2 EUR
173+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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RN1417(TE85L,F) RN1417(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1417 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
auf Bestellung 5880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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RN1418(TE85L,F) RN1418(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 1089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
55+0.39 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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RN1110(T5L,F,T) RN1110(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1110 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
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RN1116(TE85L,F) RN1116(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1116_datasheet_en_20210830.pdf?did=18763&prodName=RN1116 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
45+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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HN1A01FE-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1A01FE Description: TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6
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HN2A01FE-GR(TE85LF HN2A01FE-GR(TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FE Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
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HN2A01FE-Y(TE85L,F HN2A01FE-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FE Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
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2SA1618-Y(TE85L,F) 2SA1618-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1618_datasheet_en_20210625.pdf?did=19176&prodName=2SA1618 Description: TRANS 2PNP 50V 150MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
auf Bestellung 2261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
46+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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2SA1587-BL,LF 2SA1587-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19172&prodName=2SA1587 Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
auf Bestellung 7481 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
80+0.26 EUR
129+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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2SA1182-GR(TE85L,F 2SA1182-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1182 Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
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2SA1182-O(TE85L,F) 2SA1182-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1182 Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
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RN2101CT(TPL3) RN2101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2101CT Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
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RN2102CT(TPL3) RN2102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
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RN2103CT(TPL3) RN2103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2101CT-06CT.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 50 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
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RN2104CT(TPL3) RN2104CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105CT(TPL3) RN2105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
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RN2106CT(TPL3) RN2106CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2101CT Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
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RN2107CT(TPL3) RN2107CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=735&prodName=RN2107CT Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
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RN2108CT(TPL3) RN2108CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107CT Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
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RN2109CT(TPL3) RN2109CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107CT Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
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RN2110CT(TPL3) RN2110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2110CT Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
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RN2111CT(TPL3) RN2111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2110CT Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
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RN2112CT(TPL3) RN2112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2112CT Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
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RN2113CT(TPL3) RN2113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2112CT Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
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RN2101ACT(TPL3) RN2101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
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RN2102ACT(TPL3) RN2102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
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RN2103ACT(TPL3) RN2103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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RN2104ACT(TPL3) RN2104ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=730&prodName=RN2104ACT Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
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RN2105ACT(TPL3) RN2105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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RN2106ACT(TPL3) RN2106ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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HN1C01FE-Y,LF docget.jsp?did=22307&prodName=HN1C01FE
HN1C01FE-Y,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
auf Bestellung 2170 Stücke:
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HN2C01FE-GR(T5L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FE
HN2C01FE-GR(T5L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
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HN2C01FU-Y(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FU
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
auf Bestellung 5850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2SC3325-O(TE85L,F) 2SC3325_datasheet_en_20140301.pdf?did=19247&prodName=2SC3325
2SC3325-O(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
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RN1102CT(TPL3) RN110xCT.pdf
RN1102CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
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RN1103CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103CT
RN1103CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1104CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1104CT
RN1104CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1105CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105CT
RN1105CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1106CT(TPL3) RN110xCT.pdf
RN1106CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 50 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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RN1107CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1107CT
RN1107CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1108CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108CT
RN1108CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1109CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109CT
RN1109CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1110CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1110CT
RN1110CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1111CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1111CT
RN1111CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1112CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112CT
RN1112CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1113CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1113CT
RN1113CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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RN1102ACT(TPL3)
RN1102ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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RN1103ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103ACT
RN1103ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
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RN1105ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105ACT
RN1105ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
auf Bestellung 9997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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RN1106ACT(TPL3)
RN1106ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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RN1107ACT(TPL3)
RN1107ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 9440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+0.61 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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RN1108ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108ACT
RN1108ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
auf Bestellung 9940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1109ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109ACT
RN1109ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1110ACT(TPL3)
RN1110ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
auf Bestellung 9980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+0.61 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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RN1111ACT(TPL3)
RN1111ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1112ACT(TPL3) RN1112%2C13ACT.pdf
RN1112ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
auf Bestellung 9945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+0.61 EUR
57+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.13 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1113ACT(TPL3)
RN1113ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+0.61 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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RN1408(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1408
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN NPN S-MINI 50V 100A
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RN1415(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1415
RN1415(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
auf Bestellung 5638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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RN1416,LF docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415
RN1416,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+0.31 EUR
107+0.2 EUR
173+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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RN1417(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1417
RN1417(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
auf Bestellung 5880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1418(TE85L,F)
RN1418(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 1089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+0.63 EUR
55+0.39 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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RN1110(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1110
RN1110(T5L,F,T)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
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RN1116(TE85L,F) RN1116_datasheet_en_20210830.pdf?did=18763&prodName=RN1116
RN1116(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 73 Stücke:
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36+0.58 EUR
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HN1A01FE-Y(T5L,F,T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1A01FE
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6
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HN2A01FE-GR(TE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FE
HN2A01FE-GR(TE85LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
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HN2A01FE-Y(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FE
HN2A01FE-Y(TE85L,F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
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2SA1618-Y(TE85L,F) 2SA1618_datasheet_en_20210625.pdf?did=19176&prodName=2SA1618
2SA1618-Y(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 150MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
auf Bestellung 2261 Stücke:
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28+0.75 EUR
46+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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2SA1587-BL,LF docget.jsp?did=19172&prodName=2SA1587
2SA1587-BL,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
auf Bestellung 7481 Stücke:
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48+0.44 EUR
80+0.26 EUR
129+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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2SA1182-GR(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1182
2SA1182-GR(TE85L,F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
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2SA1182-O(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1182
2SA1182-O(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
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RN2101CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2101CT
RN2101CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
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RN2102CT(TPL3) docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT
RN2102CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
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RN2103CT(TPL3) RN2101CT-06CT.pdf
RN2103CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 50 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
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RN2104CT(TPL3) docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT
RN2104CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
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RN2105CT(TPL3) docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT
RN2105CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
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RN2106CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2101CT
RN2106CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
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RN2107CT(TPL3) docget.jsp?did=735&prodName=RN2107CT
RN2107CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
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RN2108CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107CT
RN2108CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
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RN2109CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107CT
RN2109CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
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RN2110CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2110CT
RN2110CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
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RN2111CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2110CT
RN2111CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
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RN2112CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2112CT
RN2112CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
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RN2113CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2112CT
RN2113CT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
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RN2101ACT(TPL3)
RN2101ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
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RN2102ACT(TPL3)
RN2102ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
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RN2103ACT(TPL3)
RN2103ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 10000 Stücke:
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77+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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RN2104ACT(TPL3) docget.jsp?did=730&prodName=RN2104ACT
RN2104ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
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RN2105ACT(TPL3)
RN2105ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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RN2106ACT(TPL3)
RN2106ACT(TPL3)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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