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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI5484DU-T1-GE3 Vishay Siliconix 73589.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5485DU-T1-GE3 SI5485DU-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5504BDC-T1-E3 SI5504BDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5504bdc.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.12W, 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5504DC-T1-GE3 SI5504DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5504dc.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5509DC-T1-GE3 SI5509DC-T1-GE3 Vishay Siliconix 73629.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5513CDC-T1-E3 SI5513CDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5513cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5513DC-T1-GE3 SI5513DC-T1-GE3 Vishay Siliconix 71186.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5515DC-T1-GE3 SI5515DC-T1-GE3 Vishay Siliconix 72221.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5853CDC-T1-E3 SI5853CDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5853cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 3.1W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5855CDC-T1-E3 SI5855CDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5855cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.8W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5857DU-T1-GE3 SI5857DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5857du.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5858DU-T1-GE3 SI5858DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5858du.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5903DC-T1-GE3 SI5903DC-T1-GE3 Vishay Siliconix 71054.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5905BDC-T1-E3 SI5905BDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5905bd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5905BDC-T1-GE3 SI5905BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5905bd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5905DC-T1-E3 SI5905DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5905dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5905DC-T1-GE3 SI5905DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5905dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5906DU-T1-GE3 SI5906DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5906DU.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5913DC-T1-E3 SI5913DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5913dc.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5915BDC-T1-E3 SI5915BDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5915bd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5915BDC-T1-GE3 SI5915BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5915bd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5915DC-T1-E3 SI5915DC-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5915DC-T1-GE3 SI5915DC-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5933CDC-T1-E3 SI5933CDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5933cd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5933DC-T1-GE3 SI5933DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5933dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935DC-T1-GE3 SI5935DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5935dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5943DU-T1-GE3 SI5943DU-T1-GE3 Vishay Siliconix 73669.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5944DU-T1-GE3 SI5944DU-T1-GE3 Vishay Siliconix 73683.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5975DC-T1-E3 SI5975DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5975dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5975DC-T1-GE3 SI5975DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5975dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6404DQ-T1-E3 Si6404DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71440.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6404DQ-T1-GE3 SI6404DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71440.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6413DQ-T1-E3 SI6413DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72084.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6413DQ-T1-GE3 SI6413DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72084.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6443DQ-T1-E3 SI6443DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72083.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6465DQ-T1-E3 SI6465DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70812.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6465DQ-T1-GE3 SI6465DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 70812.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6466ADQ-T1-E3 Si6466ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71182.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6466ADQ-T1-GE3 SI6466ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71182.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6469DQ-T1-E3 Si6469DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70858.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6469DQ-T1-GE3 SI6469DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 70858.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6473DQ-T1-E3 Si6473DQ-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6473DQ-T1-GE3 SI6473DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6933DQ-T1-E3 SI6933DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70640.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6933DQ-T1-GE3 SI6933DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 70640.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6943BDQ-T1-GE3 SI6943BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72016.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6955ADQ-T1-E3 Si6955ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71103.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6955ADQ-T1-GE3 SI6955ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71103.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966DQ-T1-E3 SI6966DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71808.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966DQ-T1-GE3 SI6966DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71808.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966EDQ-T1-E3 SI6966EDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70809.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966EDQ-T1-GE3 SI6966EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 70809.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6967DQ-T1-E3 Si6967DQ-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6967DQ-T1-GE3 SI6967DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6969BDQ-T1-GE3 SI6969BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72017.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6969DQ-T1-E3 SI6969DQ-T1-E3 Vishay Siliconix si6969dq.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6969DQ-T1-GE3 SI6969DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix si6969dq.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6973DQ-T1-E3 Si6973DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71190.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6973DQ-T1-GE3 SI6973DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71190.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6975DQ-T1-E3 Si6975DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71319.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5484DU-T1-GE3 73589.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5485DU-T1-GE3
SI5485DU-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5504BDC-T1-E3 si5504bdc.pdf
SI5504BDC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.12W, 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5504DC-T1-GE3 si5504dc.pdf
SI5504DC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5509DC-T1-GE3 73629.pdf
SI5509DC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5513CDC-T1-E3 si5513cd.pdf
SI5513CDC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5513DC-T1-GE3 71186.pdf
SI5513DC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5515DC-T1-GE3 72221.pdf
SI5515DC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5853CDC-T1-E3 si5853cd.pdf
SI5853CDC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 3.1W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5855CDC-T1-E3 si5855cd.pdf
SI5855CDC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.8W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5857DU-T1-GE3 si5857du.pdf
SI5857DU-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5858DU-T1-GE3 si5858du.pdf
SI5858DU-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5903DC-T1-GE3 71054.pdf
SI5903DC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5905BDC-T1-E3 si5905bd.pdf
SI5905BDC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5905BDC-T1-GE3 si5905bd.pdf
SI5905BDC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5905DC-T1-E3 si5905dc.pdf
SI5905DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5905DC-T1-GE3 si5905dc.pdf
SI5905DC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5906DU-T1-GE3 SI5906DU.pdf
SI5906DU-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5913DC-T1-E3 si5913dc.pdf
SI5913DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5915BDC-T1-E3 si5915bd.pdf
SI5915BDC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5915BDC-T1-GE3 si5915bd.pdf
SI5915BDC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5915DC-T1-E3
SI5915DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5915DC-T1-GE3
SI5915DC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5933CDC-T1-E3 si5933cd.pdf
SI5933CDC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI5933DC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI5935DC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5943DU-T1-GE3 73669.pdf
SI5943DU-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5944DU-T1-GE3 73683.pdf
SI5944DU-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI5975DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI5975DC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Si6404DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI6404DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI6413DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI6413DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI6443DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI6465DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI6465DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Si6466ADQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6466ADQ-T1-GE3 71182.pdf
SI6466ADQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6469DQ-T1-E3 70858.pdf
Si6469DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6469DQ-T1-GE3 70858.pdf
SI6469DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6473DQ-T1-E3
Si6473DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6473DQ-T1-GE3
SI6473DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6933DQ-T1-E3 70640.pdf
SI6933DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6933DQ-T1-GE3 70640.pdf
SI6933DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6943BDQ-T1-GE3 72016.pdf
SI6943BDQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6955ADQ-T1-E3 71103.pdf
Si6955ADQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6955ADQ-T1-GE3 71103.pdf
SI6955ADQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966DQ-T1-E3 71808.pdf
SI6966DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966DQ-T1-GE3 71808.pdf
SI6966DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966EDQ-T1-E3 70809.pdf
SI6966EDQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966EDQ-T1-GE3 70809.pdf
SI6966EDQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6967DQ-T1-E3
Si6967DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6967DQ-T1-GE3
SI6967DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6969BDQ-T1-GE3 72017.pdf
SI6969BDQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6969DQ-T1-E3 si6969dq.pdf
SI6969DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6969DQ-T1-GE3 si6969dq.pdf
SI6969DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6973DQ-T1-E3 71190.pdf
Si6973DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6973DQ-T1-GE3 71190.pdf
SI6973DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6975DQ-T1-E3 71319.pdf
Si6975DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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