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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI6465DQ-T1-E3 SI6465DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70812.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6465DQ-T1-GE3 SI6465DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 70812.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6466ADQ-T1-E3 Si6466ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71182.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6466ADQ-T1-GE3 SI6466ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71182.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6469DQ-T1-E3 Si6469DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70858.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6469DQ-T1-GE3 SI6469DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 70858.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6473DQ-T1-E3 Si6473DQ-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6473DQ-T1-GE3 SI6473DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6933DQ-T1-E3 SI6933DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70640.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6933DQ-T1-GE3 SI6933DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 70640.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6943BDQ-T1-GE3 SI6943BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72016.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6955ADQ-T1-E3 Si6955ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71103.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6955ADQ-T1-GE3 SI6955ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71103.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966DQ-T1-E3 SI6966DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71808.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966DQ-T1-GE3 SI6966DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71808.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966EDQ-T1-E3 SI6966EDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70809.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966EDQ-T1-GE3 SI6966EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 70809.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6967DQ-T1-E3 Si6967DQ-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6967DQ-T1-GE3 SI6967DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6969BDQ-T1-GE3 SI6969BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72017.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6969DQ-T1-E3 SI6969DQ-T1-E3 Vishay Siliconix si6969dq.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6969DQ-T1-GE3 SI6969DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix si6969dq.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6973DQ-T1-E3 Si6973DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71190.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6973DQ-T1-GE3 SI6973DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71190.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6975DQ-T1-E3 Si6975DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71319.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6975DQ-T1-GE3 SI6975DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71319.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6983DQ-T1-GE3 SI6983DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72367.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7100DN-T1-GE3 SI7100DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7100dn.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7102DN-T1-E3 SI7102DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7102dn.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7104DN-T1-E3 SI7104DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7104dn.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7104DN-T1-GE3 SI7104DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7104dn.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114ADN-T1-GE3 SI7114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7114ad.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-E3 SI7115DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7115dn.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7129DN-T1-GE3 SI7129DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7129dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.77 EUR
6000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7136DP-T1-GE3 SI7136DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 73601.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7137DP-T1-GE3 SI7137DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7137dp.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.98 EUR
9000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7138DP-T1-GE3 SI7138DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7138dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149DP-T1-GE3 SI7149DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7149dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.29 EUR
6000+1.21 EUR
9000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7156DP-T1-E3 SI7156DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7156dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7156DP-T1-GE3 SI7156DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7156dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7159DP-T1-GE3 SI7159DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7160DP-T1-E3 SI7160DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7160dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7186DP-T1-E3 SI7186DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7186dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7196DP-T1-E3 SI7196DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7196dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7214DN-T1-GE3 SI7214DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7214dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7218DN-T1-E3 SI7218DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7218dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7218DN-T1-GE3 SI7218DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7218dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7224DN-T1-E3 SI7224DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7224dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7228DN-T1-GE3 SI7228DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7228dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7230DN-T1-GE3 SI7230DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7230dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7236DP-T1-E3 SI7236DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7236dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7302DN-T1-E3 SI7302DN-T1-E3 Vishay Siliconix 73306.pdf Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7302DN-T1-GE3 SI7302DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 73306.pdf Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7328DN-T1-E3 SI7328DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7328dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7336ADP-T1-GE3 SI7336ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7336adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7342DP-T1-GE3 SI7342DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7342dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7356ADP-T1-E3 SI7356ADP-T1-E3 Vishay Siliconix si7356ad.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7356ADP-T1-GE3 SI7356ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7356ad.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7358ADP-T1-E3 SI7358ADP-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7358ADP-T1-GE3 SI7358ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6465DQ-T1-E3 70812.pdf
SI6465DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6465DQ-T1-GE3 70812.pdf
SI6465DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6466ADQ-T1-E3 71182.pdf
Si6466ADQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6466ADQ-T1-GE3 71182.pdf
SI6466ADQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6469DQ-T1-E3 70858.pdf
Si6469DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6469DQ-T1-GE3 70858.pdf
SI6469DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6473DQ-T1-E3
Si6473DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6473DQ-T1-GE3
SI6473DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6933DQ-T1-E3 70640.pdf
SI6933DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6933DQ-T1-GE3 70640.pdf
SI6933DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6943BDQ-T1-GE3 72016.pdf
SI6943BDQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6955ADQ-T1-E3 71103.pdf
Si6955ADQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6955ADQ-T1-GE3 71103.pdf
SI6955ADQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966DQ-T1-E3 71808.pdf
SI6966DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966DQ-T1-GE3 71808.pdf
SI6966DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966EDQ-T1-E3 70809.pdf
SI6966EDQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966EDQ-T1-GE3 70809.pdf
SI6966EDQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6967DQ-T1-E3
Si6967DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6967DQ-T1-GE3
SI6967DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6969BDQ-T1-GE3 72017.pdf
SI6969BDQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6969DQ-T1-E3 si6969dq.pdf
SI6969DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6969DQ-T1-GE3 si6969dq.pdf
SI6969DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6973DQ-T1-E3 71190.pdf
Si6973DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6973DQ-T1-GE3 71190.pdf
SI6973DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6975DQ-T1-E3 71319.pdf
Si6975DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6975DQ-T1-GE3 71319.pdf
SI6975DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6983DQ-T1-GE3 72367.pdf
SI6983DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7100DN-T1-GE3 si7100dn.pdf
SI7100DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7102DN-T1-E3 si7102dn.pdf
SI7102DN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7104DN-T1-E3 si7104dn.pdf
SI7104DN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7104DN-T1-GE3 si7104dn.pdf
SI7104DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114ADN-T1-GE3 si7114ad.pdf
SI7114ADN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-E3 si7115dn.pdf
SI7115DN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7129DN-T1-GE3 si7129dn.pdf
SI7129DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.77 EUR
6000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7136DP-T1-GE3 73601.pdf
SI7136DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7137DP-T1-GE3 si7137dp.pdf
SI7137DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.98 EUR
9000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7138DP-T1-GE3 si7138dp.pdf
SI7138DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149DP-T1-GE3 si7149dp.pdf
SI7149DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
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SI7156DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
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SI7159DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI7160DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
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SI7196DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
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SI7214DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
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SI7218DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
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SI7228DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
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SI7230DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
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SI7236DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO
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SI7302DN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
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SI7302DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
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SI7328DN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
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SI7336ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.36 EUR
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SI7342DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
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SI7356ADP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
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SI7356ADP-T1-GE3 si7356ad.pdf
SI7356ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
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SI7358ADP-T1-E3
SI7358ADP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7358ADP-T1-GE3
SI7358ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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