Produkte > VISHAY SILICONIX > Alle Produkte des Herstellers VISHAY SILICONIX (11819) > Seite 74 nach 197
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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SI6975DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI6983DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7100DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7102DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7104DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7104DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7114ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7115DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7129DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7136DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7137DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7138DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7149DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7156DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7156DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7159DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7160DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7186DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7196DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7214DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8 |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7218DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7218DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7224DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7228DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8 |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7230DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8 |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7236DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7302DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8 |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7302DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8 |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7328DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8 |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7336ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7342DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7356ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7356ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7358ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7358ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7368DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7368DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7370ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7374DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7380ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7380ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7382DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7384DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7388DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7388DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7390DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7390DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7392ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7392ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7392DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7392DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7402DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7402DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7404DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7404DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7405BDN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7407DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7407DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7409ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK 1212-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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SI7413DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI6975DQ-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI6983DQ-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7100DN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
Description: MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7102DN-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7104DN-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7104DN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7114ADN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.76 EUR |
| SI7115DN-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 1.63 EUR |
| SI7129DN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.77 EUR |
| 6000+ | 0.71 EUR |
| SI7136DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7137DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 1.88 EUR |
| SI7138DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7149DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 1.26 EUR |
| 6000+ | 1.19 EUR |
| 9000+ | 1.15 EUR |
| SI7156DP-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7156DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7159DP-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7160DP-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7186DP-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7196DP-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7214DN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7218DN-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7218DN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7224DN-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7228DN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
Description: MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7230DN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7236DP-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO
Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7302DN-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7302DN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
Description: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7328DN-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7336ADP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 1.36 EUR |
| SI7342DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7356ADP-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7356ADP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| SI7358ADP-T1-E3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7358ADP-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SI7368DP-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7368DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7370ADP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Stück im Wert von UAH
| SI7374DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SI7380ADP-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SI7380ADP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7382DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SI7384DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SI7388DP-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SI7388DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SI7390DP-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SI7390DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SI7392ADP-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7392ADP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7392DP-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7392DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SI7402DN-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
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Stück im Wert von UAH
| SI7402DN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
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Stück im Wert von UAH
| SI7404DN-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7404DN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
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Stück im Wert von UAH
| SI7405BDN-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| SI7407DN-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| SI7407DN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7409ADN-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7413DN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH






