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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI5915BDC-T1-E3 SI5915BDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5915bd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5915BDC-T1-GE3 SI5915BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5915bd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5915DC-T1-E3 SI5915DC-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5915DC-T1-GE3 SI5915DC-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5933CDC-T1-E3 SI5933CDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5933cd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5933DC-T1-GE3 SI5933DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5933dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935DC-T1-GE3 SI5935DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5935dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5943DU-T1-GE3 SI5943DU-T1-GE3 Vishay Siliconix 73669.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5944DU-T1-GE3 SI5944DU-T1-GE3 Vishay Siliconix 73683.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5975DC-T1-E3 SI5975DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5975dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5975DC-T1-GE3 SI5975DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5975dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6404DQ-T1-E3 Si6404DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71440.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6404DQ-T1-GE3 SI6404DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71440.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6413DQ-T1-E3 SI6413DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72084.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6413DQ-T1-GE3 SI6413DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72084.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6443DQ-T1-E3 SI6443DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72083.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6465DQ-T1-E3 SI6465DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70812.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6465DQ-T1-GE3 SI6465DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 70812.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6466ADQ-T1-E3 Si6466ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71182.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6466ADQ-T1-GE3 SI6466ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71182.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6469DQ-T1-E3 Si6469DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70858.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6469DQ-T1-GE3 SI6469DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 70858.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6473DQ-T1-E3 Si6473DQ-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 5 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6473DQ-T1-GE3 SI6473DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6933DQ-T1-E3 SI6933DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70640.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6933DQ-T1-GE3 SI6933DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 70640.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6943BDQ-T1-GE3 SI6943BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72016.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6955ADQ-T1-E3 Si6955ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71103.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6955ADQ-T1-GE3 SI6955ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71103.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966DQ-T1-E3 SI6966DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71808.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966DQ-T1-GE3 SI6966DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71808.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966EDQ-T1-E3 SI6966EDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70809.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966EDQ-T1-GE3 SI6966EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 70809.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6967DQ-T1-E3 Si6967DQ-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6967DQ-T1-GE3 SI6967DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6969BDQ-T1-GE3 SI6969BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72017.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6969DQ-T1-E3 SI6969DQ-T1-E3 Vishay Siliconix si6969dq.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6969DQ-T1-GE3 SI6969DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix si6969dq.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6973DQ-T1-E3 Si6973DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71190.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6973DQ-T1-GE3 SI6973DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71190.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6975DQ-T1-E3 Si6975DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71319.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6975DQ-T1-GE3 SI6975DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71319.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6983DQ-T1-GE3 SI6983DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72367.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7100DN-T1-GE3 SI7100DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7100dn.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7102DN-T1-E3 SI7102DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7102dn.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7104DN-T1-E3 SI7104DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7104dn.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7104DN-T1-GE3 SI7104DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7104dn.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114ADN-T1-GE3 SI7114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7114ad.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-E3 SI7115DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7115dn.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7129DN-T1-GE3 SI7129DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7129dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.64 EUR
6000+0.61 EUR
9000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7136DP-T1-GE3 SI7136DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 73601.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7137DP-T1-GE3 SI7137DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7137dp.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7138DP-T1-GE3 SI7138DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7138dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149DP-T1-GE3 SI7149DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7149dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
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3000+0.98 EUR
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SI7156DP-T1-E3 SI7156DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7156dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
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SI7156DP-T1-GE3 SI7156DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7156dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7159DP-T1-GE3 SI7159DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7160DP-T1-E3 SI7160DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7160dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7186DP-T1-E3 SI7186DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7186dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7196DP-T1-E3 SI7196DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7196dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V
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SI5915BDC-T1-E3 si5915bd.pdf
SI5915BDC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
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SI5915BDC-T1-GE3 si5915bd.pdf
SI5915BDC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5915DC-T1-E3
SI5915DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5915DC-T1-GE3
SI5915DC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5933CDC-T1-E3 si5933cd.pdf
SI5933CDC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5933DC-T1-GE3 si5933dc.pdf
SI5933DC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935DC-T1-GE3 si5935dc.pdf
SI5935DC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5943DU-T1-GE3 73669.pdf
SI5943DU-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5944DU-T1-GE3 73683.pdf
SI5944DU-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5975DC-T1-E3 si5975dc.pdf
SI5975DC-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5975DC-T1-GE3 si5975dc.pdf
SI5975DC-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6404DQ-T1-E3 71440.pdf
Si6404DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6404DQ-T1-GE3 71440.pdf
SI6404DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6413DQ-T1-E3 72084.pdf
SI6413DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6413DQ-T1-GE3 72084.pdf
SI6413DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6443DQ-T1-E3 72083.pdf
SI6443DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6465DQ-T1-E3 70812.pdf
SI6465DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6465DQ-T1-GE3 70812.pdf
SI6465DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6466ADQ-T1-E3 71182.pdf
Si6466ADQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6466ADQ-T1-GE3 71182.pdf
SI6466ADQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6469DQ-T1-E3 70858.pdf
Si6469DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6469DQ-T1-GE3 70858.pdf
SI6469DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6473DQ-T1-E3
Si6473DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 5 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6473DQ-T1-GE3
SI6473DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 5 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6933DQ-T1-E3 70640.pdf
SI6933DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6933DQ-T1-GE3 70640.pdf
SI6933DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6943BDQ-T1-GE3 72016.pdf
SI6943BDQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6955ADQ-T1-E3 71103.pdf
Si6955ADQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6955ADQ-T1-GE3 71103.pdf
SI6955ADQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966DQ-T1-E3 71808.pdf
SI6966DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966DQ-T1-GE3 71808.pdf
SI6966DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966EDQ-T1-E3 70809.pdf
SI6966EDQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6966EDQ-T1-GE3 70809.pdf
SI6966EDQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6967DQ-T1-E3
Si6967DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6967DQ-T1-GE3
SI6967DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6969BDQ-T1-GE3 72017.pdf
SI6969BDQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6969DQ-T1-E3 si6969dq.pdf
SI6969DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6969DQ-T1-GE3 si6969dq.pdf
SI6969DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6973DQ-T1-E3 71190.pdf
Si6973DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6973DQ-T1-GE3 71190.pdf
SI6973DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6975DQ-T1-E3 71319.pdf
Si6975DQ-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6975DQ-T1-GE3 71319.pdf
SI6975DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6983DQ-T1-GE3 72367.pdf
SI6983DQ-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7100DN-T1-GE3 si7100dn.pdf
SI7100DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7102DN-T1-E3 si7102dn.pdf
SI7102DN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7104DN-T1-E3 si7104dn.pdf
SI7104DN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7104DN-T1-GE3 si7104dn.pdf
SI7104DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7114ADN-T1-GE3 si7114ad.pdf
SI7114ADN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-E3 si7115dn.pdf
SI7115DN-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7129DN-T1-GE3 si7129dn.pdf
SI7129DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.64 EUR
6000+0.61 EUR
9000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7136DP-T1-GE3 73601.pdf
SI7136DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI7137DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI7138DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149DP-T1-GE3 si7149dp.pdf
SI7149DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7156DP-T1-E3 si7156dp.pdf
SI7156DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
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SI7156DP-T1-GE3 si7156dp.pdf
SI7156DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7159DP-T1-GE3
SI7159DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7160DP-T1-E3 si7160dp.pdf
SI7160DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7186DP-T1-E3 si7186dp.pdf
SI7186DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7196DP-T1-E3 si7196dp.pdf
SI7196DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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