Produkte > VISHAY SILICONIX > Alle Produkte des Herstellers VISHAY SILICONIX (11815) > Seite 75 nach 197
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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SI7682DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI7682DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 27.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
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SI7804DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8 |
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SI7806ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 |
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SI7840BDP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
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SI7840BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
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SI7848BDP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7852DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7856ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8 |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI7856ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8 |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI7860ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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Si7860DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI7860DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 |
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SI7862ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8 |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI7862ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8 |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI7866ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8 |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI7868ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8 |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI7868ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8 |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI786CG-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP |
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Mindestbestellmenge: 225 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI786CG-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP |
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Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI786CRG-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP |
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Mindestbestellmenge: 225 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI786CRG-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP |
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Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI786CSG-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP |
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Mindestbestellmenge: 225 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI786CSG-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP |
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Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI786DG-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP |
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Mindestbestellmenge: 225 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI786DRG-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP |
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Mindestbestellmenge: 225 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI786DRG-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI786DSG-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 225 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI786DSG-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP |
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Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI786LG-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP |
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Mindestbestellmenge: 225 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI786LG-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP |
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SI786LRG-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP |
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Mindestbestellmenge: 225 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI786LSG-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP |
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Mindestbestellmenge: 225 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI786LSG-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP |
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SI7880ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
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SI7882DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8 |
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SI7884BDP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI7886ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8 |
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SI7886ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8 |
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SI7888DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8 |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI7888DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8 |
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SI7901EDN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A PPAK 1212 Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 800µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 6.3A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.3W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Packaging: Tape & Reel (TR) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI7901EDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8 |
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SI7904DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A PPAK 1212 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.3W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 935µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.7A, 4.5V |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI7904DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A PPAK 1212 Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 935µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.3W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Packaging: Tape & Reel (TR) |
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SI7905DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI7909DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI7909DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI7925DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI7925DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI7940DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI7964DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI7980DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| SI7983DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
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SI7998DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A, 30A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 22W, 40W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI8401DB-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: 4-Microfoot Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI8405DB-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI8417DB-T2-E1 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 14.5A 6MICROFOOT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6.57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-MICRO FOOT®CSP Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI8441DB-T2-E1 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 10.5A 6MICROFOOT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SI9100DJ02-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC REG BUCK BOOST 14PDIP Voltage - Input (Min): 10V Synchronous Rectifier: No Supplier Device Package: 14-PDIP Topology: Buck, Buck-Boost, Flyback, Forward Converter Voltage - Input (Max): 70V Frequency - Switching: 40kHz ~ 1MHz Output Configuration: Positive or Negative, Isolation Capable Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Function: Step-Down, Step-Up/Step-Down Number of Outputs: 1 Mounting Type: Through Hole Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI7682DP-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7682DP-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 27.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 27.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7804DN-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7806ADN-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7840BDP-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7840BDP-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7848BDP-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 2.37 EUR |
| 6000+ | 2.36 EUR |
| SI7852DP-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 2.44 EUR |
| SI7856ADP-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7856ADP-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7860ADP-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Si7860DP-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7860DP-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7862ADP-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7862ADP-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7866ADP-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7868ADP-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7868ADP-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI786CG-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 225 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI786CG-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI786CRG-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 225 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI786CRG-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI786CSG-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 225 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI786CSG-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI786DG-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 225 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI786DRG-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 225 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI786DRG-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI786DSG-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 225 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI786DSG-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI786LG-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 225 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI786LG-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI786LRG-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 225 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI786LSG-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 225 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI786LSG-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Description: IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7880ADP-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7882DP-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7884BDP-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7886ADP-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7886ADP-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7888DP-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7888DP-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7901EDN-T1-E3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 800µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 6.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 800µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 6.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7901EDN-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7904DN-T1-E3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A PPAK 1212
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 935µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.7A, 4.5V
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A PPAK 1212
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 935µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.7A, 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7904DN-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 935µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 935µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SI7905DN-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8
Description: MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SI7909DN-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SI7909DN-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SI7925DN-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SI7925DN-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SI7940DP-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Description: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SI7964DP-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SI7980DP-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SI7983DP-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO8
Description: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO8
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SI7998DP-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 22W, 40W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 22W, 40W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Stück im Wert von UAH
| SI8401DB-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SI8405DB-T1-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT
Description: MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI8417DB-T2-E1 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 14.5A 6MICROFOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6.57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-MICRO FOOT®CSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET P-CH 12V 14.5A 6MICROFOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6.57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-MICRO FOOT®CSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI8441DB-T2-E1 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10.5A 6MICROFOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET P-CH 20V 10.5A 6MICROFOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| SI9100DJ02-E3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC REG BUCK BOOST 14PDIP
Voltage - Input (Min): 10V
Synchronous Rectifier: No
Supplier Device Package: 14-PDIP
Topology: Buck, Buck-Boost, Flyback, Forward Converter
Voltage - Input (Max): 70V
Frequency - Switching: 40kHz ~ 1MHz
Output Configuration: Positive or Negative, Isolation Capable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Function: Step-Down, Step-Up/Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: IC REG BUCK BOOST 14PDIP
Voltage - Input (Min): 10V
Synchronous Rectifier: No
Supplier Device Package: 14-PDIP
Topology: Buck, Buck-Boost, Flyback, Forward Converter
Voltage - Input (Max): 70V
Frequency - Switching: 40kHz ~ 1MHz
Output Configuration: Positive or Negative, Isolation Capable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Function: Step-Down, Step-Up/Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH