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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP037N08N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.15 EUR
33+2.64 EUR
54+1.59 EUR
100+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP019N08NF2SAKMA1 IPP019N08NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP019N08NF2S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 147A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 764A
Gate charge: 124nC
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.75 EUR
50+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP020N08N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+8.19 EUR
12+7.24 EUR
14+6.44 EUR
15+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N08N5AKSA1 IPP023N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP023N08N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.21 EUR
50+2.84 EUR
100+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA057N08N3GXKSA1 IPA057N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA057N08N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.53 EUR
29+3.03 EUR
50+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC037N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC061N08NS5ATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC061N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC117N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 49A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC057N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ123N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC040N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP016N08NF2SAKMA1 IPP016N08NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP016N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f69332aa1057 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 196A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 196A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP055N08NF2SAKMA1 IPP055N08NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f6f7d91513e6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 99A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 99A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ340N08NS3GATMA1 BSZ340N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ340N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA052N08NM5SXKSA1 IPA052N08NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA052N08NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfde8986e2a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 256A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 46A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 256A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD053N08N3GATMA1 IPD053N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD053N08N3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304317a748360117cf072cf31ce8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD135N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011ae8b1143256d4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 79W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF014N08NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPF014N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f02fcd184682 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 282A; 300W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 282A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC033N08NS5SCATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC033N08NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d501ca530f10 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD040N08NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD040N08NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181b3cdad3f51b4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR135E6327 BCR135E6327 INFINEON TECHNOLOGIES bcr135.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT23
Frequency: 150MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR135E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr135series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f8b054a0289 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR135SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr135series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f8b054a0289 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR135E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr135series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f8b054a0289 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR135WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr135series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f8b054a0289 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB200N25N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO263-3
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 64A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ROLIPB200N25N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Unclassified
Description: ROLIPB200N25N3GATMA1
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1800R12IE5BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF1800R12IE5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d07eef79f7f18 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.8kA; Field Stop,Trench
Collector current: 1.8kA
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1800R12IE5PBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF1800R12IE5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d07eef79f7f18 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Field Stop,Trench; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 3.6kA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1800R17IP5BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF1800R17IP5-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b4015524ccc42d021b Infineon-FF1800R17IP5-DataSheet-v03_05-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b4015524ccc42d021b Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; common emitter; Ic: 1.8kA; Inverter; screw
Application: Inverter
Semiconductor structure: common emitter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.8kA
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 3.6kA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1800R17IP5PBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF1800R17IP5P-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f37815151a7d Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1800R23IE7BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF1800R23IE7-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d30184859ae7390a24 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 1.8kA; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.8kA
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1800XTR17T2P5BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF1800XTR17T2P5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c4ca458f81d4c Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.8kA; Inverter; screw
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.8kA
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1800XTR17T2P5PBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF1800XTR17T2P5P-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c7bf9c0757c3e Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.8kA; Inverter; screw
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.8kA
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ100N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R12KE3BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP50R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430aafc5191 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 75A; AG-ECONO3-3; 280W; NPT
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 75A
Case: AG-ECONO3-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 280W
Technology: NPT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC042NE7NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS4141NHUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS4141N-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9b0798b360e Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R045CPAFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW60R045CPA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c0128ee38caa259f4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD113B102ELSE6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ESD113-B1Series-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4614815da88014864b5329e1de7 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD113B102ELE6327XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ESD113-B1Series-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4614815da88014864b5329e1de7 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISP752T ISP752T INFINEON TECHNOLOGIES ISP752T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: Industrial PROFET
auf Bestellung 1573 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+2.06 EUR
47+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISP752TFUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISP752T-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c90495f762324 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2301STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS10790-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRS2301STR INFINEON TECHNOLOGIES auirs2301s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bf803c15be Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPZ40N04S53R1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ40N04S5-5R4 IPZ40N04S5-5R4 INFINEON TECHNOLOGIES IPZ40N04S5-5R4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 48W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6668pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFET
Mounting: SMD
Case: DirectFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 55A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC027N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM73A135V01XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM73A135-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fadec36b84500 Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE4913HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-tle4913-datasheet-en.pdf Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; omnipolar; SC59; -5÷5mT; Usup: 2.4÷5.5VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: omnipolar
Case: SC59
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.4...5.5V DC
Range of detectable magnetic field: -5...5mT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE49613LHALA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE4961_3L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433899edae0138c3c365920311 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall
Type of sensor: Hall
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TLE49644MXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE4964_4M-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30434039e4f701404e34e1192005 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Case: SC59
Mounting: SMT
auf Bestellung 2688000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE4966V1KHTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE4966V-1K-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b9c86b9394d76 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; TSOP6; SMT; Temp: -40÷150°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
Case: TSOP6
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...150°C
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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TLE4998C3XALA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE4998C-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124bf6406be59d4 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; bipolar,unipolar; PG-SSO-3-10; THT; Temp: -40÷125°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: bipolar; unipolar
Case: PG-SSO-3-10
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3G-DTE.pdf
IPP037N08N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+5.15 EUR
33+2.64 EUR
54+1.59 EUR
100+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPP019N08NF2SAKMA1 IPP019N08NF2S.pdf
IPP019N08NF2SAKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 147A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 764A
Gate charge: 124nC
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+4.75 EUR
50+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5-DTE.pdf
IPP020N08N5AKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+8.19 EUR
12+7.24 EUR
14+6.44 EUR
15+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP023N08N5AKSA1 IPP023N08N5-DTE.pdf
IPP023N08N5AKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+6.21 EUR
50+2.84 EUR
100+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IPA057N08N3GXKSA1 IPA057N08N3G-DTE.pdf
IPA057N08N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+3.53 EUR
29+3.03 EUR
50+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5-DTE.pdf
BSC037N08NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC061N08NS5ATMA1 BSC061N08NS5-DTE.pdf
BSC061N08NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5-DTE.pdf
BSC117N08NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 49A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3G-DTE.pdf
BSC057N08NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3G-DTE.pdf
BSZ123N08NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5-DTE.pdf
BSC040N08NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP016N08NF2SAKMA1 Infineon-IPP016N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f69332aa1057
IPP016N08NF2SAKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 196A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 196A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon-IPP055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f6f7d91513e6
IPP055N08NF2SAKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 99A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 99A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ340N08NS3GATMA1 BSZ340N08NS3G-DTE.pdf
BSZ340N08NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA052N08NM5SXKSA1 Infineon-IPA052N08NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfde8986e2a
IPA052N08NM5SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 256A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 46A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 256A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD053N08N3GATMA1 Infineon-IPD053N08N3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304317a748360117cf072cf31ce8
IPD053N08N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD135N08N3GATMA1 Infineon-IPD135N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011ae8b1143256d4
IPD135N08N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 79W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF014N08NF2SATMA1 Infineon-IPF014N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f02fcd184682
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 282A; 300W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 282A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC033N08NS5SCATMA1 Infineon-BSC033N08NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d501ca530f10
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD040N08NF2SATMA1 Infineon-IPD040N08NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181b3cdad3f51b4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR135E6327 bcr135.pdf
BCR135E6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT23
Frequency: 150MHz
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR135E6327HTSA1 bcr135series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f8b054a0289
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR135SH6327XTSA1 bcr135series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f8b054a0289
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR135E6433HTMA1 bcr135series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f8b054a0289
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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Mindestbestellmenge: 40000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR135WH6327XTSA1 bcr135series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f8b054a0289
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3G-DTE.pdf
IPB200N25N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO263-3
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 64A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ROLIPB200N25N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: ROLIPB200N25N3GATMA1
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1800R12IE5BPSA1 Infineon-FF1800R12IE5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d07eef79f7f18
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.8kA; Field Stop,Trench
Collector current: 1.8kA
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1800R12IE5PBPSA1 Infineon-FF1800R12IE5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d07eef79f7f18
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Field Stop,Trench; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 3.6kA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1800R17IP5BPSA1 Infineon-FF1800R17IP5-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b4015524ccc42d021b Infineon-FF1800R17IP5-DataSheet-v03_05-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b4015524ccc42d021b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; common emitter; Ic: 1.8kA; Inverter; screw
Application: Inverter
Semiconductor structure: common emitter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.8kA
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 3.6kA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1800R17IP5PBPSA1 Infineon-FF1800R17IP5P-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f37815151a7d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1800R23IE7BPSA1 Infineon-FF1800R23IE7-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d30184859ae7390a24
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 1.8kA; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.8kA
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1800XTR17T2P5BPSA1 Infineon-FF1800XTR17T2P5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c4ca458f81d4c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.8kA; Inverter; screw
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.8kA
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1800XTR17T2P5PBPSA1 Infineon-FF1800XTR17T2P5P-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c7bf9c0757c3e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.8kA; Inverter; screw
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.8kA
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NS-DTE.pdf
BSZ100N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R12KE3BOSA1 Infineon-FP50R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430aafc5191
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 75A; AG-ECONO3-3; 280W; NPT
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 75A
Case: AG-ECONO3-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 280W
Technology: NPT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3G-DTE.pdf
BSC042NE7NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS4141NHUMA1 Infineon-BTS4141N-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9b0798b360e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R045CPAFKSA1 Infineon-IPW60R045CPA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c0128ee38caa259f4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD113B102ELSE6327XTSA1 Infineon-ESD113-B1Series-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4614815da88014864b5329e1de7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD113B102ELE6327XTMA1 Infineon-ESD113-B1Series-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4614815da88014864b5329e1de7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISP752T ISP752T.pdf
ISP752T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: Industrial PROFET
auf Bestellung 1573 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+2.06 EUR
47+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISP752TFUMA1 Infineon-ISP752T-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c90495f762324
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2301STRPBF IRSDS10790-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRS2301STR auirs2301s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bf803c15be
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1.pdf
IPZ40N04S53R1ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ40N04S5-5R4 IPZ40N04S5-5R4.pdf
IPZ40N04S5-5R4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 48W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6668TRPBF irf6668pbf.pdf
IRF6668TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFET
Mounting: SMD
Case: DirectFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 55A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSG-DTE.pdf
BSC027N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM73A135V01XTSA1 Infineon-IM73A135-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fadec36b84500
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE4913HTSA1 infineon-tle4913-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; omnipolar; SC59; -5÷5mT; Usup: 2.4÷5.5VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: omnipolar
Case: SC59
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.4...5.5V DC
Range of detectable magnetic field: -5...5mT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE49613LHALA1 Infineon-TLE4961_3L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433899edae0138c3c365920311
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall
Type of sensor: Hall
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE49644MXTSA1 Infineon-TLE4964_4M-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30434039e4f701404e34e1192005
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Case: SC59
Mounting: SMT
auf Bestellung 2688000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE4966V1KHTSA1 Infineon-TLE4966V-1K-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b9c86b9394d76
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; TSOP6; SMT; Temp: -40÷150°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
Case: TSOP6
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...150°C
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE4998C3XALA1 Infineon-TLE4998C-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124bf6406be59d4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; bipolar,unipolar; PG-SSO-3-10; THT; Temp: -40÷125°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: bipolar; unipolar
Case: PG-SSO-3-10
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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