Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (128271) > Seite 2110 nach 2138
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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XMC4400F100F512ABXQMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-100; 80kBSRAM,512kBFLASH Type of integrated circuit: ARM microcontroller Case: PG-LQFP-100 Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 3.3V DC Number of A/D channels: 18 Number of inputs/outputs: 55 Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog Kind of architecture: Cortex M4 Kind of core: 32-bit Memory: 80kB SRAM; 512kB FLASH Number of 16bit timers: 26 Interface: CAN x2; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB Family: XMC4400 |
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Mindestbestellmenge: 1134 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC860CWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| ICE3AR0680VJZXKLA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| ICE3AR1580VJZXKLA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| ICE3A1065ELJFKLA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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ICE3AR10080JZXKLA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: PMIC; 100kHz; DIP8; flyback; 85÷265VAC; 10.5÷27V Type of integrated circuit: PMIC Frequency: 0.1MHz Case: DIP8 Mounting: THT Operating temperature: -40...150°C Topology: flyback Input voltage: 85...265V AC Supply voltage: 10.5...27V |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ICE3AR1080JGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| ICE3AR2280JGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| ICE3AR2280JZXKLA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: PMIC; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback Type of integrated circuit: PMIC Frequency: 0.1MHz Number of channels: 1 Case: DIP7 Mounting: THT Operating temperature: -40...150°C Topology: flyback |
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| ICE3AR2280VJZXKLA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| ICE3AR4780JGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| ICE3AR4780JZXKLA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| ICE3AR4780VJZXKLA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| ICE3AS03LJGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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ISC104N12LM6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 63A; Idm: 252A; 94W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 63A Pulsed drain current: 252A Power dissipation: 94W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IR2108STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IDK20G120C5XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 330W Type of diode: Schottky rectifying Case: PG-TO263-2 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 2V Leakage current: 44µA Max. forward impulse current: 0.168kA Kind of package: reel; tape Power dissipation: 330W |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BTS4140NHUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CYUSB3014-BZXC | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: USB interfaces - integrated circuitsDescription: IC: USB controller; GPIO,I2C,I2S,SPI,UART; 512kBSRAM; TFBGA121 Type of integrated circuit: USB controller Interface: GPIO; I2C; I2S; SPI; UART Memory: 512kB SRAM Supply voltage: 1.15...1.25V DC Case: TFBGA121 Integrated circuit features: watchdog Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Number of inputs/outputs: 60 |
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Mindestbestellmenge: 168 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CYUSB3014-BZXCT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: USB interfaces - integrated circuitsDescription: IC: USB interface Type of integrated circuit: USB interface |
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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IGL65R080D2XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BSC005N03LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BSC005N03LS5IATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BC817K40E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BGA427H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD operational amplifiersDescription: IC: operational amplifier Type of integrated circuit: operational amplifier |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| SIDC08D60C8X1SA3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching Type of diode: switching |
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Mindestbestellmenge: 31428 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BCP6925H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IR2114SSTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IMZA120R020M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 71A Pulsed drain current: 213A Power dissipation: 188W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -7...20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IPB117N20NFDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ FD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 84A Power dissipation: 300W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IGLR70R270D2SXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IGLR65R140D2XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IGLR65R200D2XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| ISC151N20NM6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 74A; Idm: 296A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 74A Pulsed drain current: 296A Power dissipation: 200W Case: PG-TSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| ISC151N08NM6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPT129N20NM6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 87A; Idm: 348A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 87A Pulsed drain current: 348A Power dissipation: 234W Case: TOLL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
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BCM846SH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SOT363 Type of transistor: NPN x2 Collector current: 0.1A Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 65V Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Case: SOT363 Frequency: 250MHz |
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BCM846SH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
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Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BCP5116H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| FZ2400R17HP4B28BOSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; Field Stop,Trench Type of semiconductor module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Gate-emitter voltage: ±20V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| FZ2400R17HP4HOSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; Ic: 2.4kA; screw Type of semiconductor module: IGBT Collector current: 2.4kA Electrical mounting: screw |
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| T280N65TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Button thyristorsDescription: Thyristor: hockey-puck; 6.5kV; Ifmax: 440A; 620A; Igt: 350mA Case: TO200AB Max. off-state voltage: 6.5kV Load current: 620A Max. load current: 440A Type of thyristor: hockey-puck Max. forward impulse current: 5.8kA Gate current: 350mA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IPP60R190C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPI60R190C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPB60R190C6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPP60R190E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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| IPDD60R190G7XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ G7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 76W Case: PG-HDSOP-10-1 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 36A Gate charge: 18nC |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IPA045N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP Mounting: THT Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 64A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220FP On-state resistance: 4.5mΩ Power dissipation: 39W |
auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPC045N10L3X1SA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 31190 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IPI045N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 214W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSC0702LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BAW101E6433HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching Type of diode: switching |
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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CY8C20324-12LQXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: PSoC microcontroller; 12MHz; QFN24; 512BSRAM,8kBFLASH Type of integrated circuit: PSoC microcontroller Clock frequency: 12MHz Case: QFN24 Memory: 0.5kB SRAM; 8kB FLASH Mounting: SMD Supply voltage: 2.4...5.25V DC Interface: I2C; SPI; UART Integrated circuit features: CapSense Kind of core: 8-bit |
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Mindestbestellmenge: 4900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BTN8962TAAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Motor and PWM driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: IMC; motor controller Case: PG-TO263-7 Mounting: SMD Operating temperature: -40...150°C Kind of package: reel; tape Technology: NovalithIC™ Application: DC motors Number of channels: 1 Operating voltage: 5.5...40V DC On-state resistance: 14.2mΩ Topology: MOSFET half-bridge Output current: -27...30A |
auf Bestellung 1235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRFB3806PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB Power dissipation: 71W Gate charge: 22nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 43A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 15.8mΩ Mounting: THT |
auf Bestellung 301 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRFB4019PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 17A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRFB4610PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 73A Power dissipation: 190W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 702 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRFB4410PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 96A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 858 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRFB4020PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IHW40N135R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 197W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 305nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 120A Turn-off time: 0.5µs Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Collector-emitter voltage: 1.35kV Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) |
auf Bestellung 321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| XMC4400F100F512ABXQMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-100; 80kBSRAM,512kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-100
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3.3V DC
Number of A/D channels: 18
Number of inputs/outputs: 55
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
Kind of core: 32-bit
Memory: 80kB SRAM; 512kB FLASH
Number of 16bit timers: 26
Interface: CAN x2; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Family: XMC4400
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-100; 80kBSRAM,512kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-100
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3.3V DC
Number of A/D channels: 18
Number of inputs/outputs: 55
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
Kind of core: 32-bit
Memory: 80kB SRAM; 512kB FLASH
Number of 16bit timers: 26
Interface: CAN x2; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Family: XMC4400
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1134 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BC860CWH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ICE3AR0680VJZXKLA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ICE3AR1580VJZXKLA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ICE3A1065ELJFKLA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ICE3AR10080JZXKLA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; 100kHz; DIP8; flyback; 85÷265VAC; 10.5÷27V
Type of integrated circuit: PMIC
Frequency: 0.1MHz
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V AC
Supply voltage: 10.5...27V
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; 100kHz; DIP8; flyback; 85÷265VAC; 10.5÷27V
Type of integrated circuit: PMIC
Frequency: 0.1MHz
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V AC
Supply voltage: 10.5...27V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
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| ICE3AR1080JGXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ICE3AR2280JGXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ICE3AR2280JZXKLA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ICE3AR2280VJZXKLA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ICE3AR4780JGXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ICE3AR4780JZXKLA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ICE3AR4780VJZXKLA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ICE3AS03LJGXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ISC104N12LM6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 63A; Idm: 252A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 63A; Idm: 252A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IR2108STRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IDK20G120C5XTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 330W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO263-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2V
Leakage current: 44µA
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 330W
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 330W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO263-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2V
Leakage current: 44µA
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 330W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BTS4140NHUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CYUSB3014-BZXC |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB controller; GPIO,I2C,I2S,SPI,UART; 512kBSRAM; TFBGA121
Type of integrated circuit: USB controller
Interface: GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Memory: 512kB SRAM
Supply voltage: 1.15...1.25V DC
Case: TFBGA121
Integrated circuit features: watchdog
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Number of inputs/outputs: 60
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB controller; GPIO,I2C,I2S,SPI,UART; 512kBSRAM; TFBGA121
Type of integrated circuit: USB controller
Interface: GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Memory: 512kB SRAM
Supply voltage: 1.15...1.25V DC
Case: TFBGA121
Integrated circuit features: watchdog
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Number of inputs/outputs: 60
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CYUSB3014-BZXCT |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IGL65R080D2XUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BSC005N03LS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BSC005N03LS5IATMA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BC817K40E6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BGA427H6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SIDC08D60C8X1SA3 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 31428 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BCP6925H6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IR2114SSTRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IMZA120R020M1HXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 213A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 213A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPB117N20NFDATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IGLR70R270D2SXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IGLR65R140D2XUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IGLR65R200D2XUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ISC151N20NM6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 74A; Idm: 296A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 200W
Case: PG-TSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 74A; Idm: 296A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 200W
Case: PG-TSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ISC151N08NM6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPT129N20NM6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 87A; Idm: 348A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 87A
Pulsed drain current: 348A
Power dissipation: 234W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 87A; Idm: 348A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 87A
Pulsed drain current: 348A
Power dissipation: 234W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BCM846SH6327 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 65V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Case: SOT363
Frequency: 250MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 65V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Case: SOT363
Frequency: 250MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BCM846SH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BCP5116H6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FZ2400R17HP4B28BOSA2 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FZ2400R17HP4HOSA2 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 2.4kA; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 2.4kA
Electrical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 2.4kA; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 2.4kA
Electrical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| T280N65TOFXPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 6.5kV; Ifmax: 440A; 620A; Igt: 350mA
Case: TO200AB
Max. off-state voltage: 6.5kV
Load current: 620A
Max. load current: 440A
Type of thyristor: hockey-puck
Max. forward impulse current: 5.8kA
Gate current: 350mA
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 6.5kV; Ifmax: 440A; 620A; Igt: 350mA
Case: TO200AB
Max. off-state voltage: 6.5kV
Load current: 620A
Max. load current: 440A
Type of thyristor: hockey-puck
Max. forward impulse current: 5.8kA
Gate current: 350mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPP60R190C6XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPI60R190C6XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPB60R190C6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPP60R190E6XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPDD60R190G7XTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 76W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 18nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 76W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 18nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPA045N10N3GXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 64A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 4.5mΩ
Power dissipation: 39W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 64A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 4.5mΩ
Power dissipation: 39W
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPC045N10L3X1SA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 31190 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPI045N10N3GXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BSC0702LSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BAW101E6433HTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY8C20324-12LQXI |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 12MHz; QFN24; 512BSRAM,8kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Clock frequency: 12MHz
Case: QFN24
Memory: 0.5kB SRAM; 8kB FLASH
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.4...5.25V DC
Interface: I2C; SPI; UART
Integrated circuit features: CapSense
Kind of core: 8-bit
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 12MHz; QFN24; 512BSRAM,8kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Clock frequency: 12MHz
Case: QFN24
Memory: 0.5kB SRAM; 8kB FLASH
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.4...5.25V DC
Interface: I2C; SPI; UART
Integrated circuit features: CapSense
Kind of core: 8-bit
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4900 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BTN8962TAAUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Technology: NovalithIC™
Application: DC motors
Number of channels: 1
Operating voltage: 5.5...40V DC
On-state resistance: 14.2mΩ
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -27...30A
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Technology: NovalithIC™
Application: DC motors
Number of channels: 1
Operating voltage: 5.5...40V DC
On-state resistance: 14.2mΩ
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -27...30A
auf Bestellung 1235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFB3806PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Power dissipation: 71W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Power dissipation: 71W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFB4019PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFB4610PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFB4410PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFB4020PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IHW40N135R5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 0.5µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 0.5µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)















