Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (127262) > Seite 2122 nach 2122
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| FP50R06W2E3BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 65A; Inverter; 175W Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 65A Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 175W Technology: Field Stop; Trench |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IRF7451TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 3.6A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FP50R06W2E3BOMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 65A; Inverter; 175W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 65A
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 175W
Technology: Field Stop; Trench
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 65A; Inverter; 175W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 65A
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 175W
Technology: Field Stop; Trench
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Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF7451TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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