Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Транзистор IRLML5103TR | Infineon | Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT23 Udss=-30V; Id=-0,76A; Pdmax=0,54W; Rds=0,6 Ohm |
auf Bestellung 422 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRLML5203TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ P-MOSFET SOT23 Udss=30V; Id=3A; Pdmax=1,25W; Rds=98 mOhm @ 3A, 10V |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRLML6402TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT23 Udss=-20V; Id=-3,5A; Pdmax=1,1W; Rds=0,06 Ohm |
auf Bestellung 6605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRLML9301TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ P-MOSFET SOT23 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=1,3W; Rds=0,064 Ohm |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IGW15N120H3 | Infineon | Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=30A; Pdmax=217W |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IKW25N120T2FKSA1 | Infineon | Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=50A; Pdmax=349W |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор BFP450H6327 | Infineon | Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4,5V; Ic=0,1A; ft=24GHz; Pdmax=0,45W; hfe=60 @ 50mA, 4V |
auf Bestellung 2751 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор BFP520E6327 | Infineon | Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=2,5V; Ic=0,04A; f=45GHz; Pdmax=0,1W; hfe=70/200 |
auf Bestellung 926 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор BFP620FH7764 | Infineon | Транз. Бипол. ВЧ NPN TSFP-4 Uceo=2,8 V; Ic=0,08A; f=65GHz; Ptot=0,185W; hfe=110 @ 50mA, 1.5V, Nf=0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор BFP640E6327 | Infineon | Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,05A; f=30GHz; Ptot=0,2W; hfe=110...270, Nf=0,65dB @ 1,8 GHz |
auf Bestellung 1902 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор BFP650H6327XTSA1 | Infineon | TRANS RF NPN 37GHz 4,5V 150MA SOT343 |
auf Bestellung 2872 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор BFP740E6327 | Infineon | Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,03A; f=10GHz; Ptot=0,16W; hfe=160...400, Nf=0,5dB @ 1,8 GHz |
auf Bestellung 1553 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор BFP740FH6327XTSA1 | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ NPN 4.7V 30mA 42GHz 160mW Surface Mount 4-TSFP |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор BFP760H6327XTSA1 | Infineon | Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,07A; f=45GHz; Ptot=0,24W; hfemin=160 |
auf Bestellung 2402 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon | Транз. Бипол. ВЧ NPN TSFP-4 Uceo=2,6V; Ic=0,035A; f=85GHz; Ptot=0,075W; hfemin=150, Nf=0.75dB @ 5.5GHz |
auf Bestellung 1475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор BFQ19SH6327XTSA1 | Infineon | RF Transistor NPN 15V 120mA 5.5GHz 1W Surface Mount PG-SOT89 |
auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор BFR193FH6327XTSA1 | Infineon | Транзистор біполярний ВЧ NPN TSFP-3; Ft = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz; Vceo= 12 V; |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор BFR360F | Infineon | Транз. Бипол. ВЧ NPN TSFP-3 Uceo=6V; Ic=0,035A; f=3,5GHz; Pdmax=0,21W: hfe=90/160: Nf=1 dB@1,8 GHz |
auf Bestellung 1054 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор BFR750L3RHE6327 | Infineon | Транз. Бипол. ВЧ NPN TSLP-3-9 Uceo=4,7 V; Icmax=90 mA; f=10 GHz; Pdmax=0,36 W: hfe=160/400: Nf=0,6 dB@1,8 GHz |
auf Bestellung 853 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор BFR92PE6327 | Infineon | Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT23 Uceo=15V; Ic=0,045A; f=5GHz; Pdmax=0,28W; hfe=70 |
auf Bestellung 2896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор BFR93AE6327 | Infineon | Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT23 Uceo=12V; Ic=0,09A; f=6GHz; Pdmax=0,3W; hfe=70/140 |
auf Bestellung 2943 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор BFS17W H6327 | Infineon | Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT323 Uceo=15V; Ic=0,025A; f=1GHz |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор PTF180101M | Infineon | Транз. Пол. БМ ВЧ LDMOS PG-RFP-10 (TSSOP10 SMD) 10 W 1.0-2.0 GHz Udss=65V Id=0.001A Rds=0.83Ohm |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор PTF180101S | Infineon | Транз. Пол. БМ ВЧ GOLDMOS 10 W 1805-1880, 1930-1990 MHz Udss=65V Rds=0.83 Ohm |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор PTF180301E | Infineon | Транз. Пол. БМ ВЧ GOLDMOS 30 W 1805-1880, 1930-1990 MHz Udss=65V Rds=0.27 Ohm |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор PTFA210301E | Infineon | High Power LDMOS internally matched FET, for WCDMA 2110-2170 MHz, 30 W |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Мікросхема BGA420 | Infineon | Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W |
auf Bestellung 1042 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Мікросхема BGA427 | Infineon | Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W |
auf Bestellung 1156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Мікросхема TLE2074AIN | Infineon | ИМС DIP-14 High Speed Low Noise 4 Channel Operational Amplifier |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Мікросхема AUIPS6031 | Infineon | ИМС TO-220-5 Power Switch/Driver, Vs=6-28V, I=16A, Pd=25W |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Мікросхема BTS133TCBUMA1 | Infineon | Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 7A PG-TO263-3-2 |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Мікросхема H11D2 | Infineon | ИМС DIP6 Оптопара; phototransistor-type optically coupled optoisolator |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Мікросхема IR2110PBF | Infineon | ИМС DIP14 Драйвер |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Мікросхема IR2172SPBF | Infineon | ИМС SOIC-8 Current Sense IC, Vin=9,5-20V, Iout=20mA |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Мікросхема PVT312LS-TPBF | Infineon | ИМС 6-SMD HEXFET Power MOSFET Photovoltaic Relay Single-Pole, Normally-Open, 0-250V, 190mA AC/DC |
auf Bestellung 845 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Мікросхема PVT422PBF | Infineon | ИМС DIP8 оптореле двухканальное Vpeak=400V,Vrms=4000 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Мікросхема CY15B108QN-40LPXI | Infineon | ІМС GQFN-8 F-RAM Excelon 8 Mbit SPI 40 MHz Vs=1,8-3,6 V |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Мікросхема BGA614H6327 | Infineon | ИМС SOT-343 Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier DC to 3 GHz |
auf Bestellung 446 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Мікросхема BGA616H6327 | Infineon | ИМС SOT-343 Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier DC to 2,7 GHz |
auf Bestellung 424 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Мікросхема 1ED44173N01BXTSA1 | Infineon | ІМС SOT-23-6 Low-Side MOSFET Gate Driver |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3207PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 282 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRFB3207ZPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 363 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRFB3407ZPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1558 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRFB3077PBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRFB3206PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRFB3607PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRFB3806PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRFB3306PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRFB3307ZPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 743 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRFB3006PBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 517 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRFB38N20DPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 320W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 408 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRFB3307PBF | INFINEON |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 120 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRFB31N20DPBF | INFINEON |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 31 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: - Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.082 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 5.5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRFB33N15DPBF | INFINEON |
![]() ![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 33 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 170 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 5.5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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CY4500 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733020 productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorarchitektur: ARM Prozessorfamilie: - Lieferumfang des Kits: EZ-PD Protokollanalysator-Hardware, USB-Kabel, Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung euEccn: NLR Prozessorserie: Cortex-M0 Merkmale: Dekodieren von USB Power Delivery-Paketen, Spannungs-/Stromwächter, ID-basierter Trigger, Firmware-Upgrades hazardous: false IC-Produkttyp: Debugger rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: CY4500 EZ-PD Series SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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BLDCSHIELDIFX007TTOBO1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733020 Prozessorkern: IFX007T Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Demoboard IFX007T euEccn: NLR Unterart Anwendung: BLDC-Motor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Arduino Uno-Boards usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRF1010EPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 229 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRF1010EZPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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CYW943907AEVAL1F | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733020 Prozessorkern: CYW43907 Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Cypress Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW943907, USB-Standard-A/Micro-B-Kabel euEccn: NLR Unterart Anwendung: WiFi hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 5A992.c Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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BLDCSHIELDTLE9879TOBO1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733020 Prozessorkern: TLE9879QXA40 productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorarchitektur: - Prozessorfamilie: - Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Demoboard, BLDC-Motortreiber euEccn: NLR Prozessorserie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Arduino Uno-Boards usEccn: 3A991.a.2 Produktpalette: Compute Module 3+ Series SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
Транзистор IRLML5103TR |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT23 Udss=-30V; Id=-0,76A; Pdmax=0,54W; Rds=0,6 Ohm
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT23 Udss=-30V; Id=-0,76A; Pdmax=0,54W; Rds=0,6 Ohm
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.93 EUR |
10+ | 0.83 EUR |
100+ | 0.76 EUR |
Транзистор IRLML5203TRPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ P-MOSFET SOT23 Udss=30V; Id=3A; Pdmax=1,25W; Rds=98 mOhm @ 3A, 10V
Транз. Пол. ММ P-MOSFET SOT23 Udss=30V; Id=3A; Pdmax=1,25W; Rds=98 mOhm @ 3A, 10V
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.72 EUR |
Транзистор IRLML6402TRPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT23 Udss=-20V; Id=-3,5A; Pdmax=1,1W; Rds=0,06 Ohm
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT23 Udss=-20V; Id=-3,5A; Pdmax=1,1W; Rds=0,06 Ohm
auf Bestellung 6605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.62 EUR |
10+ | 0.55 EUR |
100+ | 0.48 EUR |
Транзистор IRLML9301TRPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ P-MOSFET SOT23 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=1,3W; Rds=0,064 Ohm
Транз. Пол. ММ P-MOSFET SOT23 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=1,3W; Rds=0,064 Ohm
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.69 EUR |
10+ | 0.52 EUR |
100+ | 0.48 EUR |
Транзистор IGW15N120H3 |
Hersteller: Infineon
Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=30A; Pdmax=217W
Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=30A; Pdmax=217W
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 19.61 EUR |
Транзистор IKW25N120T2FKSA1 |
Hersteller: Infineon
Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=50A; Pdmax=349W
Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=50A; Pdmax=349W
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 33.33 EUR |
Транзистор BFP450H6327 |
Hersteller: Infineon
Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4,5V; Ic=0,1A; ft=24GHz; Pdmax=0,45W; hfe=60 @ 50mA, 4V
Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4,5V; Ic=0,1A; ft=24GHz; Pdmax=0,45W; hfe=60 @ 50mA, 4V
auf Bestellung 2751 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.55 EUR |
10+ | 2.3 EUR |
100+ | 2.06 EUR |
Транзистор BFP520E6327 |
Hersteller: Infineon
Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=2,5V; Ic=0,04A; f=45GHz; Pdmax=0,1W; hfe=70/200
Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=2,5V; Ic=0,04A; f=45GHz; Pdmax=0,1W; hfe=70/200
auf Bestellung 926 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.61 EUR |
10+ | 2.41 EUR |
100+ | 2.24 EUR |
Транзистор BFP620FH7764 |
Hersteller: Infineon
Транз. Бипол. ВЧ NPN TSFP-4 Uceo=2,8 V; Ic=0,08A; f=65GHz; Ptot=0,185W; hfe=110 @ 50mA, 1.5V, Nf=0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Транз. Бипол. ВЧ NPN TSFP-4 Uceo=2,8 V; Ic=0,08A; f=65GHz; Ptot=0,185W; hfe=110 @ 50mA, 1.5V, Nf=0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.47 EUR |
10+ | 3.78 EUR |
100+ | 3.44 EUR |
Транзистор BFP640E6327 |
Hersteller: Infineon
Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,05A; f=30GHz; Ptot=0,2W; hfe=110...270, Nf=0,65dB @ 1,8 GHz
Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,05A; f=30GHz; Ptot=0,2W; hfe=110...270, Nf=0,65dB @ 1,8 GHz
auf Bestellung 1902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.47 EUR |
10+ | 3.78 EUR |
100+ | 3.44 EUR |
Транзистор BFP650H6327XTSA1 |
Hersteller: Infineon
TRANS RF NPN 37GHz 4,5V 150MA SOT343
TRANS RF NPN 37GHz 4,5V 150MA SOT343
auf Bestellung 2872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.58 EUR |
10+ | 2.24 EUR |
100+ | 1.72 EUR |
Транзистор BFP740E6327 |
Hersteller: Infineon
Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,03A; f=10GHz; Ptot=0,16W; hfe=160...400, Nf=0,5dB @ 1,8 GHz
Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,03A; f=10GHz; Ptot=0,16W; hfe=160...400, Nf=0,5dB @ 1,8 GHz
auf Bestellung 1553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.58 EUR |
10+ | 3.23 EUR |
100+ | 2.96 EUR |
Транзистор BFP740FH6327XTSA1 |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ NPN 4.7V 30mA 42GHz 160mW Surface Mount 4-TSFP
Транз. Біпол. ВЧ NPN 4.7V 30mA 42GHz 160mW Surface Mount 4-TSFP
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.64 EUR |
10+ | 3.44 EUR |
100+ | 3.13 EUR |
Транзистор BFP760H6327XTSA1 |
Hersteller: Infineon
Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,07A; f=45GHz; Ptot=0,24W; hfemin=160
Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,07A; f=45GHz; Ptot=0,24W; hfemin=160
auf Bestellung 2402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.44 EUR |
10+ | 2.75 EUR |
100+ | 2.41 EUR |
Транзистор BFP840FESDH6327XTSA1 |
Hersteller: Infineon
Транз. Бипол. ВЧ NPN TSFP-4 Uceo=2,6V; Ic=0,035A; f=85GHz; Ptot=0,075W; hfemin=150, Nf=0.75dB @ 5.5GHz
Транз. Бипол. ВЧ NPN TSFP-4 Uceo=2,6V; Ic=0,035A; f=85GHz; Ptot=0,075W; hfemin=150, Nf=0.75dB @ 5.5GHz
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.44 EUR |
10+ | 2.92 EUR |
100+ | 2.75 EUR |
Транзистор BFQ19SH6327XTSA1 |
Hersteller: Infineon
RF Transistor NPN 15V 120mA 5.5GHz 1W Surface Mount PG-SOT89
RF Transistor NPN 15V 120mA 5.5GHz 1W Surface Mount PG-SOT89
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.68 EUR |
10+ | 3.72 EUR |
100+ | 3.44 EUR |
Транзистор BFR193FH6327XTSA1 |
Hersteller: Infineon
Транзистор біполярний ВЧ NPN TSFP-3; Ft = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz; Vceo= 12 V;
Транзистор біполярний ВЧ NPN TSFP-3; Ft = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz; Vceo= 12 V;
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.72 EUR |
10+ | 1.65 EUR |
100+ | 1.31 EUR |
Транзистор BFR360F |
Hersteller: Infineon
Транз. Бипол. ВЧ NPN TSFP-3 Uceo=6V; Ic=0,035A; f=3,5GHz; Pdmax=0,21W: hfe=90/160: Nf=1 dB@1,8 GHz
Транз. Бипол. ВЧ NPN TSFP-3 Uceo=6V; Ic=0,035A; f=3,5GHz; Pdmax=0,21W: hfe=90/160: Nf=1 dB@1,8 GHz
auf Bestellung 1054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.83 EUR |
10+ | 0.76 EUR |
100+ | 0.69 EUR |
Транзистор BFR750L3RHE6327 |
Hersteller: Infineon
Транз. Бипол. ВЧ NPN TSLP-3-9 Uceo=4,7 V; Icmax=90 mA; f=10 GHz; Pdmax=0,36 W: hfe=160/400: Nf=0,6 dB@1,8 GHz
Транз. Бипол. ВЧ NPN TSLP-3-9 Uceo=4,7 V; Icmax=90 mA; f=10 GHz; Pdmax=0,36 W: hfe=160/400: Nf=0,6 dB@1,8 GHz
auf Bestellung 853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.88 EUR |
10+ | 6.19 EUR |
100+ | 5.68 EUR |
Транзистор BFR92PE6327 |
Hersteller: Infineon
Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT23 Uceo=15V; Ic=0,045A; f=5GHz; Pdmax=0,28W; hfe=70
Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT23 Uceo=15V; Ic=0,045A; f=5GHz; Pdmax=0,28W; hfe=70
auf Bestellung 2896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.52 EUR |
10+ | 0.41 EUR |
100+ | 0.34 EUR |
Транзистор BFR93AE6327 |
Hersteller: Infineon
Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT23 Uceo=12V; Ic=0,09A; f=6GHz; Pdmax=0,3W; hfe=70/140
Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT23 Uceo=12V; Ic=0,09A; f=6GHz; Pdmax=0,3W; hfe=70/140
auf Bestellung 2943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.76 EUR |
10+ | 0.69 EUR |
100+ | 0.58 EUR |
Транзистор BFS17W H6327 |
Hersteller: Infineon
Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT323 Uceo=15V; Ic=0,025A; f=1GHz
Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT323 Uceo=15V; Ic=0,025A; f=1GHz
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.89 EUR |
Транзистор PTF180101M |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ ВЧ LDMOS PG-RFP-10 (TSSOP10 SMD) 10 W 1.0-2.0 GHz Udss=65V Id=0.001A Rds=0.83Ohm
Транз. Пол. БМ ВЧ LDMOS PG-RFP-10 (TSSOP10 SMD) 10 W 1.0-2.0 GHz Udss=65V Id=0.001A Rds=0.83Ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 67.08 EUR |
10+ | 61.03 EUR |
100+ | 55.52 EUR |
Транзистор PTF180101S |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ ВЧ GOLDMOS 10 W 1805-1880, 1930-1990 MHz Udss=65V Rds=0.83 Ohm
Транз. Пол. БМ ВЧ GOLDMOS 10 W 1805-1880, 1930-1990 MHz Udss=65V Rds=0.83 Ohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 127.11 EUR |
10+ | 115.58 EUR |
100+ | 105.06 EUR |
Транзистор PTF180301E |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ ВЧ GOLDMOS 30 W 1805-1880, 1930-1990 MHz Udss=65V Rds=0.27 Ohm
Транз. Пол. БМ ВЧ GOLDMOS 30 W 1805-1880, 1930-1990 MHz Udss=65V Rds=0.27 Ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 244.45 EUR |
10+ | 222.22 EUR |
100+ | 202.03 EUR |
Транзистор PTFA210301E |
Hersteller: Infineon
High Power LDMOS internally matched FET, for WCDMA 2110-2170 MHz, 30 W
High Power LDMOS internally matched FET, for WCDMA 2110-2170 MHz, 30 W
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 240.22 EUR |
10+ | 218.1 EUR |
100+ | 189.89 EUR |
Мікросхема BGA420 |
Hersteller: Infineon
Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
auf Bestellung 1042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.06 EUR |
10+ | 1.72 EUR |
100+ | 1.38 EUR |
Мікросхема BGA427 |
Hersteller: Infineon
Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
auf Bestellung 1156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.34 EUR |
10+ | 2.06 EUR |
100+ | 1.89 EUR |
Мікросхема TLE2074AIN |
Hersteller: Infineon
ИМС DIP-14 High Speed Low Noise 4 Channel Operational Amplifier
ИМС DIP-14 High Speed Low Noise 4 Channel Operational Amplifier
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 58.14 EUR |
10+ | 52.46 EUR |
Мікросхема AUIPS6031 |
Hersteller: Infineon
ИМС TO-220-5 Power Switch/Driver, Vs=6-28V, I=16A, Pd=25W
ИМС TO-220-5 Power Switch/Driver, Vs=6-28V, I=16A, Pd=25W
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.57 EUR |
10+ | 6.88 EUR |
100+ | 6.36 EUR |
Мікросхема BTS133TCBUMA1 |
Hersteller: Infineon
Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 7A PG-TO263-3-2
Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 7A PG-TO263-3-2
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 34.4 EUR |
Мікросхема H11D2 |
Hersteller: Infineon
ИМС DIP6 Оптопара; phototransistor-type optically coupled optoisolator
ИМС DIP6 Оптопара; phototransistor-type optically coupled optoisolator
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.72 EUR |
10+ | 1.44 EUR |
100+ | 1.31 EUR |
Мікросхема IR2110PBF |
Hersteller: Infineon
ИМС DIP14 Драйвер
ИМС DIP14 Драйвер
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 15.24 EUR |
10+ | 13.48 EUR |
100+ | 12.25 EUR |
Мікросхема IR2172SPBF |
Hersteller: Infineon
ИМС SOIC-8 Current Sense IC, Vin=9,5-20V, Iout=20mA
ИМС SOIC-8 Current Sense IC, Vin=9,5-20V, Iout=20mA
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 13.52 EUR |
10+ | 11.97 EUR |
100+ | 10.9 EUR |
Мікросхема PVT312LS-TPBF |
Hersteller: Infineon
ИМС 6-SMD HEXFET Power MOSFET Photovoltaic Relay Single-Pole, Normally-Open, 0-250V, 190mA AC/DC
ИМС 6-SMD HEXFET Power MOSFET Photovoltaic Relay Single-Pole, Normally-Open, 0-250V, 190mA AC/DC
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 20.64 EUR |
10+ | 18.92 EUR |
100+ | 17.2 EUR |
Мікросхема PVT422PBF |
Hersteller: Infineon
ИМС DIP8 оптореле двухканальное Vpeak=400V,Vrms=4000
ИМС DIP8 оптореле двухканальное Vpeak=400V,Vrms=4000
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 41.28 EUR |
10+ | 37.84 EUR |
100+ | 15.96 EUR |
Мікросхема CY15B108QN-40LPXI |
Hersteller: Infineon
ІМС GQFN-8 F-RAM Excelon 8 Mbit SPI 40 MHz Vs=1,8-3,6 V
ІМС GQFN-8 F-RAM Excelon 8 Mbit SPI 40 MHz Vs=1,8-3,6 V
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 227.04 EUR |
10+ | 213.28 EUR |
Мікросхема BGA614H6327 |
Hersteller: Infineon
ИМС SOT-343 Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier DC to 3 GHz
ИМС SOT-343 Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier DC to 3 GHz
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.74 EUR |
10+ | 6.88 EUR |
100+ | 6.36 EUR |
Мікросхема BGA616H6327 |
Hersteller: Infineon
ИМС SOT-343 Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier DC to 2,7 GHz
ИМС SOT-343 Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier DC to 2,7 GHz
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.08 EUR |
10+ | 7.4 EUR |
100+ | 6.88 EUR |
Мікросхема 1ED44173N01BXTSA1 |
Hersteller: Infineon
ІМС SOT-23-6 Low-Side MOSFET Gate Driver
ІМС SOT-23-6 Low-Side MOSFET Gate Driver
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.57 EUR |
IRFB3207PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 0.0045 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 0.0045 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB3207ZPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFB3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB3407ZPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3407ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.005 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFB3407ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.005 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
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Qualifikation: -
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Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB3077PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
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Qualifikation: -
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Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB3206PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
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Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB3607PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
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Qualifikation: -
MSL: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFB3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB3806PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3806PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0126 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFB3806PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0126 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFB3306PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB3307ZPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFB3307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB3006PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFB3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB38N20DPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 44 A, 0.054 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFB38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 44 A, 0.054 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB3307PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3307PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.005 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRFB3307PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.005 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFB31N20DPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB31N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 31 A, 0.082 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 31
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.082
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFB31N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 31 A, 0.082 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 31
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.082
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFB33N15DPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB33N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFB33N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
CY4500 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY4500 - Evaluationsboard, CY4500 EZ-PD™, Protokollanalysator, Dekodieren von USB Power Delivery-Paketen
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: -
Lieferumfang des Kits: EZ-PD Protokollanalysator-Hardware, USB-Kabel, Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0
Merkmale: Dekodieren von USB Power Delivery-Paketen, Spannungs-/Stromwächter, ID-basierter Trigger, Firmware-Upgrades
hazardous: false
IC-Produkttyp: Debugger
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: CY4500 EZ-PD Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - CY4500 - Evaluationsboard, CY4500 EZ-PD™, Protokollanalysator, Dekodieren von USB Power Delivery-Paketen
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: -
Lieferumfang des Kits: EZ-PD Protokollanalysator-Hardware, USB-Kabel, Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0
Merkmale: Dekodieren von USB Power Delivery-Paketen, Spannungs-/Stromwächter, ID-basierter Trigger, Firmware-Upgrades
hazardous: false
IC-Produkttyp: Debugger
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: CY4500 EZ-PD Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
BLDCSHIELDIFX007TTOBO1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BLDCSHIELDIFX007TTOBO1 - Evaluationsboard, (BL)DC-Motorsteuerungs-Shield, Halbbrücke IFX007T, Arduino Uno
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IFX007T
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard IFX007T
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: BLDC-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Arduino Uno-Boards
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BLDCSHIELDIFX007TTOBO1 - Evaluationsboard, (BL)DC-Motorsteuerungs-Shield, Halbbrücke IFX007T, Arduino Uno
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IFX007T
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard IFX007T
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: BLDC-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Arduino Uno-Boards
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF1010EPBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF1010EZPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CYW943907AEVAL1F |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYW943907AEVAL1F - Evaluationskit, CYW43907 WICED IEEE 802.11 a/b/g/n-SoC, interne PCB-Antenne, Arduino-Stiftleisten
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW43907
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW943907, USB-Standard-A/Micro-B-Kabel
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: WiFi
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CYW943907AEVAL1F - Evaluationskit, CYW43907 WICED IEEE 802.11 a/b/g/n-SoC, interne PCB-Antenne, Arduino-Stiftleisten
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW43907
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW943907, USB-Standard-A/Micro-B-Kabel
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: WiFi
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BLDCSHIELDTLE9879TOBO1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BLDCSHIELDTLE9879TOBO1 - Evaluationsboard, BLDC-Motortreiber TLE9879, Arduino-Shield, SPI-Schnittstelle
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE9879QXA40
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard, BLDC-Motortreiber
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Arduino Uno-Boards
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BLDCSHIELDTLE9879TOBO1 - Evaluationsboard, BLDC-Motortreiber TLE9879, Arduino-Shield, SPI-Schnittstelle
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE9879QXA40
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard, BLDC-Motortreiber
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Arduino Uno-Boards
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH