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Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFR2405TRLPBF | INFINEON |
 Description: INFINEON - IRFR2405TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR2405TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR2405TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR106E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR106E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 16 V, 5 GHz, 700 mW, 210 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 210mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 16V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 77537 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR106E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR106E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 16 V, 5 GHz, 700 mW, 210 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 210mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 16V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 77537 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCR108E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BCR108E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85332100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BCR108 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 33747 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCR133SH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BCR133SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: BCR133 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 18430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCR133SH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BCR133SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: BCR133 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 18430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS200R12N3T7BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS200R12N3T7BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 200 A, 1.55 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Dauer-Kollektorstrom: 200A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPACK 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP80R280P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKP15N65H5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKP15N65H5XKSA1 - IGBT, 15 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 105 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 Kollektorstrom: 15 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRFSL4010PBF | INFINEON |
 Description: INFINEON - IRFSL4010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0039 ohm, TO-262, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 180 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IRFSL3207ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFSL3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0033 ohm, TO-262, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 170 Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IRFSL7537PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFSL7537PBF - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 173A, TO-262-3 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 173 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 230 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7 Verlustleistung: 230 Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Kanaltyp: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00275 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00275 SVHC: To Be Advised |
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IRFSL4227PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFSL4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.022 ohm, TO-262, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 62 Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr Verlustleistung Pd: 330 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 330 Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFSL38N20DPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFSL38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-262, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 43 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AUIRFS3306TRL | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFS3306TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRFS3306TRL | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFS3306TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 230W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ESD102U102ELSE6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ESD102U102ELSE6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 8 V, TSSLP-2-3, 2 Pin(s), 3.3 V tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: TSSLP-2-3 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 8V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 3.3V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6256 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ESD108B1CSP0201XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ESD108B1CSP0201XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 18.5 V, WLL-2-1, 2 Pin(s) tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: WLL-2-1 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 18.5V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 307484 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ESD108B1CSP0201XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ESD108B1CSP0201XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 18.5 V, WLL-2-1, 2 Pin(s) tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: WLL-2-1 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 18.5V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 308405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ESD106B1W0201E6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ESD106B1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 10 V, 0201, 2 Pin(s), 5.5 V Anzahl der Pins: 2 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: 0201 Begrenzungsspannung Vc, max.: 10 Betriebsspannung: 5.5 Verlustleistung Pd: - Produktpalette: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 4828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ESD106B1W0201E6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ESD106B1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 10 V, 0201, 2 Pin(s), 5.5 V Anzahl der Pins: 2 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: 0201 Begrenzungsspannung Vc, max.: 10 Betriebsspannung: 5.5 Verlustleistung Pd: - Produktpalette: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 4828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY7C65632-48AXC | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C65632-48AXC - USB-Schnittstelle, HX2VL-Architektur, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 3.15 V, 3.6 V, TQFP, 48 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES USB-Version: USB 2.0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 5A991.b.4.b Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 3.15V Anzahl der Anschlüsse: 4Anschlüsse euEccn: NLR USB-IC: USB-Hub-Controller Anzahl der Pins: 48Pin(s) Übertragungsrate: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 70°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CY7C65632-48AXCT | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C65632-48AXCT - USB-Schnittstelle, HX2VL, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 4.75 V, 5.25 V, TQFP, 48 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES USB-Version: USB 2.0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 5A991.b.4.b Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V Anzahl der Anschlüsse: 4Anschlüsse euEccn: NLR USB-IC: USB-Hub-Controller Anzahl der Pins: 48Pin(s) Übertragungsrate: 480Mbps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 70°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BSL308CH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 18463 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BSL308CH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 18463 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY15B104QN-50SXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY15B104QN-50SXI - N.FLÜCHT. SPEICHER 4MBIT 50MHZ SOIC-8 tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.b.2 Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKQ50N120CT2XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKQ50N120CT2XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.75 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 652W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 100A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY62146ELL-45ZSXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY62146ELL-45ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 4.5 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL014NTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3962 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRFR2407TRL | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR2407TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 42 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 110 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 110 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: Produktreihe HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0218 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRFR2407TRL | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR2407TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 42 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 110 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 110 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: Produktreihe HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0218 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRFR2407 | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR2407 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 42 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 110 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 110 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0218 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IRFR2307ZTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR2307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60H3FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N60H3FKSA1 - IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 100A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BF2040WH6814XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BF2040WH6814XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 40 mA, SOT-343, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8 Dauer-Drainstrom Id: 40 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: SOT-343 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: BF2040 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): - Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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BF2040WH6814XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BF2040WH6814XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 40 mA, SOT-343, Oberflächenmontage Verlustleistung: 200 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: - Qualifikation: AEC-Q101 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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F4150R12KS4BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - F4150R12KS4BOSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 180 A, 3.2 V, 960 W, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V Dauer-Kollektorstrom: 180A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V Verlustleistung Pd: 960W euEccn: NLR Verlustleistung: 960W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPACK 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 180A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF450R08A03P2XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF450R08A03P2XKSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 1.2 V, 1.667 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.2V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.2V Verlustleistung Pd: 1.667kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.667kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V Dauerkollektorstrom: 450A Produktpalette: HybridPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 450A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF150R12KE3GB2HOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF150R12KE3GB2HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 225A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 780W euEccn: NLR Verlustleistung: 780W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: C Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 225A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR3806TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4569 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R099P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 117W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 373 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7730PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375mW Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 932 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TT175N16SOFHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TT175N16SOFHPSA1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 275A, 1.6kV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 175A RMS-Durchlassstrom: 275A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 2V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: Modul Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY8C4014LQI-421T | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C4014LQI-421T - PROGRAMMIERBARES SOC, 16MHZ, QFN-EP-16 tariffCode: 85423190 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Datenbusbreite: 32 Bit Programmspeichergröße: 16KB Betriebstemperatur, max.: 85°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 16Pin(s) Bauform - MPU: QFN-EP Betriebstemperatur, min.: -40°C RAM-Speichergröße: 2KB MSL: MSL 3 - 168 Stunden Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0 MCU-Familie: PSoC 4 hazardous: false IC-Montage: Oberflächenmontage MCU-Baureihe: CY8C40xx Produktpalette: - Bausteinkern: ARM Cortex-M0 MPU-Familie: PSoC 4 euEccn: NLR MPU-Baureihe: PSoC 4000 rohsCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: QFN Schnittstellen: I2C Versorgungsspannung, min.: 1.71V CPU-Geschwindigkeit: 16MHz Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s) Betriebsfrequenz, max.: 16MHz rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 3A991.a.3 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CY8C4245LQI-483 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C4245LQI-483 - ARM-MCU, Baureihe PSoC 4, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: UFQFN MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: - Programmspeichergröße: 32KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 4 RAM-Speichergröße: 4KB MCU-Baureihe: CY8C42xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s) Anzahl der Pins: 40Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2594 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY8C4245AXI-483 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C4245AXI-483 - ARM-MCU, Baureihe PSoC 4, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: LQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: - Programmspeichergröße: 32KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 4 RAM-Speichergröße: 4KB MCU-Baureihe: CY8C42xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CY8C4125AZI-PS423 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C4125AZI-PS423 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24 MHz, 32 KB tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0+ hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.3 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: - Programmspeichergröße: 32KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 24MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 4 RAM-Speichergröße: 4KB MCU-Baureihe: CY8C41xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CY8C4245PVI-482 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C4245PVI-482 - ARM-MCU, Baureihe PSoC 4, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SSOP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: - Programmspeichergröße: 32KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 4 RAM-Speichergröße: 4KB MCU-Baureihe: CY8C42xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s) Anzahl der Pins: 28Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2089 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CY8C4124PVI-432 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C4124PVI-432 - PROGRAMMIERBARES SOC, 24MHZ, SSOP-28 tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SSOP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C Programmspeichergröße: 16KB MPU-Familie: PSoC 4 Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 24MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 4 RAM-Speichergröße: 4KB MCU-Baureihe: CY8C41xx CPU-Geschwindigkeit: 24MHz Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s) Anzahl der Pins: 28Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code MPU-Baureihe: PSoC 4100 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Bauform - MPU: SSOP Betriebstemperatur, max.: 85°C Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CY8C4147AZI-S475 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C4147AZI-S475 - PROGRAMMIERBARES SOC, 48MHZ, TQFP-64 tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0+ hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C Programmspeichergröße: 128KB MPU-Familie: PSoC 4 Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 4 RAM-Speichergröße: 16KB MCU-Baureihe: CY8C41xx CPU-Geschwindigkeit: 48MHz Anzahl der Ein-/Ausgänge: 54I/O(s) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code MPU-Baureihe: PSoC 4100S Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART Bauform - MPU: TQFP Betriebstemperatur, max.: 85°C Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+ SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRF135B203 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF135B203 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 129 A, 6700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 135V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 129A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRF6648TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2699 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRF6648TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2699 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFP196E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP196E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 65 mA, SOT-143 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-143 Dauerkollektorstrom: 65mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 6840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFP840FESDH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 85GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BFP840ESDH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP840ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 80GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BFP840ESDH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP840ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 80GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BFP843FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 55mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BFP840FESDH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 85GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFR2405TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR2405TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFR2405TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRFR2405TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR2405TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFR2405TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BFR106E6327HTSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR106E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 16 V, 5 GHz, 700 mW, 210 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 210mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 16V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFR106E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 16 V, 5 GHz, 700 mW, 210 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 210mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 16V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 77537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BFR106E6327HTSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR106E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 16 V, 5 GHz, 700 mW, 210 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 210mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 16V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFR106E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 16 V, 5 GHz, 700 mW, 210 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 210mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 16V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 77537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BCR108E6327HTSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BCR108E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85332100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR108 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BCR108E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85332100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR108 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33747 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BCR133SH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BCR133SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR133 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BCR133SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR133 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 18430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BCR133SH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BCR133SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR133 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BCR133SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR133 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 18430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FS200R12N3T7BPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS200R12N3T7BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 200 A, 1.55 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - FS200R12N3T7BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 200 A, 1.55 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IPP80R280P7XKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPP80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IKP15N65H5XKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKP15N65H5XKSA1 - IGBT, 15 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 105
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Kollektorstrom: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IKP15N65H5XKSA1 - IGBT, 15 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 105
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Kollektorstrom: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFSL4010PBF | |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFSL4010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0039 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRFSL4010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0039 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFSL3207ZPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFSL3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0033 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRFSL3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0033 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFSL7537PBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFSL7537PBF - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 173A, TO-262-3
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 173
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 230
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7
Verlustleistung: 230
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00275
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00275
SVHC: To Be Advised
Description: INFINEON - IRFSL7537PBF - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 173A, TO-262-3
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 173
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 230
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7
Verlustleistung: 230
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00275
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00275
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFSL4227PBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFSL4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.022 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 62
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFSL4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.022 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 62
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFSL38N20DPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFSL38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 43
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFSL38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 43
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AUIRFS3306TRL |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFS3306TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - AUIRFS3306TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| AUIRFS3306TRL |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFS3306TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - AUIRFS3306TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ESD102U102ELSE6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD102U102ELSE6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 8 V, TSSLP-2-3, 2 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: TSSLP-2-3
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - ESD102U102ELSE6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 8 V, TSSLP-2-3, 2 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: TSSLP-2-3
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ESD108B1CSP0201XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD108B1CSP0201XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 18.5 V, WLL-2-1, 2 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: WLL-2-1
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 18.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ESD108B1CSP0201XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 18.5 V, WLL-2-1, 2 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: WLL-2-1
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 18.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 307484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ESD108B1CSP0201XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD108B1CSP0201XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 18.5 V, WLL-2-1, 2 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: WLL-2-1
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 18.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - ESD108B1CSP0201XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 18.5 V, WLL-2-1, 2 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: WLL-2-1
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 18.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 308405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ESD106B1W0201E6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD106B1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 10 V, 0201, 2 Pin(s), 5.5 V
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: 0201
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10
Betriebsspannung: 5.5
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - ESD106B1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 10 V, 0201, 2 Pin(s), 5.5 V
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: 0201
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10
Betriebsspannung: 5.5
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ESD106B1W0201E6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD106B1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 10 V, 0201, 2 Pin(s), 5.5 V
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: 0201
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10
Betriebsspannung: 5.5
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - ESD106B1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 10 V, 0201, 2 Pin(s), 5.5 V
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: 0201
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10
Betriebsspannung: 5.5
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CY7C65632-48AXC |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65632-48AXC - USB-Schnittstelle, HX2VL-Architektur, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 3.15 V, 3.6 V, TQFP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.b.4.b
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
Anzahl der Anschlüsse: 4Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Hub-Controller
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CY7C65632-48AXC - USB-Schnittstelle, HX2VL-Architektur, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 3.15 V, 3.6 V, TQFP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.b.4.b
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
Anzahl der Anschlüsse: 4Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Hub-Controller
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CY7C65632-48AXCT |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65632-48AXCT - USB-Schnittstelle, HX2VL, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 4.75 V, 5.25 V, TQFP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.b.4.b
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der Anschlüsse: 4Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Hub-Controller
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CY7C65632-48AXCT - USB-Schnittstelle, HX2VL, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 4.75 V, 5.25 V, TQFP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.b.4.b
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der Anschlüsse: 4Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Hub-Controller
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSL308CH6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 18463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSL308CH6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 18463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CY15B104QN-50SXI |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B104QN-50SXI - N.FLÜCHT. SPEICHER 4MBIT 50MHZ SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CY15B104QN-50SXI - N.FLÜCHT. SPEICHER 4MBIT 50MHZ SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IKQ50N120CT2XKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKQ50N120CT2XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.75 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 652W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IKQ50N120CT2XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.75 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 652W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CY62146ELL-45ZSXI |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY62146ELL-45ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CY62146ELL-45ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRFL014NTRPBF | |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| AUIRFR2407TRL |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR2407TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 42
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Produktreihe HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0218
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: INFINEON - AUIRFR2407TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 42
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Produktreihe HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0218
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| AUIRFR2407TRL |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR2407TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 42
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Produktreihe HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0218
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: INFINEON - AUIRFR2407TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 42
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Produktreihe HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0218
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| AUIRFR2407 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR2407 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 42
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0218
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - AUIRFR2407 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 42
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0218
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFR2307ZTRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR2307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFR2307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IKW50N60H3FKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW50N60H3FKSA1 - IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IKW50N60H3FKSA1 - IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BF2040WH6814XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BF2040WH6814XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 40 mA, SOT-343, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: SOT-343
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: BF2040
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BF2040WH6814XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 40 mA, SOT-343, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: SOT-343
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: BF2040
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BF2040WH6814XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BF2040WH6814XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 40 mA, SOT-343, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 200
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BF2040WH6814XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 40 mA, SOT-343, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 200
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| F4150R12KS4BOSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - F4150R12KS4BOSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 180 A, 3.2 V, 960 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
Dauer-Kollektorstrom: 180A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V
Verlustleistung Pd: 960W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 180A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - F4150R12KS4BOSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 180 A, 3.2 V, 960 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
Dauer-Kollektorstrom: 180A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V
Verlustleistung Pd: 960W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 180A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FF450R08A03P2XKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF450R08A03P2XKSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 1.2 V, 1.667 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.2V
Verlustleistung Pd: 1.667kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.667kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V
Dauerkollektorstrom: 450A
Produktpalette: HybridPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - FF450R08A03P2XKSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 1.2 V, 1.667 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.2V
Verlustleistung Pd: 1.667kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.667kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V
Dauerkollektorstrom: 450A
Produktpalette: HybridPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FF150R12KE3GB2HOSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF150R12KE3GB2HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 225A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 780W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: C Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 225A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - FF150R12KE3GB2HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 225A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 780W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: C Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 225A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFR3806TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IPW60R099P7XKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPW60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRFB7730PBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375mW
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375mW
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| TT175N16SOFHPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TT175N16SOFHPSA1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 275A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 175A
RMS-Durchlassstrom: 275A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TT175N16SOFHPSA1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 275A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 175A
RMS-Durchlassstrom: 275A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CY8C4014LQI-421T |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4014LQI-421T - PROGRAMMIERBARES SOC, 16MHZ, QFN-EP-16
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 16KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Bauform - MPU: QFN-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 2KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0
MCU-Familie: PSoC 4
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Produktpalette: -
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
MPU-Familie: PSoC 4
euEccn: NLR
MPU-Baureihe: PSoC 4000
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schnittstellen: I2C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
CPU-Geschwindigkeit: 16MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Betriebsfrequenz, max.: 16MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.3
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY8C4014LQI-421T - PROGRAMMIERBARES SOC, 16MHZ, QFN-EP-16
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 16KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Bauform - MPU: QFN-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 2KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0
MCU-Familie: PSoC 4
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Produktpalette: -
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
MPU-Familie: PSoC 4
euEccn: NLR
MPU-Baureihe: PSoC 4000
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schnittstellen: I2C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
CPU-Geschwindigkeit: 16MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Betriebsfrequenz, max.: 16MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.3
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CY8C4245LQI-483 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4245LQI-483 - ARM-MCU, Baureihe PSoC 4, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: UFQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY8C4245LQI-483 - ARM-MCU, Baureihe PSoC 4, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: UFQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CY8C4245AXI-483 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4245AXI-483 - ARM-MCU, Baureihe PSoC 4, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY8C4245AXI-483 - ARM-MCU, Baureihe PSoC 4, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CY8C4125AZI-PS423 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4125AZI-PS423 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24 MHz, 32 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY8C4125AZI-PS423 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24 MHz, 32 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CY8C4245PVI-482 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4245PVI-482 - ARM-MCU, Baureihe PSoC 4, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CY8C4245PVI-482 - ARM-MCU, Baureihe PSoC 4, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2089 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CY8C4124PVI-432 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4124PVI-432 - PROGRAMMIERBARES SOC, 24MHZ, SSOP-28
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 16KB
MPU-Familie: PSoC 4
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
CPU-Geschwindigkeit: 24MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: PSoC 4100
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Bauform - MPU: SSOP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CY8C4124PVI-432 - PROGRAMMIERBARES SOC, 24MHZ, SSOP-28
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 16KB
MPU-Familie: PSoC 4
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
CPU-Geschwindigkeit: 24MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: PSoC 4100
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Bauform - MPU: SSOP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CY8C4147AZI-S475 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4147AZI-S475 - PROGRAMMIERBARES SOC, 48MHZ, TQFP-64
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 128KB
MPU-Familie: PSoC 4
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
CPU-Geschwindigkeit: 48MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 54I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: PSoC 4100S
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY8C4147AZI-S475 - PROGRAMMIERBARES SOC, 48MHZ, TQFP-64
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 128KB
MPU-Familie: PSoC 4
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
CPU-Geschwindigkeit: 48MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 54I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: PSoC 4100S
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF135B203 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF135B203 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 129 A, 6700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF135B203 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 129 A, 6700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF6648TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF6648TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BFP196E6327HTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP196E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 65 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 65mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BFP196E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 65 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 65mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BFP840FESDH6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BFP840ESDH6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP840ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFP840ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BFP840ESDH6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP840ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFP840ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BFP843FH6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 55mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 55mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BFP840FESDH6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH