Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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Транзистор BSL372SNH6327XTSA1 | Infineon | Транз. Пол. БММ N-MOSFET SOT-23-6 Udss=100V; Id=2A; Pdmax=2W; Rds=0,22 Ohm |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IPA50R280CEXKSA2 | Infineon | Транз. пол. БМ TO-220FP MOSFET N-CH 500V 7,5A |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IPD25N06S4L30ATMA2 | Infineon | Транзистор польовий TO-252-3 N-MOSFET Vds=60V, Id=25A, Rds=0,03hm, Pd=29W |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon | Транзистор польовий OptiMOS N-HEXFET TO220AB Udss=60В; Id=90A; Pdmax=188W; Rds=0,0037 Ohm; Ugs=+-20В; -55C...+175C |
auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF2807STRLPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF3205PBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm |
auf Bestellung 483 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF3205STRLPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF4905PBF | Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=150W; Rds=0,02 Ohm |
auf Bestellung 106 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF4905STRLPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=3,8W; Rds=0,02 Ohm |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF5210STRLPBF | Infineon | MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3 |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF5305SPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF5305STRLPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF540NPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF9540NPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-23A; Pdmax=140W; |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF9540NSTRLPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2Pak Udss=-100V; Id=-23A; Pdmax=110W; |
auf Bestellung 733 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRFB23N20DPBF | Infineon | Транзистор N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 170W; TO220AB; HEXFET® |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRFB260NPBF | Infineon | N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 200V; 56A; 380W; TO220AB |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRFB4019PBF | Infineon | Транзистор N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB; HEXFET® |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRFP260NPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=200V; Id=49A; Pdmax=300W; Rds=0,04 Ohm |
auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRFP9240PBF | Infineon | Транз. Пол. БМ TO247-3 P-канальный MOSFET Vdss=200V, Id=12A, Pdmax=150W |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRFR024NTRPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET D-PAK Udss=55V; Id=17A; Pdmax=45W; Rds=0,075 Ohm |
auf Bestellung 1614 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRFR3411PBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=32 A; Pdmax=130 W; Rds=0,044 Ohm |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRFR3412PBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=48 A; Pdmax=140 W; Rds=0,025 Ohm |
auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRFR3806TRPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO-252-3 (DPAK) Udss=60V; Id=43 A; Pdmax=71 W; Rds=0,0126 Ohm |
auf Bestellung 788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRFR3910TRPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=16 A; Pdmax=79 W; Rds=0,115 Ohm |
auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRFR5305TRPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-55V; Id=31A; Pdmax=110W; Rds=0,065Ohm |
auf Bestellung 1205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRFR5410TRPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-100V; Id=-13A; Pdmax=66W; Rds=0,205 Ohm |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRFS4410ZTRLPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=100V; Id=97 A; Pdmax=230 W; Rds=0,009 Ohm |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRFU5505PBF | Infineon | Транз. Пол. БМ P-MOSFET IPAK (TO-251AA) Udss=-55V; Id=-18A; Pdmax=57W; Rds=0,11 Ohm |
auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRL3705NSTRLPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,018 Ohm, Logic Level |
auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRL540NPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=100V; Id=36A; Pdmax=140W; Rds=0,044 Ohm Logic Level Gate |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRLR2705TRPBF | Infineon | Транзистор DPAK MOSFET N-канал, 55В, 28A |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRLR2908TRLPBF | Infineon | Транзистор TO-252-3 MOSFET N-канал, 80В, 39A |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRLR3114ZTRPBF | Infineon | Транзистор МОП TO-252AA (DPAK) 40V 1 N-CH HEXFET 4,9mOhms 42А; 140W (Tc) |
auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRLR3636TRPBF | Infineon | Транзистор польовий DPAK-3 (TO-252-3) N-MOSFET Vds=60V, Ig=99A, Rdson=6,8 mOhm, Pd= 143W |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор PTFA080551E | Infineon | Транз. RF Mosfet 28 V 600 mA 960MHz 18.5dB 55W H-36265-2 |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор BF1005E6327 | Infineon | Транз. Пол. ММ RF (up to 1 GHz) N-MOSFET SOT143 Udss=8V; Id=0,025A; Pdmax=0,2W; двухзатворный, Gp=19 dB |
auf Bestellung 2081 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор BF998E6327 | Infineon | Транз. Пол. ММ N-MOSFET SOT143 Udss=12V; Id=0,03A; Pdmax=0,2W; Yfsmin=24mS; двухзатворный Idss=(2…18)mA |
auf Bestellung 2270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор BSP318SH6327 | Infineon | MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V |
auf Bestellung 492 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор BSP613PH6327 | Infineon | SOT-223 MOSFET Transistor, P Channel, -2.9 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V |
auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор BSS138NH6327 | Infineon | Транз. Пол. ММ N-MOSFET SOT23 Udss=60V; Id=0,23A; Pdmax=0,36W; RdsOn=3,5 Ohm@230mA, 10V |
auf Bestellung 4762 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор BSS84PH6327XTSA2 | Infineon | Транзистор польовий P Channel, 60 V, 170 mA, 8 Ohm, SOT-23, Surface Mount |
auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF7105TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(25; -25)V; Id=(3,5; -2,3)A; Pdmax=2W; Rds=(0,1; 0,25) Ohm |
auf Bestellung 3663 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF7316PBF | Infineon | Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,058 Ohm |
auf Bestellung 331 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF7319PBF | Infineon | Транз. Пол. ММ 1N-1P-MOSFET SO8 Udss=+-30V; Id=6,5A; Id=-5,2A Pdmax=2,0W; Rds=0,029 Ohm |
auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF7341PBF | Infineon | Транз. Пол. ММ 2 N-Channel (Dual) MOSFET SOIC8 Udss=55V; Id=4,7A; Pdmax=2W; Rds=50 mOhm @ 4.7A, 10V |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF7342TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm |
auf Bestellung 2664 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF7343TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(55; -55)V; Id=(+4,7; -3,4)A; Pdmax=2W; Rds=(0,05; 0,105) Ohm |
auf Bestellung 3451 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF7350PBF | Infineon | Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET SO8 Udss=100V; Id=(2.1; 1.5)A; Pdmax=2W; Rds=0,21 Ohm |
auf Bestellung 126 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF7503TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik MICRO8 |
auf Bestellung 3406 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF7855TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=60V Id=12A P=2.5W Rds=0,0074 Ohm |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF8714TRPBF | Infineon | SO-8 30V 14A 8.7mOhm 8.1nC Qg Single N-Channel HEXFET Power MOSFET |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRFHM8330TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ N-MOSFET PQFN-8 SO8 Udss=30V; Id=16A; Pdmax=2,7W; Rds=0,0077 Ohm |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRFL9110TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT223 Udss=-100V; Id=-1,1A; Pdmax=2W; Rds=1,2 Ohm |
auf Bestellung 2133 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRLL024NTRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl SOT-223-4 |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRLL2705PBF | Infineon | Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT223 Udss=55V; Id=3,8A; Pdmax=2,1W; Rds=0,04 Ohm |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRLML0100TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=100V; Id=1,6A; Rds=0,22 Ohm |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRLML2402TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=1,2A; Pdmax=0,54W; Rds=0,25 Ohm |
auf Bestellung 4784 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRLML2502TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=4,2A; Pdmax=1,25W; Rds=0,045 Ohm |
auf Bestellung 11505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRLML2803TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ N-HEXFET Micro3TM Udss=30V; Id=1,2A; Pdmax=0,54W; Rds=0,25 Ohm |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор BSL372SNH6327XTSA1 |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БММ N-MOSFET SOT-23-6 Udss=100V; Id=2A; Pdmax=2W; Rds=0,22 Ohm
Транз. Пол. БММ N-MOSFET SOT-23-6 Udss=100V; Id=2A; Pdmax=2W; Rds=0,22 Ohm
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 2.75 EUR |
Транзистор IPA50R280CEXKSA2 |
Hersteller: Infineon
Транз. пол. БМ TO-220FP MOSFET N-CH 500V 7,5A
Транз. пол. БМ TO-220FP MOSFET N-CH 500V 7,5A
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 8.94 EUR |
10+ | 8.26 EUR |
100+ | 7.74 EUR |
Транзистор IPD25N06S4L30ATMA2 |
Hersteller: Infineon
Транзистор польовий TO-252-3 N-MOSFET Vds=60V, Id=25A, Rds=0,03hm, Pd=29W
Транзистор польовий TO-252-3 N-MOSFET Vds=60V, Id=25A, Rds=0,03hm, Pd=29W
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 6.36 EUR |
10+ | 5.57 EUR |
100+ | 4.27 EUR |
Транзистор IPP040N06N3GXKSA1 |
Hersteller: Infineon
Транзистор польовий OptiMOS N-HEXFET TO220AB Udss=60В; Id=90A; Pdmax=188W; Rds=0,0037 Ohm; Ugs=+-20В; -55C...+175C
Транзистор польовий OptiMOS N-HEXFET TO220AB Udss=60В; Id=90A; Pdmax=188W; Rds=0,0037 Ohm; Ugs=+-20В; -55C...+175C
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 6.88 EUR |
10+ | 6.19 EUR |
100+ | 5.5 EUR |
Транзистор IRF2807STRLPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 4.82 EUR |
10+ | 4.47 EUR |
100+ | 4.13 EUR |
Транзистор IRF3205PBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 8.6 EUR |
10+ | 5.37 EUR |
100+ | 4.68 EUR |
Транзистор IRF3205STRLPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 8.19 EUR |
10+ | 7.57 EUR |
100+ | 6.81 EUR |
Транзистор IRF4905PBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=150W; Rds=0,02 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=150W; Rds=0,02 Ohm
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 6.88 EUR |
10+ | 6.71 EUR |
100+ | 6.36 EUR |
Транзистор IRF4905STRLPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=3,8W; Rds=0,02 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=3,8W; Rds=0,02 Ohm
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 7.33 EUR |
10+ | 6.47 EUR |
100+ | 5.88 EUR |
Транзистор IRF5210STRLPBF |
Hersteller: Infineon
MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3
MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 13.76 EUR |
10+ | 12.04 EUR |
100+ | 10.32 EUR |
Транзистор IRF5305SPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 3.27 EUR |
10+ | 2.86 EUR |
100+ | 2.58 EUR |
Транзистор IRF5305STRLPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 5.16 EUR |
10+ | 4.82 EUR |
100+ | 4.47 EUR |
Транзистор IRF540NPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 2.89 EUR |
10+ | 2.55 EUR |
100+ | 2.3 EUR |
Транзистор IRF9540NPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-23A; Pdmax=140W;
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-23A; Pdmax=140W;
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 6.88 EUR |
Транзистор IRF9540NSTRLPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2Pak Udss=-100V; Id=-23A; Pdmax=110W;
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2Pak Udss=-100V; Id=-23A; Pdmax=110W;
auf Bestellung 733 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 9.63 EUR |
10+ | 7.57 EUR |
100+ | 6.88 EUR |
Транзистор IRFB23N20DPBF |
Hersteller: Infineon
Транзистор N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 170W; TO220AB; HEXFET®
Транзистор N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 170W; TO220AB; HEXFET®
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.19 EUR |
10+ | 5.85 EUR |
Транзистор IRFB260NPBF |
Hersteller: Infineon
N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 200V; 56A; 380W; TO220AB
N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 200V; 56A; 380W; TO220AB
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.57 EUR |
10+ | 6.88 EUR |
100+ | 6.19 EUR |
Транзистор IRFB4019PBF |
Hersteller: Infineon
Транзистор N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB; HEXFET®
Транзистор N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB; HEXFET®
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 4.99 EUR |
10+ | 4.68 EUR |
Транзистор IRFP260NPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=200V; Id=49A; Pdmax=300W; Rds=0,04 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=200V; Id=49A; Pdmax=300W; Rds=0,04 Ohm
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 7.57 EUR |
10+ | 6.88 EUR |
100+ | 6.19 EUR |
Транзистор IRFP9240PBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ TO247-3 P-канальный MOSFET Vdss=200V, Id=12A, Pdmax=150W
Транз. Пол. БМ TO247-3 P-канальный MOSFET Vdss=200V, Id=12A, Pdmax=150W
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 6.19 EUR |
10+ | 5.68 EUR |
100+ | 5.16 EUR |
Транзистор IRFR024NTRPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D-PAK Udss=55V; Id=17A; Pdmax=45W; Rds=0,075 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D-PAK Udss=55V; Id=17A; Pdmax=45W; Rds=0,075 Ohm
auf Bestellung 1614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.44 EUR |
10+ | 2.92 EUR |
100+ | 2.27 EUR |
Транзистор IRFR3411PBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=32 A; Pdmax=130 W; Rds=0,044 Ohm
Транз. Пол. БМ N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=32 A; Pdmax=130 W; Rds=0,044 Ohm
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 9.98 EUR |
10+ | 9.12 EUR |
100+ | 8.26 EUR |
Транзистор IRFR3412PBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=48 A; Pdmax=140 W; Rds=0,025 Ohm
Транз. Пол. БМ N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=48 A; Pdmax=140 W; Rds=0,025 Ohm
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.5 EUR |
10+ | 4.82 EUR |
100+ | 3.68 EUR |
Транзистор IRFR3806TRPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO-252-3 (DPAK) Udss=60V; Id=43 A; Pdmax=71 W; Rds=0,0126 Ohm
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO-252-3 (DPAK) Udss=60V; Id=43 A; Pdmax=71 W; Rds=0,0126 Ohm
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.16 EUR |
10+ | 4.47 EUR |
100+ | 3.78 EUR |
Транзистор IRFR3910TRPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=16 A; Pdmax=79 W; Rds=0,115 Ohm
Транз. Пол. БМ N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=16 A; Pdmax=79 W; Rds=0,115 Ohm
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.16 EUR |
10+ | 4.64 EUR |
100+ | 4.3 EUR |
Транзистор IRFR5305TRPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-55V; Id=31A; Pdmax=110W; Rds=0,065Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-55V; Id=31A; Pdmax=110W; Rds=0,065Ohm
auf Bestellung 1205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.3 EUR |
10+ | 3.44 EUR |
100+ | 2.75 EUR |
Транзистор IRFR5410TRPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-100V; Id=-13A; Pdmax=66W; Rds=0,205 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-100V; Id=-13A; Pdmax=66W; Rds=0,205 Ohm
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.88 EUR |
10+ | 6.19 EUR |
100+ | 4.3 EUR |
Транзистор IRFS4410ZTRLPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=100V; Id=97 A; Pdmax=230 W; Rds=0,009 Ohm
Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=100V; Id=97 A; Pdmax=230 W; Rds=0,009 Ohm
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.32 EUR |
Транзистор IRFU5505PBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ P-MOSFET IPAK (TO-251AA) Udss=-55V; Id=-18A; Pdmax=57W; Rds=0,11 Ohm
Транз. Пол. БМ P-MOSFET IPAK (TO-251AA) Udss=-55V; Id=-18A; Pdmax=57W; Rds=0,11 Ohm
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.16 EUR |
Транзистор IRL3705NSTRLPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,018 Ohm, Logic Level
Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,018 Ohm, Logic Level
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 11.01 EUR |
Транзистор IRL540NPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=100V; Id=36A; Pdmax=140W; Rds=0,044 Ohm Logic Level Gate
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=100V; Id=36A; Pdmax=140W; Rds=0,044 Ohm Logic Level Gate
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.19 EUR |
Транзистор IRLR2705TRPBF |
Hersteller: Infineon
Транзистор DPAK MOSFET N-канал, 55В, 28A
Транзистор DPAK MOSFET N-канал, 55В, 28A
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.82 EUR |
10+ | 4.13 EUR |
Транзистор IRLR2908TRLPBF |
Hersteller: Infineon
Транзистор TO-252-3 MOSFET N-канал, 80В, 39A
Транзистор TO-252-3 MOSFET N-канал, 80В, 39A
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 12.38 EUR |
10+ | 11.35 EUR |
Транзистор IRLR3114ZTRPBF |
Hersteller: Infineon
Транзистор МОП TO-252AA (DPAK) 40V 1 N-CH HEXFET 4,9mOhms 42А; 140W (Tc)
Транзистор МОП TO-252AA (DPAK) 40V 1 N-CH HEXFET 4,9mOhms 42А; 140W (Tc)
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.16 EUR |
10+ | 4.47 EUR |
Транзистор IRLR3636TRPBF |
Hersteller: Infineon
Транзистор польовий DPAK-3 (TO-252-3) N-MOSFET Vds=60V, Ig=99A, Rdson=6,8 mOhm, Pd= 143W
Транзистор польовий DPAK-3 (TO-252-3) N-MOSFET Vds=60V, Ig=99A, Rdson=6,8 mOhm, Pd= 143W
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.48 EUR |
Транзистор PTFA080551E |
Hersteller: Infineon
Транз. RF Mosfet 28 V 600 mA 960MHz 18.5dB 55W H-36265-2
Транз. RF Mosfet 28 V 600 mA 960MHz 18.5dB 55W H-36265-2
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 295.84 EUR |
Транзистор BF1005E6327 |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ RF (up to 1 GHz) N-MOSFET SOT143 Udss=8V; Id=0,025A; Pdmax=0,2W; двухзатворный, Gp=19 dB
Транз. Пол. ММ RF (up to 1 GHz) N-MOSFET SOT143 Udss=8V; Id=0,025A; Pdmax=0,2W; двухзатворный, Gp=19 dB
auf Bestellung 2081 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.83 EUR |
10+ | 0.76 EUR |
100+ | 0.69 EUR |
Транзистор BF998E6327 |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ N-MOSFET SOT143 Udss=12V; Id=0,03A; Pdmax=0,2W; Yfsmin=24mS; двухзатворный Idss=(2…18)mA
Транз. Пол. ММ N-MOSFET SOT143 Udss=12V; Id=0,03A; Pdmax=0,2W; Yfsmin=24mS; двухзатворный Idss=(2…18)mA
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.69 EUR |
10+ | 0.62 EUR |
100+ | 0.55 EUR |
Транзистор BSP318SH6327 |
Hersteller: Infineon
MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V
MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.1 EUR |
10+ | 1.03 EUR |
100+ | 0.89 EUR |
Транзистор BSP613PH6327 |
Hersteller: Infineon
SOT-223 MOSFET Transistor, P Channel, -2.9 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V
SOT-223 MOSFET Transistor, P Channel, -2.9 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.44 EUR |
10+ | 2.99 EUR |
100+ | 2.24 EUR |
Транзистор BSS138NH6327 |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ N-MOSFET SOT23 Udss=60V; Id=0,23A; Pdmax=0,36W; RdsOn=3,5 Ohm@230mA, 10V
Транз. Пол. ММ N-MOSFET SOT23 Udss=60V; Id=0,23A; Pdmax=0,36W; RdsOn=3,5 Ohm@230mA, 10V
auf Bestellung 4762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.21 EUR |
10+ | 0.17 EUR |
100+ | 0.14 EUR |
Транзистор BSS84PH6327XTSA2 |
Hersteller: Infineon
Транзистор польовий P Channel, 60 V, 170 mA, 8 Ohm, SOT-23, Surface Mount
Транзистор польовий P Channel, 60 V, 170 mA, 8 Ohm, SOT-23, Surface Mount
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.1 EUR |
Транзистор IRF7105TRPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(25; -25)V; Id=(3,5; -2,3)A; Pdmax=2W; Rds=(0,1; 0,25) Ohm
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(25; -25)V; Id=(3,5; -2,3)A; Pdmax=2W; Rds=(0,1; 0,25) Ohm
auf Bestellung 3663 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.75 EUR |
10+ | 2.41 EUR |
100+ | 2.24 EUR |
Транзистор IRF7316PBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,058 Ohm
Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,058 Ohm
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.79 EUR |
10+ | 1.55 EUR |
100+ | 1.38 EUR |
Транзистор IRF7319PBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ 1N-1P-MOSFET SO8 Udss=+-30V; Id=6,5A; Id=-5,2A Pdmax=2,0W; Rds=0,029 Ohm
Транз. Пол. ММ 1N-1P-MOSFET SO8 Udss=+-30V; Id=6,5A; Id=-5,2A Pdmax=2,0W; Rds=0,029 Ohm
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.41 EUR |
10+ | 2.17 EUR |
100+ | 2 EUR |
Транзистор IRF7341PBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ 2 N-Channel (Dual) MOSFET SOIC8 Udss=55V; Id=4,7A; Pdmax=2W; Rds=50 mOhm @ 4.7A, 10V
Транз. Пол. ММ 2 N-Channel (Dual) MOSFET SOIC8 Udss=55V; Id=4,7A; Pdmax=2W; Rds=50 mOhm @ 4.7A, 10V
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.88 EUR |
10+ | 6.19 EUR |
100+ | 5.5 EUR |
Транзистор IRF7342TRPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm
Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm
auf Bestellung 2664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.44 EUR |
10+ | 3.1 EUR |
100+ | 2.75 EUR |
Транзистор IRF7343TRPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(55; -55)V; Id=(+4,7; -3,4)A; Pdmax=2W; Rds=(0,05; 0,105) Ohm
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(55; -55)V; Id=(+4,7; -3,4)A; Pdmax=2W; Rds=(0,05; 0,105) Ohm
auf Bestellung 3451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.06 EUR |
10+ | 1.72 EUR |
100+ | 1.58 EUR |
Транзистор IRF7350PBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET SO8 Udss=100V; Id=(2.1; 1.5)A; Pdmax=2W; Rds=0,21 Ohm
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET SO8 Udss=100V; Id=(2.1; 1.5)A; Pdmax=2W; Rds=0,21 Ohm
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.88 EUR |
10+ | 6.36 EUR |
100+ | 5.85 EUR |
Транзистор IRF7503TRPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik MICRO8
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik MICRO8
auf Bestellung 3406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.13 EUR |
10+ | 1.89 EUR |
100+ | 1.86 EUR |
Транзистор IRF7855TRPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=60V Id=12A P=2.5W Rds=0,0074 Ohm
Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=60V Id=12A P=2.5W Rds=0,0074 Ohm
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.32 EUR |
10+ | 8.6 EUR |
100+ | 7.74 EUR |
Транзистор IRF8714TRPBF |
Hersteller: Infineon
SO-8 30V 14A 8.7mOhm 8.1nC Qg Single N-Channel HEXFET Power MOSFET
SO-8 30V 14A 8.7mOhm 8.1nC Qg Single N-Channel HEXFET Power MOSFET
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.19 EUR |
Транзистор IRFHM8330TRPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ N-MOSFET PQFN-8 SO8 Udss=30V; Id=16A; Pdmax=2,7W; Rds=0,0077 Ohm
Транз. Пол. ММ N-MOSFET PQFN-8 SO8 Udss=30V; Id=16A; Pdmax=2,7W; Rds=0,0077 Ohm
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.3 EUR |
10+ | 2.03 EUR |
100+ | 1.86 EUR |
Транзистор IRFL9110TRPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT223 Udss=-100V; Id=-1,1A; Pdmax=2W; Rds=1,2 Ohm
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT223 Udss=-100V; Id=-1,1A; Pdmax=2W; Rds=1,2 Ohm
auf Bestellung 2133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.72 EUR |
10+ | 1.51 EUR |
100+ | 1.38 EUR |
Транзистор IRLL024NTRPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl SOT-223-4
Транз. Пол. ММ MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl SOT-223-4
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.5 EUR |
Транзистор IRLL2705PBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT223 Udss=55V; Id=3,8A; Pdmax=2,1W; Rds=0,04 Ohm
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT223 Udss=55V; Id=3,8A; Pdmax=2,1W; Rds=0,04 Ohm
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 13.76 EUR |
Транзистор IRLML0100TRPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=100V; Id=1,6A; Rds=0,22 Ohm
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=100V; Id=1,6A; Rds=0,22 Ohm
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.55 EUR |
10+ | 0.48 EUR |
100+ | 0.45 EUR |
Транзистор IRLML2402TRPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=1,2A; Pdmax=0,54W; Rds=0,25 Ohm
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=1,2A; Pdmax=0,54W; Rds=0,25 Ohm
auf Bestellung 4784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.58 EUR |
10+ | 0.52 EUR |
100+ | 0.48 EUR |
Транзистор IRLML2502TRPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=4,2A; Pdmax=1,25W; Rds=0,045 Ohm
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=4,2A; Pdmax=1,25W; Rds=0,045 Ohm
auf Bestellung 11505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.86 EUR |
10+ | 0.69 EUR |
100+ | 0.58 EUR |
Транзистор IRLML2803TRPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ N-HEXFET Micro3TM Udss=30V; Id=1,2A; Pdmax=0,54W; Rds=0,25 Ohm
Транз. Пол. ММ N-HEXFET Micro3TM Udss=30V; Id=1,2A; Pdmax=0,54W; Rds=0,25 Ohm
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.55 EUR |
10+ | 0.48 EUR |
100+ | 0.45 EUR |