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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
6EDL04N02PRXUMA1 6EDL04N02PRXUMA1 INFINEON INFN-S-A0002785736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 6EDL04N02PRXUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 375mA, 10V-17.5V Versorgungsspannung, 530ns/530ns Verzögerung, TSSOP-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: Advanced Smart Rectifier Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 530ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 3101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
250+2.98 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR3584MTRPBF IR3584MTRPBF INFINEON 2290962.pdf Description: INFINEON - IR3584MTRPBF - Power-Management, digital, 3.3V Versorgung, zwei Ausgänge, 5 Phasen, 194kHz-2MHz-PWM-Eingang, QFN-40
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: Digitaler Mehrphasen-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - digitaler IC: QFN
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 3.3V
Eingangskapazität: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Ausgangskapazität: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
PWM-Eingangsfrequenz: 2MHz
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.58 EUR
250+6.45 EUR
500+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR35215MTRPBF IR35215MTRPBF INFINEON Infineon-IR35215MTRPBF-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d175c99a8448b Description: INFINEON - IR35215MTRPBF - DIG. MEHRPHASEN-CONTROLLER -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Digitaler Mehrphasen-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 3.3V
Eingangskapazität: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangskapazität: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
PWM-Eingangsfrequenz: 2MHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.4 EUR
23+10.28 EUR
25+8.78 EUR
50+8.08 EUR
100+7.37 EUR
250+7.02 EUR
500+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 INFINEON INFNS16146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.45 EUR
50+4.71 EUR
250+3.37 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 INFINEON 3959527.pdf Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.62 EUR
57+4.13 EUR
250+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 INFINEON INFNS27232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC090N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 48 A, 7500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.83 EUR
304+0.76 EUR
378+0.57 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLP IRFS38N20DTRLP INFINEON INFN-S-A0002297198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.22 EUR
43+5.5 EUR
100+3.8 EUR
500+3 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 INFINEON BSC0901NS_Rev+1.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc8040080376 Description: INFINEON - BSC0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.12 EUR
207+1.13 EUR
253+0.84 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 INFINEON INFNS18210-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 4832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.65 EUR
107+2.18 EUR
160+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE42062GXUMA2 TLE42062GXUMA2 INFINEON Infineon-TLE4206-2G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8a3f58793f40 Description: INFINEON - TLE42062GXUMA2 - Motortreiber, DC-Servo, 8V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-14, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 800mA
Motortyp: DC-Servomotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Ausgangsspannung: 18V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
auf Bestellung 2453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.9 EUR
87+2.69 EUR
96+2.25 EUR
106+2.02 EUR
250+1.89 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE5012BE9000XUMA1 TLE5012BE9000XUMA1 INFINEON INFNS30105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE5012BE9000XUMA1 - GMR-Sensor, magnetoresistiv (Giant Magneto Resistance), PG-DSO-8, 3V bis 5.5V, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Magnetfeld, max.: 0.05T
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: PG-DSO
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: PG-DSO
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Magnetfeld, min.: 0.03T
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.38 EUR
33+7.18 EUR
35+6.24 EUR
50+5.91 EUR
100+5.57 EUR
250+5.33 EUR
500+5.08 EUR
1000+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2052MTRPBF IRS2052MTRPBF INFINEON IRSDS11522-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2052MTRPBF - Audioleistungsverstärker, D, 2 Kanäle, 10V bis 15V, MLPQ, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Ausgang: 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: MLPQ
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Bauform - Verstärker: MLPQ
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: -
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: -
Verstärkerklasse: D
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Ausgangsleistung: 6W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Audioverstärker: D
auf Bestellung 2611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+9.08 EUR
250+8.65 EUR
500+8.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYBLE-214015-01 CYBLE-214015-01 INFINEON INFN-S-A0018545200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CYBLE-214015-01 - BLUETOOTH-MODUL, V4.2, 1MBPS, 1.71-5.5V
tariffCode: 85176200
Empfangsempfindlichkeit: -87dBm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 4.2
Bluetooth-Klasse: -
usEccn: 3A991.a.2
Signalbereich, max.: 50m
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: EZ-BLE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.32 EUR
50+22.11 EUR
100+20.46 EUR
250+19.3 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD096N08N3GATMA1 IPD096N08N3GATMA1 INFINEON INFNS30233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 9600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD096N08N3GATMA1 IPD096N08N3GATMA1 INFINEON INFNS30233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 9600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 INFINEON 2920456.pdf Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm
auf Bestellung 4469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.25 EUR
143+1.63 EUR
250+1.33 EUR
1000+1 EUR
3000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 INFINEON 2920456.pdf Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm
auf Bestellung 4570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.4 EUR
112+2.08 EUR
250+1.42 EUR
1000+1.07 EUR
3000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 IPZ40N04S5L7R4ATMA1 INFINEON 2577583.pdf Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
auf Bestellung 3877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.3 EUR
131+1.78 EUR
194+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 IPZ40N04S5L7R4ATMA1 INFINEON 2577583.pdf Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
auf Bestellung 3877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.3 EUR
131+1.78 EUR
194+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S4L04ATMA1 IPD90N04S4L04ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N04S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291cab92685eaa&ack=t Description: INFINEON - IPD90N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
auf Bestellung 20046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+2.73 EUR
148+1.58 EUR
166+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S4L04ATMA1 IPD90N04S4L04ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N04S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291cab92685eaa&ack=t Description: INFINEON - IPD90N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
auf Bestellung 20046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.73 EUR
148+1.58 EUR
166+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA1 IGOT60R070D1AUMA1 INFINEON INFN-S-A0006767332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+38.58 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R340D1XUMA1 IGLR60R340D1XUMA1 INFINEON 3974487.pdf Description: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
auf Bestellung 2931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.08 EUR
500+4.15 EUR
1000+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R190D1XUMA1 IGLR60R190D1XUMA1 INFINEON 3974485.pdf Description: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 4934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.28 EUR
500+6.64 EUR
1000+6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R340D1XUMA1 IGLR60R340D1XUMA1 INFINEON 3974487.pdf Description: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
auf Bestellung 2931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.4 EUR
31+7.68 EUR
100+5.08 EUR
500+4.15 EUR
1000+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R260D1XUMA1 IGLR60R260D1XUMA1 INFINEON 3974486.pdf Description: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 4956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.87 EUR
500+5.3 EUR
1000+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R260D1XUMA1 IGLR60R260D1XUMA1 INFINEON 3974486.pdf Description: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 4956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.47 EUR
30+7.91 EUR
100+5.87 EUR
500+5.3 EUR
1000+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R190D1XUMA1 IGLR60R190D1XUMA1 INFINEON 3974485.pdf Description: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 4934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.67 EUR
24+9.91 EUR
100+7.28 EUR
500+6.64 EUR
1000+6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA1 IGOT60R070D1AUMA1 INFINEON INFN-S-A0006767332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821TRPBFXTMA1 IRF7821TRPBFXTMA1 INFINEON 3980135.pdf Description: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.49 EUR
124+1.88 EUR
159+1.34 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821TRPBFXTMA1 IRF7821TRPBFXTMA1 INFINEON 3980135.pdf Description: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.49 EUR
124+1.88 EUR
159+1.34 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA06N60TXKSA1 IKA06N60TXKSA1 INFINEON INFN-S-A0002220186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKA06N60TXKSA1 - IGBT, 10 A, 1.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.15 EUR
82+2.83 EUR
100+2.33 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP15R06W1E3BOMA1 FP15R06W1E3BOMA1 INFINEON INFNS28451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FP15R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 22 A, 1.55 V, 81 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 81W
Verlustleistung: 81W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 22A
Produktpalette: EasyPIM 1B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 22A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+68.65 EUR
5+54.32 EUR
10+41.45 EUR
50+40.61 EUR
100+39.79 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 INFINEON 2576642.pdf Description: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.43 EUR
52+4.47 EUR
100+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 INFINEON 2576642.pdf Description: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8721TRPBFXTMA1 IRF8721TRPBFXTMA1 INFINEON 3980137.pdf Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.31 EUR
167+1.39 EUR
249+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8721TRPBFXTMA1 IRF8721TRPBFXTMA1 INFINEON 3980137.pdf Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.31 EUR
167+1.39 EUR
249+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB30N65DF5ATMA1 AIKB30N65DF5ATMA1 INFINEON 3159546.pdf Description: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 188W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.19 EUR
500+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 INFINEON 1926778.pdf Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.64 EUR
123+1.75 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 INFINEON 1926778.pdf Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
88+2.64 EUR
123+1.75 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDD09SG60CXTMA2 IDD09SG60CXTMA2 INFINEON INFNS19738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDD09SG60CXTMA2 IDD09SG60CXTMA2 INFINEON INFNS19738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP740H6327XTSA1 BFP740H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690864-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP740H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 44 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 44GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP740FESDH6327XTSA1 BFP740FESDH6327XTSA1 INFINEON 1932478.pdf Description: INFINEON - BFP740FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 160mW
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.2V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 47GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL40T209ATMA1 IRL40T209ATMA1 INFINEON INFN-S-A0008597390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL40T209ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
auf Bestellung 5026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.65 EUR
58+4.03 EUR
100+3.02 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL40T209ATMA1 IRL40T209ATMA1 INFINEON INFN-S-A0008597390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL40T209ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
auf Bestellung 5026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.36 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XDPE152C4D0000XUMA1 XDPE152C4D0000XUMA1 INFINEON 3919294.pdf Description: INFINEON - XDPE152C4D0000XUMA1 - PWM-Controller, 12Vin, 3.04Vout, 1MHz, VQFN-48
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: -
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: -
Tastverhältnis, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.57 EUR
21+11.14 EUR
25+9.51 EUR
50+9.08 EUR
100+8.65 EUR
250+8.25 EUR
500+8.01 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDF7235KXUMA1 2EDF7235KXUMA1 INFINEON INFN-S-A0008993695-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2EDF7235KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, GaN HEMT, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.62 EUR
51+4.62 EUR
55+3.9 EUR
60+3.58 EUR
100+3.24 EUR
250+3.06 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IST026N10NM5AUMA1 IST026N10NM5AUMA1 INFINEON 3974501.pdf Description: INFINEON - IST026N10NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 2600 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 1424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.2 EUR
38+6.26 EUR
100+4.9 EUR
500+4.18 EUR
1000+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IST026N10NM5AUMA1 IST026N10NM5AUMA1 INFINEON 3974501.pdf Description: INFINEON - IST026N10NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 2600 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 1424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.9 EUR
500+4.18 EUR
1000+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P221AKMA1 IRF150P221AKMA1 INFINEON 3204915.pdf Description: INFINEON - IRF150P221AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 186 A, 3600 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 186A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.79 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5ATMA1 IQE006NE2LM5ATMA1 INFINEON Infineon-IQE006NE2LM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8b08cb821aa4 Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
auf Bestellung 6513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.07 EUR
59+3.96 EUR
100+2.73 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926 Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0046 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.18 EUR
103+2.09 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5ATMA1 IQE006NE2LM5ATMA1 INFINEON Infineon-IQE006NE2LM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8b08cb821aa4 Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
auf Bestellung 6513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.73 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB033N10N5LFATMA1 IPB033N10N5LFATMA1 INFINEON 3982294.pdf Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 1592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.09 EUR
34+7.03 EUR
50+6.4 EUR
200+5.84 EUR
500+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 INFINEON INFNS30034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.76 EUR
200+6.06 EUR
500+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N65ET7XKSA1 IKW75N65ET7XKSA1 INFINEON 3204747.pdf Description: INFINEON - IKW75N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKWH40N65WR6XKSA1 IKWH40N65WR6XKSA1 INFINEON 3437289.pdf Description: INFINEON - IKWH40N65WR6XKSA1 - IGBT, 75 A, 1.55 V, 175 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 175W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.61 EUR
39+6.03 EUR
100+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKWH75N65EH7XKSA1 IKWH75N65EH7XKSA1 INFINEON 3983223.pdf Description: INFINEON - IKWH75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 341 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.42 EUR
27+8.72 EUR
100+6.75 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKWH50N65EH7XKSA1 IKWH50N65EH7XKSA1 INFINEON 3983222.pdf Description: INFINEON - IKWH50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 249 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
Verlustleistung: 249W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.07 EUR
32+7.45 EUR
100+5.7 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6EDL04N02PRXUMA1 INFN-S-A0002785736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
6EDL04N02PRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 6EDL04N02PRXUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 375mA, 10V-17.5V Versorgungsspannung, 530ns/530ns Verzögerung, TSSOP-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: Advanced Smart Rectifier Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 530ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 3101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3 EUR
250+2.98 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR3584MTRPBF 2290962.pdf
IR3584MTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR3584MTRPBF - Power-Management, digital, 3.3V Versorgung, zwei Ausgänge, 5 Phasen, 194kHz-2MHz-PWM-Eingang, QFN-40
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: Digitaler Mehrphasen-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - digitaler IC: QFN
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 3.3V
Eingangskapazität: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Ausgangskapazität: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
PWM-Eingangsfrequenz: 2MHz
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+6.58 EUR
250+6.45 EUR
500+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR35215MTRPBF Infineon-IR35215MTRPBF-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d175c99a8448b
IR35215MTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR35215MTRPBF - DIG. MEHRPHASEN-CONTROLLER -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Digitaler Mehrphasen-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 3.3V
Eingangskapazität: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangskapazität: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
PWM-Eingangsfrequenz: 2MHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.4 EUR
23+10.28 EUR
25+8.78 EUR
50+8.08 EUR
100+7.37 EUR
250+7.02 EUR
500+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1 INFNS16146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC028N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.45 EUR
50+4.71 EUR
250+3.37 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC060N10NS3GATMA1 3959527.pdf
BSC060N10NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.62 EUR
57+4.13 EUR
250+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC090N03LSGATMA1 INFNS27232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC090N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC090N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 48 A, 7500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
300+0.83 EUR
304+0.76 EUR
378+0.57 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLP INFN-S-A0002297198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS38N20DTRLP
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+9.22 EUR
43+5.5 EUR
100+3.8 EUR
500+3 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0901NSATMA1 BSC0901NS_Rev+1.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc8040080376
BSC0901NSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.12 EUR
207+1.13 EUR
253+0.84 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0901NSIATMA1 INFNS18210-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0901NSIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 4832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.65 EUR
107+2.18 EUR
160+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE42062GXUMA2 Infineon-TLE4206-2G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8a3f58793f40
TLE42062GXUMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE42062GXUMA2 - Motortreiber, DC-Servo, 8V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-14, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 800mA
Motortyp: DC-Servomotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Ausgangsspannung: 18V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
auf Bestellung 2453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+3.9 EUR
87+2.69 EUR
96+2.25 EUR
106+2.02 EUR
250+1.89 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE5012BE9000XUMA1 INFNS30105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE5012BE9000XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5012BE9000XUMA1 - GMR-Sensor, magnetoresistiv (Giant Magneto Resistance), PG-DSO-8, 3V bis 5.5V, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Magnetfeld, max.: 0.05T
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: PG-DSO
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: PG-DSO
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Magnetfeld, min.: 0.03T
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+9.38 EUR
33+7.18 EUR
35+6.24 EUR
50+5.91 EUR
100+5.57 EUR
250+5.33 EUR
500+5.08 EUR
1000+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2052MTRPBF IRSDS11522-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2052MTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2052MTRPBF - Audioleistungsverstärker, D, 2 Kanäle, 10V bis 15V, MLPQ, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Ausgang: 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: MLPQ
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Bauform - Verstärker: MLPQ
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: -
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: -
Verstärkerklasse: D
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Ausgangsleistung: 6W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Audioverstärker: D
auf Bestellung 2611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+9.08 EUR
250+8.65 EUR
500+8.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYBLE-214015-01 INFN-S-A0018545200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CYBLE-214015-01
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-214015-01 - BLUETOOTH-MODUL, V4.2, 1MBPS, 1.71-5.5V
tariffCode: 85176200
Empfangsempfindlichkeit: -87dBm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 4.2
Bluetooth-Klasse: -
usEccn: 3A991.a.2
Signalbereich, max.: 50m
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: EZ-BLE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+23.32 EUR
50+22.11 EUR
100+20.46 EUR
250+19.3 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD096N08N3GATMA1 INFNS30233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD096N08N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 9600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD096N08N3GATMA1 INFNS30233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD096N08N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 9600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IAUC60N04S6L039ATMA1 2920456.pdf
IAUC60N04S6L039ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm
auf Bestellung 4469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+3.25 EUR
143+1.63 EUR
250+1.33 EUR
1000+1 EUR
3000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC60N04S6L039ATMA1 2920456.pdf
IAUC60N04S6L039ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm
auf Bestellung 4570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.4 EUR
112+2.08 EUR
250+1.42 EUR
1000+1.07 EUR
3000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 2577583.pdf
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
auf Bestellung 3877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+3.3 EUR
131+1.78 EUR
194+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 2577583.pdf
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
auf Bestellung 3877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.3 EUR
131+1.78 EUR
194+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S4L04ATMA1 Infineon-IPD90N04S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291cab92685eaa&ack=t
IPD90N04S4L04ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
auf Bestellung 20046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
92+2.73 EUR
148+1.58 EUR
166+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N04S4L04ATMA1 Infineon-IPD90N04S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291cab92685eaa&ack=t
IPD90N04S4L04ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
auf Bestellung 20046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.73 EUR
148+1.58 EUR
166+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA1 INFN-S-A0006767332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGOT60R070D1AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+38.58 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R340D1XUMA1 3974487.pdf
IGLR60R340D1XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
auf Bestellung 2931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.08 EUR
500+4.15 EUR
1000+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R190D1XUMA1 3974485.pdf
IGLR60R190D1XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 4934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+7.28 EUR
500+6.64 EUR
1000+6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R340D1XUMA1 3974487.pdf
IGLR60R340D1XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
auf Bestellung 2931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+12.4 EUR
31+7.68 EUR
100+5.08 EUR
500+4.15 EUR
1000+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R260D1XUMA1 3974486.pdf
IGLR60R260D1XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 4956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.87 EUR
500+5.3 EUR
1000+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R260D1XUMA1 3974486.pdf
IGLR60R260D1XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 4956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+11.47 EUR
30+7.91 EUR
100+5.87 EUR
500+5.3 EUR
1000+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R190D1XUMA1 3974485.pdf
IGLR60R190D1XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 4934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.67 EUR
24+9.91 EUR
100+7.28 EUR
500+6.64 EUR
1000+6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGOT60R070D1AUMA1 INFN-S-A0006767332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGOT60R070D1AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821TRPBFXTMA1 3980135.pdf
IRF7821TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
101+2.49 EUR
124+1.88 EUR
159+1.34 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821TRPBFXTMA1 3980135.pdf
IRF7821TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
101+2.49 EUR
124+1.88 EUR
159+1.34 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA06N60TXKSA1 INFN-S-A0002220186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKA06N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKA06N60TXKSA1 - IGBT, 10 A, 1.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.15 EUR
82+2.83 EUR
100+2.33 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP15R06W1E3BOMA1 INFNS28451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FP15R06W1E3BOMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FP15R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 22 A, 1.55 V, 81 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 81W
Verlustleistung: 81W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 22A
Produktpalette: EasyPIM 1B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 22A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+68.65 EUR
5+54.32 EUR
10+41.45 EUR
50+40.61 EUR
100+39.79 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180P7ATMA1 2576642.pdf
IPB60R180P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+7.43 EUR
52+4.47 EUR
100+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180P7ATMA1 2576642.pdf
IPB60R180P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8721TRPBFXTMA1 3980137.pdf
IRF8721TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
108+2.31 EUR
167+1.39 EUR
249+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8721TRPBFXTMA1 3980137.pdf
IRF8721TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
108+2.31 EUR
167+1.39 EUR
249+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB30N65DF5ATMA1 3159546.pdf
AIKB30N65DF5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 188W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.19 EUR
500+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDD03SG60CXTMA2 1926778.pdf
IDD03SG60CXTMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.64 EUR
123+1.75 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDD03SG60CXTMA2 1926778.pdf
IDD03SG60CXTMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+4.8 EUR
88+2.64 EUR
123+1.75 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDD09SG60CXTMA2 INFNS19738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDD09SG60CXTMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDD09SG60CXTMA2 INFNS19738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDD09SG60CXTMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP740H6327XTSA1 INFN-S-A0009690864-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP740H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP740H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 44 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 44GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP740FESDH6327XTSA1 1932478.pdf
BFP740FESDH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP740FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 160mW
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.2V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 47GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL40T209ATMA1 INFN-S-A0008597390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL40T209ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40T209ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
auf Bestellung 5026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+5.65 EUR
58+4.03 EUR
100+3.02 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL40T209ATMA1 INFN-S-A0008597390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL40T209ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40T209ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
auf Bestellung 5026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+2.36 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XDPE152C4D0000XUMA1 3919294.pdf
XDPE152C4D0000XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - XDPE152C4D0000XUMA1 - PWM-Controller, 12Vin, 3.04Vout, 1MHz, VQFN-48
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: -
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: -
Tastverhältnis, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.57 EUR
21+11.14 EUR
25+9.51 EUR
50+9.08 EUR
100+8.65 EUR
250+8.25 EUR
500+8.01 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDF7235KXUMA1 INFN-S-A0008993695-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2EDF7235KXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDF7235KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, GaN HEMT, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+6.62 EUR
51+4.62 EUR
55+3.9 EUR
60+3.58 EUR
100+3.24 EUR
250+3.06 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IST026N10NM5AUMA1 3974501.pdf
IST026N10NM5AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IST026N10NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 2600 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 1424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+11.2 EUR
38+6.26 EUR
100+4.9 EUR
500+4.18 EUR
1000+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IST026N10NM5AUMA1 3974501.pdf
IST026N10NM5AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IST026N10NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 2600 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 1424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.9 EUR
500+4.18 EUR
1000+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P221AKMA1 3204915.pdf
IRF150P221AKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF150P221AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 186 A, 3600 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 186A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.79 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5ATMA1 Infineon-IQE006NE2LM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8b08cb821aa4
IQE006NE2LM5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
auf Bestellung 6513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+6.07 EUR
59+3.96 EUR
100+2.73 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0910NDIATMA1 Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926
BSC0910NDIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0046 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.18 EUR
103+2.09 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5ATMA1 Infineon-IQE006NE2LM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8b08cb821aa4
IQE006NE2LM5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
auf Bestellung 6513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.73 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB033N10N5LFATMA1 3982294.pdf
IPB033N10N5LFATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 1592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.09 EUR
34+7.03 EUR
50+6.4 EUR
200+5.84 EUR
500+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5ATMA1 INFNS30034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB020N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+7.76 EUR
200+6.06 EUR
500+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N65ET7XKSA1 3204747.pdf
IKW75N65ET7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW75N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKWH40N65WR6XKSA1 3437289.pdf
IKWH40N65WR6XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKWH40N65WR6XKSA1 - IGBT, 75 A, 1.55 V, 175 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 175W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+11.61 EUR
39+6.03 EUR
100+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKWH75N65EH7XKSA1 3983223.pdf
IKWH75N65EH7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKWH75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 341 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.42 EUR
27+8.72 EUR
100+6.75 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKWH50N65EH7XKSA1 3983222.pdf
IKWH50N65EH7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKWH50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 249 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
Verlustleistung: 249W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.07 EUR
32+7.45 EUR
100+5.7 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH