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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
IMZ120R090M1HXKSA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMZ120R045M1XKSA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 228W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMZ120R350M1HXKSA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMZ120R220M1HXKSA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMZ120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 133 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IR35201MTRPBF	INFINEON	Description: INFINEON - IR35201MTRPBF - PWM-Controller, 2.9V-3.63V Versorgungsspannung, 194kHz-2MHz, 3V/20mAout, QFN-56 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schaltfrequenz, max.: 2MHz Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN Schaltfrequenz, min.: 194kHz MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: - Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.9V euEccn: NLR Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig) Topologie: Buck Anzahl der Pins: 56Pin(s) Produktpalette: - Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.63V Tastverhältnis, min.: - Betriebstemperatur, max.: 85°C Tastverhältnis, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 4569 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IR35201MTRPBF	INFINEON	Description: INFINEON - IR35201MTRPBF - PWM-Controller, 2.9V-3.63V Versorgungsspannung, 194kHz-2MHz, 3V/20mAout, QFN-56 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schaltfrequenz, max.: 2MHz Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN Schaltfrequenz, min.: 194kHz MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: - Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.9V euEccn: NLR Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig) Topologie: Buck Anzahl der Pins: 56Pin(s) Produktpalette: - Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.63V Tastverhältnis, min.: - Betriebstemperatur, max.: 85°C Tastverhältnis, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 4569 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG120R350M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 1536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG120R030M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG120R140M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 1017 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG120R350M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 1536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG120R140M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 1017 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG120R030M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R107M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R072M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R030M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pins Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R083M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 126W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 126W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 917 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R163M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 85W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R260M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R039M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 538 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R057M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 161W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 161W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R022M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG120R060M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 181W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 2637 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG120R045M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG120R045M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 227W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG120R090M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 2946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG120R090M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 2946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG120R060M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 181W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 181W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 2637 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R072M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R107M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 110W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R163M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 85W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R022M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R260M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R057M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 161W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 161W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R083M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 126W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 126W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 917 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R039M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 211W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 538 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMBG65R030M1HXTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 234W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)	auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
EVALSHNBV01DPS310TOBO1	INFINEON	Description: INFINEON - EVALSHNBV01DPS310TOBO1 - Evaluationsboard, DPS310/XMC1100, Luftdrucksensor tariffCode: 84733020 productTraceability: No rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS310/XMC1100 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Luftdrucksensor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
KITDPS3102GOTOBO1	INFINEON	Description: INFINEON - KITDPS3102GOTOBO1 - Evaluationskit, DPS310, Luftdrucksensor tariffCode: 85437090 productTraceability: No rohsCompliant: YES Leiterplatte: Evaluationsboard Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS310 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Luftdrucksensor hazardous: false Verwendeter IC / verwendetes Modul: DPS310 rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSP135H6433XTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	auf Bestellung 6533 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSP135H6433XTMA1	INFINEON	Description: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	auf Bestellung 6533 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BGA855N6E6327XTSA1	INFINEON	Description: INFINEON - BGA855N6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.164GHz bis 1.3GHz, 17.8dB Verstärkung, 0.6dB Rauschen, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Rauschmaß, typ.: 0.6dB Bauform - HF-IC: TSNP Verstärkung: 17.8dB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 1.164GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.1V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.3V Frequenz, max.: 1.3GHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BGA7L1BN6E6327XTSA1	INFINEON	Description: INFINEON - BGA7L1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 716MHz bis 960MHz, 13.6dB Verstärkung, 0.75dB Rauschen, 1.5V bis 3.6V, TSNP-6 tariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES Rauschmaß, typ.: 0.75dB Bauform - HF-IC: TSNP Verstärkung: 13.6dB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 716MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.5V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 960MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 22545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BGA7L1BN6E6327XTSA1	INFINEON	Description: INFINEON - BGA7L1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 716MHz bis 960MHz, 13.6dB Verstärkung, 0.75dB Rauschen, 1.5V bis 3.6V, TSNP-6 tariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES Rauschmaß, typ.: 0.75dB Bauform - HF-IC: TSNP Verstärkung: 13.6dB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 716MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.5V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 960MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 22545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BGA855N6E6327XTSA1	INFINEON	Description: INFINEON - BGA855N6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.164GHz bis 1.3GHz, 17.8dB Verstärkung, 0.6dB Rauschen, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Rauschmaß, typ.: 0.6dB Bauform - HF-IC: TSNP Verstärkung: 17.8dB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 1.164GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.1V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.3V Frequenz, max.: 1.3GHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BTS50101EKBXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - BTS50101EKBXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 50A/0.01 Ohm Ausgang, SOIC-14 tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.01ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 Strombegrenzung: 50A IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 13.5V Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: PROFET productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 38779 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BTS50101EKBXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - BTS50101EKBXUMA1 - Leistungsschalter, AEC-Q100, High-Side, 1 Ausgang, 13.5V, 50A/0.01 Ohm Ausgang, SOIC-14 tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.01ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 Strombegrenzung: 50A IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 13.5V Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: PROFET productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 38779 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2EDF7175FXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 16 Pin(s), NSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.5V Eingabeverzögerung: 37ns Ausgabeverzögerung: 37ns Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 9880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC0910NDIATMA1	INFINEON	Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 4255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CHL8510CRT	INFINEON	Description: INFINEON - CHL8510CRT - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgung, 3 A /4Aout, 20ns Verzögerung, DFN-10 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DFN Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Quellstrom: 3A Versorgungsspannung, min.: 10.8V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 13.2V Eingabeverzögerung: 16ns Ausgabeverzögerung: 17ns Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2EDF7275KXUMA1	INFINEON	Description: INFINEON - 2EDF7275KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 13 Pin(s), LGA tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: LGA Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 13Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.5V Eingabeverzögerung: 37ns Ausgabeverzögerung: 37ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPD40DP06NMATMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IPD40DP06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.328 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.328ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	auf Bestellung 3485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPL60R360P6SATMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.32 ohm, SMD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89.3W Bauform - Transistor: SMD Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 1728 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPL60R360P6SATMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.32 ohm, SMD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89.3W Bauform - Transistor: SMD Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 1728 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY8C5268LTI-LP030	INFINEON	Description: INFINEON - CY8C5268LTI-LP030 - PROGRAMMIERBARES SOC, 67MHZ, QFN-EP-68 tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M3 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 8Kanäle Programmspeichergröße: 256KB MPU-Familie: PSoC 5LP Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 67MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 5 RAM-Speichergröße: 64KB MCU-Baureihe: CY8C52xx CPU-Geschwindigkeit: 67MHz Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s) Anzahl der Pins: 68Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code MPU-Baureihe: CY8C52LP Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART, USB Bauform - MPU: QFN-EP Betriebstemperatur, max.: 85°C Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY8C5268AXI-LP047	INFINEON	Description: INFINEON - CY8C5268AXI-LP047 - PROGRAMMIERBARES SOC, 67MHZ, TQFP-100 tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M3 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 8Kanäle Programmspeichergröße: 256KB MPU-Familie: PSoC 5LP Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 67MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 5 RAM-Speichergröße: 64KB MCU-Baureihe: CY8C52xx CPU-Geschwindigkeit: 67MHz Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s) Anzahl der Pins: 100Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code MPU-Baureihe: CY8C52LP Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART, USB Bauform - MPU: TQFP Betriebstemperatur, max.: 85°C Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY8C5287AXI-LP095	INFINEON	Description: INFINEON - CY8C5287AXI-LP095 - ARM-MCU, PSOC 5LP, PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 80 MHz tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M3 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 8Kanäle Programmspeichergröße: 256KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 80MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 5 RAM-Speichergröße: 64KB MCU-Baureihe: CY8C52xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s) Anzahl der Pins: 100Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: USB Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 5385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY8C5267AXI-LP051	INFINEON	Description: INFINEON - CY8C5267AXI-LP051 - ARM-MCU, Baureihe PSoC 5, PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M3 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.3 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 8Kanäle Programmspeichergröße: 128KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 67MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 5 RAM-Speichergröße: 32KB MCU-Baureihe: CY8C52xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s) Anzahl der Pins: 100Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C52xx Series Microcontrollers productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 8095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY8C4246AZI-L433	INFINEON	Description: INFINEON - CY8C4246AZI-L433 - ARM-MCU, PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 16Kanäle Programmspeichergröße: 64KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 4 RAM-Speichergröße: 8KB MCU-Baureihe: CY8C42xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 1969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY8C5468AXI-LP106	INFINEON	Description: INFINEON - CY8C5468AXI-LP106 - PROGRAMMIERBARES SOC, 67MHZ, TQFP-100 tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M3 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C Programmspeichergröße: 256KB MPU-Familie: PSoC 5LP Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 67MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 5 RAM-Speichergröße: 64KB MCU-Baureihe: CY8C54xx CPU-Geschwindigkeit: 67MHz Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s) Anzahl der Pins: 100Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code MPU-Baureihe: CY8C54LP Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART, USB Bauform - MPU: TQFP Betriebstemperatur, max.: 85°C Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 277 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY8C4045AZI-S413	INFINEON	Description: INFINEON - CY8C4045AZI-S413 - ARM-MCU, PSoC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 32 KB tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 3A991.a.3 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 16Kanäle Programmspeichergröße: 32KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz euEccn: NLR RAM-Speichergröße: 4KB Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s) Anzahl der Pins: 48Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C	auf Bestellung 2078 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMZ120R090M1HXKSA1

Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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