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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SCT3080AW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 29A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 125W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLGC11ROHMDescription: ROHM - SCT3080KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 31A, 1.2kV, 0.08 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 165W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+51.07 EUR
6+45.58 EUR
10+40.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLGC11ROHM - JapanSiC-N-Ch 1200V 31A 165W 0,104T TO247 SCT3080KLGC11 : Rohm SCT3080KLGC11 TSCT3080klgc11
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+63.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
auf Bestellung 1125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.08 EUR
10+27.33 EUR
100+24.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.61 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.91 EUR
30+27.23 EUR
120+23.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLHRROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+42.58 EUR
10+38.71 EUR
25+36.03 EUR
50+33.43 EUR
100+31.15 EUR
250+29.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLHRC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.62 EUR
30+33.3 EUR
120+29.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT3080KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+52.68 EUR
6+44.39 EUR
10+36.79 EUR
50+36.78 EUR
100+36.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.04 EUR
10+34.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+36.37 EUR
6+30.17 EUR
10+27.8 EUR
50+24.47 EUR
100+22.65 EUR
200+21.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KRC14Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.12 EUR
30+21.22 EUR
120+18.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KRC14ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.26 EUR
10+21.3 EUR
100+20.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3080KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.01 EUR
10+24.43 EUR
11+21.07 EUR
50+19.66 EUR
100+18.23 EUR
250+17.67 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.95 EUR
10+20.47 EUR
100+17.33 EUR
450+14.43 EUR
900+14.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 80m 3rd Gen TO-247-4L
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.94 EUR
10+21.47 EUR
100+16.51 EUR
450+14.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.2KV 30A N-CH SIC
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.68 EUR
10+27.61 EUR
100+23.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 159W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.5 EUR
10+27.56 EUR
100+21.41 EUR
500+20.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 159W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT3080KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 159W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KW7TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 159W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.2 EUR
30+26.18 EUR
120+24.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+25.01 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120
Produktcode: 167630
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT30N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+42.4 EUR
10+36.65 EUR
50+34.19 EUR
100+31.7 EUR
250+29.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+25.01 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Case: HIP247™
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...25V
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Gate charge: 105nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC; SiCFET
Drain current: 34A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 12 Stücke:
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SCT30N120STMMOSFET N-CH 1200V 45A HIP247 Транзистори
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SCT30N120STMicroelectronicsSiC MOSFETs 1200V silicon carbide MOSFET
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SCT30N120D2STMicroelectronicsMOSFET PTD NEW MAT & PWR SOLUTION
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120D2STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120D2STMicroelectronicsSilicon carbide Power MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 980 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120HSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120HSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 42A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120HSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120HSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm
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1+47.79 EUR
10+39.13 EUR
100+34.58 EUR
1000+34.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KLGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KLGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Nch 1200V 24A SiC TO-247N
auf Bestellung 169 Stücke:
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1+32.84 EUR
10+27.77 EUR
100+25.03 EUR
450+22.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KLHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
auf Bestellung 1619 Stücke:
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1+37.76 EUR
10+29.99 EUR
100+28.75 EUR
450+28.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KLHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Power Dissipation (Max): 134W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Qualification: AEC-Q101
Packaging: Tube
Grade: Automotive
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.98 EUR
30+23.38 EUR
120+22.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KRC14Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
auf Bestellung 102 Stücke:
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1+38.75 EUR
30+24.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KRC14ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.28 EUR
10+26.12 EUR
480+26.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3105KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.19 EUR
11+21.11 EUR
13+17.37 EUR
50+15.98 EUR
100+12.94 EUR
250+12.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.57 EUR
10+15.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 105mohm 3rd Gen TO-247-4L
auf Bestellung 1047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.97 EUR
10+16.89 EUR
100+13.67 EUR
450+12.17 EUR
900+11.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KRHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3105KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.14 EUR
11+22.55 EUR
12+19.22 EUR
50+16.87 EUR
100+14.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.4 EUR
10+16.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 105mohm 3rd Gen TO-247-4L
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.71 EUR
10+16.9 EUR
100+12.78 EUR
450+12.54 EUR
900+11.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT3105KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+21.44 EUR
12+19.47 EUR
50+17.91 EUR
100+17.27 EUR
250+16.92 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Power Dissipation (Max): 125W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 105m 3rd Gen TO-263-7L
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.11 EUR
10+22.1 EUR
100+19.65 EUR
500+18.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.34 EUR
25+10.7 EUR
50+10.07 EUR
100+9.51 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 21A; Idm: 52A; 103W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 103W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.29 EUR
10+12.34 EUR
100+10.58 EUR
450+9.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.92 EUR
25+10.88 EUR
30+10.35 EUR
50+9.95 EUR
100+9.4 EUR
250+9.16 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.81 EUR
30+8.26 EUR
120+7.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.02 EUR
30+8.88 EUR
120+8.75 EUR
510+8.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.34 EUR
25+10.7 EUR
50+10.07 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALGC11ROHMDescription: ROHM - SCT3120ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 21A, 650V, 0.12 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 103W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.87 EUR
13+19.28 EUR
16+13.41 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.81 EUR
30+8.08 EUR
120+7.25 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.92 EUR
25+10.88 EUR
30+10.35 EUR
50+9.95 EUR
100+9.4 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA
Power Dissipation (Max): 103W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.72 EUR
30+9.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.94 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.42 EUR
25+16.37 EUR
50+15.37 EUR
100+14.51 EUR
250+13.84 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.07 EUR
10+12.57 EUR
100+10.7 EUR
450+10.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.07 EUR
30+8.66 EUR
120+8.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.07 EUR
30+8.85 EUR
120+8.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120AW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 120m 3rd Gen TO-263-7L
auf Bestellung 2762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.1 EUR
10+15.24 EUR
100+13.17 EUR
500+12.48 EUR
1000+12.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120AW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 21A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA
Power Dissipation (Max): 100W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120AW7TLROHMDescription: ROHM - SCT3120AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21 A, 650 V, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.65 EUR
15+16.05 EUR
17+12.8 EUR
50+12.55 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3120AW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 21A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA
Power Dissipation (Max): 100W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.99 EUR
10+14.82 EUR
100+13.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLGC11ROHM - JapanSiC-N-Ch 1200V 17A 103W 0,208R TO247 SCT3160KLGC11 : Rohm SCT3160KLGC11 TSCT3160klgc11
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+43.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.76 EUR
25+12.03 EUR
50+11.33 EUR
100+10.7 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
auf Bestellung 3304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.5 EUR
10+9.84 EUR
450+9.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; 103W; TO247
Case: TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain current: 17A
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+15.07 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800
auf Bestellung 3719 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.72 EUR
30+12.96 EUR
120+11.04 EUR
510+9.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.84 EUR
19+9.17 EUR
50+8.27 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLGC11ROHMDescription: ROHM - SCT3160KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 17A, 1.2kV, 0.16 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 103W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.92 EUR
11+21.49 EUR
13+16.58 EUR
50+14.97 EUR
100+13.34 EUR
250+13.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.17 EUR
10+19.9 EUR
100+18.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.53 EUR
10+19.88 EUR
50+16.64 EUR
100+13.8 EUR
200+12.29 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 103W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.46 EUR
30+18.27 EUR
120+18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+21.16 EUR
100+17.37 EUR
450+16.98 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT3160KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 17
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 103
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 103
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 18
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.67 EUR
25+18.49 EUR
50+17.36 EUR
100+16.39 EUR
250+15.64 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT3160KW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+17.95 EUR
15+15.48 EUR
17+13.17 EUR
50+12.13 EUR
100+9.58 EUR
250+9.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KW7HRTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12 EUR
25+11.32 EUR
50+10.65 EUR
100+10.06 EUR
250+9.6 EUR
500+9.2 EUR
1000+8.76 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KW7HRTLROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7L
auf Bestellung 1031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.35 EUR
10+12.61 EUR
100+9.53 EUR
1000+8.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KW7HRTLRohm SemiconductorDescription: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.71 EUR
10+12.84 EUR
100+9.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KW7HRTLROHMDescription: ROHM - SCT3160KW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+17.95 EUR
15+15.48 EUR
17+13.17 EUR
50+12.13 EUR
100+9.58 EUR
250+9.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3160KW7HRTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 830 Stücke:
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13+14.4 EUR
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