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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SCT3060ARC15ROHMDescription: ROHM - SCT3060ARC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.04 EUR
13+18.35 EUR
14+15.85 EUR
50+15.53 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3060ARC15Rohm SemiconductorDescription: 650V, 39A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.67 EUR
10+19.35 EUR
50+15.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3060ARC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 650V 39A N-CH SIC
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.68 EUR
10+19.87 EUR
100+16.56 EUR
450+14.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3060ARHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3060ARHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.92 EUR
12+18.02 EUR
50+16.28 EUR
100+14.54 EUR
250+14.24 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3060ARHRC15Rohm SemiconductorDescription: 650V, 39A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.24 EUR
10+18.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3060ARHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 60m 3rd Gen TO-247-4L
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.16 EUR
10+18.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3060AW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 60m 3rd Gen TO-263-7L
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.64 EUR
10+23.7 EUR
100+21.99 EUR
500+21.85 EUR
1000+20.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3060AW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 38A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 159W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
auf Bestellung 1155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.84 EUR
10+24.44 EUR
100+23.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3060AW7TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 38A; Idm: 95A; 159W
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 159W
Gate charge: 58nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 38A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...22V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 78mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3060AW7TLROHMDescription: ROHM - SCT3060AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 159W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+26.2 EUR
10+22.06 EUR
50+20.3 EUR
100+20.18 EUR
250+19.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3060AW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 38A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 159W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+22.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ALGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 134W
Gate-source voltage: -4...22V
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.104Ω
Pulsed drain current: 75A
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ALGC11ROHMDescription: ROHM - SCT3080ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30A, 650V, 0.08 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 134W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.69 EUR
11+20.48 EUR
50+19.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ALGC11ROHM - JapanSiC-N-Ch 650V 30A 134W 0,104R TO247 SCT3080ALGC11 : Rohm SCT3080ALGC11 TSCT3080algc11
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+51.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ALGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.28 EUR
10+13.51 EUR
100+12.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ALGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.69 EUR
30+14.9 EUR
60+13.73 EUR
120+12.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.46 EUR
10+19.83 EUR
25+19.19 EUR
50+18.59 EUR
100+16.15 EUR
250+15.74 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ALHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.95 EUR
10+26.54 EUR
100+25.16 EUR
450+25.13 EUR
900+24.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.62 EUR
10+19.55 EUR
25+18.64 EUR
50+17.74 EUR
100+15.03 EUR
250+14.26 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+24.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ALHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.27 EUR
30+26.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+23.9 EUR
25+22.47 EUR
50+21.09 EUR
100+19.9 EUR
250+18.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ALHRC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 30A; 134W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 134W
Gate-source voltage: -4...22V
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+28.86 EUR
5+20.17 EUR
10+18.92 EUR
30+18.11 EUR
50+16.15 EUR
100+16.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ALHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT3080ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 134W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+26.55 EUR
10+22.97 EUR
50+22.51 EUR
100+22.04 EUR
250+21.59 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ARC14Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+21.37 EUR
25+20.09 EUR
50+18.86 EUR
100+17.79 EUR
250+16.98 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ARC14Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ARC14ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ARC14Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.17 EUR
11+15.71 EUR
50+15.08 EUR
100+14.07 EUR
200+13.49 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ARC14ROHMDescription: ROHM - SCT3080ARC14 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 134W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+39.53 EUR
8+32.88 EUR
10+26.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ARC14Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+23.13 EUR
10+20.66 EUR
60+19.36 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SCT3080ARC14ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and
auf Bestellung 529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.97 EUR
10+30.84 EUR
100+26.7 EUR
480+25.26 EUR
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SCT3080ARC14Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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9+19.59 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ARC15ROHMDescription: ROHM - SCT3080ARC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.81 EUR
14+17.24 EUR
16+13.97 EUR
50+12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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SCT3080ARC15Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+21.28 EUR
11+15.85 EUR
50+13.74 EUR
100+12.63 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SCT3080ARC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-247-4L
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.68 EUR
10+12.17 EUR
100+10.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ARC15Rohm SemiconductorDescription: 650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.05 EUR
10+15.27 EUR
50+12.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ARC15Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.39 EUR
13+13.95 EUR
25+13.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ARHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-247-4L
auf Bestellung 852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.73 EUR
10+14.39 EUR
100+12.29 EUR
450+12.23 EUR
900+12.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ARHRC15Rohm SemiconductorDescription: 650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.07 EUR
10+14.63 EUR
450+12.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080ARHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3080ARHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.44 EUR
14+17.75 EUR
15+14.38 EUR
50+13.17 EUR
100+11.97 EUR
250+11.73 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080AW7TLROHMDescription: ROHM - SCT3080AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.26 EUR
12+20.35 EUR
14+15.9 EUR
50+15.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080AW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 29A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 125W
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.62 EUR
10+21.61 EUR
100+16.54 EUR
500+15.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080AW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-263-7L
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.25 EUR
10+20.56 EUR
100+18.16 EUR
500+17.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080AW7TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 29A; 125W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Power dissipation: 125W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+16.9 EUR
10+15.66 EUR
30+14.83 EUR
50+13.19 EUR
100+13.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080AW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 29A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 125W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLGC11ROHM - JapanSiC-N-Ch 1200V 31A 165W 0,104T TO247 SCT3080KLGC11 : Rohm SCT3080KLGC11 TSCT3080klgc11
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+62.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+40.31 EUR
30+25.2 EUR
120+21.55 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.82 EUR
30+27.8 EUR
60+25.89 EUR
120+24.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+40.31 EUR
30+25.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+24.57 EUR
30+23.11 EUR
120+20.48 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+40.31 EUR
30+25.2 EUR
120+21.55 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+24.76 EUR
30+22.79 EUR
120+19.88 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
auf Bestellung 1075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.08 EUR
10+26.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLGC11ROHMDescription: ROHM - SCT3080KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 31A, 1.2kV, 0.08 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 165W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+51.07 EUR
6+45.58 EUR
10+40.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLHRROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.81 EUR
10+34.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLHRC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+37.93 EUR
10+29.89 EUR
25+28.08 EUR
50+24.7 EUR
100+23.59 EUR
250+22.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+37.34 EUR
10+34 EUR
25+30.5 EUR
30+29.48 EUR
50+26.69 EUR
120+25.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT3080KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 165W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+62.68 EUR
5+48.94 EUR
10+36.6 EUR
50+35.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+37.34 EUR
10+34 EUR
25+30.5 EUR
30+29.48 EUR
50+26.69 EUR
120+25.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.69 EUR
30+33.97 EUR
60+31.76 EUR
120+30.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+37.62 EUR
10+30.31 EUR
25+28.93 EUR
50+25.87 EUR
100+25.34 EUR
250+24.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KRC14Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.83 EUR
30+21.66 EUR
120+18.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KRC14ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.26 EUR
10+21.3 EUR
100+18.47 EUR
1200+18.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KRC14ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 31A; 165W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-4
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+25.83 EUR
9+24.73 EUR
10+24.59 EUR
20+23.98 EUR
30+21.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3080KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.01 EUR
10+24.43 EUR
11+21.07 EUR
50+19.66 EUR
100+18.23 EUR
250+17.67 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.87 EUR
10+20.47 EUR
100+15.65 EUR
450+15.29 EUR
900+14.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KRC15ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 31A; 165W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...22V
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+14.72 EUR
10+13.48 EUR
30+12.66 EUR
50+11.25 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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SCT3080KRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 80m 3rd Gen TO-247-4L
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.67 EUR
10+18.49 EUR
100+14.8 EUR
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SCT3080KW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 159W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.2KV 30A N-CH SIC
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.09 EUR
10+27.17 EUR
100+24.63 EUR
500+23.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT3080KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 159W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 159W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.29 EUR
10+28.13 EUR
100+21.85 EUR
500+20.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3080KW7TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 159W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120
Produktcode: 167630
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT30N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+42.4 EUR
10+36.65 EUR
50+34.19 EUR
100+31.7 EUR
250+29.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.2 EUR
30+26.18 EUR
120+24.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+24.73 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Gate charge: 105nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC; SiCFET
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Kind of package: tube
Case: HIP247™
Mounting: THT
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+29.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120STMMOSFET N-CH 1200V 45A HIP247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+24.73 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120STMicroelectronicsSiC MOSFETs 1200V silicon carbide MOSFET
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.83 EUR
10+26.07 EUR
100+24.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120D2STMicroelectronicsMOSFET PTD NEW MAT & PWR SOLUTION
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 980 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120D2STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120D2STMicroelectronicsSilicon carbide Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 980 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120HSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 230W
Gate charge: 105nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Kind of package: reel; tape
Case: H2PAK-2
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120HSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120HSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm
auf Bestellung 832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.79 EUR
10+39.13 EUR
100+34.58 EUR
1000+34.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120HSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT30N120HSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 42A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KLGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KLGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Nch 1200V 24A SiC TO-247N
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.84 EUR
10+27.77 EUR
100+25.03 EUR
450+22.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3105KLHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Power Dissipation (Max): 134W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Qualification: AEC-Q101
Packaging: Tube
Grade: Automotive
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.98 EUR
30+23.38 EUR
120+22.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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