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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXXH75N60B3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 160A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/118ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 750W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 108ns
Turn-off time: 315ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3IXYSDescription: IGBT PT 600V 150A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/90ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3IGBT 600V 150A TO-247AD Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 165ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 Power Device
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector current: 75A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 750W
Gate charge: 107nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 105ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 185ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3D1IXYSIGBTs TO247 600V 75A XPT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 150A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/90ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3D1IGBT,GenX3,600V,75A,750W,TO247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXXH80N65B4 - TRANSISTOR, IGBT, 650V, 160A, TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 625
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4 Series
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 160A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/120ns
Switching Energy: 3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 430 A
Power - Max: 625 W
auf Bestellung 4747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.73 EUR
30+12.34 EUR
120+10.5 EUR
510+9.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 625W
Gate charge: 0.12µC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Pulsed collector current: 430A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 125ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+13.26 EUR
10+9 EUR
30+8.27 EUR
60+7.79 EUR
120+7.32 EUR
150+7.16 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4IXYSIGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.87 EUR
10+12.13 EUR
120+10.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 180A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/112ns
Switching Energy: 3.36mJ (on), 1.83mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 430 A
Power - Max: 625 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 430A
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 180A TO-247AD
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.65 EUR
30+12.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4H1IXYSIGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 160A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/120ns
Switching Energy: 3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 430 A
Power - Max: 625 W
auf Bestellung 1843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.86 EUR
30+17.67 EUR
120+15.22 EUR
510+14.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4H1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH80N65B4H1 - IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 430A
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 147ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK100N60B3H1IXYSIGBTs XPT IGBT B3-Class 600V/190Amp CoPacked
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK100N60B3H1IXYSDescription: IGBT PT 600V 200A TO264
Power - Max: 695 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Gate Charge: 143 nC
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.92 EUR
25+27.79 EUR
100+27.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK100N60C3H1IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/170Amp CoPacked
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.09 EUR
10+36.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK100N60C3H1IXYSDescription: IGBT PT 600V 170A TO-264
Power - Max: 695 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Part Status: Active
Gate Charge: 150 nC
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 2mJ (on), 950µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 70A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.92 EUR
25+36.24 EUR
100+32.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK100N75B4H1IXYSIGBT Transistors Disc IGBT XPT-GenX4 TO-264(3)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 240A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 630 A
Power - Max: 880 W
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.57 EUR
25+34.57 EUR
100+30.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXXK110N65B4H1 - IGBT, 250 A, 1.72 V, 880 W, 650 V, TO-264, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.72V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 880W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 250A
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+62.7 EUR
5+50.93 EUR
10+38.96 EUR
50+34.94 EUR
100+32.24 EUR
250+30.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 310A 940W 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65B4IXYSIGBTs 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 940W
Gate charge: 425nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Pulsed collector current: 860A
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+26.5 EUR
10+26.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65B4Ixys CorporationIXXK160N65B4
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+43.29 EUR
10+41.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 310A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/220ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 1.88mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 425 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 860 A
Power - Max: 940 W
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.99 EUR
25+38.46 EUR
100+34.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 310A 940W 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65C4IXYSIGBTs 650V/290A Trench IGBT GenX4 XPT
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 940W
Gate charge: 422nC
Technology: GenX4™; XPT™
Pulsed collector current: 320A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 650V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65C4IXYSDescription: IGBT PT 650V 290A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/197ns
Switching Energy: 3.5mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 422 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A
Power - Max: 940 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65C4IGBT 650V 800A TO-264-3 (TO-264AA) Транзистори
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IXXK200N60B3IXYSIGBTs GenX3 XPT 600V
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 380A TO-264
Power - Max: 1630 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 380 A
Part Status: Active
Gate Charge: 315 nC
Test Condition: 360V, 100A, 1Ohm, 15V
Switching Energy: 2.85mJ (on), 2.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/160ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXXK200N60C3IXYSIGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N60C3IXYSDescription: IGBT PT 600V 340A TO-264
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Power - Max: 1630 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Part Status: Active
Gate Charge: 315 nC
Test Condition: 360V, 100A, 1Ohm, 15V
Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 200A; 1.63kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Collector current: 200A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 1.63kW
Gate charge: 315nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 900A
Turn-on time: 143ns
Kind of package: tube
Case: TO264
Turn-off time: 240ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N65B4IXYSDescription: IGBT 650V 370A 1150W TO264
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Power - Max: 1150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Part Status: Active
Gate Charge: 553 nC
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/245ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 370A 1150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N65B4IXYSIGBTs 650V/370A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+80.63 EUR
10+68.78 EUR
100+57.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK300N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 300A; 2.3kW; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 430ns
Gate charge: 460nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 1.14kA
Power dissipation: 2.3kW
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK300N60B3IXYSIGBTs XPT 600V IGBT 300A
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.51 EUR
10+54.84 EUR
100+48.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK300N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 550A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns
Switching Energy: 3.45mJ (on), 2.86mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 460 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 550 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1140 A
Power - Max: 2300 W
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK300N60C3IXYSIGBT Transistors XPT 600V IGBT 300A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK300N60C3IXYSDescription: IGBT 600V 510A 2300W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/160ns
Switching Energy: 3.35mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 438 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 510 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1075 A
Power - Max: 2300 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN100N60B3H1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 w/Diode
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+56.49 EUR
10+41.72 EUR
100+37.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN100N60B3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN100N60B3H1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 170A 500W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.86 nF @ 25 V
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+67.4 EUR
10+49.86 EUR
100+41.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN100N60B3H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 500W
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 440A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 98A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN110N65B4H1IXYSIGBT Modules 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.23 EUR
10+45.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN110N65B4H1IXYSDescription: IGBT MOD 650V 215A 750W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 215 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.65 nF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.4 EUR
10+46.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN110N65C4H1IXYSDescription: IGBT MOD 650V 210A 750W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 210 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.69 nF @ 25 V
auf Bestellung 568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.66 EUR
10+48.5 EUR
100+40.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN110N65C4H1IXYSIGBT Modules 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.11 EUR
10+45.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN110N65C4H1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXXN110N65C4H1 - TRANSISTOR, IGBT, 650V, 210A, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Panel
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06V
IGBT-Anschluss: Tab
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.06V
Verlustleistung Pd: 750W
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 210A
Produktpalette: XPT GenX4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Single
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 210A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+73.82 EUR
5+59.43 EUR
10+46.43 EUR
25+43.19 EUR
100+39.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN200N60B3IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN200N60B3IXYSDescription: IGBT MOD 600V 280A 940W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 280 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 940 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.97 nF @ 25 V
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.44 EUR
10+46.77 EUR
100+38.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN200N60B3H1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN200N60B3H1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 200A 780W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 780 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.97 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN200N60C3H1IXYSIGBT Modules XPT 600V IGBT 98A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN200N60C3H1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 200A 780W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 780 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.9 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN340N65B4IXYSIGBTs SOT227 650V 340A IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXP12N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 38A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 38A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXP12N65B4LittelfuseIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-220AB/FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXP12N65B4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 12A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 34nC
Pulsed collector current: 70A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 245ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXP12N65B4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-220AB/FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXP12N65B4D1IXYSDescription: IGBT 650V 38A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/158ns
Switching Energy: 440µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 34 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 160 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXP50N60B3IXYSIGBTs TO220 600V 50A IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXP50N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 120A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/150ns
Switching Energy: 670µJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXP50N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXQ30N60B3MIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 19A; 90W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 140A
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 292ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 90W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXQ30N60B3MIXYSIGBTs TO3P 600V 19A IGBT
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXQ30N60B3MIXYSDescription: IGBT 600V 33A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/150ns
Switching Energy: 550µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 39 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 90 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXR100N60B3H1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXR100N60B3H1IXYSDescription: IGBT 600V 145A 400W ISOPLUS247
Power - Max: 400 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Gate Charge: 143 nC
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+31.86 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXR100N60B3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 400W; PLUS247™
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Turn-on time: 92ns
Gate charge: 143nC
Turn-off time: 350ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Power dissipation: 400W
Pulsed collector current: 440A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXR110N65B4H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 150A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A
Power - Max: 455 W
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.5 EUR
30+38.83 EUR
120+35.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXT100N75B4HVIXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-268HV
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXT100N75B4HVIXYSIGBTs IGBT DISCRETE TO-268HV
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX100N60B3H1IXYSDescription: IGBT 600V 200A 695W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 143 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A
Power - Max: 695 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX100N60B3H1IXYSIGBTs PLUS247 600V 100A DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX100N60C3H1IXYSDescription: IGBT 600V 170A 695W PLUS247
Power - Max: 695 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Gate Charge: 150 nC
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 2mJ (on), 950µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 70A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX100N60C3H1IXYSIGBTs GenX3 w/Diode XPT 600V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX110N65B4H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 240A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 630 A
Power - Max: 880 W
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.24 EUR
30+29.51 EUR
120+25.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX110N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 250A 880000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX140N65B4H1IXYSIGBTs PLUS247 650V 140A SN DIO
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.79 EUR
10+37.87 EUR
120+34.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX140N65B4H1IXYSDescription: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 54ns/270ns
Switching Energy: 5.75mJ (on), 2.67mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 840 A
Power - Max: 1200 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX160N65B4IXYSIGBTs 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.87 EUR
10+40.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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