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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM6322CP-EBZAnalog Devices Inc.Description: EVAL BOARD FOR SSM6322
Packaging: Bulk
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Amplifier Type: Class AB
Contents: Board(s)
Voltage - Supply: ±3V ~ 6V
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SSM6322
Supplied Contents: Board(s)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+220.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6322CP-EBZAnalog Devices, Inc.SSM6322 Audio Amplifier Evaluation Board
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6322CP-EBZAnalog DevicesAudio IC Development Tools Eval board for 24 lead LFCSP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6515BCBZRLAnalog DevicesAudio Amplifiers Class D Audio Amp, ultra-low power
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6515BCBZRLAnalog Devices Inc.Description: CLASS D AUDIO AMP, ULTRA-LOW POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 11-XFBGA, WLCSP
Output Type: 1-Channel (Mono)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.1V ~ 1.98V, 1.7V ~ 1.98V
Max Output Power x Channels @ Load: 80mW x 1 @ 16Ohm
Supplier Device Package: 11-WLCSP (0.98x1.44)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6515BCBZRL7Analog Devices Inc.Description: CLASS D AMP, ULTRA-LOW POWER
Part Status: Active
Supplier Device Package: 11-WLCSP (0.98x1.44)
Max Output Power x Channels @ Load: 80mW x 1 @ 16Ohm
Voltage - Supply: 1.1V ~ 1.98V, 1.7V ~ 1.98V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Class D
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 1-Channel (Mono)
Package / Case: 11-XFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.76 EUR
10+6.66 EUR
25+6.14 EUR
100+5.56 EUR
250+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6515BCBZRL7Analog DevicesAudio Amplifiers Class D Audio Amp, ultra-low power
auf Bestellung 1228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.77 EUR
10+7.88 EUR
100+6.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6515BCBZRL7ANALOG DEVICESDescription: ANALOG DEVICES - SSM6515BCBZRL7 - Audioleistungsverstärker, 80mW x 1 bei 16 Ohm, D, 1.1V bis 1.98V, WLCSP, 11 Pin(s)
tariffCode: 85423390
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Lastimpedanz: 16ohm
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6515BCBZRL7Analog Devices Inc.Description: CLASS D AMP, ULTRA-LOW POWER
Part Status: Active
Supplier Device Package: 11-WLCSP (0.98x1.44)
Max Output Power x Channels @ Load: 80mW x 1 @ 16Ohm
Voltage - Supply: 1.1V ~ 1.98V, 1.7V ~ 1.98V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Class D
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 1-Channel (Mono)
Package / Case: 11-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6515BCBZRL7ANALOG DEVICESDescription: ANALOG DEVICES - SSM6515BCBZRL7 - Audioleistungsverstärker, 80mW x 1 bei 16 Ohm, D, 1.1V bis 1.98V, WLCSP, 11 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 1 x Mono
Versorgungsspannung: 1.1V bis 1.98V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 16ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 80mW x 1 bei 16 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6800H24YL3 Narda-MITEQDescription: SINGLE SIDEBAND UPCONVERTER
Packaging: Box
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6E01TUTOSHIBA
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6G18NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6G18NU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch + SBD VDSS=-20V, VR=30V, I(SBD)=1A, VGSS=+/-8V, ID=-2A, RDS(ON)=0.112ohm a. 4.5V, in UDFN6 package
auf Bestellung 5780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.89 EUR
10+0.57 EUR
100+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.18 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6G18NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6H19NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
15000+0.19 EUR
21000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6H19NU,LFToshibaMOSFETs UDFN6 S-MOS TRSTR Pd: 0.5W F: 1MHz
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.64 EUR
10+0.42 EUR
100+0.29 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6H19NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 95805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
33+0.64 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6H19NU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 2A 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
430+0.39 EUR
513+0.32 EUR
593+0.26 EUR
660+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 430 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6H19NU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 2A 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
430+0.39 EUR
513+0.32 EUR
593+0.27 EUR
660+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 430 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J06FUTOSHIBA
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J07FUTOSHIBASOT-363
auf Bestellung 198000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J07FU TE85L SOT363-KDFTOSHIBA
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J07FU(TE85L)TOSHIBASOT363-KDF
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J07FU(TE85L) SOT363-TOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J07FU(TE85L)SOT363-KDF
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J07FUTE85LSOT363-KDFTOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J08FUTOSHIBA09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J08FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J08FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J08FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A US6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J205FEToshibaMOSFET Vds=-20V Id=-800mA 6Pin
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J206FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
auf Bestellung 7491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J206FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J206FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
auf Bestellung 7491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J206FE,LFToshibaMOSFET SS FET P-Ch 0.32Ohm -2A -8V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J206FETE85L
auf Bestellung 3553 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J207FEToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J207FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 251mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J207FE,LFToshibaMOSFETs Small-signal FET 0.491Ohm -1.4A -30V
auf Bestellung 3365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.93 EUR
10+0.64 EUR
100+0.4 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.25 EUR
4000+0.23 EUR
8000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J207FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 251mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
34+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J207FE,LF(CAToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 1.4A 6-Pin ES T/R
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.75 EUR
250+0.7 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J207FE,LF(CAToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 1.4A 6-Pin ES T/R
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J207FE,LF(CAToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 1.4A 6-Pin ES T/R
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1 EUR
221+0.76 EUR
249+0.65 EUR
276+0.58 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J212FEToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J212FE
Produktcode: 77267
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J212FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J212FE,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin ES T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J212FE,LFToshibaMOSFETs P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW
auf Bestellung 16109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.73 EUR
100+0.48 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
2000+0.3 EUR
4000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J212FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J212FE,LF(CAToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin ES T/R
auf Bestellung 3803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
309+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 309 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J212FE,LF(CAToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin ES T/R
auf Bestellung 2073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
411+0.42 EUR
413+0.4 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 411 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J212FE,LF(CATOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J212FE,LF(CA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0353 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1 EUR
391+0.6 EUR
596+0.36 EUR
794+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J212FE,LF(CATOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J212FE,LF(CA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0353 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0353ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1 EUR
391+0.6 EUR
596+0.36 EUR
794+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J213FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J213FE(TE85L,FToshibaMOSFETs P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
4000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J213FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J214FE(TE85L,FToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-3.6A VDSS=-30V
auf Bestellung 12555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
10+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
2000+0.27 EUR
4000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J214FE(TE85L,FTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J214FE(TE85L,F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.05 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.52 EUR
266+0.88 EUR
417+0.51 EUR
553+0.39 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J214FE(TE85L,FToshibaMOSFET P-CH 30V 3.6A ES6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J214FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
33+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J214FE(TE85L,FTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J214FE(TE85L,F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.05 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.52 EUR
266+0.88 EUR
417+0.51 EUR
553+0.39 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J214FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.23 EUR
8000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J215FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
auf Bestellung 8278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
36+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J215FE(TE85L,FToshibaMOSFETs P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF
auf Bestellung 2818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.09 EUR
10+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
2000+0.26 EUR
4000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J215FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J216FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J216FE,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V
auf Bestellung 2774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.15 EUR
10+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
2000+0.27 EUR
4000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J216FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
auf Bestellung 6514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J21TUtoshiba09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J23FETOSHIBA
auf Bestellung 7100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J25FE
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J26FETOSHIBA
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J401TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J401TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-2.5A, RDS(ON)=0.145Ohm @ 4V, in UF6 package
auf Bestellung 5625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.52 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J401TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 15 V
auf Bestellung 2641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
31+0.69 EUR
100+0.42 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J402TU(TE85L,F)TOSHIBASOT26/SOT363
auf Bestellung 2753 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J402TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2A UF6
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J402TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-2.0A, RDS(ON)=0.225Ohm @ 4V, in UF6 package
auf Bestellung 4711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+0.57 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J402TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2A UF6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J402TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J402TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.117 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
auf Bestellung 2685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+1.39 EUR
290+0.8 EUR
453+0.48 EUR
650+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J402TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J402TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.117 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
auf Bestellung 2685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+1.39 EUR
290+0.8 EUR
453+0.48 EUR
650+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J409TU(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J409TU(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J412TU,LFToshibaMOSFETs X34 Small Pch Low ON resistance MOSFETs Vdss: -20V, Vgss:+/-8V, Id: -4A
auf Bestellung 3695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.45 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
3000+0.23 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J412TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
36+0.6 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J412TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J412TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J412TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0427 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0427ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+1.19 EUR
350+0.67 EUR
538+0.39 EUR
730+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J412TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J412TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0427 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0427ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+1.19 EUR
350+0.67 EUR
538+0.39 EUR
730+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J414TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P CH 20V 6A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
auf Bestellung 2453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.07 EUR
32+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J414TU,LFToshibaMOSFETs P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.09 EUR
10+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.26 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J414TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P CH 20V 6A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J414TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 6-Pin UF T/R
auf Bestellung 3562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.57 EUR
342+0.48 EUR
396+0.39 EUR
457+0.33 EUR
522+0.27 EUR
612+0.23 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J414TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 6-Pin UF T/R
auf Bestellung 3562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.57 EUR
342+0.49 EUR
396+0.42 EUR
457+0.35 EUR
522+0.3 EUR
612+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J414TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J414TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0225 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
184+1.36 EUR
279+0.83 EUR
435+0.49 EUR
575+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 184 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J422TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.0A, RDS(ON)=0.0427Ohm at 4.5V, in UF6 package
auf Bestellung 3582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.54 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J422TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J422TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
auf Bestellung 3895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
37+0.57 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J422TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
auf Bestellung 2567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
29+0.74 EUR
100+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J422TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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