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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM6J808R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J808R,LXHFToshibaMOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F
auf Bestellung 5809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.31 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J808R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J808R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 2473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J808R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J808R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 2473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J825R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: P-CH MOSFET -30V, -20/+10V, -4A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
30+0.71 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J825R,LFToshibaMOSFETs TSOP6F S-MOS(LF)
auf Bestellung 11705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.23 EUR
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J825R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: P-CH MOSFET -30V, -20/+10V, -4A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K06FUTOSHIBA09+
auf Bestellung 92018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K07FUTOSHIBASOT363
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K08FUTOSHIBA
auf Bestellung 13495 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K18TU(TE85L,F)TOSHIBASOT26/SOT363
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K202FETOSHSOT26/
auf Bestellung 8230 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K202FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.35 EUR
8000+0.32 EUR
12000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K202FE,LFToshibaMOSFETs Small-signal FET 2.3A 30V 0.145Ohm
auf Bestellung 4202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.82 EUR
10+0.71 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
4000+0.29 EUR
8000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K202FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
auf Bestellung 15376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
26+0.82 EUR
100+0.62 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K204FE
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K204FE,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K204FE,LF(CAToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K204FE,LF(CAToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 2A 6-Pin ES T/R
auf Bestellung 1131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
331+0.54 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 331 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K208FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 1.9A ES6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K208FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 1.9A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
auf Bestellung 3970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.13 EUR
31+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K208FE,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=1.9A, RDS(ON)=0.133Ohm a. 4.0V, in ES6 package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K210FE(TE85L,F)TOSHIBASOT26/SOT363
auf Bestellung 6923 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K211FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
auf Bestellung 7990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
31+0.7 EUR
100+0.46 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K211FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K211FE,LFToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.99 EUR
10+0.76 EUR
100+0.43 EUR
1000+0.26 EUR
8000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K217FE,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET
auf Bestellung 7108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.68 EUR
10+0.39 EUR
100+0.29 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.19 EUR
4000+0.18 EUR
8000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K217FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
auf Bestellung 21923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
95+0.23 EUR
103+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K217FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.15 EUR
8000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K217FE,LF(ATOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K217FE,LF(A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 1.8 A, 0.195 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
auf Bestellung 2786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K217FE,LF(ATOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K217FE,LF(A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 1.8 A, 0.195 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
auf Bestellung 2786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K217FELF(AToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K22FE
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K30FETOSHIBA09+
auf Bestellung 16018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K341NU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
auf Bestellung 570586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+0.84 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K341NU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K341NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 11207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.46 EUR
24+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K341NU,LFToshibaMOSFET N-CH 60V 6A UDFN6B Транзистори
auf Bestellung 10 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K341NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.35 EUR
6000+0.32 EUR
9000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K341NU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K341NU,LF(BToshibaSSM6K341NU,LF(B
auf Bestellung 5965 Stücke:
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369+0.48 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
2500+0.4 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 369 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K341NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K341NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K341NU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 6-Pin UDFN-B EP T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+0.48 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K341NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K341NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K341NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K341NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K341NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K341NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K341NULF(TToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K361NU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
auf Bestellung 72351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.73 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K361NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
auf Bestellung 65436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
24+0.88 EUR
100+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K361NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 65300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+0.31 EUR
9000+0.3 EUR
15000+0.27 EUR
21000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K361NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K361NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K388NU,LFToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, UDFN6B
auf Bestellung 2030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K388NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 60 V, 2 A, 82 M@10
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K388NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 60 V, 2 A, 82 M@10
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
48+0.44 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K388NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K388NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.087 ohm, UDFN-B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: UDFN-B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K388R,LFToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F
auf Bestellung 2083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K389NU,LFToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, TSOP6F
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K389R,LFToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, UDFN6B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K403TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A UF6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K403TU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET
auf Bestellung 5001 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.09 EUR
10+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K403TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A UF6
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K403TU,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 0.5W; UF6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: UF6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K404TU
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K404TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=3.0A, RDS(ON)=0.055Ohm at 4V, in UF6 package
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.15 EUR
10+0.7 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K404TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3A UF6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K404TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3A UF6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K405TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 2A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
34+0.63 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K405TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.126Ohm @ 4V, in UF6 package
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K405TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 2A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K406TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=4.4A VDSS=30V
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+0.87 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.33 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K406TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4.4A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V
auf Bestellung 5856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.46 EUR
24+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K406TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4.4A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K406TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K406TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.025 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K406TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K406TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.025 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K407TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2A UF6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K407TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2A UF6
auf Bestellung 3870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K407TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=60V, VGSS=+/-20V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.44Ohm @ 4V, in UF6 package
auf Bestellung 849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.73 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K411TU(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 10A
auf Bestellung 5509 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K411TU(TE85L,FToshibaMOSFET Small-signal MOSFET
auf Bestellung 1768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K411TU(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 10A
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K411TU(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 10A
auf Bestellung 5509 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K504NU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET
auf Bestellung 7886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.55 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K504NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K504NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
auf Bestellung 2727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
39+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K504NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K504NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0195 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
auf Bestellung 1141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K504NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K504NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0195 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
auf Bestellung 1141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K513NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFNB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K513NU,LFToshibaMOSFETs Small Low ON Resistane MOSFETs
auf Bestellung 24739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.64 EUR
100+0.48 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K513NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFNB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 4A, 10V
auf Bestellung 1338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
27+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K513NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K513NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0089 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
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Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K513NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K513NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 8900 µohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
auf Bestellung 4499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K513NU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 15A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN-B EP T/R
auf Bestellung 3718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
371+0.48 EUR
373+0.46 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 371 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K514NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K514NU,LFToshibaMOSFETs Small Low ON Resistane MOSFETs
auf Bestellung 1805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.76 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K514NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K514NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K514NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0116 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K514NU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 12A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN-B EP T/R
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+0.65 EUR
306+0.57 EUR
347+0.49 EUR
408+0.4 EUR
469+0.35 EUR
601+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K514NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K514NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0116 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K514NULF SNBToshibaTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 17,3mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Transistor N-MOSFET SSM6K514NU TSSM6K514NU
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K516NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
30+0.71 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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