Produkte > DTD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
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| DTD04S01 | DENMOS | auf Bestellung 820 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DTD05101 | DENMOS | auf Bestellung 5219 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DTD05202 | DENMOS | auf Bestellung 690 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DTD11003 | DENMOS | auf Bestellung 635 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DTD113/DTD113EK | ИэЕЖ/ | 07+ SOT-23 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113E | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 350 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 2427 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3802 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 5825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ECHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 33 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3802 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ECHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 33 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ECHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist | auf Bestellung 518 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ECT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 33 Collector current: 0.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Mounting: SMD Case: SOT23 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ECT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 33 Collector current: 0.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Mounting: SMD Case: SOT23 Anzahl je Verpackung: 20 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ECT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors | auf Bestellung 1402 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113EK | auf Bestellung 6817 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113EKFRAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 0.5A 1kO SOT-346 | auf Bestellung 2698 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113EKFRAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113EKFRAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 1974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113EKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 4199 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113EKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Produktpalette: DTD113E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113EKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 33 Collector current: 0.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Mounting: SMD Case: SC59; SOT346 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113EKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 500MA | auf Bestellung 1690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113EKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 33 Collector current: 0.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Mounting: SMD Case: SC59; SOT346 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113EKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113EKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Produktpalette: DTD113E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 16038 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ES | ROHM | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DTD113ES | ROHM | TO-92S | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ZCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ZCHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist | auf Bestellung 14611 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ZCHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 82 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ZCHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 82 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ZCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ZCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ZCHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ZCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 6326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ZCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 57854 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ZCHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ZCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 6326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ZCT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ZCT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 9950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ZCT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ZCT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 4912 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ZCT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 9950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ZCT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors RECOMMENDED ALT 755-DTD113ZUT106 | auf Bestellung 27386 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ZCT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 82 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 200MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ZCT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 82 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 200MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ZK | ROHM | SOT23 | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ZK | ROHM | auf Bestellung 5850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DTD113ZKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 32871 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ZKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ZKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | auf Bestellung 141000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ZKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Produktpalette: DTD113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ZKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA | auf Bestellung 9632 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ZKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 82 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 200MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ZKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 73732 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ZKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 82 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 200MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ZKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 14712 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ZKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | auf Bestellung 141938 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ZKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Produktpalette: DTD113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ZS | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113ZSTP | Rohm Semiconductor | Description: TRANS DIGITAL BJT NPN 500MA 3-PI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-72 Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SPT Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ZSTP | DTD113ZSTP Транзисторы Digital | auf Bestellung 5013 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DTD113ZU | ROHM | SOT323 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ZU | ROHM | 07+ SOT-323 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ZU T106 | ROHM | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 1651 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ZU T106 | ROHM | 0239+ | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD113ZUT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 500MA | auf Bestellung 24350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ZUT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | auf Bestellung 5720 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ZUT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 41655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ZUT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 20875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ZUT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | auf Bestellung 5889 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ZUT106 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTD113ZUT106 NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD114ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD114ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114ECHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-23 10kO Input Resist | auf Bestellung 4476 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD114ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD114ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD114ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114ECT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors | auf Bestellung 2383 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD114ECT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD114ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114ECT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD114ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114EK | ROHM | 07+ SOT-23 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114EK | ROHM | SOT23 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114EK | ROHM | 09+ | auf Bestellung 3038 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114EK-T146 | ROHM | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DTD114EKFRA | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114EKFRAT146 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114EKFRAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD114EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 500 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: SOT-346 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: 1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 2650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114EKFRAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD114EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 2650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114EKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD114EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 24890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114EKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | auf Bestellung 89878 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD114EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 4350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD114EKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | auf Bestellung 87000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD114EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114EKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD114EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 24890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114EKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTD114EKT146 NPN SMD transistors | auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DTD114EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 51289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD114EKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA | auf Bestellung 46500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD114ES | ROHM | TO-92S | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114ESTP | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SPT Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SC-72 Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SPT Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114GCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD114GCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114GCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD114GCHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DTD114GCHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver. | auf Bestellung 7668 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD114GCT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1964 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD114GCT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors | auf Bestellung 3793 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD114GCT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | auf Bestellung 3080 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD114GCT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD114GCT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD114GK T146 | ROHM | SOT23 | auf Bestellung 2893 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114GKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114GKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD114GK Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114GKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | auf Bestellung 5900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD114GKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD114GKT146 | ROHM | SOT-23 96+ | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114GKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 500MA | auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD114GKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD114GKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD114GKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD114GK Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD114GKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD120-12SX-F-W | ETA-USA | Desktop AC Adapters 12 vdc 100W 8.33A ADAPTER AC/DC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD120-12SX-F-W6 | ETA-USA | Desktop AC Adapters 120W 12V 8.33A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD120-12SX-F-W6 | ETA-USA | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 100W Packaging: Bulk Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm) Voltage - Output: 12V Output Connector: Power DIN, 4 Pin Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC Cord Length: 39.4" (1.00m) Operating Temperature: 0°C ~ 40°C Applications: ITE (Commercial) Input Type: Cord (Sold Separately) Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL Form: Desktop (Class I) Efficiency: Level VI Current - Output (Max): 8.33A Input Connector: IEC 320-C14 Region Utilized: International No Load Power Consumption: 300mW (Max) Part Status: Active Power (Watts): 100 W | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD120-19SX-F-W | ETA-USA | Desktop AC Adapters 19 vdc 120W 6.3A AC/DC Adapter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD120-19SX-F-W6 | ETA-USA | Desktop AC Adapters 120W 19V 6.3A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD120-19SX-F-W6 | ETA-USA | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 19V 120W Packaging: Bulk Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm) Voltage - Output: 19V Output Connector: Power DIN, 4 Pin Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC Cord Length: 39.4" (1.00m) Operating Temperature: 0°C ~ 40°C Applications: ITE (Commercial) Input Type: Cord (Sold Separately) Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL Form: Desktop (Class I) Efficiency: Level VI Current - Output (Max): 6.3A Input Connector: IEC 320-C14 Region Utilized: International No Load Power Consumption: 300mW (Max) Part Status: Active Power (Watts): 120 W | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD120-24SX-F-W | ETA-USA | Desktop AC Adapters 24vdc | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD120-24SX-F-W6 | ETA-USA | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 120W Packaging: Bulk Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm) Voltage - Output: 24V Output Connector: Power DIN, 4 Pin Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC Cord Length: 39.4" (1.00m) Operating Temperature: 0°C ~ 40°C Applications: ITE (Commercial) Input Type: Cord (Sold Separately) Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL Form: Desktop (Class I) Efficiency: Level VI Current - Output (Max): 5A Input Connector: IEC 320-C14 Region Utilized: International No Load Power Consumption: 300mW (Max) Part Status: Active Power (Watts): 120 W | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD120-24SX-F-W6 | ETA-USA | Desktop AC Adapters 120W 24V 5A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD120-36SX-F-W6 | ETA-USA | Desktop AC Adapters 120W 36V 3.3A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD120-48SX-F-W6 | ETA-USA | Desktop AC Adapters 120W 48V 2.5A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD120-48SX-F-W6 | ETA-USA | Description: AC-DC EXTERNAL POWER ADAPTER | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD120-SX-F-W | ETA-USA | Desktop AC Adapters 120W INPUT 90~264 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD122JKT146 | ROHM | 06+ROHS | auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD122JKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD122JKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 500MA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD123ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 2670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123ECHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DTD123ECHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver. | auf Bestellung 5846 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD123ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD123ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 2670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD123ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD123ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD123ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 19672 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD123ECT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD123ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 500 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD123E Widerstandsverhältnis R1/R2: 1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123ECT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD123ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | auf Bestellung 3785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD123ECT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors | auf Bestellung 637 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD123EK | ROHM | 11+ROHS SOT-23 | auf Bestellung 53500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123EK | ROHM | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123EK | ROHM | 04+ SOT-23 | auf Bestellung 15100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123EK | ROHM | SOT23 | auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123EK T146 | ROHM | SOT23 | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123EKFRAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD123EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123EKFRAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD123EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123EKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD123EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 500 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: SOT-346 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD123E Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123EKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD123EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 187642 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD123EKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 500MA | auf Bestellung 4282 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD123EKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTD123EKT146 NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 3772 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD123EKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | auf Bestellung 7970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD123EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD123TCHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-23 2.2kO Input Resist | auf Bestellung 3333 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD123TCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD123TCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD123TCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD123TCT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD123TCT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD123TCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD123T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123TCT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123TCT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD123TCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD123T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123TCT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors | auf Bestellung 2861 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD123TCT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123TK | ROHM | SOT23 | auf Bestellung 1103 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123TKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 500MA | auf Bestellung 3937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD123TKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 Only | auf Bestellung 14248 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD123TKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 1254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD123TKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD123TKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 40 V, 500 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD123T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123TKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTD123TKT146 NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123TKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 Only | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD123TSTP | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SPT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-72 Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SPT Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123YCHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123YCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4640 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD123YCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2446 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD123YCHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 2165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123YCHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123YCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD123YCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD123YCHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DTD123YCHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver. | auf Bestellung 9169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD123YCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123YCHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 2165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123YCT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTD123YCT116 NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123YCT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD123YCT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD123YCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 500 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD123Y Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.22 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123YCT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | auf Bestellung 649 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD123YCT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors | auf Bestellung 9710 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD123YCT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD123YCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123YCT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15699 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD123YCT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123YK | ROHM | 05+ SOT-23 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123YK | ROHM | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DTD123YK | ROHM | SOT23 | auf Bestellung 84620 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123YK/F62 | auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD123YKA | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD123YKFRAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD123YKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 971 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123YKFRAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTD123YKFRAT146 NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123YKFRAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD123YKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 401 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123YKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | auf Bestellung 180000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD123YKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA SOT-346 | auf Bestellung 24153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD123YKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTD123YKT146 NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123YKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 7572 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD123YKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | auf Bestellung 181698 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD123YKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123YKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 35526 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD123YKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD123YKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 500 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: SOT-346 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD123Y Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD123YKT147 | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD13001 | DENMOS | auf Bestellung 1093 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DTD133EK | auf Bestellung 910 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD133HKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD133HKT146 | auf Bestellung 14800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD143EC | RICOH | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DTD143EC | ROHM | SOT23 | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD143ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD143ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD143ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD143ECHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 47 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD143ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD143ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 5134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD143ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD143ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD143ECHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 47 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD143ECHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-23 4.7kO Input Resist | auf Bestellung 6798 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD143ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD143ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 3290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD143ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD143ECT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors | auf Bestellung 8462 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD143ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD143ECT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD143ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD143E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD143ECT116 Produktcode: 169680
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DTD143ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD143ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | auf Bestellung 3519 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD143ECT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD143ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD143E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD143ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD143ECT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTD143ECT116 NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD143ECT216 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD143ECT216 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | auf Bestellung 921 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD143ECT216 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGITAL NPN 500mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD143EK | ROHM | SOT23 | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD143EK | ROHM | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DTD143EK T146 | ROHM | SOT23-F23 | auf Bestellung 599 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD143EK T146 SOT23-F23 | ROHM | auf Bestellung 599 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DTD143EKA | ROHM | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DTD143EKFRAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD143EKFRAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 0.5A 4.7kO SOT-346 | auf Bestellung 4964 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD143EKFRAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD143EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD143E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD143EKFRAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD143EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD143E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD143EKFRAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1086 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD143EKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA | auf Bestellung 20664 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD143EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD143EKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | auf Bestellung 8194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD143EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 1265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD143EKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTD143EKT146 NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD143EKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD143EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 694 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD143EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD143EKT146/F23 | ROHM | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DTD143EKT146SOT23-F23 | ROHM | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DTD143ES | ROHM | TO-92S | auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD143ESTP | Rohm Semiconductor | Description: TRANS DIGITAL BJT NPN 500MA 3-PI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-72 Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SPT Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD143TK | ROHM | SOT-23 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD143TKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 7573 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD143TKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD143TKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD143TKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 500MA | auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD143TKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD152Z | MAKITA | Description: MAKITA - DTD152Z - 18V IMPACT DRIVER BODY ONLY tariffCode: 82051000 Schlagrate, max.: 3200BPM Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen productTraceability: No rohsCompliant: YES Drehmoment: 165Nm Versorgungsspannung, V AC: - euEccn: NLR Batterie-/Akkuspannung: 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Eingangsleistung: -W usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD153Z | MAKITA | Description: MAKITA - DTD153Z - 18V B/LESS IMPACT DRIVER - BARE UNIT tariffCode: 82051000 Schlagrate, max.: 3600BPM Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen productTraceability: No rohsCompliant: YES Drehmoment: 170Nm Versorgungsspannung, V AC: - euEccn: NLR Batterie-/Akkuspannung: 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Eingangsleistung: -W usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD17102 | DENMOS | auf Bestellung 659 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DTD26101 | DENMOS | auf Bestellung 1134 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DTD50 | FISNAR | Category: Dispensers Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar Soldering equipment features: for use with square back cartridges Operating pressure: 0...6.9bar Version: pneumatic Type of device: dispenser Syringe capacity: 50/50ml | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD50 | FISNAR | Category: Dispensers Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar Soldering equipment features: for use with square back cartridges Operating pressure: 0...6.9bar Version: pneumatic Type of device: dispenser Syringe capacity: 50/50ml Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DTD50-RB | FISNAR | FIS-DTD50-RB Dispensers | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD513ZE | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD513ZE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | auf Bestellung 2587 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD513ZE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD513ZE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | auf Bestellung 5280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD513ZETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 28169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD513ZETL | ROHM | Description: ROHM - DTD513ZETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 500 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: SOT-416 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD513Z Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD513ZETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | auf Bestellung 9426 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD513ZETL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR | auf Bestellung 1060 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD513ZETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 5775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD513ZETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD513ZETL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTD513ZETL NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD513ZETL | ROHM | Description: ROHM - DTD513ZETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD513ZMGT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD513ZMGT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD513ZMGT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr 500mA12V w/bias rstr | auf Bestellung 6759 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD513ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD513ZMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased RECOMMENDED ALT 755-DTD513ZMGT2L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD523YE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | auf Bestellung 5580 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD523YE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD523YE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD523YETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD523YETL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTD523YETL NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD523YETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transistor | auf Bestellung 1831 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD523YETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD523YETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | auf Bestellung 1963 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD523YMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | DTD523YMT2L NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD523YMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | auf Bestellung 2334 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD523YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD543EE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD543EE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | auf Bestellung 2922 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD543EE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD543EETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD543EETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD543EETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | auf Bestellung 1025 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD543EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD543EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | auf Bestellung 7735 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD543EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD543XE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD543XE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD543XE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD543XETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | auf Bestellung 1650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD543XETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD543XETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD543XMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD543XMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD543ZE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | auf Bestellung 6388 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD543ZETL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR | auf Bestellung 2966 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD543ZETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD543ZETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD543ZMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | DTD543ZMT2L NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD543ZMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | auf Bestellung 6993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD543ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD713ZETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 200MA 3PIN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD713ZETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD713ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | auf Bestellung 7527 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD713ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | auf Bestellung 7527 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD713ZMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRNSISTR DIGI NPN 200MA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD713ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD723YETL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN 200MA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD723YETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD723YMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN 200MA TR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD723YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD723YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | auf Bestellung 3426 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD723YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | auf Bestellung 3426 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD743EETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD743EETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD743EETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD743EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD743EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD743EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD743XETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | auf Bestellung 2860 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD743XETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD743XETL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DIGI 200MA/30V 3EMT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD743XMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DIGI 200MA/30V 3VMT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD743XMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD743ZETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD743ZETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD743ZMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTD743ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTDG14GP | ROHM | 08+ | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTDG14GP | ROHM | SOT89 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTDG14GP | ROHM | 09+ | auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTDG14GP Produktcode: 106265
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Lieblingsprodukt
| ROHM | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTDG14GP/EO1P | ROHM | auf Bestellung 941 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DTDG14GPFRAT100 | ROHM | Description: ROHM - DTDG14GPFRAT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1 usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60 euEccn: NLR Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: SOT-89 productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: Lead (17-Jan-2023) | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTDG14GPFRAT100 | ROHM | Description: ROHM - DTDG14GPFRAT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: 1 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: - Dauer-Kollektorstrom: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60 Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 euEccn: NLR Verlustleistung: 500 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - Transistor: SOT-89 Bauform - HF-Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Widerstandsverhältnis R1/R2: - Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: Lead (17-Jan-2023) | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTDG14GPT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W Frequency - Transition: 80 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R2 Only | auf Bestellung 10862 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTDG14GPT100 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGITAL NPN 60V 1A | auf Bestellung 1372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTDG14GPT100 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 60V; 1A; 500mW; SC62,SOT89; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 0.5W Case: SC62; SOT89 Current gain: 300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz Base-emitter resistor: 10kΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTDG14GPT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W Frequency - Transition: 80 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R2 Only | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTDG14GPT100 | ROHM | SOT-89 09+ | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTDG14GPT100 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 60V; 1A; 500mW; SC62,SOT89; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 0.5W Case: SC62; SOT89 Current gain: 300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz Base-emitter resistor: 10kΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTDG14P | ROHM | N A | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTDG23YP | ROHM | 09+ | auf Bestellung 1018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTDG23YPT100 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTDG23YPT100 NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTDG23YPT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W Frequency - Transition: 80 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 1128 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTDG23YPT100 | ROHM | Description: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1894 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTDG23YPT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W Frequency - Transition: 80 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTDG23YPT100 | ROHM | Description: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1894 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTDG23YPT100 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 60V 1A | auf Bestellung 5334 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTDS14GP | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTDS14GP HRAT100 | ROHM | SOT89 | auf Bestellung 795 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTDS14GPHRAT100 | ROHM | 98+ | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTDS14GPT100 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTDUO3/16GB | Kingston Technology | Flash Card 16G-byte USB Flash Drive | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DTDUO3CG3/64GB | Kingston | Array | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTDV23YPHRAT101 | ROHM | 98+ | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |