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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
DTD04S01DENMOS
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD05101DENMOS
auf Bestellung 5219 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD05202DENMOS
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD11003DENMOS
auf Bestellung 635 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113/DTD113EKИэЕЖ/07+ SOT-23
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113EonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 350 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ECHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2632+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 2632
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.39 EUR
11+0.27 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.077 EUR
3000+0.06 EUR
9000+0.049 EUR
24000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 2296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.32 EUR
91+0.19 EUR
147+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ECHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
620+0.23 EUR
643+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
2500+0.19 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 620
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ECT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
auf Bestellung 1402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.59 EUR
10+0.4 EUR
100+0.2 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.088 EUR
9000+0.076 EUR
24000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
690+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 690
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ECT116ROHM SEMICONDUCTORDTD113ECT116 NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
690+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 690
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113EK
auf Bestellung 6817 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113EKFRAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 0.5A 1kO SOT-346
auf Bestellung 2698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.75 EUR
10+0.6 EUR
100+0.45 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.22 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 1974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
537+0.27 EUR
557+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 537
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113EKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.64 EUR
10+0.5 EUR
100+0.27 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
45000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
537+0.27 EUR
557+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
2500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 537
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 16038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
997+0.14 EUR
1167+0.12 EUR
1237+0.11 EUR
2000+0.096 EUR
3000+0.092 EUR
6000+0.084 EUR
12000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 997
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 4199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.9 EUR
32+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113EKT146ROHM SEMICONDUCTORDTD113EKT146 NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ESROHMTO-92S
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ESROHM
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZCHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1755+0.081 EUR
2500+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 1755
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 56744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
82+0.22 EUR
131+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZCHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZCHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist
auf Bestellung 7871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.36 EUR
13+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.088 EUR
3000+0.072 EUR
6000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.072 EUR
6000+0.065 EUR
9000+0.061 EUR
15000+0.056 EUR
21000+0.054 EUR
30000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.33 EUR
94+0.19 EUR
155+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZCT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZCT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 82
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZCT116ROHM SemiconductorDigital Transistors RECOMMENDED ALT 755-DTD113ZUT106
auf Bestellung 23476 Stücke:
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9+0.35 EUR
15+0.2 EUR
100+0.12 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.067 EUR
6000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1009+0.17 EUR
2000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 1009
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZCT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZCT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 82
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
932+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
2500+0.13 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 932
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZKROHMSOT23
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZKROHM
auf Bestellung 5850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 82
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 21626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
453+0.44 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.23 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.16 EUR
12000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 453
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 141938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
42+0.43 EUR
100+0.29 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZKT146ROHMDescription: ROHM - DTD113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 82
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZKT146ROHMDescription: ROHM - DTD113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 18972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
483+0.44 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.23 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.16 EUR
12000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 483
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA
auf Bestellung 11597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.82 EUR
10+0.51 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
3000+0.16 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZS
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZSTPDTD113ZSTP Транзисторы Digital
auf Bestellung 5013 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZSTPRohm SemiconductorDescription: TRANS DIGITAL BJT NPN 500MA 3-PI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZUROHMSOT323
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZUROHM07+ SOT-323
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZU T106ROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 1651 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZU T106ROHM0239+
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 1710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
352+0.53 EUR
513+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 352
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZUT106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC70,SOT323; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 82
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 5889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.76 EUR
28+0.64 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZUT106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC70,SOT323; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 82
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 10733 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
290+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 290
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 5720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZUT106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
auf Bestellung 24250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.14 EUR
10+0.7 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
432+0.33 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
2500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 432
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 10kO Input Resist
auf Bestellung 4230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.36 EUR
13+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.088 EUR
3000+0.072 EUR
6000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1755+0.081 EUR
2500+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 1755
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.39 EUR
74+0.24 EUR
119+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1755+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 1755
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2326+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 2326
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114ECT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
auf Bestellung 8046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.44 EUR
11+0.27 EUR
100+0.24 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 1235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
932+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 932
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114EKROHM09+
auf Bestellung 3038 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114EKROHM07+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114EKROHMSOT23
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114EK-T146ROHM
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114EKFRAROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114EKFRAT146ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.16 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114EKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 56
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
184+0.39 EUR
244+0.29 EUR
394+0.18 EUR
747+0.096 EUR
794+0.09 EUR
3000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 184
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 24890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
456+0.31 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 456
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114EKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA
auf Bestellung 41344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.68 EUR
10+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 24890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 86279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.9 EUR
32+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114EKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 56
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
184+0.39 EUR
244+0.29 EUR
394+0.18 EUR
747+0.096 EUR
794+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 184
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 43847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
452+0.34 EUR
559+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
2000+0.19 EUR
3000+0.16 EUR
6000+0.14 EUR
12000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 452
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114ESROHMTO-92S
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114ESTPRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SPT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114GCHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-23, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
auf Bestellung 7397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.61 EUR
10+0.39 EUR
100+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114GCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
690+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 690
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114GCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.65 EUR
39+0.46 EUR
100+0.23 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114GCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114GCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
632+0.23 EUR
656+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
2500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 632
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114GCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.6 EUR
44+0.4 EUR
100+0.2 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114GCT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
auf Bestellung 3793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.59 EUR
10+0.4 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.09 EUR
9000+0.076 EUR
24000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114GCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
288+0.5 EUR
426+0.32 EUR
454+0.29 EUR
459+0.28 EUR
764+0.16 EUR
1080+0.11 EUR
1153+0.097 EUR
1920+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 288
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114GCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114GK T146ROHMSOT23
auf Bestellung 2893 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114GKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114GKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.85 EUR
10+0.69 EUR
100+0.35 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
24000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114GKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114GK Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+0.84 EUR
250+0.78 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 171
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114GKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114GK Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+0.84 EUR
250+0.78 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 171
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114GKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.86 EUR
27+0.67 EUR
100+0.4 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114GKT146ROHMSOT-23 96+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+0.84 EUR
250+0.78 EUR
500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 171
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD120-12SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 12 vdc 100W 8.33A ADAPTER AC/DC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD120-12SX-F-W6ETA-USADescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 100W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm)
Voltage - Output: 12V
Output Connector: Power DIN, 4 Pin
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Cord Length: 39.4" (1.00m)
Operating Temperature: 0°C ~ 40°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 8.33A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: International
No Load Power Consumption: 300mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 W
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+191.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD120-12SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 12V 8.33A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD120-19SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 19 vdc 120W 6.3A AC/DC Adapter
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD120-19SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 19V 6.3A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD120-19SX-F-W6ETA-USADescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 19V 120W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm)
Voltage - Output: 19V
Output Connector: Power DIN, 4 Pin
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Cord Length: 39.4" (1.00m)
Operating Temperature: 0°C ~ 40°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 6.3A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: International
No Load Power Consumption: 300mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 120 W
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+191.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD120-24SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 24vdc
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD120-24SX-F-W6ETA-USADescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 120W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm)
Voltage - Output: 24V
Output Connector: Power DIN, 4 Pin
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Cord Length: 39.4" (1.00m)
Operating Temperature: 0°C ~ 40°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 5A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: International
No Load Power Consumption: 300mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 120 W
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+191.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD120-24SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 24V 5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD120-36SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 36V 3.3A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD120-48SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 48V 2.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD120-48SX-F-W6ETA-USADescription: AC-DC EXTERNAL POWER ADAPTER
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD120-SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 120W INPUT 90~264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD122JKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD122JKT146ROHM06+ROHS
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD122JKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD123ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
662+0.22 EUR
1000+0.2 EUR
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 662
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors DTD123ECHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver.
auf Bestellung 5846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.54 EUR
10+0.34 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.1 EUR
9000+0.086 EUR
24000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.65 EUR
39+0.46 EUR
100+0.23 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD123ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
auf Bestellung 3785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.6 EUR
44+0.4 EUR
100+0.2 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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DTD123ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD123ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 19672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
402+0.36 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
2500+0.29 EUR
5000+0.27 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 402
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123ECT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.59 EUR
10+0.4 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.088 EUR
9000+0.076 EUR
24000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
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DTD123ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD123ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
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DTD123EKROHM04+ SOT-23
auf Bestellung 15100 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123EKROHMSOT23
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTD123EKROHM11+ROHS SOT-23
auf Bestellung 53500 Stücke:
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DTD123EKROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 360 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123EK T146ROHMSOT23
auf Bestellung 850 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123EKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
auf Bestellung 4282 Stücke:
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4+0.72 EUR
10+0.56 EUR
100+0.3 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
24000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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DTD123EKT146ROHM SEMICONDUCTORDTD123EKT146 NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 187642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1309+0.11 EUR
1419+0.097 EUR
1462+0.091 EUR
2000+0.084 EUR
3000+0.08 EUR
6000+0.074 EUR
12000+0.069 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
auf Bestellung 7970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.72 EUR
32+0.56 EUR
100+0.34 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD123EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 3772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+0.49 EUR
304+0.45 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 292
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+0.49 EUR
304+0.45 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 292
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123TCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
690+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2500+0.18 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 690
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123TCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123TCHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 2.2kO Input Resist
auf Bestellung 3333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.44 EUR
11+0.27 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.084 EUR
3000+0.067 EUR
9000+0.056 EUR
24000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123TCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.25 EUR
103+0.17 EUR
154+0.11 EUR
500+0.087 EUR
1000+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123TCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
626+0.23 EUR
649+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
2500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 626
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123TCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123TCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123TCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123TCT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
auf Bestellung 2861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.61 EUR
10+0.44 EUR
100+0.2 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.088 EUR
9000+0.076 EUR
24000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123TCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123TCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123TCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123TKROHMSOT23
auf Bestellung 1103 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123TKT146ROHM SEMICONDUCTORDTD123TKT146 NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123TKT146ROHMDescription: ROHM - DTD123TKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 40 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123TKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 1254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
537+0.27 EUR
557+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 537
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123TKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
auf Bestellung 3937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.83 EUR
10+0.66 EUR
100+0.37 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.23 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 14248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.11 EUR
26+0.68 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123TSTPRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YCHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
620+0.23 EUR
643+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 620
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YCHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors DTD123YCHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver.
auf Bestellung 9169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.59 EUR
10+0.37 EUR
100+0.16 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.077 EUR
9000+0.07 EUR
45000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
620+0.23 EUR
643+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 620
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.58 EUR
45+0.4 EUR
100+0.2 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YCHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YCT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
auf Bestellung 9710 Stücke:
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5+0.59 EUR
10+0.46 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.088 EUR
9000+0.076 EUR
24000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123YCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1493+0.096 EUR
1637+0.084 EUR
1909+0.069 EUR
2017+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 1493
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YCT116ROHM SEMICONDUCTORDTD123YCT116 NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123YCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123Y
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.22
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
418+0.34 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
2500+0.28 EUR
5000+0.26 EUR
10000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 418
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.6 EUR
44+0.4 EUR
100+0.2 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YKROHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YKROHMSOT23
auf Bestellung 84620 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YKROHM05+ SOT-23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YK/F62
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YKA
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YKFRAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123YKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123YKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YKFRAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 181698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.69 EUR
39+0.46 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 2009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
473+0.3 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 473
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YKT146ROHMDescription: ROHM - DTD123YKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123Y
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA SOT-346
auf Bestellung 16197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 12214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
503+0.28 EUR
607+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.16 EUR
3000+0.11 EUR
12000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 503
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD123YKT147
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD13001DENMOS
auf Bestellung 1093 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTD133EK
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DTD133HKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
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DTD133HKT146
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DTD143ECROHMSOT23
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DTD143ECRICOH
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DTD143ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
712+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
2500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 712
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143ECHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 47
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.32 EUR
89+0.2 EUR
143+0.12 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 4.7kO Input Resist
auf Bestellung 6798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.41 EUR
11+0.26 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.081 EUR
3000+0.065 EUR
9000+0.049 EUR
24000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1783+0.08 EUR
2025+0.068 EUR
2124+0.062 EUR
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1783
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.055 EUR
6000+0.048 EUR
12000+0.043 EUR
18000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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DTD143ECHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 47
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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DTD143ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143ECT116ROHM SEMICONDUCTORDTD143ECT116 NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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DTD143ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2146+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 2146
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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DTD143ECT116
Produktcode: 169680
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
770+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 770
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143ECT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
auf Bestellung 8462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.59 EUR
10+0.4 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.09 EUR
9000+0.076 EUR
24000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 3519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.6 EUR
44+0.4 EUR
100+0.2 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143ECT216Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.72 EUR
33+0.54 EUR
100+0.33 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143ECT216ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGITAL NPN 500mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143ECT216Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143EKROHMSOT23
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143EKROHM
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143EK T146ROHMSOT23-F23
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143EK T146 SOT23-F23ROHM
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143EKAROHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1086 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.72 EUR
29+0.61 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD143EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD143EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143EKFRAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 0.5A 4.7kO SOT-346
auf Bestellung 4964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.75 EUR
10+0.6 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.28 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1016+0.14 EUR
1157+0.12 EUR
1210+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1016
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 8194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.69 EUR
30+0.59 EUR
100+0.41 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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DTD143EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
196+0.73 EUR
250+0.68 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 196
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DTD143EKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA
auf Bestellung 20664 Stücke:
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5+0.69 EUR
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100+0.41 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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DTD143EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
196+0.73 EUR
250+0.68 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.59 EUR
2500+0.55 EUR
5000+0.51 EUR
10000+0.47 EUR
25000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 196
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DTD143EKT146ROHM SEMICONDUCTORDTD143EKT146 NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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DTD143EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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DTD143EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
196+0.73 EUR
250+0.68 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.59 EUR
2500+0.55 EUR
5000+0.51 EUR
10000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 196
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DTD143EKT146/F23ROHM
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTD143EKT146SOT23-F23ROHM
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTD143ESROHMTO-92S
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTD143ESTPRohm SemiconductorDescription: TRANS DIGITAL BJT NPN 500MA 3-PI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
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DTD143TKROHMSOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTD143TKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.72 EUR
10+0.58 EUR
100+0.4 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.2 EUR
9000+0.18 EUR
24000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD143TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
37+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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DTD143TKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
302+0.47 EUR
315+0.44 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.38 EUR
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 302
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DTD143TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
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DTD143TKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 7573 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1119+0.13 EUR
1184+0.12 EUR
1223+0.11 EUR
2000+0.099 EUR
3000+0.095 EUR
6000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 1119
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD152ZMAKITADescription: MAKITA - DTD152Z - 18V IMPACT DRIVER BODY ONLY
tariffCode: 82051000
Schlagrate, max.: 3200BPM
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Drehmoment: 165Nm
Versorgungsspannung, V AC: -
euEccn: NLR
Batterie-/Akkuspannung: 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Eingangsleistung: -W
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD153ZMAKITADescription: MAKITA - DTD153Z - 18V B/LESS IMPACT DRIVER - BARE UNIT
tariffCode: 82051000
Schlagrate, max.: 3600BPM
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Drehmoment: 170Nm
Versorgungsspannung, V AC: -
euEccn: NLR
Batterie-/Akkuspannung: 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Eingangsleistung: -W
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DTD17102DENMOS
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD26101DENMOS
auf Bestellung 1134 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD50FISNARCategory: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of device: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Soldering equipment features: for use with square back cartridges
Operating pressure: 0...6.9bar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+919.83 EUR
3+884.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD50FISNARCategory: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of device: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Soldering equipment features: for use with square back cartridges
Operating pressure: 0...6.9bar
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+919.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD50-RBFISNARCategory: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of device: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Soldering equipment features: for use with round back cartridges
Operating pressure: 0...6.9bar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD50-RBFISNARCategory: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of device: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Soldering equipment features: for use with round back cartridges
Operating pressure: 0...6.9bar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD513ZEROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD513ZE3TLROHMDescription: ROHM - DTD513ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD513Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD513ZE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
auf Bestellung 5280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.74 EUR
10+0.53 EUR
100+0.26 EUR
1000+0.22 EUR
3000+0.16 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD513ZE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 2587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.9 EUR
32+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD513ZE3TLROHMDescription: ROHM - DTD513ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD513Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD513ZE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD513ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD513ZETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 28169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1325+0.11 EUR
1327+0.1 EUR
1486+0.089 EUR
2000+0.082 EUR
3000+0.079 EUR
6000+0.075 EUR
12000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 1325
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD513ZETLROHM SEMICONDUCTORDTD513ZETL NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD513ZETLROHMDescription: ROHM - DTD513ZETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD513ZETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 5775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
669+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
2500+0.19 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 669
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD513ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 9426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.79 EUR
37+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD513ZETLROHMDescription: ROHM - DTD513ZETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-416
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD513Z
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD513ZETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.74 EUR
10+0.55 EUR
100+0.24 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD513ZMGT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD513ZMGT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr 500mA12V w/bias rstr
auf Bestellung 6759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.79 EUR
10+0.6 EUR
100+0.38 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD513ZMGT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD513ZMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased RECOMMENDED ALT 755-DTD513ZMGT2L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD513ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD523YE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD523YE3TLROHMDescription: ROHM - DTD523YE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD523Y Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD523YE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.9 EUR
32+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD523YE3TLROHMDescription: ROHM - DTD523YE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD523Y Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD523YE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
auf Bestellung 5580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.55 EUR
100+0.27 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD523YETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
auf Bestellung 1963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD523YETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD523YETLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN Digital Transistor
auf Bestellung 1831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.77 EUR
10+0.54 EUR
100+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD523YETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
626+0.23 EUR
649+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
2500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 626
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD523YETLROHM SEMICONDUCTORDTD523YETL NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD523YMT2LROHM SEMICONDUCTORDTD523YMT2L NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD523YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD523YMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
auf Bestellung 2334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.72 EUR
10+0.54 EUR
100+0.37 EUR
1000+0.23 EUR
2500+0.17 EUR
8000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD543EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 2922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.7 EUR
41+0.44 EUR
100+0.28 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD543EE3TLROHMDescription: ROHM - DTD543EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 115hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD543EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD543EE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.68 EUR
10+0.53 EUR
100+0.33 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD543EE3TLROHMDescription: ROHM - DTD543EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 115hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD543EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD543EETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.74 EUR
10+0.52 EUR
100+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD543EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 5025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.72 EUR
40+0.44 EUR
100+0.28 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD543EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD543EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 325
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD543EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.79 EUR
36+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD543EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 14130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1764+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 1764
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD543EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
auf Bestellung 7735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.72 EUR
10+0.41 EUR
100+0.27 EUR
1000+0.23 EUR
8000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD543EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD543XE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD543XE3TLROHMDescription: ROHM - DTD543XE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543X Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD543XE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.74 EUR
10+0.53 EUR
100+0.26 EUR
1000+0.22 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD543XE3TLROHMDescription: ROHM - DTD543XE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543X Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD543XE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.7 EUR
41+0.44 EUR
100+0.28 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD543XE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD543XETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD543XETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 5185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
596+0.39 EUR
1000+0.28 EUR
2000+0.17 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 596
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD543XETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.72 EUR
40+0.44 EUR
100+0.28 EUR
500+0.21 EUR
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DTD543XETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
auf Bestellung 1650 Stücke:
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4+0.87 EUR
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100+0.35 EUR
1000+0.22 EUR
3000+0.16 EUR
9000+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
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DTD543XETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 150mW 3-Pin EMT T/R
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DTD543XMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
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DTD543XMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
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DTD543ZE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
auf Bestellung 6388 Stücke:
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4+0.74 EUR
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100+0.31 EUR
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3000+0.18 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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DTD543ZE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
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DTD543ZE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 55 Stücke:
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25+0.7 EUR
41+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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DTD543ZE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
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DTD543ZETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
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542+0.39 EUR
1000+0.28 EUR
2000+0.23 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 542
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DTD543ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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DTD543ZETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
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DTD543ZETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
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1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 632
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DTD543ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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25+0.72 EUR
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100+0.28 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
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DTD543ZMT2LROHM SEMICONDUCTORDTD543ZMT2L NPN SMD transistors
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DTD543ZMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
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10+0.41 EUR
100+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
2500+0.17 EUR
8000+0.14 EUR
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DTD543ZMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 7964 Stücke:
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1051+0.14 EUR
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DTD543ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
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DTD543ZMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 2893 Stücke:
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519+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
2000+0.24 EUR
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DTD713ZETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 200MA 3PIN
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DTD713ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
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DTD713ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
auf Bestellung 7527 Stücke:
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DTD713ZMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRNSISTR DIGI NPN 200MA
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DTD713ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Produkt ist nicht verfügbar
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DTD713ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
auf Bestellung 7527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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DTD723YETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 200MA
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DTD723YETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
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DTD723YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
auf Bestellung 3426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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DTD723YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
auf Bestellung 3426 Stücke:
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DTD723YMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 200MA TR
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DTD723YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
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DTD743EETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
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DTD743EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
auf Bestellung 1 Stücke:
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DTD743EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
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DTD743EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD743EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
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DTD743EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD743XETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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DTD743XETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DIGI 200MA/30V 3EMT
Produkt ist nicht verfügbar
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DTD743XETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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34+0.53 EUR
100+0.27 EUR
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1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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DTD743XMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DIGI 200MA/30V 3VMT
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DTD743XMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTD743ZETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
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DTD743ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
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DTD743ZMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
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DTD743ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
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DTDG14GPROHM09+
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTDG14GP
Produktcode: 106265
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ROHMTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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DTDG14GPROHM08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTDG14GPROHMSOT89
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTDG14GP/EO1PROHM
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTDG14GPFRAT100ROHMDescription: ROHM - DTDG14GPFRAT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-89
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTDG14GPFRAT100ROHMDescription: ROHM - DTDG14GPFRAT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 1
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-89
Bauform - HF-Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DTDG14GPT100ROHMSOT-89 09+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTDG14GPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R2 Only
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.37 EUR
2000+0.34 EUR
3000+0.32 EUR
5000+0.3 EUR
7000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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DTDG14GPT100ROHM SEMICONDUCTORDTDG14GPT100 NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTDG14GPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R2 Only
auf Bestellung 9799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.34 EUR
22+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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DTDG14GPT100ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGITAL NPN 60V 1A
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.22 EUR
10+0.89 EUR
100+0.59 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.38 EUR
2000+0.3 EUR
10000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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DTDG14PROHMN A
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTDG23YPROHM09+
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTDG23YPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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DTDG23YPT100ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 60V 1A
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DTDG23YPT100ROHM SEMICONDUCTORDTDG23YPT100 NPN SMD transistors
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DTDG23YPT100ROHMDescription: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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DTDG23YPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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Mindestbestellmenge: 11
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DTDG23YPT100ROHMDescription: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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DTDS14GPROHM SemiconductorROHM Semiconductor
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DTDS14GP HRAT100ROHMSOT89
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DTDS14GPHRAT100ROHM98+
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DTDS14GPT100ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
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DTDUO3/16GBKingston TechnologyFlash Card 16G-byte USB Flash Drive
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DTDUO3CG3/128GBKINGSTON TECHNOLOGYCategory: Pendrives
Description: Pendrive; USB 3.2 Gen 1; 128GB; R: 200MB/s; violet; USB A,USB C
Type of data storage device: pendrive
Read speed: 200MB/s
Memory capacity: 128GB
Colour: violet
Kind of connector: USB A; USB C
Version: USB 3.2 Gen 1
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DTDUO3CG3/256GBKINGSTON TECHNOLOGYCategory: Pendrives
Description: Pendrive; USB 3.2 Gen 1; 256GB; R: 200MB/s; violet; USB A,USB C
Type of data storage device: pendrive
Read speed: 200MB/s
Memory capacity: 256GB
Colour: violet
Kind of connector: USB A; USB C
Version: USB 3.2 Gen 1
Produkt ist nicht verfügbar
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DTDUO3CG3/64GBKingstonArray
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DTDUO3CG3/64GBKINGSTON TECHNOLOGYCategory: Pendrives
Description: Pendrive; USB 3.2 Gen 1; 64GB; R: 200MB/s; violet; USB A,USB C
Type of data storage device: pendrive
Read speed: 200MB/s
Memory capacity: 64GB
Colour: violet
Kind of connector: USB A; USB C
Version: USB 3.2 Gen 1
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DTDV23YPHRAT101ROHM98+
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