Produkte > DTD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| DTD04S01 | DENMOS | auf Bestellung 820 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| DTD05101 | DENMOS | auf Bestellung 5219 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| DTD05202 | DENMOS | auf Bestellung 690 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| DTD11003 | DENMOS | auf Bestellung 635 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| DTD113/DTD113EK | ИэЕЖ/ | 07+ SOT-23 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113E | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 350 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ECHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 1649 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5217 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ECHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Current gain: 33 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R | auf Bestellung 1388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R | auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 61 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113ECT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Current gain: 33 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113ECT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors | auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R | auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 61 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113EK | auf Bestellung 6817 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| DTD113EKFRAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: SMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113EKFRAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 0.5A 1kO SOT-346 | auf Bestellung 2698 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113EKFRAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: SMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113EKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Produktpalette: DTD113E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113EKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Current gain: 33 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113EKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Resistors Included: R1 and R2 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 4760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 4760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113EKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Produktpalette: DTD113E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113EKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 500MA | auf Bestellung 791 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 401 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 397 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113EKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4199 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ES | ROHM | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| DTD113ZCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistors Included: R1 and R2 Power - Max: 200 mW Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ZCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113ZCHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ZCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ZCHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113ZCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 13075 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ZCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 575 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113ZCHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 82 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113ZCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113ZCHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ZCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ZCT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 8300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ZCT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113ZCT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 16763 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ZCT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 82 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113ZCT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R | auf Bestellung 5970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ZCT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 8300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ZCT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R | auf Bestellung 2695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ZCT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ZCT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R | auf Bestellung 2695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ZCT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors RECOMMENDED ALT 755-DTD113ZUT106 | auf Bestellung 16565 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ZK | ROHM | SOT23 | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113ZKT146 | Rohm | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113ZKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113ZKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ZKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 126181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ZKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 38086 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ZKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA | auf Bestellung 11986 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ZKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113ZKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113ZKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms | auf Bestellung 126000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ZKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 82 | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ZKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R | auf Bestellung 38086 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ZS | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| DTD113ZSTP | Rohm Semiconductor | Description: TRANS DIGITAL BJT NPN 500MA 3-PI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-72 Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SPT Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113ZSTP | DTD113ZSTP Транзисторы Digital | auf Bestellung 5013 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| DTD113ZU | ROHM | SOT323 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113ZU T106 | ROHM | 0239+ | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113ZUT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 2023 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ZUT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 500MA | auf Bestellung 19412 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ZUT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 3218 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ZUT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 17754 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ZUT106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC70,SOT323; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 82 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD113ZUT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD113ZUT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD113ZUT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 17754 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD114ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD114ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD114ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD114ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3611 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD114ECHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-23 10kO Input Resist | auf Bestellung 3853 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD114ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 5178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD114ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD114ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD114ECT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD114ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD114ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R | auf Bestellung 1235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD114ECT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors | auf Bestellung 8830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTD114ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD114ECT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD114ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD114ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R | auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 65 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DTD114ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R | auf Bestellung 2715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTD114EK | ROHM | SOT23 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |