Produkte > GAN

Wählen Sie Seite:   1 2 3 4  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
GAN FET BOOK - DC/DCEPCDescription: TEXT DC-DC CONVERTER HANDBOOK
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: DC-DC Converter Handbook
Author(s): David Reusch, John Glaser
Publisher: Efficient Power Publications
ISBN: 9780996649209
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+72.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN FET BOOK - WIPO 2ND EDITIONEPCDescription: TEXT WIRELESS POWER HANDBOOK-2ND
ISBN: 9780996649216
Publisher: Power Conversion Publications
Author(s): Michael A. de Rooij
Title: Wireless Power Handbook (2nd Edition)
Type: Book
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN FET BOOK SIMPLIFIED CHINESE VERSIONEPCDescription: TEXT GAN TRANSISTORS
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: GaN Transistors for Efficient Power Conversion
Author(s): Alex Lidow, Johan Strydom, Michael de Rooij, Yanping Ma
Publisher: Power Conversion Publications
ISBN: 9780615697895
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN FET BOOK-WIPOEPCDescription: TEXT WIRELESS POWER HANDBOOK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN POWER DEVICES AND APPLICATIEPCDescription: TEXT GAN POWER DEVICES & APPS
Packaging: Box
Type: Book
Title: GaN Power Devices and Applications
Author(s): Alex Lidow
Publisher: J.Wiley
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+194.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN POWER DEVICES AND APPLICATIONS 1ST EDEPCDescription: TEXT GAN POWER DEVICES & APPS
Publisher: J.Wiley
Author(s): Alex Lidow
Title: GaN Power Devices and Applications
Type: Book
Packaging: Box
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+208.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN-CLIP FOR HOLDING GASKETHIRSCHMANNDescription: HIRSCHMANN - GAN-CLIP FOR HOLDING GASKET - FIXING CLIP, RECTANGULAR CONNECTOR
tariffCode: 85389099
Art des Zubehörs: Fixing Clip
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: GDM Series Type A Overmolded Female Valve Connectors
Produktpalette: GDM Series
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.88 EUR
295+0.79 EUR
296+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN-GASKET FOR IP69KHIRSCHMANNDescription: HIRSCHMANN - GAN-GASKET FOR IP69K - GAN GASKET, RECTANGULAR CONNECTOR
tariffCode: 40169300
Art des Zubehörs: GAN Gasket
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: GDM Series Type A Overmolded Female Valve Connectors
usEccn: EAR99
Produktpalette: GDM Series
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN-STAINLESS SCREW M3X28Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN014-650NBCANexperiaNexperia 650V TO247 GALLIUM NITRIDE FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NBBNexperiaNexperia MOS DISCRETES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NBBHPNexperia USA Inc.Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NBBHPNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 12-Pin CCPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NBBHPNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 12-Pin CCPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NBBHPNexperia USA Inc.Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
auf Bestellung 811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.75 EUR
10+19.48 EUR
100+16.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NBBHPNexperiaGaN FETs GAN039-650NBB/SOT8000/CCPAK121
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.23 EUR
10+19.12 EUR
100+15.93 EUR
1000+13.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBANexperiaGallium Nitride (GaN) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBJNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN039-650NTBJ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 26nC
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+45.43 EUR
7+35.93 EUR
10+27.36 EUR
50+25.87 EUR
100+24.4 EUR
250+23.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBJNexperia USA Inc.Description: GAN CASCODE FETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+24.49 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBJNexperiaGaN FETs GAN039-650NTB/SOT8005/CCPAK121
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.23 EUR
10+19.12 EUR
100+15.93 EUR
1000+13.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+24.49 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBJNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN039-650NTBJ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 26nC
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.36 EUR
50+25.87 EUR
100+24.4 EUR
250+23.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBJNexperia USA Inc.Description: GAN CASCODE FETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.75 EUR
10+19.48 EUR
100+16.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBZNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBZNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBZNexperiaGaN FETs 650 V, 33 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212i package
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.17 EUR
10+21.11 EUR
50+21 EUR
100+18.27 EUR
500+17.05 EUR
1000+15.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSANexperiaNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+30 EUR
100+28.1 EUR
500+26.04 EUR
1000+24.05 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNexperiaGaN FETs GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.55 EUR
10+18.93 EUR
100+13.51 EUR
500+13.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN041-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 22nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.33 EUR
9+27.63 EUR
10+22.44 EUR
50+21.05 EUR
100+20.72 EUR
250+19.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 13686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+30 EUR
100+28.1 EUR
500+26.04 EUR
1000+24.05 EUR
10000+22.29 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33.4A
Power dissipation: 187W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 240A
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Kind of package: tube
Case: SOT429; TO247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNexperia USA Inc.Description: GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.49 EUR
10+20.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+30 EUR
100+28.1 EUR
500+26.04 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+13.76 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQ
Produktcode: 207569
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN063-650WSAQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, Gan FET, 650 V, 34.5 A, 0.06 ohm, 15 nC, TP-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 15nC
Bauform - Transistor: TP-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+31.26 EUR
10+27.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24.4A
Power dissipation: 143W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Pulsed drain current: 150A
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Kind of package: tube
Case: SOT429; TO247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNexperia USA Inc.Description: GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.45 EUR
10+27.26 EUR
300+26.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.16 EUR
10+19.47 EUR
120+16.53 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNXPTrans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 GAN063-650WSAQ TGAN063-650WSAQ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+56.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNexperiaGaN FETs TO247 650V 34.5A GAN FET
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.14 EUR
10+38.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.16 EUR
10+19.9 EUR
120+17.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN065-252020GREEN DIGITAL POWER TECHCategory: Chargers
Description: Charger: for rechargeable batteries; Li-Ion; 25.2V; 2A
Type of charger: for rechargeable batteries
Kind of rechargeable battery: Li-Ion
Rechargeable battery voltage: 25.2V
Max. charging current: 2A
Protection: overcharging protection; overheating OTP; short circuit protection SCP
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN080-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.44 EUR
14+17.49 EUR
17+13.07 EUR
50+11.52 EUR
100+9.98 EUR
250+9.79 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN080-650EBEZNexperiaGaN FETs SOT8074 650V 29A FET
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.89 EUR
10+10.12 EUR
100+7.39 EUR
500+7.22 EUR
1000+6.62 EUR
2500+6.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN080-650EBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 29A; Idm: 58A; 240W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 58A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -6...7V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 240W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN080-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 30.7mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 400 V
auf Bestellung 2052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.18 EUR
10+10.31 EUR
100+7.54 EUR
500+7.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN080-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.44 EUR
14+17.49 EUR
17+13.07 EUR
50+11.52 EUR
100+9.98 EUR
250+9.79 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN080-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 30.7mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN111-650WSBQNexperia USA Inc.Description: GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 400 V
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.78 EUR
10+15.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN111-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 21A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN111-650WSBQNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.9nC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.96 EUR
11+21.12 EUR
50+20.69 EUR
100+20.29 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN111-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 21A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN111-650WSBQNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.9nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+35.58 EUR
9+27.96 EUR
11+21.12 EUR
50+20.69 EUR
100+20.29 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN111-650WSBQNexperiaGaN FETs GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.63 EUR
10+15.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650EBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 17A; Idm: 32A; 113W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 32A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 113W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
auf Bestellung 2355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.85 EUR
10+10.79 EUR
100+7.93 EUR
500+7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650EBEZNexperiaGaN FETs SOT8074 650V 17A FET
auf Bestellung 2036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.67 EUR
10+9.13 EUR
100+6.72 EUR
500+5.99 EUR
1000+5.46 EUR
2500+4.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.59 EUR
16+14.88 EUR
100+10.41 EUR
500+9.77 EUR
1000+9.47 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.59 EUR
16+14.88 EUR
100+10.41 EUR
500+9.77 EUR
1000+9.47 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650FBEZNexperiaGaN FETs SOT8075 650V 17A FET
auf Bestellung 1582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.45 EUR
10+9.12 EUR
50+8.23 EUR
100+6.78 EUR
1000+6.53 EUR
2500+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650FBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN140-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.67 EUR
18+13.63 EUR
100+9.37 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650FBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.64 EUR
10+9.92 EUR
100+7.25 EUR
500+7.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650FBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 17A; Idm: 32A; 113W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 32A
Case: DFN5060-5
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 113W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650FBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN140-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.67 EUR
18+13.63 EUR
100+9.37 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650FBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650EBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 20.5A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 125W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN190-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.04 EUR
27+8.77 EUR
100+6.21 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
auf Bestellung 933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.35 EUR
10+7.58 EUR
100+5.45 EUR
500+5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650EBEZNexperiaGaN FETs SOT8074 650V 11.5A FET
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.88 EUR
10+5.99 EUR
100+4.5 EUR
500+3.92 EUR
1000+3.22 EUR
2500+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN190-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.04 EUR
27+8.77 EUR
100+6.21 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650FBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN190-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.49 EUR
25+9.56 EUR
100+6.27 EUR
500+6.1 EUR
1000+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650FBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650FBEZNexperiaGaN FETs SOT8075 650V 11.5A FET
auf Bestellung 2193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.9 EUR
10+5.87 EUR
100+4.32 EUR
500+3.67 EUR
1000+3.42 EUR
2500+2.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650FBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN190-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.49 EUR
25+9.56 EUR
100+6.27 EUR
500+6.1 EUR
1000+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650FBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
auf Bestellung 1393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.47 EUR
10+6.99 EUR
100+5 EUR
500+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650FBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 20.5A
Case: DFN5060-5
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 125W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN200U-A0U-6060200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN200U-A0U-6060500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN20LU-A0U-6120200HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN20LU-A0U-6120200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN20LU-A0U-6120500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN210U-A0U-6030200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.86 EUR
10+30.94 EUR
100+30.43 EUR
250+29.51 EUR
500+28.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN210U-A0U-6030500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN210U-A0U-6030500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN21LU-A0U-6090200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN21LU-A0U-6091000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN21LU-V41-2120500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.77 EUR
10+54.31 EUR
25+52.61 EUR
50+50.9 EUR
100+49.19 EUR
250+46.47 EUR
500+45.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN220U-A0U-2260500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN220U-A0U-2260500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN220U-A0U-2260500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN220U-A0U-2261000HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   1 2 3 4  [ Nächste Seite >> ]