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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
GAN DICHTUNGBelden735633002
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN FET BOOK - DC/DCEPCDescription: TEXT DC-DC CONVERTER HANDBOOK
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: DC-DC Converter Handbook
Author(s): David Reusch, John Glaser
Publisher: Efficient Power Publications
ISBN: 9780996649209
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+67.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN FET BOOK - WIPO 2ND EDITIONEPCDescription: TEXT WIRELESS POWER HANDBOOK-2ND
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: Wireless Power Handbook (2nd Edition)
Author(s): Michael A. de Rooij
Publisher: Power Conversion Publications
ISBN: 9780996649216
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN FET BOOK SIMPLIFIED CHINESE VERSIONEPCDescription: TEXT GAN TRANSISTORS
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: GaN Transistors for Efficient Power Conversion
Author(s): Alex Lidow, Johan Strydom, Michael de Rooij, Yanping Ma
Publisher: Power Conversion Publications
ISBN: 9780615697895
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN FET BOOK-WIPOEPCDescription: TEXT WIRELESS POWER HANDBOOK
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GAN FIXIERTEILBelden735656002
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN POWER DEVICES AND APPLICATIONS 1ST EDEPCDescription: TEXT GAN POWER DEVICES & APPS
Packaging: Box
Type: Book
Title: GaN Power Devices and Applications
Author(s): Alex Lidow
Publisher: J.Wiley
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+174.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN-CLIP FOR HOLDING GASKETHIRSCHMANNDescription: HIRSCHMANN - GAN-CLIP FOR HOLDING GASKET - FIXING CLIP, RECTANGULAR CONNECTOR
tariffCode: 85389099
Art des Zubehörs: Fixing Clip
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: GDM Series Type A Overmolded Female Valve Connectors
usEccn: EAR99
Produktpalette: GDM Series
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GAN-DADE7A-AG0500C1-XC607-ACBeldenValve Accessories, 3m 19AWG (2Signal/1Ground) IP67 DIN Valve Connector M
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN-DADE7A-FS0500C1-XC607-ACBeldenValve Access Cable Socket Polyamide Black
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN-DAEE7A-AH0200C1-XC607-ADBeldenValve Access Cable Socket Polyamide Black
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN-DAEE7A-AH0500C1-XC607-ACBeldenValve Access Cable Socket Polyamide Black
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GAN-DAFE7A-AG0200C1-XC607-ADBelden934562004
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN-DAFE7A-AG0500C1-XC607-ACBeldenValve Access Cable Socket Polyamide Black
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GAN-DEFE7X-FS0500C1-XC607-ACBeldenValve Access Cable Socket Polyamide Black
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GAN-DFFE7X-AG0500C1-XC607-ACBeldenValve Access Cable Socket Polyamide Transparent Blue
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GAN-GASKET FOR IP69KHIRSCHMANNDescription: HIRSCHMANN - GAN-GASKET FOR IP69K - GAN GASKET, RECTANGULAR CONNECTOR
tariffCode: 40169300
Art des Zubehörs: GAN Gasket
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: GDM Series Type A Overmolded Female Valve Connectors
usEccn: EAR99
Produktpalette: GDM Series
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 54 Stücke:
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GAN-STAINLESS SCREW M3X28HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN014-650NBCANexperiaNexperia 650V TO247 GALLIUM NITRIDE FET
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GAN039-650NBBNexperiaNexperia MOS DISCRETES
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GAN039-650NBBHPNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 12-Pin CCPAK
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GAN039-650NBBHPNexperia USA Inc.Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
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GAN039-650NBBHPNexperiaGaN FETs 650 V, 33 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212 package
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.14 EUR
10+27.56 EUR
25+26.49 EUR
100+22.95 EUR
250+22.49 EUR
500+20.24 EUR
1000+18.00 EUR
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GAN039-650NBBHPNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 12-Pin CCPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NBBHPNexperia USA Inc.Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.21 EUR
10+27.62 EUR
100+23.01 EUR
500+20.29 EUR
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GAN039-650NTBANexperiaGallium Nitride (GaN) MOSFET
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GAN039-650NTBJNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN039-650NTBJ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GAN039-650NTBJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+20.82 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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GAN039-650NTBJNexperia USA Inc.Description: GAN CASCODE FETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+20.82 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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GAN039-650NTBJNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN039-650NTBJ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 26nC
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GAN039-650NTBJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBJNexperia USA Inc.Description: GAN CASCODE FETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
auf Bestellung 924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.58 EUR
10+16.98 EUR
25+15.83 EUR
100+14.56 EUR
250+13.96 EUR
500+13.60 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBJNexperiaGaN FETs GAN039-650NTB/SOT8005/CCPAK121
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.59 EUR
10+21.49 EUR
25+18.30 EUR
100+17.39 EUR
250+16.58 EUR
500+15.45 EUR
1000+13.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBZNEXPERIA650 V, 33 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212i package
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBZNexperiaGaN FETs 650 V, 33 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212i package
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.31 EUR
10+17.74 EUR
50+17.65 EUR
100+15.35 EUR
500+14.33 EUR
1000+13.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBZNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBZNEXPERIA650 V, 33 mOhm Gallium Nitride GaN FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBZNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSANexperiaNexperia
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNEXPERIA650 V, 35 mOhm Gallium Nitride FET in a TO-247 package 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+21.53 EUR
50+20.27 EUR
100+19.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNEXPERIA650 V, 35 mOhm Gallium Nitride FET in a TO-247 package 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQ
Produktcode: 207569
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Transistoren > MOSFET N-CH
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GAN041-650WSBQNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33.4A
Pulsed drain current: 240A
Case: SOT429; TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.68 EUR
5+17.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNexperia USA Inc.Description: GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.58 EUR
10+24.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNexperiaGaN FETs GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.65 EUR
10+25.20 EUR
25+24.85 EUR
50+24.25 EUR
100+23.83 EUR
250+22.53 EUR
500+21.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN041-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 22nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+12.90 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+12.20 EUR
100+11.28 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33.4A
Pulsed drain current: 240A
Case: SOT429; TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.68 EUR
5+17.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+22.23 EUR
10+16.54 EUR
120+14.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24.4A
Pulsed drain current: 150A
Case: SOT429; TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Power dissipation: 143W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNexperia USA Inc.Description: GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.75 EUR
10+22.91 EUR
300+22.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNEXPERIATrans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNexperiaGaN FETs GAN063-650WSA/SOT429/TO-247
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.37 EUR
10+20.66 EUR
30+20.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN063-650WSAQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, Gan FET, 650 V, 34.5 A, 0.06 ohm, 15 nC, TP-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 15nC
Bauform - Transistor: TP-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+22.23 EUR
10+16.54 EUR
120+14.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24.4A
Pulsed drain current: 150A
Case: SOT429; TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Power dissipation: 143W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNEXPERIATrans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNXPTrans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 GAN063-650WSAQ TGAN063-650WSAQ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+46.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN065-084050GREEN DIGITAL POWER TECHCategory: Chargers
Description: Charger: for rechargeable batteries; Li-Ion; 7.2V; 5A
Type of charger: for rechargeable batteries
Kind of rechargeable battery: Li-Ion
Rechargeable battery voltage: 7.2V
Max. charging current: 5A
Protection: overcharging protection; overheating OTP; short circuit protection SCP
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+36.46 EUR
3+34.51 EUR
5+32.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN065-084050GREEN DIGITAL POWER TECHCategory: Chargers
Description: Charger: for rechargeable batteries; Li-Ion; 7.2V; 5A
Type of charger: for rechargeable batteries
Kind of rechargeable battery: Li-Ion
Rechargeable battery voltage: 7.2V
Max. charging current: 5A
Protection: overcharging protection; overheating OTP; short circuit protection SCP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+36.46 EUR
3+34.51 EUR
5+32.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN065-252020GREEN DIGITAL POWER TECHCategory: Chargers
Description: Charger: for rechargeable batteries; Li-Ion; 25.9V; 2A
Kind of rechargeable battery: Li-Ion
Protection: overcharging protection; overheating OTP; short circuit protection SCP
Rechargeable battery voltage: 25.9V
Type of charger: for rechargeable batteries
Max. charging current: 2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN065-252020GREEN DIGITAL POWER TECHCategory: Chargers
Description: Charger: for rechargeable batteries; Li-Ion; 25.9V; 2A
Kind of rechargeable battery: Li-Ion
Protection: overcharging protection; overheating OTP; short circuit protection SCP
Rechargeable battery voltage: 25.9V
Type of charger: for rechargeable batteries
Max. charging current: 2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN080-650EBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 29A; Idm: 58A; 240W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 58A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -6...7V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 240W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN080-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 30.7mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 400 V
auf Bestellung 1158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.33 EUR
10+11.21 EUR
100+10.64 EUR
500+9.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN080-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN080-650EBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 29A; Idm: 58A; 240W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 58A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -6...7V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 240W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN080-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 30.7mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN080-650EBEZNEXPERIAGAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080-
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN080-650EBEZNexperiaGaN FETs SOT8074 650V 29A FET
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.28 EUR
10+11.18 EUR
100+10.60 EUR
500+9.75 EUR
1000+9.42 EUR
2500+6.90 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN080-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN111-650WSBQNexperia USA Inc.Description: GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 400 V
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.44 EUR
10+14.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN111-650WSBQNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.9nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN111-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 21A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN111-650WSBQNexperiaGaN FETs GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.64 EUR
10+15.66 EUR
30+13.36 EUR
120+12.67 EUR
270+12.09 EUR
510+11.26 EUR
1020+9.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN111-650WSBQNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN111-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 21A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650EBEZNexperiaGaN FETs SOT8074 650V 17A FET
auf Bestellung 2119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.93 EUR
10+8.45 EUR
25+8.06 EUR
100+6.92 EUR
250+6.85 EUR
500+6.37 EUR
1000+5.90 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650EBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 17A; Idm: 32A; 113W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 32A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 113W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.96 EUR
10+8.47 EUR
100+6.95 EUR
500+6.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650EBEZNEXPERIATrans MOSFET N-CH GaN 650V 17A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650EBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 17A; Idm: 32A; 113W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 32A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 113W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650FBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN140-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650FBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
auf Bestellung 2327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.48 EUR
10+6.99 EUR
100+6.76 EUR
500+6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650FBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN140-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650FBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 17A; Idm: 32A; 113W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 32A
Case: DFN5060-5
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 113W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650FBEZNexperiaGaN FETs SOT8075 650V 17A FET
auf Bestellung 2235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.46 EUR
10+6.97 EUR
500+6.53 EUR
1000+6.20 EUR
2500+4.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650FBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 17A; Idm: 32A; 113W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 32A
Case: DFN5060-5
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 113W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650FBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650EBEZNEXPERIA650 V, 190 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 8 mm x 8 mm package / SOT8074
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650EBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 20.5A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 125W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN190-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650EBEZNexperiaGaN FETs SOT8074 650V 11.5A FET
auf Bestellung 1337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+4.95 EUR
500+4.80 EUR
1000+4.44 EUR
2500+2.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650EBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 20.5A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 125W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
auf Bestellung 1837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.10 EUR
10+4.97 EUR
100+4.89 EUR
500+4.82 EUR
1000+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN190-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650FBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650FBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN190-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650FBEZNEXPERIA650 V, 190 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN5 mm x 6 mm package / SOT8075
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650FBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 20.5A
Case: DFN5060-5
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 125W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650FBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
auf Bestellung 1728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.95 EUR
10+4.92 EUR
100+4.82 EUR
500+4.43 EUR
1000+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650FBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN190-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650FBEZNexperiaGaN FETs SOT8075 650V 11.5A FET
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.91 EUR
10+4.88 EUR
100+4.79 EUR
500+4.40 EUR
1000+4.07 EUR
2500+2.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650FBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 20.5A
Case: DFN5060-5
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 125W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN200U-A0U-6060200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN200U-A0U-6060500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN20LU-A0U-6120200HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN20LU-A0U-6120500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN20LU-S22-6180120Belden934889125
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN20LU-S24-6060700Belden6731
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN210U-A0U-6030200HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.85 EUR
10+29.04 EUR
25+26.56 EUR
50+25.71 EUR
100+23.23 EUR
500+22.72 EUR
1000+21.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN210U-A0U-6030500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN210U-A0U-6030500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN21LU-V41-2120500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.75 EUR
10+45.64 EUR
25+44.21 EUR
50+42.77 EUR
100+41.34 EUR
250+39.05 EUR
500+37.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN220U-A0U-2260500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN220U-A0U-2260500BeldenValve Connectors, Type A, Overmolded Female, Cable Assembly
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN220U-A0U-2260500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN220U-A0U-2261000Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN220U-A0U-2261000HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN220U-A0U-6030200HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN220U-A0U-6030200BELDENCategory: Valve connectors
Description: Connector: valve connector
Type of connector: valve connector
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.12 EUR
50+9.11 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN220U-A0U-6030200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN220U-A0U-6030200BeldenValve Access Cable Socket Polyamide Black
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN220U-A0U-6030500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN220U-A0U-6030500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-A0U-2050200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-A0U-2050500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-A0U-2051000Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-A0U-2120500Belden11353
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-A0U-2260500BeldenValve Connectors, Type A, Overmolded Female, Cable Assembly
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-A0U-6090030Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-A0U-6090200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-A0U-6090200HIRSCHMANNDescription: HIRSCHMANN - GAN22LU-A0U-6090200 - RECTANGULAR CONN, RCPT, 2+2PE, SCREW
Kontaktüberzug: -
Kontaktausführung: Socket
Kontaktmaterial: Brass
Ausführung: Receptacle
Steckverbindermontage: Cable Mount
Steckverbindergehäusegröße: -
Anzahl der Kontakte: 4
Produktpalette: GDM Series
Kontaktanschluss: Screw
Anzahl der Reihen: -
Rastermaß: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-A0U-6090500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-A0U-6091000Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-D24-2120200HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-D24-2120500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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1+64.82 EUR
10+56.06 EUR
25+54.31 EUR
50+52.57 EUR
100+48.00 EUR
500+46.60 EUR
1000+45.55 EUR
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GAN22LU-L1Y-6030200Lumberg Automation / HirschmannFixed Inductors AEC-Q200 MLCI 0603(0201) 2.9nH 0.3nH
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auf Bestellung 175 Stücke:
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1+34.32 EUR
10+29.69 EUR
25+28.76 EUR
50+27.84 EUR
100+25.41 EUR
500+24.68 EUR
1000+24.13 EUR
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GAN22LU-S24-6090250Belden8940
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auf Bestellung 2 Stücke:
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1+52.78 EUR
10+47.50 EUR
25+46.46 EUR
50+45.55 EUR
100+43.16 EUR
250+43.14 EUR
500+42.40 EUR
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auf Bestellung 42 Stücke:
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1+42.26 EUR
10+36.56 EUR
25+35.41 EUR
50+34.27 EUR
100+31.29 EUR
500+30.38 EUR
1000+29.69 EUR
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GAN22LU-S24-6090500-1UCBeldenGAN22LU-S24-6090500-1UC
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auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+73.37 EUR
10+66.88 EUR
25+64.72 EUR
50+60.40 EUR
100+57.38 EUR
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auf Bestellung 4 Stücke:
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1+49.17 EUR
10+42.52 EUR
25+41.20 EUR
50+39.86 EUR
100+36.41 EUR
250+36.40 EUR
500+35.36 EUR
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auf Bestellung 9 Stücke:
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1+51.87 EUR
10+44.86 EUR
25+43.45 EUR
50+42.06 EUR
100+38.40 EUR
500+37.29 EUR
1000+36.45 EUR
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auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.64 EUR
5+40.50 EUR
10+38.63 EUR
25+37.01 EUR
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GAN22LU-V2Y-2260500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-V2Y-6030200HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-V2Y-6030500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-V2Y-6090030Belden9151
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GAN22LU-V2Y-6090150BeldenValve Access Connector Polyamide Gray
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GAN22LU-V2Y-6090200HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-V2Y-6090500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN30010EUAmphenolMOBILE ANTENNA FOR GSM, AMP,ETACS CELLUAR PHONE 50 OHMS
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GAN30018EUAmphenolANTENNA FOR GSM
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GAN30048EUAmphenolCircular MIL Spec Connector
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GAN30048EUAmphenolANTENNA FOR GSM
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GAN30052EUAmphenolCONNECTORS RF connectors
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GAN30060EUAmphenolGsm Flat Antenna Triple Band, Mmcx Connector 50 Ohm
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GAN30070EUAmphenolAntenna GPS 2dBi Gain
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN30084EUAmphenolGAN30084EU
auf Bestellung 1694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1694+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1694
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GAN30138EUAmphenolAntenna GPS 960MHz/1880MHz/2100MHz
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GAN310U-A0U-6040200HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.10 EUR
10+32.95 EUR
25+31.93 EUR
50+30.91 EUR
100+28.21 EUR
500+27.40 EUR
1000+26.77 EUR
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GAN310U-A0U-6040500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN310U-A0U-6101000-1UZBelden20247
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GAN31LU-A0U-6040500BeldenValve Access Connector Polyamide Gray
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GAN31LU-A0U-6100200-10HHirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN31LU-A0U-6100500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN31LU-A0U-6100500BeldenValve Access Connector Polyamide Gray
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GAN31LU-P1J-6110200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN31LU-P1J-6110500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN31LU-P1M-6110200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN31LU-P1M-6110500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN31LU-P2M-2280500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN3R2-100CBEAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 0.0024 ohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GAN3R2-100CBEAZNexperia USA Inc.Description: 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 394W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.5x2.13)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
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GAN3R2-100CBEAZNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 60A 8-Pin WLCSP T/R
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GAN3R2-100CBEAZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 100V; 60A; Idm: 230A; 394W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 230A
Case: WLCSP8
Gate-source voltage: -4...6V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 394W
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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GAN3R2-100CBEAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 0.0024 ohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GAN3R2-100CBEAZNEXPERIATrans MOSFET N-CH GaN 100V 60A 8-Pin WLCSP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3R2-100CBEAZNexperiaGaN FETs SOT8072 100V 60A FET
auf Bestellung 1659 Stücke:
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1+6.16 EUR
10+6.11 EUR
100+5.76 EUR
500+5.68 EUR
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GAN3R2-100CBEAZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 100V; 60A; Idm: 230A; 394W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 230A
Case: WLCSP8
Gate-source voltage: -4...6V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 394W
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GAN3R2-100CBEAZNexperia USA Inc.Description: 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 394W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.5x2.13)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.73 EUR
10+6.52 EUR
100+4.70 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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GAN3ZLU-A0U-6100500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3ZLU-P2M-2280500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3ZLU-P2M-2281500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3ZLU-P2M-2590500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN7R0-150LBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 150V; 28A; Idm: 120A; 28W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 120A
Case: FCLGA3
Gate-source voltage: -4...6V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 28W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN7R0-150LBEZNexperia USA Inc.Description: 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-VLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA
Supplier Device Package: 3-FCLGA (3.2x2.2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 85 V
auf Bestellung 2833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.80 EUR
10+4.27 EUR
100+3.45 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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GAN7R0-150LBEZNEXPERIATrans MOSFET N-CH GaN 150V 28A T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN7R0-150LBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 0.0056 ohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN7R0-150LBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 150V; 28A; Idm: 120A; 28W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 120A
Case: FCLGA3
Gate-source voltage: -4...6V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 28W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN7R0-150LBEZNexperia USA Inc.Description: 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-VLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA
Supplier Device Package: 3-FCLGA (3.2x2.2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 85 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN7R0-150LBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 0.0056 ohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GAN7R0-150LBEZNexperiaGaN FETs SOT8073 150V 28A FET
auf Bestellung 2026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.91 EUR
10+4.36 EUR
100+3.52 EUR
500+3.15 EUR
1000+2.69 EUR
2500+2.18 EUR
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GANB4R8-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V
Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 13W (Ta)
Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1)
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.80 EUR
10+2.82 EUR
100+2.24 EUR
500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB4R8-040CBAZNexperiaGaN FETs GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
auf Bestellung 4930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.48 EUR
10+2.89 EUR
100+2.29 EUR
250+2.13 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.65 EUR
2500+1.57 EUR
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GANB4R8-040CBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB4R8-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V
Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 13W (Ta)
Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB4R8-040CBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 15.8nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB8R0-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.31 EUR
11+1.68 EUR
25+1.52 EUR
100+1.35 EUR
250+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB8R0-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE3R9-150QBAZNexperiaGaN FETs GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
auf Bestellung 2456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.87 EUR
10+11.02 EUR
25+9.98 EUR
100+9.19 EUR
250+8.64 EUR
500+8.10 EUR
1000+7.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE3R9-150QBAZNexperia USA Inc.Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 25-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA
Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE3R9-150QBAZNexperiaGallium Nitride (GaN) FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE3R9-150QBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 0.0039 ohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 20nC
Bauform - Transistor: VQFN
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE3R9-150QBAZNexperia USA Inc.Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 25-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA
Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
auf Bestellung 2294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.48 EUR
10+10.70 EUR
100+8.91 EUR
500+7.86 EUR
1000+7.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE3R9-150QBAZNexperiaGallium Nitride (GaN) FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE3R9-150QBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 0.0039 ohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE3R9-150QBAZNEXPERIAGANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGPRO-430(XS)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; TEXAS INSTRUMENTS; USB; 20MHz
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: USB
Interface: BSL; JTAG; SBW
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Kind of connector: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: MSP430
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+991.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGPRO-ARM(XS)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B; 20MHz; 1Mbps
Kind of connector: 14pin; USB B
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Communication with PC: USB
Programmers and development kits features: galvanic separation
Kind of architecture: Cortex M3; Cortex M4; Cortex M7; Cortex M0; MSP432
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; CYPRESS; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Producer guarantee (months): 12
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1417.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGPRO-ARM-1VELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; CYPRESS; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: support for one MCU vendor
Communication with PC: USB
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Kind of connector: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: Cortex M3; Cortex M4; Cortex M7; Cortex M0; MSP432
Operating system: Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows 2000; Windows XP
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+489.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGPRO-ARM-1VELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; CYPRESS; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: support for one MCU vendor
Communication with PC: USB
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Kind of connector: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: Cortex M3; Cortex M4; Cortex M7; Cortex M0; MSP432
Operating system: Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows 2000; Windows XP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+489.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGPRO-ARM-1V(XS)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B; 20MHz; 1Mbps
Kind of connector: 14pin; USB B
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Communication with PC: USB
Programmers and development kits features: galvanic separation; support for one MCU vendor
Kind of architecture: Cortex M3; Cortex M4; Cortex M7; Cortex M0; MSP432
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; CYPRESS; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Producer guarantee (months): 12
auf Bestellung 1 Stücke:
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GANGPRO-CCTexas InstrumentsFLASH GANG PROGRAMMER
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GANGPRO-CC(X2S)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: for radio IC's; TEXAS INSTRUMENTS; 14pin,RJ45,USB B
Type of ICs programmer: for radio IC's
Associated circuits: TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Kit contents: adapter x2; IDC 14pin cable; programmer; splitter 6x IDC 14pin; USB A - USB B cable
Kind of connector: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: SimpleLink
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
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GANGPRO-CC(XS)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: for radio IC's; TEXAS INSTRUMENTS; USB; 14pin,USB B
Type of ICs programmer: for radio IC's
Associated circuits: TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: USB
Kit contents: adapter x2; IDC 14pin cable; programmer; splitter 6x IDC 14pin; USB A - USB B cable
Kind of connector: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: SimpleLink
Operating system: Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
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GANGPRO-CC-STDElprotronic Inc.Description: GANGPRO-CC-STD
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: MCU
Type: Programmer (In-Circuit/In-System, Gang)
Contents: Board(s), Cable(s), Accessories
Part Status: Last Time Buy
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GANGPRO-CC-STDElprotronicProgrammers - Processor Based GangPro-CC FOR TI CHIPCON MCU
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GANGPRO-M(X2S)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; RJ45 Ethernet,USB; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: CYPRESS; GIGADEVICE; MACRONIX; MICROCHIP; MICRON TECHNOLOGY; RENESAS; STMicroelectronics; WINBOND
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: JTAG; PDI; QSPI; SPI; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Kind of connector: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: RL78; STM8
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
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GANGPRO-M(XS)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: CYPRESS; GIGADEVICE; MACRONIX; MICROCHIP; MICRON TECHNOLOGY; RENESAS; STMicroelectronics; WINBOND
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: USB
Interface: JTAG; PDI; QSPI; SPI; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Kind of connector: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: RL78; STM8
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
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GangPro-M-1V (XS)ElprotronicProgrammers - Processor Based
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GANGPRO-M-1V(X2S)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; RJ45 Ethernet,USB; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: CYPRESS; GIGADEVICE; MACRONIX; MICROCHIP; MICRON TECHNOLOGY; RENESAS; STMicroelectronics; WINBOND
Programmers and development kits features: galvanic separation; support for one MCU vendor
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: JTAG; PDI; QSPI; SPI; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Kind of connector: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: RL78; STM8
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
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GANGPRO-M-1V(XS)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: CYPRESS; GIGADEVICE; MACRONIX; MICROCHIP; MICRON TECHNOLOGY; RENESAS; STMicroelectronics; WINBOND
Programmers and development kits features: galvanic separation; support for one MCU vendor
Communication with PC: USB
Interface: JTAG; PDI; QSPI; SPI; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Kind of connector: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: RL78; STM8
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
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GANGPRO-XElprotronicProgrammers - Processor Based Flash and Gang Programmer for All MCU supported by Elprotronic. I combines all FashPro and GangPro ( FP430, GP430, FP-2000, FP-CC, GP-CC, FP-ARM, GP-ARM, FP-M). Access to GUI, DLL, serialization and script file. USB-FPA 6.1 a
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GANGPRO-XElprotronic Inc.Description: GANGPRO-X
auf Bestellung 2 Stücke:
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GANGPRO-X (X2S)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; RJ45 Ethernet,USB; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; Atmel; CYPRESS; FREESCALE; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: BSL; cJTAG; JTAG; PDI; QSPI; SBW; SPI; SWD; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter x5; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Kind of connector: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: ARM; AVR; C2000; EFM32; EFR32; FM3; FM4; FM0+; MSP430; MSP432; PIC; PSoC4; PSoC 5LP; PSoC 6; SimpleLink; STM8; STM32
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
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GANGPRO-X (XS)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; Atmel; CYPRESS; FREESCALE; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: USB
Interface: BSL; cJTAG; JTAG; PDI; QSPI; SBW; SPI; SWD; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter x5; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Kind of connector: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: AVR; C2000; EFM32; EFR32; FM3; FM4; FM0+; MSP430; MSP432; PIC; PSoC4; PSoC 5LP; PSoC 6; SimpleLink; STM8; STM32
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
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GANGPRO430 (X2S)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; TEXAS INSTRUMENTS; 16MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: BSL; JTAG; SBW
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Kind of connector: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: MSP430
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 16MHz
Transfer rate: 1Mbps
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GANGSPLITTERELPROTRONICCategory: Programmer accessories
Description: Accessories: adapter-splitter; IDC14
Type of accessories for development kits: adapter - splitter
Kind of connector: IDC14
Kit contents: adapter; IDC 14pin x6 cable x6
Related items: USB-MSP430-FPA-GJ; USB-MSP430-FPA-GJB; XS-GP-430
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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GANGSPLITTERELPROTRONICCategory: Programmer accessories
Description: Accessories: adapter-splitter; IDC14
Type of accessories for development kits: adapter - splitter
Kind of connector: IDC14
Kit contents: adapter; IDC 14pin x6 cable x6
Related items: USB-MSP430-FPA-GJ; USB-MSP430-FPA-GJB; XS-GP-430
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GANGSPLITTER-ARMELPROTRONICCategory: Programmer accessories
Description: Accessories: adapter-splitter; Interface: cJTAG,JTAG,SWD
Type of accessories for development kits: adapter - splitter
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Kind of connector: IDC14; IDC20
Kit contents: adapter; IDC 14pin x6 cable x6
Related items: GP-ARM; X2S-GP-ARM; XS-GP-ARM
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.50 EUR
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GANGSPLITTER-ARMELPROTRONICCategory: Programmer accessories
Description: Accessories: adapter-splitter; Interface: cJTAG,JTAG,SWD
Type of accessories for development kits: adapter - splitter
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Kind of connector: IDC14; IDC20
Kit contents: adapter; IDC 14pin x6 cable x6
Related items: GP-ARM; X2S-GP-ARM; XS-GP-ARM
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
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