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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
GAN FET BOOK - DC/DCEPCDescription: TEXT DC-DC CONVERTER HANDBOOK
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: DC-DC Converter Handbook
Author(s): David Reusch, John Glaser
Publisher: Efficient Power Publications
ISBN: 9780996649209
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+60.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN FET BOOK - WIPO 2ND EDITIONEPCDescription: TEXT WIRELESS POWER HANDBOOK-2ND
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: Wireless Power Handbook (2nd Edition)
Author(s): Michael A. de Rooij
Publisher: Power Conversion Publications
ISBN: 9780996649216
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN FET BOOK SIMPLIFIED CHINESE VERSIONEPCDescription: TEXT GAN TRANSISTORS
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: GaN Transistors for Efficient Power Conversion
Author(s): Alex Lidow, Johan Strydom, Michael de Rooij, Yanping Ma
Publisher: Power Conversion Publications
ISBN: 9780615697895
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN FET BOOK-WIPOEPCDescription: TEXT WIRELESS POWER HANDBOOK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN POWER DEVICES AND APPLICATIEPCDescription: TEXT GAN POWER DEVICES & APPS
Packaging: Box
Type: Book
Title: GaN Power Devices and Applications
Author(s): Alex Lidow
Publisher: J.Wiley
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+163.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN POWER DEVICES AND APPLICATIONS 1ST EDEPCDescription: TEXT GAN POWER DEVICES & APPS
Packaging: Box
Type: Book
Title: GaN Power Devices and Applications
Author(s): Alex Lidow
Publisher: J.Wiley
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+174.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN-CLIP FOR HOLDING GASKETHIRSCHMANNDescription: HIRSCHMANN - GAN-CLIP FOR HOLDING GASKET - FIXING CLIP, RECTANGULAR CONNECTOR
tariffCode: 85389099
Art des Zubehörs: Fixing Clip
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: GDM Series Type A Overmolded Female Valve Connectors
usEccn: EAR99
Produktpalette: GDM Series
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN-GASKET FOR IP69KHIRSCHMANNDescription: HIRSCHMANN - GAN-GASKET FOR IP69K - GAN GASKET, RECTANGULAR CONNECTOR
tariffCode: 40169300
Art des Zubehörs: GAN Gasket
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: GDM Series Type A Overmolded Female Valve Connectors
usEccn: EAR99
Produktpalette: GDM Series
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN-STAINLESS SCREW M3X28Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN014-650NBCANexperiaNexperia 650V TO247 GALLIUM NITRIDE FET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NBBNexperiaNexperia MOS DISCRETES
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NBBHPNexperiaGaN FETs GAN039-650NBB/SOT8000/CCPAK121
auf Bestellung 694 Stücke:
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1+22.88 EUR
10+16.07 EUR
100+13.39 EUR
1000+11.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NBBHPNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 12-Pin CCPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NBBHPNexperia USA Inc.Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NBBHPNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 12-Pin CCPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NBBHPNexperia USA Inc.Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.62 EUR
10+15.87 EUR
100+13.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBANexperiaGallium Nitride (GaN) MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBJNexperia USA Inc.Description: GAN CASCODE FETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.62 EUR
10+15.87 EUR
100+13.23 EUR
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GAN039-650NTBJNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN039-650NTBJ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 26nC
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+20.35 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBJNexperia USA Inc.Description: GAN CASCODE FETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBJNexperiaGaN FETs GAN039-650NTB/SOT8005/CCPAK121
auf Bestellung 536 Stücke:
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1+22.88 EUR
10+16.07 EUR
100+13.39 EUR
1000+11.37 EUR
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GAN039-650NTBJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+20.35 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBJNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN039-650NTBJ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 26nC
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBZNexperiaGaN FETs 650 V, 33 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212i package
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.31 EUR
10+17.74 EUR
50+17.65 EUR
100+15.35 EUR
500+14.33 EUR
1000+13.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBZNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN039-650NTBZNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSANexperiaNexperia
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+15.27 EUR
50+13.81 EUR
100+13.08 EUR
200+12.26 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+24.92 EUR
100+22.83 EUR
500+20.83 EUR
1000+18.91 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQ
Produktcode: 207569
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNexperiaGaN FETs SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.85 EUR
10+15.52 EUR
100+10.82 EUR
500+10.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN041-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 22nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 13686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+24.92 EUR
100+22.83 EUR
500+20.83 EUR
1000+18.91 EUR
10000+17.09 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33.4A
Pulsed drain current: 240A
Case: SOT429; TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+29.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+24.92 EUR
100+22.83 EUR
500+20.83 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN041-650WSBQNexperia USA Inc.Description: GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.28 EUR
10+15.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN063-650WSAQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, Gan FET, 650 V, 34.5 A, 0.06 ohm, 15 nC, TP-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 15nC
Bauform - Transistor: TP-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24.4A
Pulsed drain current: 150A
Case: SOT429; TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Power dissipation: 143W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+21.72 EUR
10+16.17 EUR
120+13.73 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNexperia USA Inc.Description: GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.75 EUR
10+22.91 EUR
300+22.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNXPTrans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 GAN063-650WSAQ TGAN063-650WSAQ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 260 Stücke:
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7+21.72 EUR
10+16.17 EUR
120+13.73 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN063-650WSAQNexperiaGaN FETs 650 V, 50 mohm Gallium Nitride (GaN) FET
auf Bestellung 353 Stücke:
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1+20.49 EUR
10+20.42 EUR
30+20.4 EUR
1020+20.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN065-084050GREEN DIGITAL POWER TECHCategory: Chargers
Description: Charger: for rechargeable batteries; Li-Ion; 7.2V; 5A
Type of charger: for rechargeable batteries
Kind of rechargeable battery: Li-Ion
Max. charging current: 5A
Protection: overcharging protection; overheating OTP; short circuit protection SCP
Rechargeable battery voltage: 7.2V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN065-252020GREEN DIGITAL POWER TECHCategory: Chargers
Description: Charger: for rechargeable batteries; Li-Ion; 25.2V; 2A
Kind of rechargeable battery: Li-Ion
Protection: overcharging protection; overheating OTP; short circuit protection SCP
Max. charging current: 2A
Rechargeable battery voltage: 25.2V
Type of charger: for rechargeable batteries
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+27.87 EUR
5+26.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN080-650EBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 29A; Idm: 58A; 240W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 58A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -6...7V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 240W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN080-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 30.7mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN080-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN080-650EBEZNexperiaGaN FETs SOT8074 650V 29A FET
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.51 EUR
10+8.5 EUR
100+6.21 EUR
500+6.07 EUR
1000+5.56 EUR
2500+5.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN080-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN080-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 30.7mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 400 V
auf Bestellung 2238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.37 EUR
10+8.4 EUR
100+6.15 EUR
500+6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN111-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 21A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN111-650WSBQNexperiaGaN FETs GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.18 EUR
10+13.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN111-650WSBQNexperia USA Inc.Description: GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 400 V
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.74 EUR
10+12.28 EUR
300+8.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN111-650WSBQNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.9nC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN111-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 21A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN111-650WSBQNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.9nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
auf Bestellung 2365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.92 EUR
10+8.79 EUR
100+6.46 EUR
500+6.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650EBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 17A; Idm: 32A; 113W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 32A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 113W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650EBEZNexperiaGaN FETs SOT8074 650V 17A FET
auf Bestellung 2036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.49 EUR
10+7.67 EUR
100+5.65 EUR
500+5.03 EUR
1000+4.59 EUR
2500+3.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650FBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650FBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN140-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650FBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 17A; Idm: 32A; 113W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 32A
Case: DFN5060-5
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 113W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650FBEZNexperiaGaN FETs SOT8075 650V 17A FET
auf Bestellung 1582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.3 EUR
10+7.66 EUR
50+6.92 EUR
100+5.7 EUR
1000+5.49 EUR
2500+3.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650FBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
auf Bestellung 1977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.93 EUR
10+8.09 EUR
100+5.91 EUR
500+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN140-650FBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN140-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN190-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN190-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.24 EUR
10+6.18 EUR
100+4.44 EUR
500+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650EBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 20.5A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 125W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650EBEZNexperiaGaN FETs SOT8074 650V 11.5A FET
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.46 EUR
10+5.03 EUR
100+3.78 EUR
500+3.29 EUR
1000+2.71 EUR
2500+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650FBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
auf Bestellung 1393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.54 EUR
10+5.69 EUR
100+4.07 EUR
500+3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650FBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN190-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650FBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650FBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 20.5A
Case: DFN5060-5
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 125W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650FBEZNexperiaGaN FETs SOT8075 650V 11.5A FET
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.48 EUR
10+4.93 EUR
100+3.63 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.87 EUR
2500+2.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN190-650FBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN190-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN200U-A0U-6060200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN200U-A0U-6060500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN20LU-A0U-6120200HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN20LU-A0U-6120200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN20LU-A0U-6120500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN210U-A0U-6030200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+34.34 EUR
10+26 EUR
100+25.57 EUR
250+24.8 EUR
500+24.34 EUR
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GAN210U-A0U-6030500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN210U-A0U-6030500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN21LU-A0U-6090200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN21LU-V41-2120500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.75 EUR
10+45.64 EUR
25+44.21 EUR
50+42.77 EUR
100+41.34 EUR
250+39.05 EUR
500+37.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN220U-A0U-2260500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN220U-A0U-2260500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN220U-A0U-2260500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN220U-A0U-2261000Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN220U-A0U-2261000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN220U-A0U-2261000HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN220U-A0U-6030200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN220U-A0U-6030500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN220U-A0U-6030500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN220U-A0U-6030500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-A0U-2050200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-A0U-2050500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-A0U-2051000Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-A0U-6090030Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-A0U-6090200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-A0U-6090200HIRSCHMANNDescription: HIRSCHMANN - GAN22LU-A0U-6090200 - RECTANGULAR CONN, RCPT, 2+2PE, SCREW
Kontaktüberzug: -
Kontaktausführung: Socket
Kontaktmaterial: Brass
Ausführung: Receptacle
Steckverbindermontage: Cable Mount
Steckverbindergehäusegröße: -
Anzahl der Kontakte: 4
Produktpalette: GDM Series
Kontaktanschluss: Screw
Anzahl der Reihen: -
Rastermaß: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-A0U-6090500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-A0U-6091000Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-D24-2120200HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-D24-2120500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-D24-2121000HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-D24-2260200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-D24-2260500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-D24-2261000HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-D28-6090200-1UCHirschmann GAN22LU-D28-6090200-1UC
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GAN22LU-L11-2260200HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-L11-2260200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-L11-2260500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-L11-2261000HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-L11-6030200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-L11-6030500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-L11-6030500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-L11-6090200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-L11-6090500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-L14-2120200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-L14-2260200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-L14-2260500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.08 EUR
10+51.73 EUR
25+51.3 EUR
50+49.83 EUR
100+48.95 EUR
250+46.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-L14-2261000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-L14-6030200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-L14-6030275Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-L14-6030275HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-L14-6030500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-L14-6090200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-L14-6090500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-L1Y-2120200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-L1Y-2120500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-L1Y-2121000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-L1Y-2121000HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-L1Y-2260200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-L1Y-2260200HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-L1Y-2261000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-L1Y-6030200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-L1Y-6030500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-L1Y-6090200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-S24-2120200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-S24-2120500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-S24-2121000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-S24-2260200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-S24-2260300Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-S24-2260500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-S24-2261000HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-S24-6030200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-S24-6030500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-S24-6030500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-S24-6030500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-S24-6090200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-S24-6090200-10HLumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.65 EUR
10+35.94 EUR
50+33.4 EUR
100+32.3 EUR
250+29.25 EUR
500+28.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-S24-6090500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.78 EUR
10+47.5 EUR
25+46.46 EUR
50+45.55 EUR
100+43.16 EUR
250+43.14 EUR
500+42.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-S24-6090500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-S24-6090500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.66 EUR
10+51.55 EUR
25+49.33 EUR
50+47.73 EUR
100+46.15 EUR
250+43.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-S24-6090500-10HLumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-S24-6090700Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN22LU-S24-6091000HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+73.37 EUR
10+66.88 EUR
25+64.72 EUR
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500+37.29 EUR
1000+36.45 EUR
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250+39.88 EUR
500+39.76 EUR
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GAN30048EUAmphenolCircular MIL Spec Connector
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GAN30084EUAmphenolGAN30084EU
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GAN31LU-P2M-2280500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN3R2-100CBEAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 2400 µohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1069 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3R2-100CBEAZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 100V; 60A; Idm: 230A; 394W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 230A
Case: WLCSP8
Gate-source voltage: -4...6V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 394W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3R2-100CBEAZNexperia USA Inc.Description: 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 394W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.5x2.13)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
auf Bestellung 3435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.44 EUR
10+4.93 EUR
100+3.5 EUR
500+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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GAN3R2-100CBEAZNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 60A 8-Pin WLCSP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3R2-100CBEAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 2400 µohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1069 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3R2-100CBEAZNexperia USA Inc.Description: 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 394W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.5x2.13)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+2.59 EUR
3000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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GAN3R2-100CBEAZNexperiaGaN FETs SOT8072 100V 60A FET
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.52 EUR
10+4.93 EUR
100+3.54 EUR
500+3.06 EUR
1000+2.64 EUR
1500+2.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3ZLU-A0U-6100500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3ZLU-A0U-6100500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN3ZLU-P2M-2280500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3ZLU-P2M-2280500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3ZLU-P2M-2281000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3ZLU-P2M-2281500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3ZLU-P2M-2281500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN3ZLU-P2M-2590500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN75420TE Connectivity Measurement SpecialtiesDescription: DISK-2K +/-1% SL 18.64 +/-1%
Packaging: Bulk
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GAN7R0-150LBEZNexperia USA Inc.Description: 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-VLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA
Supplier Device Package: 3-FCLGA (3.2x2.2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 85 V
auf Bestellung 3368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.04 EUR
10+3.95 EUR
100+2.77 EUR
500+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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GAN7R0-150LBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 5600 µohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GAN7R0-150LBEZNexperiaGaN FETs SOT8073 150V 28A FET
auf Bestellung 4143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.02 EUR
10+3.94 EUR
100+2.8 EUR
500+2.32 EUR
2500+1.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN7R0-150LBEZNexperia USA Inc.Description: 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-VLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA
Supplier Device Package: 3-FCLGA (3.2x2.2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 85 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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GAN7R0-150LBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 5600 µohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GAN7R0-150LBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 150V; 28A; Idm: 120A; 28W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 120A
Case: FCLGA3
Gate-source voltage: -4...6V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 28W
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GANB012-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
Packaging: Cut Tape (CT)
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GANB012-040CBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB012-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB012-040CBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB012-040CBAZNexperiaGaN FETs GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
auf Bestellung 2407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.57 EUR
10+1.02 EUR
100+1.01 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.89 EUR
2500+0.78 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB1R2-040QBAZNexperia USA Inc.Description: GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 27-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 27-VQFN (6x4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.32 EUR
10+8.38 EUR
100+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB1R2-040QBAZNexperiaGaN FETs GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
auf Bestellung 2132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.16 EUR
10+8.96 EUR
100+6.58 EUR
500+6.49 EUR
1000+5.95 EUR
2500+5.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB1R2-040QBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB1R2-040QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 A, 60 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB1R2-040QBAZNexperia USA Inc.Description: GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 27-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 27-VQFN (6x4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB1R2-040QBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB1R2-040QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 A, 60 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
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Gate-Ladung, typ.: 60nC
Bauform - Transistor: VQFN
Anzahl der Pins: 27Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB4R8-040CBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 15.8nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB4R8-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.31 EUR
10+2.79 EUR
100+1.92 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB4R8-040CBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 15.8nC
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB4R8-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB4R8-040CBAZNexperiaGaN FETs GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
auf Bestellung 4664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.7 EUR
10+3.04 EUR
100+2.11 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.64 EUR
2500+1.42 EUR
5000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB8R0-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB8R0-040CBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB8R0-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 14 A, 10.1 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 10.1nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB8R0-040CBAZNexperiaGaN FETs GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.68 EUR
10+2.36 EUR
100+1.61 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.18 EUR
2500+1.06 EUR
5000+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB8R0-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.64 EUR
10+2.33 EUR
100+1.58 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB8R0-040CBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB8R0-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 14 A, 10.1 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE140-700BBAZNexperiaGaN FETs GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
auf Bestellung 2403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.02 EUR
10+4.59 EUR
100+3.43 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.73 EUR
2500+2.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE140-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE140-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.3 EUR
10+4.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE190-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.34 EUR
10+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE190-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE190-700BBAZNexperiaGaN FETs GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
auf Bestellung 2416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.49 EUR
10+3.61 EUR
100+2.85 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.25 EUR
2500+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE1R8-100QBAZNexperia USA Inc.Description: GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.37 EUR
10+11.95 EUR
50+9.63 EUR
100+8.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE1R8-100QBAZNexperiaGaN FETs GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7
auf Bestellung 2482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.09 EUR
10+11.09 EUR
100+8.47 EUR
1000+7.74 EUR
2500+7.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE1R8-100QBAZNexperia USA Inc.Description: GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE240-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.74 EUR
10+3.74 EUR
50+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE240-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE240-700BBAZNexperiaGaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.33 EUR
10+3.47 EUR
100+2.48 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.97 EUR
2500+1.65 EUR
5000+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE2R7-100CBAZNexperia USA Inc.Description: GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.5V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE2R7-100CBAZNexperiaGaN FETs GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.85 EUR
10+5.9 EUR
100+4.24 EUR
500+3.84 EUR
1000+3.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE2R7-100CBAZNexperia USA Inc.Description: GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.5V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
auf Bestellung 1498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.31 EUR
10+5.54 EUR
100+3.97 EUR
500+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE350-650FBAZNexperiaGaN FETs GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.56 EUR
100+1.3 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.21 EUR
2500+1.15 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE350-650FBAZNexperia USA Inc.Description: GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE350-650FBAZNexperia USA Inc.Description: GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.71 EUR
10+1.98 EUR
50+1.68 EUR
100+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE350-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.2A, 6V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6.6mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 400 V
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.89 EUR
10+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE350-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.2A, 6V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6.6mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE350-700BBAZNexperiaGaN FETs GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
auf Bestellung 2354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+2.6 EUR
100+1.78 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.33 EUR
2500+1.15 EUR
5000+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE3R9-150QBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 20nC
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE3R9-150QBAZNexperia USA Inc.Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 25-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA
Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
auf Bestellung 2063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.72 EUR
10+10.75 EUR
50+8.63 EUR
100+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE3R9-150QBAZNexperiaGaN FETs GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
auf Bestellung 2157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.56 EUR
10+9.98 EUR
100+7.41 EUR
1000+6.79 EUR
2500+6.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE3R9-150QBAZNexperiaGallium Nitride (GaN) FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE3R9-150QBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 20nC
Bauform - Transistor: VQFN
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE3R9-150QBAZNexperia USA Inc.Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 25-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA
Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE3R9-150QBAZNexperiaGallium Nitride (GaN) FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE7R0-100CBAZNexperia USA Inc.Description: GANE7R0-100CBA/SOT8090/WLCSP6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.42 EUR
10+2.85 EUR
50+2.17 EUR
100+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE7R0-100CBAZNexperia USA Inc.Description: GANE7R0-100CBA/SOT8090/WLCSP6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE7R0-100CBAZNexperiaGaN FETs GANE7R0-100CBA/SOT8090/WLCSP6
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.1 EUR
10+2.66 EUR
100+1.81 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.28 EUR
1500+1.19 EUR
3000+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGPRO-ARM(X2S)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; RJ45 Ethernet,USB; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; CYPRESS; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: Chipcon; Cortex M3; Cortex M4; Cortex M7; Cortex M0; MSP432
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGPRO-ARM(XS)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; CYPRESS; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: USB
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: Cortex M3; Cortex M4; Cortex M7; Cortex M0; MSP432
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1436.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGPRO-ARM-1VELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; CYPRESS; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: support for one MCU vendor
Communication with PC: USB
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: Cortex M3; Cortex M4; Cortex M7; Cortex M0; MSP432
Operating system: Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows 2000; Windows XP
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+335.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGPRO-ARM-1V(X2S)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; RJ45 Ethernet,USB; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; CYPRESS; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation; support for one MCU vendor
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Kit contents: adapter; programmer; ribbon cable; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: Chipcon; Cortex M3; Cortex M4; Cortex M7; Cortex M0; MSP432
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGPRO-ARM-1V(XS)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; CYPRESS; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation; support for one MCU vendor
Communication with PC: USB
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: Cortex M3; Cortex M4; Cortex M7; Cortex M0; MSP432
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+968.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGPRO-CC-STDElprotronic Inc.Description: GANGPRO-CC-STD
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: MCU
Type: Programmer (In-Circuit/In-System, Gang)
Contents: Board(s), Cable(s), Accessories
Part Status: Last Time Buy
Utilized IC / Part: MCU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGPRO-CC-STDElprotronicProgrammers - Processor Based GangPro-CC FOR TI CHIPCON MCU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGPRO-M(X2S)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; RJ45 Ethernet,USB; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: CYPRESS; GIGADEVICE; MACRONIX; MICROCHIP; MICRON TECHNOLOGY; RENESAS; STMicroelectronics; WINBOND
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: JTAG; PDI; QSPI; SPI; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: RL78; STM8
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGPRO-M(XS)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: CYPRESS; GIGADEVICE; MACRONIX; MICROCHIP; MICRON TECHNOLOGY; RENESAS; STMicroelectronics; WINBOND
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: USB
Interface: JTAG; PDI; QSPI; SPI; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: RL78; STM8
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GangPro-M-1V (XS)ElprotronicProgrammers - Processor Based
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGPRO-M-1V(X2S)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; RJ45 Ethernet,USB; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: CYPRESS; GIGADEVICE; MACRONIX; MICROCHIP; MICRON TECHNOLOGY; RENESAS; STMicroelectronics; WINBOND
Programmers and development kits features: galvanic separation; support for one MCU vendor
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: JTAG; PDI; QSPI; SPI; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: RL78; STM8
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGPRO-M-1V(XS)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: CYPRESS; GIGADEVICE; MACRONIX; MICROCHIP; MICRON TECHNOLOGY; RENESAS; STMicroelectronics; WINBOND
Programmers and development kits features: galvanic separation; support for one MCU vendor
Communication with PC: USB
Interface: JTAG; PDI; QSPI; SPI; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: RL78; STM8
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGPRO-XElprotronic Inc.Description: GANGPRO-X
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGPRO-XElprotronicProgrammers - Processor Based Flash and Gang Programmer for All MCU supported by Elprotronic. I combines all FashPro and GangPro ( FP430, GP430, FP-2000, FP-CC, GP-CC, FP-ARM, GP-ARM, FP-M). Access to GUI, DLL, serialization and script file. USB-FPA 6.1 a
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGPRO-X (X2S)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; RJ45 Ethernet,USB; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; Atmel; CYPRESS; FREESCALE; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: BSL; cJTAG; JTAG; PDI; QSPI; SBW; SPI; SWD; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter x5; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: ARM; AVR; C2000; EFM32; EFR32; FM3; FM4; FM0+; MSP430; MSP432; PIC; PSoC4; PSoC 5LP; PSoC 6; SimpleLink; STM8; STM32
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGPRO-X (XS)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; Atmel; CYPRESS; FREESCALE; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: USB
Interface: BSL; cJTAG; JTAG; PDI; QSPI; SBW; SPI; SWD; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter x5; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: AVR; C2000; EFM32; EFR32; FM3; FM4; FM0+; MSP430; MSP432; PIC; PSoC4; PSoC 5LP; PSoC 6; SimpleLink; STM8; STM32
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGPRO-X-1V (X2S)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; RJ45 Ethernet,USB; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; Atmel; CYPRESS; FREESCALE; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: BSL; cJTAG; JTAG; PDI; QSPI; SBW; SPI; SWD; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter x5; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: ARM; AVR; C2000; EFM32; EFR32; FM3; FM4; FM0+; MSP430; MSP432; PIC; PSoC4; PSoC 5LP; PSoC 6; SimpleLink; STM8; STM32
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Caution!: This programmer supports a single microcontroller vendor from the supported list, which is permanently assigned at first startup.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGPRO-X-1V (XS)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; Atmel; CYPRESS; FREESCALE; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: USB
Interface: BSL; cJTAG; JTAG; PDI; QSPI; SBW; SPI; SWD; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter x5; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: ARM; AVR; C2000; EFM32; EFR32; FM3; FM4; FM0+; MSP430; MSP432; PIC; PSoC4; PSoC 5LP; PSoC 6; SimpleLink; STM8; STM32
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Caution!: This programmer supports a single microcontroller vendor from the supported list, which is permanently assigned at first startup.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGPRO430 (X2S)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; TEXAS INSTRUMENTS; 16MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: BSL; JTAG; SBW
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: MSP430
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 16MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGSPLITTERELPROTRONICCategory: Programmer accessories
Description: Accessories: adapter-splitter; IDC14
Related items: USB-MSP430-FPA-GJ; USB-MSP430-FPA-GJB; XS-GP-430
Kit contents: adapter; IDC 14pin x6 cable x6
Connection: IDC14
Type of accessories for development kits: adapter - splitter
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANGSPLITTER-ARMELPROTRONICCategory: Programmer accessories
Description: Accessories: adapter-splitter; Interface: cJTAG,JTAG,SWD
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Connection: IDC14; IDC20
Type of accessories for development kits: adapter - splitter
Kit contents: adapter; IDC 14pin x6 cable x6
Related items: GP-ARM; X2S-GP-ARM; XS-GP-ARM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANSPIN611STMicroelectronicsMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 650 V enhancement mode GaN high-power density half-bridge with high-voltage driver
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANSPIN611TRSTMicroelectronicsMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 650 V enhancement mode GaN high-power density half-bridge with high-voltage driver
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.73 EUR
10+12.16 EUR
25+11.6 EUR
100+10.07 EUR
250+9.61 EUR
500+8.76 EUR
1000+7.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANSPIN612STMicroelectronicsMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers High-voltage half-bridge GaN motor driver
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANSPIN612TRSTMicroelectronicsMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers High-voltage half-bridge GaN motor driver
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.83 EUR
10+9.87 EUR
25+9.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH