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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXYA12N250CHVIXYSDescription: DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE TO-263D
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263HV
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/167ns
Switching Energy: 3.56mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 310 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA12N250CHVLittelfuseIGBT Transistors IGBT XPT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA15N65C3D1IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 200W
Gate charge: 19nC
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.8 EUR
25+3.44 EUR
29+3.01 EUR
50+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA15N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 38A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns
Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA15N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-263D2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120A4HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 375W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 135A
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120A4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 80A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263HV
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/275ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 2.75mJ (off)
Test Condition: 800mV, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 135 A
Power - Max: 375 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120A4HVIXYSIGBTs TO263 1200V 20A XPT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120A4HV-TRLIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TO263
Type of transistor: IGBT
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120A4HV-TRLLittelfuseIGBTs IXYA20N120A4HV-TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120B4HVIXYSIGBTs TO263 1200V 20A XPT
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.4 EUR
10+9.09 EUR
100+9.07 EUR
500+7.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120B4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 76A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263HV
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/200ns
Switching Energy: 3.9mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 960mV, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 44 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Power - Max: 375 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120B4HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 76A; 375W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 130A
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120B4HV-TRLIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 68A; 375W; TO263HV
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 68A
Power dissipation: 375W
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120B4HV-TRLLittelfuseIGBTs Disc. IGBT XPT-GenX4 TO-263HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120C3HVIXYSDescription: IGBT 1200V 40A TO-263HV
Power - Max: 278 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Active
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Supplier Device Package: TO-263HV
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120C3HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120C3HVIXYSIGBTs TO263 1200V 20A XPT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120C3HV-TRLIXYSDescription: IGBT 1200V 40A TO-263HV
Power - Max: 278 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Active
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Supplier Device Package: TO-263HV
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120C3HV-TRLIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 278W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 278W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 90ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120C3HV-TRLIXYSIGBTs TO263 1200V 40A IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120C4HVIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYA20N120C4HV - IGBT, 68 A, 2.5 V, 375 W, 1.2 kV, TO-263HV, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Dauerkollektorstrom: 68A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+20.9 EUR
14+17.85 EUR
15+15.04 EUR
50+13.58 EUR
100+12.15 EUR
250+10.71 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120C4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 68A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263HV
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/160ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 960mV, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 44 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.5 EUR
50+10.91 EUR
100+10.08 EUR
500+9.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120C4HVIXYSIGBTs TO263 1200V 20A XPT
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.91 EUR
10+12.95 EUR
100+12.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120C4HV-TRLLittelfuseIGBTs Disc. IGBT XPT-GenX4 TO-263HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120C4HV-TRLIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 68A; 375W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 68A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120C4HV-TRLIXYSDescription: DISC. IGBT XPT-GENX4 TO-263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N65B3IXYSDescription: IGBT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Part Status: Active
Gate Charge: 29 nC
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Switching Energy: 500µJ (on), 700µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/103ns
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Input Type: Standard
Power - Max: 230 W
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N65C3IXYSIGBTs TO263 650V 20A XPT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N65C3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N65C3IXYSDescription: IGBT 650V 20A TO-263AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N65C3-TRLIXYSIGBTs IXYA20N65C3 TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N65C3-TRLIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 230W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 105A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N65C3-TRLIXYSDescription: IGBT PT 650V 50A TO-263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 230 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N65C3D1IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.83 EUR
20+4.34 EUR
23+3.84 EUR
50+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N65C3D1IXYSDescription: IGBT 650V 50A TO-263AA
Power - Max: 200 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 30 nC
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Switching Energy: 430µJ (on), 650µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N65C3D1IXYSDescription: IGBT 650V 50A TO-263AA
Switching Energy: 430µJ (on), 650µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Power - Max: 200 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 30 nC
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-263D2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA30N120A3HVIXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-263HV
Packaging: Tube
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA30N120A3HVIXYSIGBTs TO263 1200V 30A IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA30N120A4HVIXYSIGBTs TO263 1200V 30A XPT
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.96 EUR
10+8.51 EUR
100+8.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA30N120A4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 106A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263HV
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/235ns
Switching Energy: 4mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 106 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 184 A
Power - Max: 500 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA30N120A4HV-TRLLittelfuseIGBTs IXYA30N120A4HV-TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA48N65A5IXYSIGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.61 EUR
10+6.72 EUR
100+6.14 EUR
500+5.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA48N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 130A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/205ns
Switching Energy: 400µJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 236 A
Power - Max: 326 W
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.57 EUR
50+6.69 EUR
100+6.13 EUR
500+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA50N65C3IXYSDescription: IGBT 650V 130A 600W TO263
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA50N65C3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA50N65C3IXYSIGBT Transistors 650V/130A XPT C3-Class TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA50N65C3-TRLIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 132A; 600W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 132A
Power dissipation: 600W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 90ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA50N65C3-TRLIXYSDiscrete Semiconductor Modules IXYA50N65C3 TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA50N65C3-TRLIXYSDescription: IXYA50N65C3 TRL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 800µJ (on), 470µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 86 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA50N65C5IXYSIGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.99 EUR
10+9.56 EUR
100+7.27 EUR
500+6.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA50N65C5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 110A TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA50N65C5IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 650W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 650W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA55N65B5IXYSIGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.99 EUR
10+9.56 EUR
100+7.27 EUR
500+6.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA55N65B5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 122A TO-263
Power - Max: 395 W
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 122 A
Gate Charge: 130 nC
Test Condition: 300V, 25A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 550µJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/200ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA60N65A5IXYSIGBTs 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.63 EUR
10+6.75 EUR
100+6.15 EUR
500+5.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA60N65A5IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 395W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 395W
Gate charge: 128nC
Pulsed collector current: 260A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA60N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 134A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.86 EUR
50+6.87 EUR
100+6.28 EUR
500+5.26 EUR
1000+4.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA60N65A5-TRLIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TO263
Type of transistor: IGBT
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA8N250CHVIXYSDescription: IGBT 2500V 29A TO-263HV
Power - Max: 280 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Part Status: Active
Gate Charge: 45 nC
Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns
Supplier Device Package: TO-263HV
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.4 EUR
50+21.52 EUR
100+20.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA8N250CHVIXYSIGBTs TO263 2500V 8A XPT
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.07 EUR
10+20.61 EUR
25+20.31 EUR
50+17.85 EUR
100+16.8 EUR
250+16.51 EUR
500+14.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA8N90C3D1IXYSIGBTs 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA8N90C3D1IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 48A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA8N90C3D1IXYSDescription: IGBT 900V 20A TO-263AA
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Gate Charge: 13.3 nC
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYB82N120C3H1IXYSDescription: IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264
Power - Max: 1040 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 164 A
Part Status: Active
Gate Charge: 215 nC
Test Condition: 600V, 80A, 2Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/192ns
Supplier Device Package: PLUS264™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
Reverse Recovery Time (trr): 420 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Switching Energy: 4.95mJ (on), 2.78mJ (off)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYB82N120C3H1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYB82N120C3H1 - IGBT, 164 A, 2.75 V, 1.04 kW, 1.2 kV, TO-264AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.75V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 164A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+66.13 EUR
5+57.99 EUR
10+50.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYB82N120C3H1IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/160A; Copack
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.13 EUR
10+39.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYF30N450IXYSIGBT Transistors IGBT XPT-HI VOLTAGE
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+230.51 EUR
5+222.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYF30N450IXYSDescription: IGBT 4500V 23A 230W ISOPLUS
Power - Max: 230 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 190 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Part Status: Active
Gate Charge: 88 nC
Test Condition: 960V, 30A, 15Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/168ns
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Packaging: Tube
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+265.32 EUR
10+253.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYF40N450IXYSIGBT Transistors IGBT DISCRETE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYF40N450Ixys CorporationHigh Voltage XPTTM IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYF40N450Littelfuse Inc.Description: IGBT 4500V 60A ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-4, Isolated
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/110ns
Test Condition: 960V, 40A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 350 A
Power - Max: 290 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH100N65A3IXYSDescription: IGBT 650V 240A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/174ns
Switching Energy: 3.15mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 470 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH100N65A3IXYSIGBTs TO247 650V 100A GENX3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH100N65B3IXYSIGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXyH100N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 62ns
Gate charge: 172nC
Turn-off time: 200ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 830W
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 420A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.42 EUR
6+16.22 EUR
10+14.97 EUR
30+12.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH100N65C3Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 650V 200A 830W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.79 EUR
30+16.97 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXyH100N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 200A TO-247
Power - Max: 830 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Part Status: Active
Gate Charge: 164 nC
Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 2.15mJ (on), 840µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/106ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.12 EUR
30+16.62 EUR
120+14.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXyH100N65C3IXYSIGBTs 650V/200A XPT C3-Class TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH100N65C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 200A 830W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH100N65C5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 230A TO-247
Packaging: Bulk
Gate Charge: 313 nC
Test Condition: 300V, 50A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 560µJ (on), 780µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/255ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Power - Max: 750 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 560 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 230 A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH100N65C5IXYSIGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.75 EUR
10+20.11 EUR
120+15.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH10N170CIXYSIGBTs TO247 1700V 10A IGBT
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXYH10N170CIXYSDescription: IGBT 1700V 36A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/130ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 850V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A
Power - Max: 280 W
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.21 EUR
30+11.42 EUR
120+9.72 EUR
510+9.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXYH10N170CV1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXYH10N170CV1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH10N170CV1 - TRANSISTOR, IGBT, 1.7KV, 36A, TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.6
Verlustleistung Pd: 280
Bauform - Transistor: TO-247AD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT Series
DC-Kollektorstrom: 36
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
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IXYH10N170CV1IXYSDescription: IGBT 1700V 36A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/130ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 850V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A
Power - Max: 280 W
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.95 EUR
30+15.84 EUR
120+13.63 EUR
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IXYH10N170CV1IXYSIGBTs 1700V/10A XPT IGBT w/ Diode
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.82 EUR
10+18.93 EUR
120+17.89 EUR
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IXYH120N65A5IXYSDescription: IGBT PT 650V 290A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/370ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 314 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 790 A
Power - Max: 830 W
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.47 EUR
30+14.76 EUR
120+12.64 EUR
510+11.4 EUR
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IXYH120N65A5IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
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IXYH120N65A5LittelfuseExtreme Light Punch Through IGBT
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXYH120N65A5IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 830W; TO247-3
Collector current: 120A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 790A
Power dissipation: 830W
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXYH120N65A5LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH120N65A5 - IGBT, 290 A, 1.22 V, 830 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.22V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: XPT GenX5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 290A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.65 EUR
11+20.43 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXYH120N65B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 1.36kW; TO247-3
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 760A
Power dissipation: 1.36kW
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 250nC
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXYH120N65B3IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/168ns
Switching Energy: 1.34mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 760 A
Power - Max: 1360 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXYH120N65B3IXYSIGBTs TO247 650V 120A GENX3
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IXYH120N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 260A; 1.36kW; TO247-3
Collector current: 260A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 620A
Power dissipation: 1.36kW
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXYH120N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 260A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/127ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 265 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 260 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 620 A
Power - Max: 1360 W
Produkt ist nicht verfügbar
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IXYH120N65C3IXYSIGBTs TO247 650V 120A GENX3
Produkt ist nicht verfügbar
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