Produkte > TW0
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| TW00-D350-061 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TW0138A32.000MHZ | auf Bestellung 15500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TW015N120C,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V Power Dissipation (Max): 431W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW015N120C,S1F | Toshiba | SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW015N120C,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TW015N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 431W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW015N120C,S1F(S | Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 1200V, TO247 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW015N120CS1F | Toshiba | MOSFETs TO247 1.2KV 100A N-CH MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW015N120CS1F(S | Toshiba | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW015N65C,S1F | Toshiba | SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm | auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW015N65C,S1F | Toshiba | TW015N65C,S1F | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TW015N65C,S1F | Toshiba | TW015N65C,S1F | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TW015N65C,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V Power Dissipation (Max): 342W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 | auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW015N65C,S1F(S | Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW015N65C,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TW015N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.021 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 342W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW015N65C,S1F(S | Toshiba | TW015N65C,S1F(S | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TW015N65CS1F | Toshiba | MOSFETs TO247 650V 100A N-CH MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW015N65CS1F(S | Toshiba | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW015Z120C,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V Power Dissipation (Max): 431W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA Supplier Device Package: TO-247-4L(X) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW015Z120C,S1F | Toshiba | SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW015Z120C,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TW015Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 431W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW015Z120C,S1F(S | Toshiba | Silicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW015Z65C,S1F | Toshiba | SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm | auf Bestellung 152 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW015Z65C,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 15 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Power Dissipation (Max): 342W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW015Z65C,S1F(S | Toshiba | Silicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW015Z65C,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TW015Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.015 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 342W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW01BLK1 | Apem | Input Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, BLACK, STANDARD SPRING, WIRE LEADS | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW01BLK1 | APEM Inc. | Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT | auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW01BLK11 | APEM Inc. | Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT Packaging: Bulk Mounting Type: Panel Mount Output: Analog (Hall Effect) Type: Thumbwheel, 1 - Axis Switch Function: 2-Way Directional Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 5VDC Actuator Type: Thumbwheel Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm Part Status: Active | auf Bestellung 154 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW01BLK11 | Apem | Joysticks THUMBWHEEL TW HALL EFFECT | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW01BLK12 | Apem | Input Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, BLACK, WIRE LEADS | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW01BLK13 | APEM Components | TW01BLK13 | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TW01BLK13 | APEM Inc. | Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT Packaging: Bulk Mounting Type: Panel Mount Output: Analog (Hall Effect) Type: Thumbwheel, 1 - Axis Switch Function: 2-Way Directional Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Wire Leads Voltage - Supply: 5VDC Actuator Type: Thumbwheel Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm Part Status: Active | auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW01BLK13Q | Apem | Joysticks Thumbwheel joystick, with tab, 0-5V, Black Actuator, 28AWG 41cm PTFE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW01BLU1 | APEM Inc. | Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT Packaging: Bulk Features: Blue Actuator Mounting Type: Panel Mount Output: Analog (Hall Effect) Type: Thumbwheel, 1 - Axis Switch Function: 2-Way Directional Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Wire Leads Voltage - Supply: 5VDC Actuator Type: Thumbwheel Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW01BLU1 | Apem | Joysticks TW SERIES | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW01BLU11 | Apem | Joysticks TW, W/ TAB, 0V-5V, BLUE, STD SPRING, HEADER | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW01BLU11 | APEM Inc. | Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT Packaging: Bulk Features: Blue Actuator Mounting Type: Panel Mount Output: Analog (Hall Effect) Type: Thumbwheel, 1 - Axis Switch Function: 2-Way Directional Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 5VDC Actuator Type: Thumbwheel Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm Part Status: Active | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW01GRY1 | APEM Inc. | Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW01GRY1 | Apem | Input Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, GREY, STD SPRING, WIRE LEADS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW01GRY11 | Apem | Joysticks TW, W/ TAB, 0V-5V, GREY, STD SPRING, HEADER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW01GRY11 | APEM Inc. | Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT Packaging: Bulk Features: Gray Actuator Mounting Type: Panel Mount Output: Analog (Hall Effect) Type: Thumbwheel, 1 - Axis Switch Function: 2-Way Directional Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 5VDC Actuator Type: Thumbwheel Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW01GRY13 | APEM Inc. | Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT Features: Gray Actuator Packaging: Bulk Mounting Type: Panel Mount Output: Analog (Hall Effect) Type: Thumbwheel, 1 - Axis Switch Function: 2-Way Directional Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Wire Leads Voltage - Supply: 5VDC Actuator Type: Thumbwheel Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW01GRY13 | APEM Inc. | Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT Features: Gray Actuator Packaging: Bulk Mounting Type: Panel Mount Output: Analog (Hall Effect) Type: Thumbwheel, 1 - Axis Switch Function: 2-Way Directional Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Wire Leads Voltage - Supply: 5VDC Actuator Type: Thumbwheel Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm Part Status: Active | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW01RED1 | Apem Inc. | Description: HALL EFF THUMBWHEEL RED W/TAB. | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW01RED1 | Apem | Input Devices TW SERIES | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW01RED11 | Apem Inc. | Description: HALL EFF THUMBWHEEL RED W/TAB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW01RED11 | Apem | Input Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, RED, STD SPRING, HEADER | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW01RED13 | APEM Inc. | Description: THUMBWHEEL TW HALL EFFECT Features: Red Actuator Packaging: Bulk Mounting Type: Panel Mount Output: Analog (Hall Effect) Type: Thumbwheel, 1 - Axis Switch Function: 2-Way Directional Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Wire Leads Voltage - Supply: 5VDC Actuator Type: Thumbwheel Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.45mm x 16.05mm Part Status: Active | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW0208SD590120 | auf Bestellung 699 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TW027N65C,S1F | Toshiba | SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm | auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW027N65C,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29A, 18V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW027N65C,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TW027N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.037 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW027N65C,S1F(S | Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW027N65CS1F | Toshiba | MOSFETs TO247 650V 58A N-CH MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW027N65CS1F(S | Toshiba | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW027Z65C,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 27 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-247-4L(X) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 29A, 18V | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW027Z65C,S1F | Toshiba | SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW027Z65C,S1F(S | Toshiba | Silicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW027Z65C,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TW027Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW02BLK11 | Apem | Joysticks HallEffct Thmwhl Blk .5-4.5Vout WireLeads | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW02BLK12 | Apem | Joysticks TW, W/ TAB, .5V-4.5V, BLACK, STD SPRING, WIRE LEADS | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW02BLK13 | Apem | Joysticks Joystick, fixed grip, momentary, 28AWG 10in PTFE, USB game controller output, IP65 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW02BLK13 | APEM Inc. | Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW02BLU1 | Apem | Input Devices TW SERIES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW02BLU13 | Apem | Joysticks TW, TAB, BLUE, 28GA. 0.5-4.5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW02BLU2 | Apem | Input Devices TW SERIES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW02GRY1 | Apem | Joysticks TW SERIES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW02RED12 | Apem | Joysticks Hall effect thumbwheels, with tab, 0.5V to 4.5V, Red Actuator, 22AWG 41cm PTFE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW03 | Apex Microtechnology | Thermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces | auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW03 | Apex Microtechnology | Description: THERM PAD 39.37MMX26.67MM 10/PK | auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW030N120C,S1F | Toshiba | SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm | auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW030N120C,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 18V Power Dissipation (Max): 249W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2925 pF @ 800 V | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW030N120C,S1F(S | Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 1200V, TO247 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW030N120C,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TW030N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 249W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW030N120CS1F | Toshiba | MOSFETs TO247 1.2KV 60A N-CH MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW030N120CS1F(S | Toshiba | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW030Z120C,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Power Dissipation (Max): 249W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2925 pF @ 800 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW030Z120C,S1F | Toshiba | SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW030Z120C,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TW030Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 249W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW030Z120C,S1F(S | Toshiba | Silicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW03BLK1 | Apem Inc. | Description: HALL EFF THUMBWHEEL BLK W/ TAB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW03BLK12 | Apem | Input Devices TW, W/ TAB, 1V-4V, BLACK, STD SPRING, WIRE LEADS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW03BLU1 | Apem | Joysticks TW SERIES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW03GRY1 | Apem | Input Devices TW SERIES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW03RED1 | Apem | Input Devices TW SERIES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW04 | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TW0404TD325SM | Samtec | Conn Board Stacker HDR 8 POS 2mm Solder ST Top Entry SMD Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0459B | TST | Description: 32.768K/25/15/1.8/2.5X2.0 Packaging: Cut Tape (CT) Type: TCXO Frequency Stability: ±25ppm Voltage - Supply: 1.8V Part Status: Active Frequency: 32.768 kHz Base Resonator: Crystal | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW0459B | TST | Description: 32.768K/25/15/1.8/2.5X2.0 Packaging: Tape & Reel (TR) Type: TCXO Frequency Stability: ±25ppm Voltage - Supply: 1.8V Part Status: Active Frequency: 32.768 kHz Base Resonator: Crystal | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW045N120C,S1F | Toshiba | SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm | auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW045N120C,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 182W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V | auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW045N120C,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TW045N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.059 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 182W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW045N120C,S1F(S | Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 1200V, TO247 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW045N120CS1F | Toshiba | MOSFETs TO247 1.2KV 40A N-CH MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW045N120CS1F(S | Toshiba | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW045Z120C,S1F | Toshiba | SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW045Z120C,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Power Dissipation (Max): 182W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA Supplier Device Package: TO-247-4L(X) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 20A, 18V | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW045Z120C,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TW045Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 182W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW045Z120C,S1F(S | Toshiba | Silicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0483UABO30 | TST | Description: 26/25/15/1.8/3.2X2.5 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0483UABO30 | TST | Description: 26/25/15/1.8/3.2X2.5 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW048N65C,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.6mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362 pF @ 400 V | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW048N65C,S1F | Toshiba | SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm | auf Bestellung 127 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW048N65C,S1F(S | Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW048N65C,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TW048N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.065 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW048N65CS1F | Toshiba | MOSFETs TO247 650V 40A N-CH MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW048N65CS1F(S | Toshiba | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW048Z65C,S1F | Toshiba | SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm | auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW048Z65C,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 48 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Power Dissipation (Max): 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.6mA Supplier Device Package: TO-247-4L(X) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362 pF @ 400 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 18V | auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW048Z65C,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TW048Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW048Z65C,S1F(S | Toshiba | Silicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW05 | Apex Microtechnology | Thermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces | auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW05 | Apex Microtechnology | Description: THERM PAD 58.93MMX41.66MM 10/PK | auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0543CA1150 | TST | Description: 48/50/15/1.8/2.0X1.6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.081" L x 0.065" W (2.05mm x 1.65mm) Mounting Type: Surface Mount Output: CMOS Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 15mA Height - Seated (Max): 0.033" (0.85mm) Part Status: Active Frequency: 48 MHz | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW0543CA1150 | TST | Description: 48/50/15/1.8/2.0X1.6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.081" L x 0.065" W (2.05mm x 1.65mm) Mounting Type: Surface Mount Output: CMOS Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 15mA Height - Seated (Max): 0.033" (0.85mm) Part Status: Active Frequency: 48 MHz | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW0556WA7230 | TST | Description: 125/25/100/3.3/3.2X2.5 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0556WA7230 | TST | Description: 125/25/100/3.3/3.2X2.5 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0580WA7230 | TST | Description: 156.25/25/100/3.3/3.2X2.5 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0580WA7230 | TST | Description: 156.25/25/100/3.3/3.2X2.5 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0597A | TST | Description: 32.768/20/15/3.3/3.2X2.5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Mounting Type: Surface Mount Output: CMOS Function: Standby (Power Down) Type: MHz Crystal Operating Temperature: -30°C ~ 95°C Frequency Stability: ±20ppm Voltage - Supply: 3.3V Ratings: AEC-Q200 Current - Supply (Max): 30mA Supplier Device Package: 4-SMD (3.2x2.5) Height - Seated (Max): 0.043" (1.10mm) Frequency: 32.768 MHz Base Resonator: Crystal | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW06 | Apex Microtechnology | Description: THERMAL WASHER 10P SIP 10/PK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW06 | Apex Microtechnology | Thermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0606UW1354 | TST | Description: 25/30/15/3.3/2.0X1.6 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0606UW1354 | TST | Description: 25/30/15/3.3/2.0X1.6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW060N120C,S1F | Toshiba | SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm | auf Bestellung 394 Stücke: Lieferzeit 178-182 Tag (e) |
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| TW060N120C,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MO Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 18A, 18V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.2mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 800 V | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW060N120C,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TW060N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.078 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW060N120C,S1F(S | Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 1200V, TO247 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW060N120CS1F | Toshiba | MOSFETs TO247 1.2KV 36A N-CH MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW060N120CS1F(S | Toshiba | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW060Z120C,S1F | Toshiba | SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW060Z120C,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 6 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.2mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 800 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW060Z120C,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TW060Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW060Z120C,S1F(S | Toshiba | HALBLEITERBAUELEMENTE, TRANSISTOR, PWR-MOSFET N-CHANNEL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0628WA7230 | TST | Description: 100/25/100/3.3/3.2X2.5 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0628WA7230 | TST | Description: 100/25/100/3.3/3.2X2.5 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0697VA6230 | TST | Description: 1000/25/50/3.3/3.2X2.5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0697VA6230 | TST | Description: 1000/25/50/3.3/3.2X2.5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0699VA6230 | TST | Description: 520/50/50/3.3/3.2X2.5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0699VA6230 | TST | Description: 520/50/50/3.3/3.2X2.5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW07 | Apex Microtechnology | Description: THERM PAD 31.12MMX19.43MM 10/PK | auf Bestellung 492 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW07 | Apex Microtechnology | Thermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces | auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW0702WA7230 | TST | Description: 212.5/25/100/3.3/3.2X2.5 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0702WA7230 | TST | Description: 212.5/25/100/3.3/3.2X2.5 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0708WA7230 | TST | Description: 148.5/25/100/3.3/3.2X2.5 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0708WA7230 | TST | Description: 148.5/25/100/3.3/3.2X2.5 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW070J120B,S1Q | Toshiba | MOSFET SIC-MOSFET TO-3PN V=1200 | auf Bestellung 548 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW070J120B,S1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: SICFET N-CH 1200V 36A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 20V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.8V @ 20mA Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): ±25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 800 V | auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW0717VA6230 | TST | Description: 300/50/50/3.2X2.5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0717VA6230 | TST | Description: 300/50/50/3.2X2.5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0720WA7230 | TST | Description: 75/25/100/3.3/3.2X2.5 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0720WA7230 | TST | Description: 75/25/100/3.3/3.2X2.5 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0723WA7230 | TST | Description: 200/25/100/3.3/3.2X2.5 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW0723WA7230 | TST | Description: 200/25/100/3.3/3.2X2.5 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW08-PE1S | Twin Industries | Description: EXTENDER CARTD PCI EXPRESS X1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW083N65C,S1F | Toshiba | SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW083N65C,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 113mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 111W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V | auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW083N65C,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TW083N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.113 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 111W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm SVHC: To Be Advised | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW083N65C,S1F(S | Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW083N65CS1F | Toshiba | MOSFET 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW083Z65C,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 83 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Power Dissipation (Max): 111W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA Supplier Device Package: TO-247-4L(X) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 15A, 18V | auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW083Z65C,S1F | Toshiba | SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW083Z65C,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TW083Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 111W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW08BLK12 | APEM Inc. | Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW08BLK12 | Apem | Joysticks THUMBWHEEL TW HALL EFFECT | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW09 | Apex Microtechnology | Description: THERMAL WASHER DIP 10/PK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW09 | Apex Microtechnology | Thermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW09BLK12 | Apem | Input Devices TW, W/ TAB, DUAL 1V-4V, BLACK, STD SPRING, WIRE LEADS | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TW09BLK12 | Apem Inc. | Description: HALL EFF THUMBWHEEL BLK W/ TAB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |