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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
TW00-D350-061
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TW0138A32.000MHZ
auf Bestellung 15500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TW015N120C,S1FToshibaMOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+163.23 EUR
TW015N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+157.14 EUR
30+ 137.49 EUR
TW015N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TW015N120C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 1200V, TO247
Produkt ist nicht verfügbar
TW015N120CS1FToshibaMOSFET 1200V MOSFET TO-247 15MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
TW015N120CS1F(SToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TW015N65C,S1FToshibaTW015N65C,S1F
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+71.6 EUR
10+ 63.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TW015N65C,S1FToshibaTW015N65C,S1F
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+71.6 EUR
10+ 63.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TW015N65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 342W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+128.02 EUR
30+ 107.3 EUR
TW015N65C,S1FToshibaMOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+128.96 EUR
10+ 121.26 EUR
120+ 118.9 EUR
TW015N65C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V
Produkt ist nicht verfügbar
TW015N65C,S1F(SToshibaTW015N65C,S1F(S
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+137.85 EUR
5+ 127.74 EUR
10+ 114.32 EUR
25+ 105.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TW015N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 342W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TW015N65CS1FToshibaMOSFET 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
TW015N65CS1F(SToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TW015Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+145.86 EUR
10+ 132.61 EUR
100+ 119.34 EUR
TW015Z120C,S1FToshibaMOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+148.3 EUR
10+ 134.81 EUR
30+ 130.31 EUR
60+ 125.79 EUR
120+ 121.32 EUR
270+ 116.82 EUR
510+ 115.67 EUR
TW015Z120C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TW015Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TW015Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 15
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Power Dissipation (Max): 342W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
TW015Z65C,S1FToshibaMOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+118.01 EUR
10+ 105.2 EUR
30+ 98.93 EUR
60+ 95.58 EUR
120+ 92.3 EUR
270+ 88.97 EUR
510+ 84.86 EUR
TW015Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 342W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TW015Z65C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TW01BLK1APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TW01BLK1ApemInput Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, BLACK, STANDARD SPRING, WIRE LEADS
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TW01BLK11APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+375.08 EUR
5+ 369.8 EUR
10+ 348.67 EUR
25+ 327.54 EUR
TW01BLK11ApemJoysticks THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+334.49 EUR
5+ 331.84 EUR
10+ 329.63 EUR
TW01BLK12ApemInput Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, BLACK, WIRE LEADS
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TW01BLK13APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+383.19 EUR
5+ 377.8 EUR
10+ 356.21 EUR
25+ 334.62 EUR
50+ 307.64 EUR
TW01BLK13QApemJoysticks Thumbwheel joystick, with tab, 0-5V, Black Actuator, 28AWG 41cm PTFE
Produkt ist nicht verfügbar
TW01BLU1ApemJoysticks TW SERIES
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TW01BLU1APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Packaging: Bulk
Features: Blue Actuator
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
TW01BLU11ApemJoysticks TW, W/ TAB, 0V-5V, BLUE, STD SPRING, HEADER
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TW01BLU11APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Packaging: Bulk
Features: Blue Actuator
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+350.84 EUR
5+ 345.91 EUR
TW01GRY1ApemInput Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, GREY, STD SPRING, WIRE LEADS
Produkt ist nicht verfügbar
TW01GRY1APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TW01GRY11ApemJoysticks TW, W/ TAB, 0V-5V, GREY, STD SPRING, HEADER
Produkt ist nicht verfügbar
TW01GRY11APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Produkt ist nicht verfügbar
TW01GRY13APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Features: Gray Actuator
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+394.71 EUR
5+ 389.13 EUR
10+ 366.89 EUR
25+ 344.66 EUR
TW01RED1Apem Inc.Description: HALL EFF THUMBWHEEL RED W/TAB.
Produkt ist nicht verfügbar
TW01RED1ApemInput Devices TW SERIES
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TW01RED11ApemInput Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, RED, STD SPRING, HEADER
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TW01RED11Apem Inc.Description: HALL EFF THUMBWHEEL RED W/TAB
Produkt ist nicht verfügbar
TW01RED13APEM Inc.Description: THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
Features: Red Actuator
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.45mm x 16.05mm
Part Status: Active
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+346.5 EUR
TW0208SD590120
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TW027N65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+52.42 EUR
TW027N65C,S1FToshibaMOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+52.78 EUR
10+ 46.9 EUR
30+ 46.05 EUR
120+ 45.14 EUR
TW027N65C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V
Produkt ist nicht verfügbar
TW027N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW027N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.037 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TW027N65CS1FToshibaMOSFET 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
TW027N65CS1F(SToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TW027Z65C,S1FToshibaMOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+49.01 EUR
10+ 43.58 EUR
30+ 40.64 EUR
60+ 39.36 EUR
120+ 38.09 EUR
270+ 35.54 EUR
510+ 32.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TW027Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 27
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 29A, 18V
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+49.89 EUR
10+ 44.33 EUR
100+ 38.77 EUR
TW027Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW027Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TW027Z65C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TW02BLK11ApemJoysticks HallEffct Thmwhl Blk .5-4.5Vout WireLeads
Produkt ist nicht verfügbar
TW02BLK12ApemJoysticks TW, W/ TAB, .5V-4.5V, BLACK, STD SPRING, WIRE LEADS
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+373.07 EUR
5+ 370.14 EUR
10+ 367.69 EUR
25+ 356.88 EUR
TW02BLK13APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Produkt ist nicht verfügbar
TW02BLK13ApemJoysticks Joystick, fixed grip, momentary, 28AWG 10in PTFE, USB game controller output, IP65
Produkt ist nicht verfügbar
TW02BLU1ApemInput Devices TW SERIES
Produkt ist nicht verfügbar
TW02BLU13ApemJoysticks TW, TAB, BLUE, 28GA. 0.5-4.5
Produkt ist nicht verfügbar
TW02BLU2ApemInput Devices TW SERIES
Produkt ist nicht verfügbar
TW02GRY1ApemJoysticks TW SERIES
Produkt ist nicht verfügbar
TW02RED12ApemJoysticks Hall effect thumbwheels, with tab, 0.5V to 4.5V, Red Actuator, 22AWG 41cm PTFE
Produkt ist nicht verfügbar
TW03Apex MicrotechnologyBoard to Board & Mezzanine Connectors Flexible Board Stacking Header, 2.00mm Pitch
Produkt ist nicht verfügbar
TW03Apex MicrotechnologyDescription: THERM PAD 39.37MMX26.67MM 10/PK
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TW030N120C,S1FToshibaMOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+80.13 EUR
10+ 76.36 EUR
30+ 68.54 EUR
TW030N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2925 pF @ 800 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+79.56 EUR
30+ 65.96 EUR
TW030N120C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 1200V, TO247
Produkt ist nicht verfügbar
TW030N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW030N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 249
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TW030N120CS1FToshibaMOSFET 1200V MOSFET TO-247 30MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
TW030N120CS1F(SToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TW030Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2925 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
TW030Z120C,S1FToshibaMOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+73.53 EUR
10+ 65.34 EUR
30+ 60.97 EUR
60+ 59.05 EUR
120+ 57.15 EUR
270+ 53.33 EUR
510+ 49.04 EUR
TW030Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW030Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 249W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TW030Z120C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TW03BLK1Apem Inc.Description: HALL EFF THUMBWHEEL BLK W/ TAB
Produkt ist nicht verfügbar
TW03BLK12ApemInput Devices TW, W/ TAB, 1V-4V, BLACK, STD SPRING, WIRE LEADS
Produkt ist nicht verfügbar
TW03BLU1ApemJoysticks TW SERIES
Produkt ist nicht verfügbar
TW03GRY1ApemInput Devices TW SERIES
Produkt ist nicht verfügbar
TW03RED1ApemInput Devices TW SERIES
Produkt ist nicht verfügbar
TW04
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TW0459BTSTDescription: 32.768K/25/15/1.8/2.5X2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: TCXO
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Part Status: Active
Frequency: 32.768 kHz
Base Resonator: Crystal
Produkt ist nicht verfügbar
TW0459BTSTDescription: 32.768K/25/15/1.8/2.5X2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: TCXO
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Part Status: Active
Frequency: 32.768 kHz
Base Resonator: Crystal
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.76 EUR
10+ 6.6 EUR
50+ 6.28 EUR
100+ 5.5 EUR
500+ 5.34 EUR
1000+ 4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TW045N120C,S1FToshibaMOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+55.15 EUR
10+ 49.09 EUR
30+ 49.06 EUR
120+ 48.1 EUR
510+ 47.16 EUR
TW045N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
TW045N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW045N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.059 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TW045N120C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 1200V, TO247
Produkt ist nicht verfügbar
TW045N120CS1FToshibaMOSFET 1200V MOSFET TO-247 45MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
TW045N120CS1F(SToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TW045Z120C,S1FToshibaMOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+50.67 EUR
10+ 45.03 EUR
30+ 41.99 EUR
60+ 40.66 EUR
120+ 39.36 EUR
270+ 36.74 EUR
510+ 33.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TW045Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 20A, 18V
Produkt ist nicht verfügbar
TW045Z120C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TW045Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW045Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TW0483UABO30TSTDescription: 26/25/15/1.8/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
TW0483UABO30TSTDescription: 26/25/15/1.8/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
TW048N65C,S1FToshibaMOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+37.96 EUR
10+ 33.44 EUR
30+ 31.8 EUR
60+ 31.02 EUR
120+ 30.42 EUR
510+ 29.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TW048N65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362 pF @ 400 V
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+37.7 EUR
30+ 30.5 EUR
TW048N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW048N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TW048N65C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V
Produkt ist nicht verfügbar
TW048N65CS1FToshibaMOSFET 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
TW048Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 48
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 18V
Produkt ist nicht verfügbar
TW048Z65C,S1FToshibaMOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+34.87 EUR
10+ 30.73 EUR
30+ 29.9 EUR
60+ 28.21 EUR
120+ 26.55 EUR
270+ 25.74 EUR
510+ 24.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TW048Z65C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TW048Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW048Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TW05Apex MicrotechnologyDescription: THERM PAD 58.93MMX41.66MM 10/PK
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TW05Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+79.59 EUR
10+ 74.88 EUR
25+ 70.23 EUR
50+ 65.52 EUR
100+ 63.18 EUR
250+ 60.27 EUR
TW0543CA1150TSTDescription: 48/50/15/1.8/2.0X1.6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.081" L x 0.065" W (2.05mm x 1.65mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 15mA
Height - Seated (Max): 0.033" (0.85mm)
Part Status: Active
Frequency: 48 MHz
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.4 EUR
10+ 8.19 EUR
50+ 7.8 EUR
100+ 6.83 EUR
500+ 6.63 EUR
1000+ 5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TW0543CA1150TSTDescription: 48/50/15/1.8/2.0X1.6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.081" L x 0.065" W (2.05mm x 1.65mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 15mA
Height - Seated (Max): 0.033" (0.85mm)
Part Status: Active
Frequency: 48 MHz
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
TW06Apex MicrotechnologyDescription: THERMAL WASHER 10P SIP 10/PK
Produkt ist nicht verfügbar
TW0606UW1354TSTDescription: 25/30/15/3.3/2.0X1.6
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
TW0606UW1354TSTDescription: 25/30/15/3.3/2.0X1.6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
TW060N120C,S1FToshibaMOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+46.15 EUR
10+ 40.66 EUR
30+ 38.66 EUR
60+ 37.75 EUR
120+ 37 EUR
510+ 36.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TW060N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 18A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 800 V
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+45.84 EUR
30+ 37.1 EUR
TW060N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW060N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.078 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TW060N120C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 1200V, TO247
Produkt ist nicht verfügbar
TW060N120CS1FToshibaMOSFET 1200V MOSFET TO-247 60MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
TW060N120CS1F(SToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TW060Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.2mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
TW060Z120C,S1FToshibaMOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+43.08 EUR
10+ 37.96 EUR
30+ 36.92 EUR
60+ 34.87 EUR
120+ 32.81 EUR
270+ 31.77 EUR
510+ 29.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TW060Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW060Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TW060Z120C,S1F(SToshibaHALBLEITERBAUELEMENTE, TRANSISTOR, PWR-MOSFET N-CHANNEL
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TW0697VA6230TSTDescription: 1000/25/50/3.3/3.2X2.5
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TW0697VA6230TSTDescription: 1000/25/50/3.3/3.2X2.5
Produkt ist nicht verfügbar
TW0699VA6230TSTDescription: 520/50/50/3.3/3.2X2.5
Produkt ist nicht verfügbar
TW0699VA6230TSTDescription: 520/50/50/3.3/3.2X2.5
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TW07Apex MicrotechnologyDescription: THERM PAD 31.12MMX19.43MM 10/PK
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TW07Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+50.93 EUR
10+ 48.1 EUR
25+ 45.27 EUR
50+ 42.43 EUR
100+ 39.6 EUR
250+ 36.79 EUR
500+ 36.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TW070J120B,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 20V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.8V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 800 V
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+74.7 EUR
10+ 66.36 EUR
100+ 58.04 EUR
TW070J120B,S1QToshibaMOSFET SIC-MOSFET TO-3PN V=1200
auf Bestellung 548 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+75.43 EUR
10+ 67.03 EUR
25+ 61.65 EUR
50+ 61.1 EUR
100+ 53.9 EUR
250+ 53.87 EUR
1000+ 53.85 EUR
TW0717VA6230TSTDescription: 300/50/50/3.2X2.5
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TW0717VA6230TSTDescription: 300/50/50/3.2X2.5
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TW08-PE1STwin IndustriesDescription: EXTENDER CARTD PCI EXPRESS X1
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TW083N65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 113mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+31.98 EUR
10+ 28.18 EUR
100+ 24.37 EUR
TW083N65C,S1FToshibaMOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+29.74 EUR
10+ 26.21 EUR
30+ 24.93 EUR
60+ 24.34 EUR
120+ 23.84 EUR
510+ 23.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TW083N65C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V
Produkt ist nicht verfügbar
TW083N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW083N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.113 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TW083N65CS1FToshibaMOSFET 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
TW083Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 83
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 15A, 18V
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+27.43 EUR
10+ 25.2 EUR
100+ 21.29 EUR
TW083Z65C,S1FToshibaMOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+27.72 EUR
10+ 24.39 EUR
30+ 23.74 EUR
60+ 22.41 EUR
120+ 21.09 EUR
270+ 20.44 EUR
510+ 19.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TW083Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW083Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TW08BLK12APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Produkt ist nicht verfügbar
TW08BLK12ApemJoysticks THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+527.12 EUR
5+ 511.97 EUR
10+ 496.94 EUR
25+ 466.83 EUR
50+ 436.7 EUR
100+ 421.59 EUR
250+ 391.59 EUR
TW09Apex MicrotechnologyDescription: THERMAL WASHER DIP 10/PK
Produkt ist nicht verfügbar
TW09BLK12Apem Inc.Description: HALL EFF THUMBWHEEL BLK W/ TAB
Produkt ist nicht verfügbar
TW09BLK12ApemInput Devices TW, W/ TAB, DUAL 1V-4V, BLACK, STD SPRING, WIRE LEADS
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)