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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix) IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix)
Produktcode: 44439
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Siliconix Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 5,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Montage: THT
auf Bestellung: 80 St.
  • 80 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.82 EUR
10+0.77 EUR
100+0.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520 (TO-220 ST) IRF520 (TO-220 ST)
Produktcode: 186775
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ST Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 9,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Montage: THT
auf Bestellung: 117 St.
  • 117 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.46 EUR
10+0.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF IRF520PBF
Produktcode: 216814
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IR IRF520PBF.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 9,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Montage: THT
auf Bestellung: 96 St.
  • 96 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.13 EUR
10+1.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix) IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)
Produktcode: 156292
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Siliconix irf520pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 9,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Montage: THT
auf Bestellung: 7 St.
  • 7 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.98 EUR
10+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF (TO-220AB, Vishay) IRF520PBF (TO-220AB, Vishay)
Produktcode: 23704
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Vishay Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 9,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
1+0.58 EUR
10+0.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF IRF5210PBF
Produktcode: 113380
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IR irf5210pbf-221443.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Id, A: 40 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2700/180
Montage: THT
auf Bestellung: 193 St.
  • 193 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+3.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF
Produktcode: 40618
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IR irf5305pbf-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 31 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: THT
auf Bestellung: 374 St.
  • 374 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305SPBF IRF5305SPBF
Produktcode: 185643
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JSMICRO irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Id, A: 31 А
Montage: SMD
auf Bestellung: 11 St.
  • 11 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.88 EUR
10+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305SPBF IRF5305SPBF
Produktcode: 37024
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IR irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Id, A: 31 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: SMD
auf Bestellung: 79 St.
  • 79 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.21 EUR
10+1.09 EUR
100+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF
Produktcode: 50641
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IR irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10,5
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 920/37
Montage: THT
auf Bestellung: 448 St.
  • 448 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.69 EUR
10+0.62 EUR
100+0.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NS IRF530NS
Produktcode: 117672
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Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 17 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 90 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 920/37
Montage: SMD
auf Bestellung: 28 St.
  • 28 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF IRF540NPBF
Produktcode: 3289
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IR f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 26 St.
  • 26 St. - stock Köln
auf Bestellung: 463 St.
  • 463 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NSPBF IRF540NSPBF
Produktcode: 34259
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IR irf540nspbf-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 33 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 44 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: SMD
auf Bestellung: 41 St.
  • 41 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.46 EUR
10+3.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540PBF IRF540PBF
Produktcode: 182036
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Siliconix IRF540PBF-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 28 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/72
Montage: THT
auf Bestellung: 25 St.
  • 25 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.27 EUR
10+2.13 EUR
100+1.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540SPBF
Produktcode: 123222
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SILI sihf540s-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 20 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/72
Montage: SMD
auf Bestellung: 3 St.
  • 3 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.94 EUR
10+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF IRF540ZPBF
Produktcode: 42002
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IR irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 36 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1770/42
Montage: THT
auf Bestellung: 152 St.
  • 152 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.21 EUR
10+1.09 EUR
100+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5505PBF
Produktcode: 36207
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IR irfr5505pbfg.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-262
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/32
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 26 St.
  • 26 St. - erwartet
1+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5800TR IRF5800TR
Produktcode: 37265
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IR irf5800-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 535/11,4
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
erwartet: 600 St.
  • 600 St. - erwartet 13.08.2026
1+0.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5850TRPBF IRF5850TRPBF
Produktcode: 34942
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IR irf5850pbf.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 1,8/2,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,135 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 320/3,6
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
auf Bestellung: 20 St.
  • 20 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.4 EUR
10+0.36 EUR
100+0.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Modul aus 4 MOSFET IRF540Modul aus 4 MOSFET IRF540Modul aus 4 MOSFET IRF540
Modul aus 4 MOSFET IRF540Modul aus 4 MOSFET IRF540Modul aus 4 MOSFET IRF540
 Modul aus 4 MOSFET IRF540
Produktcode: 193624
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Modulare Elemente > Arduino und andere modulare Elemente
Beschreibung: Shield zur Laststeuerung. Das Modul besteht aus 4x MOSFET IRF540. Außerdem ist auf der Platine der IC PS8201 (Optokoppler) zur Trennung des Controllers von der Last verbaut. Kann nur zur Steuerung eines Gleichstromkreises verwendet werden. Last maximal: 9...100VDC (25A). Steuersignal vom MC: 5V.
Kategorie: Schaltmodul
Bestimmung: MOSFET
erwartet: 9 St.
  • 9 St. - erwartet
auf Bestellung: 30 St.
  • 30 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+4.51 EUR
10+4.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 Siliconix irf510.pdf N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 Siliconix irf510.pdf N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY IRF510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.55 EUR
83+1.04 EUR
90+0.95 EUR
100+0.88 EUR
250+0.77 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay Semiconductors irf510.pdf MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.74 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay Siliconix irf510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 14727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.19 EUR
10+3.36 EUR
50+2.56 EUR
100+2.31 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 10465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.69 EUR
119+1.44 EUR
136+1.2 EUR
144+1.09 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.59 EUR
121+1.44 EUR
250+1.25 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.48 EUR
144+1.21 EUR
146+1.17 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.83 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY VISH-S-A0019270467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 8388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.55 EUR
131+1.77 EUR
160+1.34 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.96 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.68 EUR
120+1.42 EUR
138+1.19 EUR
146+1.08 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf510.pdf MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.03 EUR
10+1.74 EUR
100+1.18 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.84 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 Vishay Siliconix irf510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 4615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.55 EUR
50+1.92 EUR
100+1.73 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 VISHAY 3204807.pdf Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 1193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.55 EUR
111+2.11 EUR
125+1.73 EUR
143+1.5 EUR
167+1.29 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 VISHAY irf510.pdf Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.8 EUR
118+1.98 EUR
178+1.2 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 VISHAY irf510.pdf Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.8 EUR
118+1.98 EUR
178+1.2 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510S IRF510S Siliconix TIRF510s_0001.pdf N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY IRF510SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+2.42 EUR
75+1.14 EUR
85+1.01 EUR
100+0.96 EUR
250+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay Siliconix sihf510s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 13715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.18 EUR
10+3.33 EUR
50+2.55 EUR
100+2.28 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay Semiconductors sihf510s.pdf MOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.31 EUR
10+1.95 EUR
100+1.58 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 3167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.51 EUR
161+1.06 EUR
162+1.01 EUR
182+0.87 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.69 EUR
111+1.57 EUR
250+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.43 EUR
108+1.58 EUR
109+1.5 EUR
135+1.17 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY VISH-S-A0011126098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.52 EUR
115+2.03 EUR
139+1.55 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 3167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.09 EUR
163+1.07 EUR
183+0.93 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.63 EUR
109+1.59 EUR
135+1.26 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay Semiconductors sihf510s.pdf MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+2.48 EUR
100+1.65 EUR
500+1.32 EUR
800+1.12 EUR
2400+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay Siliconix sihf510s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.55 EUR
50+1.92 EUR
100+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.09 EUR
1600+1.07 EUR
2400+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.11 EUR
2400+1 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay Siliconix sihf510s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 1346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.55 EUR
50+1.92 EUR
100+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay Semiconductors sihf510s.pdf MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.4 EUR
100+1.63 EUR
500+1.26 EUR
800+1.12 EUR
2400+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.05 EUR
83+2.05 EUR
102+1.61 EUR
170+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix)
Produktcode: 44439
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix)
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 5,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Montage: THT
auf Bestellung: 80 St.
  • 80 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.82 EUR
10+0.77 EUR
100+0.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520 (TO-220 ST)
Produktcode: 186775
6 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRF520 (TO-220 ST)
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 9,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Montage: THT
auf Bestellung: 117 St.
  • 117 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.46 EUR
10+0.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF
Produktcode: 216814
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description IRF520PBF.pdf
IRF520PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 9,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Montage: THT
auf Bestellung: 96 St.
  • 96 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.13 EUR
10+1.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)
Produktcode: 156292
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irf520pbf-datasheet.pdf
IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 9,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Montage: THT
auf Bestellung: 7 St.
  • 7 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.98 EUR
10+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF (TO-220AB, Vishay)
Produktcode: 23704
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRF520PBF (TO-220AB, Vishay)
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 9,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
1+0.58 EUR
10+0.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF
Produktcode: 113380
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irf5210pbf-221443.pdf
IRF5210PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Id, A: 40 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2700/180
Montage: THT
auf Bestellung: 193 St.
  • 193 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.64 EUR
10+3.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF
Produktcode: 40618
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irf5305pbf-datasheet.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 31 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: THT
auf Bestellung: 374 St.
  • 374 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305SPBF
Produktcode: 185643
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995
IRF5305SPBF
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Id, A: 31 А
Montage: SMD
auf Bestellung: 11 St.
  • 11 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.88 EUR
10+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305SPBF
Produktcode: 37024
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irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995
IRF5305SPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Id, A: 31 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: SMD
auf Bestellung: 79 St.
  • 79 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.21 EUR
10+1.09 EUR
100+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF
Produktcode: 50641
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irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
IRF530NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10,5
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 920/37
Montage: THT
auf Bestellung: 448 St.
  • 448 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.69 EUR
10+0.62 EUR
100+0.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NS
Produktcode: 117672
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Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF530NS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 17 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 90 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 920/37
Montage: SMD
auf Bestellung: 28 St.
  • 28 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 26 St.
  • 26 St. - stock Köln
auf Bestellung: 463 St.
  • 463 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NSPBF
Produktcode: 34259
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description irf540nspbf-datasheet.pdf
IRF540NSPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 33 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 44 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: SMD
auf Bestellung: 41 St.
  • 41 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.46 EUR
10+3.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540PBF
Produktcode: 182036
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IRF540PBF-datasheet.pdf
IRF540PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 28 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/72
Montage: THT
auf Bestellung: 25 St.
  • 25 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.27 EUR
10+2.13 EUR
100+1.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540SPBF
Produktcode: 123222
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sihf540s-datasheet.pdf
Hersteller: SILI
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 20 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/72
Montage: SMD
auf Bestellung: 3 St.
  • 3 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.94 EUR
10+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF
Produktcode: 42002
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description irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6
IRF540ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 36 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1770/42
Montage: THT
auf Bestellung: 152 St.
  • 152 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.21 EUR
10+1.09 EUR
100+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5505PBF
Produktcode: 36207
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irfr5505pbfg.pdf
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-262
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/32
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 26 St.
  • 26 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
1+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5800TR
Produktcode: 37265
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irf5800-datasheet.pdf
IRF5800TR
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 535/11,4
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
erwartet: 600 St.
  • 600 St. - erwartet 13.08.2026
AnzahlPrivatkunde
1+0.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5850TRPBF
Produktcode: 34942
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irf5850pbf.pdf
IRF5850TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 1,8/2,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,135 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 320/3,6
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
auf Bestellung: 20 St.
  • 20 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.4 EUR
10+0.36 EUR
100+0.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Modul aus 4 MOSFET IRF540
Produktcode: 193624
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Modul aus 4 MOSFET IRF540Modul aus 4 MOSFET IRF540Modul aus 4 MOSFET IRF540
Modul aus 4 MOSFET IRF540Modul aus 4 MOSFET IRF540Modul aus 4 MOSFET IRF540
Modulare Elemente > Arduino und andere modulare Elemente
Beschreibung: Shield zur Laststeuerung. Das Modul besteht aus 4x MOSFET IRF540. Außerdem ist auf der Platine der IC PS8201 (Optokoppler) zur Trennung des Controllers von der Last verbaut. Kann nur zur Steuerung eines Gleichstromkreises verwendet werden. Last maximal: 9...100VDC (25A). Steuersignal vom MC: 5V.
Kategorie: Schaltmodul
Bestimmung: MOSFET
erwartet: 9 St.
  • 9 St. - erwartet
auf Bestellung: 30 St.
  • 30 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.51 EUR
10+4.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 irf510.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 irf510.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF.pdf
IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+1.55 EUR
83+1.04 EUR
90+0.95 EUR
100+0.88 EUR
250+0.77 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.89 EUR
10+1.74 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 14727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+5.19 EUR
10+3.36 EUR
50+2.56 EUR
100+2.31 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 10465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+2.69 EUR
119+1.44 EUR
136+1.2 EUR
144+1.09 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
111+1.59 EUR
121+1.44 EUR
250+1.25 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
120+1.48 EUR
144+1.21 EUR
146+1.17 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.83 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF VISH-S-A0019270467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 8388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+3.55 EUR
131+1.77 EUR
160+1.34 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.96 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+2.68 EUR
120+1.42 EUR
138+1.19 EUR
146+1.08 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 irf510.pdf
IRF510PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.03 EUR
10+1.74 EUR
100+1.18 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.84 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 irf510.pdf
IRF510PBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 4615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+4 EUR
10+2.55 EUR
50+1.92 EUR
100+1.73 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 3204807.pdf
IRF510PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 1193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+3.55 EUR
111+2.11 EUR
125+1.73 EUR
143+1.5 EUR
167+1.29 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 irf510.pdf
IRF510PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+3.8 EUR
118+1.98 EUR
178+1.2 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 irf510.pdf
IRF510PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.8 EUR
118+1.98 EUR
178+1.2 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510S TIRF510s_0001.pdf
IRF510S
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+2.42 EUR
75+1.14 EUR
85+1.01 EUR
100+0.96 EUR
250+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF510SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 13715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+5.18 EUR
10+3.33 EUR
50+2.55 EUR
100+2.28 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF510SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.31 EUR
10+1.95 EUR
100+1.58 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 3167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
117+1.51 EUR
161+1.06 EUR
162+1.01 EUR
182+0.87 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
105+1.69 EUR
111+1.57 EUR
250+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 24 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
58+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+3.43 EUR
108+1.58 EUR
109+1.5 EUR
135+1.17 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF VISH-S-A0011126098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF510SPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+4.52 EUR
115+2.03 EUR
139+1.55 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 3167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
162+1.09 EUR
163+1.07 EUR
183+0.93 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
108+1.63 EUR
109+1.59 EUR
135+1.26 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF510STRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.88 EUR
10+2.48 EUR
100+1.65 EUR
500+1.32 EUR
800+1.12 EUR
2400+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF510STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+4 EUR
10+2.55 EUR
50+1.92 EUR
100+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF510STRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.09 EUR
1600+1.07 EUR
2400+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF510STRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.11 EUR
2400+1 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 1346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+4 EUR
10+2.55 EUR
50+1.92 EUR
100+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF510STRRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.8 EUR
10+2.4 EUR
100+1.63 EUR
500+1.26 EUR
800+1.12 EUR
2400+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
180+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
58+3.05 EUR
83+2.05 EUR
102+1.61 EUR
170+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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