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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF510 Produktcode: 30002
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 Idd,A: 05.06.2015 Rds(on), Ohm: 0.54 Ciss, pF/Qg, nC: 01.05.135 JHGF: THT |
auf Bestellung 14 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF510PBF Produktcode: 44439
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Fairchild |
![]() Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 100 Idd,A: 05.06.2015 Rds(on), Ohm: 0.54 JHGF: THT |
auf Bestellung 69 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF520 Produktcode: 23704
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IR |
![]() ![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 Idd,A: 09.05.2015 Rds(on), Ohm: 0.27 Ciss, pF/Qg, nC: 01.10.350 JHGF: THT |
verfügbar: 13 Stück
6 Stück - stock Köln
7 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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IRF520 (TO-220 ST) Produktcode: 186775
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ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 9,2 A Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 360/16 JHGF: THT |
auf Bestellung 292 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF520NPBF Produktcode: 55824
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![]() Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 9,7 A Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 330/25 JHGF: THT |
auf Bestellung 13 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix) Produktcode: 156292
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Siliconix |
![]() Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 9,2 A Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 360/16 JHGF: THT |
auf Bestellung 34 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF5210PBF Produktcode: 113380
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 V Id,A: 40 A Rds(on),Om: 0,06 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180 /: THT |
auf Bestellung 118 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF5305PBF Produktcode: 40618
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 55 Id,A: 31 Rds(on),Om: 0.06 Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63 /: THT |
verfügbar: 260 Stück
12 Stück - stock Köln
248 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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IRF5305SPBF Produktcode: 185643
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JSMICRO |
![]() Gehäuse: D2Pak Uds,V: 55 V Id,A: 31 A /: SMD |
auf Bestellung 29 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 100 Stück: 100 Stück - erwartet 20.02.2025 |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF530NPBF Produktcode: 50641
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 Idd,A: 17 Rds(on), Ohm: 01.09.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 920/37 JHGF: THT |
auf Bestellung 145 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF530NS Produktcode: 117672
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![]() Gehäuse: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 90 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 920/37 JHGF: SMD |
auf Bestellung 3 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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IRF530S Produktcode: 53545
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Vishay |
![]() Gehäuse: D-Pak Uds,V: 100 Idd,A: 10 Rds(on), Ohm: 0.16 Ciss, pF/Qg, nC: 670/26 JHGF: SMD |
auf Bestellung 41 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB Produktcode: 3289
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IR |
![]() ![]() Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 100 Idd,A: 33 Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71 JHGF: THT |
verfügbar: 43 Stück
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![]() |
IRF540NSPBF Produktcode: 34259
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IR |
![]() ![]() Uds,V: 100 V Idd,A: 33 A Rds(on), Ohm: 44 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71 JHGF: SMD |
auf Bestellung 100 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRF540PBF Produktcode: 182036
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Siliconix |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 28 A JHGF: THT |
auf Bestellung 232 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF540SPBF Produktcode: 123222
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|
SILI |
![]() Uds,V: 100 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72 JHGF: SMD |
auf Bestellung 3 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
![]() |
IRF540ZPBF Produktcode: 42002
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Lieblingsprodukt
|
IR |
![]() ![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 Idd,A: 36 Rds(on), Ohm: 0.0266 Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42 JHGF: THT |
auf Bestellung 191 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF5505PBF Produktcode: 36207
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Lieblingsprodukt
|
IR |
![]() Gehäuse: TO-262AA Uds,V: 55 Id,A: 18 Rds(on),Om: 0.11 Ciss, pF/Qg, nC: 650/32 /: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet:
26 Stück
26 Stück - erwartet
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![]() |
IRF5800TR Produktcode: 37265
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: TSOP-6 Uds,V: 30 Id,A: 4 Rds(on),Om: 0.85 Ciss, pF/Qg, nC: 535/11.4 /: SMD |
verfügbar: 300 Stück
12 Stück - stock Köln
288 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen erwartet:
100 Stück
100 Stück - erwartet
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IRF5850TRPBF Produktcode: 34942
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: TSOP-6 Uds,V: 20 Id,A: 1.8/2.2 Rds(on),Om: 0.135 Ciss, pF/Qg, nC: 320/3.6 Gebr.: 2P /: SMD |
verfügbar: 20 Stück
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IRF5852 Produktcode: 104324
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Uds,V: 20 V Idd,A: 2,7 A Rds(on), Ohm: 0,09 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 400/4 JHGF: SMD ZCODE: 8541290010 |
auf Bestellung 1 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
![]() +2 |
Модуль с 4х MOSFET IRF540 Produktcode: 193624
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Lieblingsprodukt
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Modulare Elemente > Arduino und andere modulare Elemente Опис: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається із 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлена мікросхема PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватись тільки для керування ланцюгом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25А). Управління сигналом від МК: 5В. Тип: Шилд комутуючі |
auf Bestellung 22 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF510 | Siliconix |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF510-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF510PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1421 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1421 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF510PBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
auf Bestellung 37190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF510PBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 3369 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF510PBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 7130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF510PBF | Vishay |
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auf Bestellung 1726 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510PBF | Vishay |
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auf Bestellung 1726 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510PBF | Vishay |
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auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRF510PBF | Vishay |
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auf Bestellung 247 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 7202 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF510PBF-BE3 | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5364 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF510PBF-BE3 | Vishay |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510PBF-BE3 | VISHAY |
![]() tariffCode: 85364900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF510PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510S | Siliconix |
N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF510SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF510SPBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
auf Bestellung 22135 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF510SPBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 1685 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF510SPBF | Vishay |
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auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510SPBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 967 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510SPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 7124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF510SPBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510SPBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 967 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510STRLPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 903 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF510STRLPBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF510STRLPBF | Vishay |
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auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510STRRPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 863 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF510STRRPBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF510STRRPBF | Vishay |
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auf Bestellung 570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510STRRPBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF512S2532 | Harris Corporation |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF520 | Siliconix |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF520 | Siliconix |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF520-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 10A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF520; IRF520-BE3; IRF520N; SP001571310; IRF520-ML MOSLEADER TIRF520 MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF520N | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF510 Produktcode: 30002
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
Ciss, pF/Qg, nC: 01.05.135
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
Ciss, pF/Qg, nC: 01.05.135
JHGF: THT
auf Bestellung 14 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.44 EUR |
10+ | 0.42 EUR |
IRF510PBF Produktcode: 44439
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
JHGF: THT
auf Bestellung 69 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.57 EUR |
10+ | 0.42 EUR |
IRF520 Produktcode: 23704
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Lieblingsprodukt
|
![]() ![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 09.05.2015
Rds(on), Ohm: 0.27
Ciss, pF/Qg, nC: 01.10.350
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 09.05.2015
Rds(on), Ohm: 0.27
Ciss, pF/Qg, nC: 01.10.350
JHGF: THT
verfügbar: 13 Stück
6 Stück - stock Köln
7 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
7 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.48 EUR |
10+ | 0.45 EUR |
IRF520 (TO-220 ST) Produktcode: 186775
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
auf Bestellung 292 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF520NPBF Produktcode: 55824
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
JHGF: THT
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
JHGF: THT
auf Bestellung 13 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix) Produktcode: 156292
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
auf Bestellung 34 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5210PBF Produktcode: 113380
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
/: THT
auf Bestellung 118 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5305PBF Produktcode: 40618
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT
verfügbar: 260 Stück
12 Stück - stock Köln
248 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
248 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.47 EUR |
10+ | 0.45 EUR |
IRF5305SPBF Produktcode: 185643
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
/: SMD
auf Bestellung 29 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 100 Stück:
100 Stück - erwartet 20.02.2025Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF530NPBF Produktcode: 50641
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: THT
auf Bestellung 145 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.48 EUR |
10+ | 0.44 EUR |
100+ | 0.43 EUR |
IRF530NS Produktcode: 117672
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: SMD
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: SMD
auf Bestellung 3 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF530S Produktcode: 53545
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
JHGF: SMD
auf Bestellung 41 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.46 EUR |
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB Produktcode: 3289
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 43 Stück
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.88 EUR |
10+ | 0.79 EUR |
IRF540NSPBF Produktcode: 34259
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: SMD
auf Bestellung 100 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF540PBF Produktcode: 182036
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Lieblingsprodukt
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auf Bestellung 232 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF540SPBF Produktcode: 123222
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: SILI
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72
JHGF: SMD
auf Bestellung 3 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF540ZPBF Produktcode: 42002
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 36
Rds(on), Ohm: 0.0266
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 36
Rds(on), Ohm: 0.0266
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42
JHGF: THT
auf Bestellung 191 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.54 EUR |
10+ | 0.52 EUR |
IRF5505PBF Produktcode: 36207
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-262AA
Uds,V: 55
Id,A: 18
Rds(on),Om: 0.11
Ciss, pF/Qg, nC: 650/32
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-262AA
Uds,V: 55
Id,A: 18
Rds(on),Om: 0.11
Ciss, pF/Qg, nC: 650/32
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet:
26 Stück
26 Stück - erwartet
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.13 EUR |
IRF5800TR Produktcode: 37265
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 30
Id,A: 4
Rds(on),Om: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 535/11.4
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 30
Id,A: 4
Rds(on),Om: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 535/11.4
/: SMD
verfügbar: 300 Stück
12 Stück - stock Köln
288 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
288 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet:
100 Stück
100 Stück - erwartet
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.29 EUR |
IRF5850TRPBF Produktcode: 34942
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 20
Id,A: 1.8/2.2
Rds(on),Om: 0.135
Ciss, pF/Qg, nC: 320/3.6
Gebr.: 2P
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 20
Id,A: 1.8/2.2
Rds(on),Om: 0.135
Ciss, pF/Qg, nC: 320/3.6
Gebr.: 2P
/: SMD
verfügbar: 20 Stück
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.34 EUR |
10+ | 0.30 EUR |
IRF5852 Produktcode: 104324
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 20 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,09 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/4
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 20 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,09 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/4
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Модуль с 4х MOSFET IRF540 Produktcode: 193624
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Lieblingsprodukt
|
Modulare Elemente > Arduino und andere modulare Elemente
Опис: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається із 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлена мікросхема PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватись тільки для керування ланцюгом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25А). Управління сигналом від МК: 5В.
Тип: Шилд комутуючі
Опис: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається із 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлена мікросхема PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватись тільки для керування ланцюгом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25А). Управління сигналом від МК: 5В.
Тип: Шилд комутуючі
auf Bestellung 22 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF510 |
![]() |
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.30 EUR |
IRF510-ML |
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.08 EUR |
IRF510PBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
59+ | 1.22 EUR |
87+ | 0.83 EUR |
135+ | 0.53 EUR |
143+ | 0.50 EUR |
1000+ | 0.49 EUR |
IRF510PBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1421 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
59+ | 1.22 EUR |
87+ | 0.83 EUR |
135+ | 0.53 EUR |
143+ | 0.50 EUR |
1000+ | 0.49 EUR |
IRF510PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 37190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 1.72 EUR |
50+ | 0.99 EUR |
100+ | 0.94 EUR |
500+ | 0.91 EUR |
IRF510PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.52 EUR |
10+ | 1.11 EUR |
100+ | 0.96 EUR |
500+ | 0.82 EUR |
1000+ | 0.67 EUR |
2500+ | 0.63 EUR |
5000+ | 0.60 EUR |
IRF510PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF510PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
167+ | 0.97 EUR |
175+ | 0.89 EUR |
183+ | 0.82 EUR |
500+ | 0.64 EUR |
1000+ | 0.55 EUR |
IRF510PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
168+ | 0.96 EUR |
177+ | 0.88 EUR |
185+ | 0.81 EUR |
500+ | 0.64 EUR |
1000+ | 0.54 EUR |
IRF510PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF510PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.73 EUR |
10+ | 1.54 EUR |
100+ | 1.38 EUR |
IRF510PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 7202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.85 EUR |
10+ | 1.24 EUR |
100+ | 0.94 EUR |
500+ | 0.80 EUR |
1000+ | 0.65 EUR |
2000+ | 0.61 EUR |
5000+ | 0.58 EUR |
IRF510PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 5364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 1.88 EUR |
50+ | 1.08 EUR |
100+ | 0.91 EUR |
IRF510PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1000+ | 0.60 EUR |
IRF510PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF510PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1000+ | 0.60 EUR |
IRF510S |
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 1.16 EUR |
IRF510SPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
65+ | 1.10 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
115+ | 0.62 EUR |
127+ | 0.56 EUR |
135+ | 0.53 EUR |
IRF510SPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
65+ | 1.10 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
115+ | 0.62 EUR |
127+ | 0.56 EUR |
135+ | 0.53 EUR |
1000+ | 0.51 EUR |
IRF510SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 22135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 2.80 EUR |
50+ | 1.31 EUR |
100+ | 1.25 EUR |
500+ | 1.17 EUR |
1000+ | 1.08 EUR |
2000+ | 1.00 EUR |
5000+ | 0.91 EUR |
IRF510SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
MOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.69 EUR |
10+ | 1.37 EUR |
100+ | 1.24 EUR |
500+ | 1.12 EUR |
1000+ | 1.03 EUR |
2000+ | 0.96 EUR |
5000+ | 0.89 EUR |
IRF510SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
106+ | 1.52 EUR |
159+ | 0.98 EUR |
162+ | 0.93 EUR |
164+ | 0.88 EUR |
166+ | 0.84 EUR |
IRF510SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
65+ | 2.51 EUR |
138+ | 1.13 EUR |
142+ | 1.06 EUR |
144+ | 1.00 EUR |
145+ | 0.95 EUR |
500+ | 0.68 EUR |
IRF510SPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF510SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
159+ | 1.02 EUR |
162+ | 0.96 EUR |
164+ | 0.92 EUR |
166+ | 0.87 EUR |
IRF510SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
137+ | 1.18 EUR |
141+ | 1.10 EUR |
143+ | 1.05 EUR |
144+ | 1.00 EUR |
500+ | 0.71 EUR |
IRF510STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.90 EUR |
10+ | 1.95 EUR |
100+ | 1.42 EUR |
500+ | 1.12 EUR |
800+ | 1.03 EUR |
2400+ | 0.90 EUR |
IRF510STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 2.97 EUR |
10+ | 2.01 EUR |
100+ | 1.46 EUR |
IRF510STRLPBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 1.00 EUR |
IRF510STRRPBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.43 EUR |
10+ | 1.95 EUR |
100+ | 1.42 EUR |
500+ | 1.41 EUR |
800+ | 1.00 EUR |
2400+ | 0.92 EUR |
4800+ | 0.89 EUR |
IRF510STRRPBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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8+ | 2.50 EUR |
10+ | 2.01 EUR |
100+ | 1.46 EUR |
IRF510STRRPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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260+ | 0.62 EUR |
IRF510STRRPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF512S2532 |
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Hersteller: Harris Corporation
Description: 4.9A, 100V, 0.74 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: 4.9A, 100V, 0.74 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1200+ | 0.44 EUR |
IRF520 |
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auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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25+ | 1.26 EUR |
IRF520 |
![]() ![]() |
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 1.26 EUR |
IRF520-ML |
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 10A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF520; IRF520-BE3; IRF520N; SP001571310; IRF520-ML MOSLEADER TIRF520 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 10A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF520; IRF520-BE3; IRF520N; SP001571310; IRF520-ML MOSLEADER TIRF520 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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50+ | 1.08 EUR |
IRF520N |
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Hersteller: Infineon
N-MOSFET 9.7A 100V 3.8W 0.20Ω IRF520N TIRF520n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 9.7A 100V 3.8W 0.20Ω IRF520N TIRF520n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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20+ | 1.99 EUR |
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