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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF520 IRF520
Produktcode: 23704
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IR IRF520.pdf irl620.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 09.05.2015
Rds(on), Ohm: 0.27
Ciss, pF/Qg, nC: 01.10.350
JHGF: THT
verfügbar: 6 Stück
1+0.48 EUR
10+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520 (TO-220 ST) IRF520 (TO-220 ST)
Produktcode: 186775
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ST Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
auf Bestellung 212 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBF IRF520NPBF
Produktcode: 55824
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Infineon-IRF520N-DataSheet-v01_01-EN.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
auf Bestellung 7 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix) IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)
Produktcode: 156292
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Siliconix irf520pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
auf Bestellung 11 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF IRF5210PBF
Produktcode: 113380
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IR irf5210pbf-221443.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
/: THT
auf Bestellung 76 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20 Stück:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF
Produktcode: 40618
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IR irf5305pbf-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT
auf Bestellung 201 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.47 EUR
10+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305SPBF IRF5305SPBF
Produktcode: 185643
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JSMICRO irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
/: SMD
auf Bestellung 38 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF
Produktcode: 50641
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IR irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: THT
auf Bestellung 615 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.48 EUR
10+0.44 EUR
100+0.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NS IRF530NS
Produktcode: 117672
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Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: SMD
auf Bestellung 16 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530S IRF530S
Produktcode: 53545
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Vishay sihf530s.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
JHGF: SMD
auf Bestellung 21 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Produktcode: 3289
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IR f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 2230 Stück
31 Stück - stock Köln
2199 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.88 EUR
10+0.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NSPBF IRF540NSPBF
Produktcode: 34259
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IR irf540nspbf-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: SMD
auf Bestellung 42 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540PBF IRF540PBF
Produktcode: 182036
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Siliconix IRF540PBF-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 28 A
JHGF: THT
auf Bestellung 219 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540SPBF
Produktcode: 123222
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SILI sihf540s-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263
Uds,V: 100 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72
JHGF: SMD
auf Bestellung 3 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF IRF540ZPBF
Produktcode: 42002
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IR irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 36
Rds(on), Ohm: 0.0266
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42
JHGF: THT
auf Bestellung 247 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.54 EUR
10+0.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5505PBF
Produktcode: 36207
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IR irfr5505pbfg.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-262AA
Uds,V: 55
Id,A: 18
Rds(on),Om: 0.11
Ciss, pF/Qg, nC: 650/32
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 26 Stück
26 Stück - erwartet
1+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5800TR IRF5800TR
Produktcode: 37265
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IR irf5800-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 30
Id,A: 4
Rds(on),Om: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 535/11.4
/: SMD
verfügbar: 12 Stück
erwartet: 150 Stück
150 Stück - erwartet 06.12.2025
1+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5850TRPBF IRF5850TRPBF
Produktcode: 34942
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IR irf5850pbf.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 20
Id,A: 1.8/2.2
Rds(on),Om: 0.135
Ciss, pF/Qg, nC: 320/3.6
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 20 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.34 EUR
10+0.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5852 IRF5852
Produktcode: 104324
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IR irf5852.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 20 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,09 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/4
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Модуль с 4х MOSFET IRF540
+2
 		Модуль с 4х MOSFET IRF540
Produktcode: 193624
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Modulare Elemente > Arduino und andere modulare Elemente
Beschreibung: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається із 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлена мікросхема PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватись тільки для керування ланцюгом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25А). Управління сигналом від МК: 5В.
Kategorie: Модуль комутуючі
Bestimmung: MOSFET
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 40 Stück:
40 Stück - erwartet
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 Siliconix irf510.pdf N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 Siliconix irf510.pdf N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY IRF510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
116+0.62 EUR
124+0.58 EUR
500+0.52 EUR
1250+0.5 EUR
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510S Siliconix N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY IRF510SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
85+0.84 EUR
105+0.68 EUR
115+0.63 EUR
250+0.56 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520 Siliconix IRF520.pdf irl620.pdf N-MOSFET 9.2A 100V 60W 0.27Ω IRF520 TIRF520
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 10A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF520; IRF520-BE3; IRF520N; SP001571310; IRF520-ML MOSLEADER TIRF520 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520N Infineon IRF520N.pdf N-MOSFET 9.7A 100V 3.8W 0.20Ω IRF520N TIRF520n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf520n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
154+0.47 EUR
171+0.42 EUR
182+0.39 EUR
192+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF IRF520PBF VISHAY IRF520PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2070 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.77 EUR
109+0.66 EUR
123+0.58 EUR
167+0.43 EUR
178+0.4 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210 International Rectifier description Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210 International Rectifier description Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210 JSMSEMI description Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210; SP001559642; IRF5210 JSMICRO TIRF5210 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210 International Rectifier description Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1737 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.36 EUR
38+1.89 EUR
42+1.72 EUR
50+1.57 EUR
100+1.46 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRL International Rectifier Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRL Infineon Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRL-CN CHIPNOBO Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 65mOhm; 30A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210S; IRF5210STRL; IRF5210STRR; SP001570130; SP001554020; SP001561786; IRF5210STRL-CN CHIPNOBO TIRF5210s CNB
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63BDAE0B83F1A303005056AB0C4F&compId=irf5210spbf.pdf?ci_sign=aef361af186b2ab2efe08dbbe182c9255b6462e0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 658 Stücke:
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20+3.72 EUR
26+2.77 EUR
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Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530 Siliconix IRF530.pdf irf530.pdf HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305 JSMicro Semiconductor Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305 UMW Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305 International Rectifier P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
64+1.13 EUR
74+0.97 EUR
84+0.85 EUR
100+0.76 EUR
200+0.68 EUR
250+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRL Infineon 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRL Infineon 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N Infineon N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
98+0.73 EUR
107+0.67 EUR
115+0.62 EUR
124+0.58 EUR
250+0.52 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NS JSMSEMI irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NS International Rectifier irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530nspbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
75+0.96 EUR
100+0.73 EUR
200+0.67 EUR
250+0.64 EUR
500+0.58 EUR
800+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530PBF IRF530PBF VISHAY IRF530PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
113+0.64 EUR
122+0.59 EUR
142+0.51 EUR
148+0.49 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530S Siliconix sihf530s.pdf N-MOSFET 14A 100V 3.7W 0.160? IRF530S IRF530S TIRF530 s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530SPBF IRF530SPBF VISHAY irf530s.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.25 EUR
50+1.43 EUR
100+0.96 EUR
250+0.89 EUR
500+0.84 EUR
750+0.82 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540 Siliconix IRF542.pdf N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540 Siliconix IRF542.pdf N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540N Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520
Produktcode: 23704
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IRF520.pdf irl620.pdf
IRF520
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 09.05.2015
Rds(on), Ohm: 0.27
Ciss, pF/Qg, nC: 01.10.350
JHGF: THT
verfügbar: 6 Stück
Anzahl Preis
1+0.48 EUR
10+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520 (TO-220 ST)
Produktcode: 186775
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IRF520 (TO-220 ST)
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
auf Bestellung 212 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBF
Produktcode: 55824
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Infineon-IRF520N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF520NPBF
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
auf Bestellung 7 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)
Produktcode: 156292
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irf520pbf-datasheet.pdf
IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
auf Bestellung 11 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF
Produktcode: 113380
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irf5210pbf-221443.pdf
IRF5210PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
/: THT
auf Bestellung 76 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20 Stück:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF
Produktcode: 40618
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irf5305pbf-datasheet.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT
auf Bestellung 201 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.47 EUR
10+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305SPBF
Produktcode: 185643
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irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995
IRF5305SPBF
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
/: SMD
auf Bestellung 38 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF
Produktcode: 50641
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irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
IRF530NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: THT
auf Bestellung 615 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.48 EUR
10+0.44 EUR
100+0.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NS
Produktcode: 117672
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Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF530NS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: SMD
auf Bestellung 16 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530S
Produktcode: 53545
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sihf530s.pdf
IRF530S
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
JHGF: SMD
auf Bestellung 21 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 2230 Stück
31 Stück - stock Köln
2199 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.88 EUR
10+0.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NSPBF
Produktcode: 34259
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description irf540nspbf-datasheet.pdf
IRF540NSPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: SMD
auf Bestellung 42 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540PBF
Produktcode: 182036
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IRF540PBF-datasheet.pdf
IRF540PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 28 A
JHGF: THT
auf Bestellung 219 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540SPBF
Produktcode: 123222
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sihf540s-datasheet.pdf
Hersteller: SILI
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263
Uds,V: 100 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72
JHGF: SMD
auf Bestellung 3 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF
Produktcode: 42002
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description irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6
IRF540ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 36
Rds(on), Ohm: 0.0266
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42
JHGF: THT
auf Bestellung 247 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.54 EUR
10+0.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5505PBF
Produktcode: 36207
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irfr5505pbfg.pdf
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-262AA
Uds,V: 55
Id,A: 18
Rds(on),Om: 0.11
Ciss, pF/Qg, nC: 650/32
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 26 Stück
26 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5800TR
Produktcode: 37265
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irf5800-datasheet.pdf
IRF5800TR
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 30
Id,A: 4
Rds(on),Om: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 535/11.4
/: SMD
verfügbar: 12 Stück
erwartet: 150 Stück
150 Stück - erwartet 06.12.2025
Anzahl Preis
1+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5850TRPBF
Produktcode: 34942
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irf5850pbf.pdf
IRF5850TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 20
Id,A: 1.8/2.2
Rds(on),Om: 0.135
Ciss, pF/Qg, nC: 320/3.6
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 20 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.34 EUR
10+0.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5852
Produktcode: 104324
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irf5852.pdf
IRF5852
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 20 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,09 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/4
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Модуль с 4х MOSFET IRF540
Produktcode: 193624
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Модуль с 4х MOSFET IRF540
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Modulare Elemente > Arduino und andere modulare Elemente
Beschreibung: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається із 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлена мікросхема PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватись тільки для керування ланцюгом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25А). Управління сигналом від МК: 5В.
Kategorie: Модуль комутуючі
Bestimmung: MOSFET
auf Bestellung 1 Stück:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 irf510.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 irf510.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF.pdf
IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
116+0.62 EUR
124+0.58 EUR
500+0.52 EUR
1250+0.5 EUR
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510S
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
85+0.84 EUR
105+0.68 EUR
115+0.63 EUR
250+0.56 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520 IRF520.pdf irl620.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 9.2A 100V 60W 0.27Ω IRF520 TIRF520
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 10A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF520; IRF520-BE3; IRF520N; SP001571310; IRF520-ML MOSLEADER TIRF520 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520N IRF520N.pdf
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 9.7A 100V 3.8W 0.20Ω IRF520N TIRF520n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBF irf520n.pdf
IRF520NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
154+0.47 EUR
171+0.42 EUR
182+0.39 EUR
192+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF description IRF520PBF.pdf
IRF520PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2070 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
93+0.77 EUR
109+0.66 EUR
123+0.58 EUR
167+0.43 EUR
178+0.4 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210 description
Hersteller: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210 description
Hersteller: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210 description
Hersteller: JSMSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210; SP001559642; IRF5210 JSMICRO TIRF5210 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210 description
Hersteller: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF irf5210.pdf
IRF5210PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1737 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.36 EUR
38+1.89 EUR
42+1.72 EUR
50+1.57 EUR
100+1.46 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRL
Hersteller: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRL
Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRL-CN
Hersteller: CHIPNOBO
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 65mOhm; 30A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210S; IRF5210STRL; IRF5210STRR; SP001570130; SP001554020; SP001561786; IRF5210STRL-CN CHIPNOBO TIRF5210s CNB
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63BDAE0B83F1A303005056AB0C4F&compId=irf5210spbf.pdf?ci_sign=aef361af186b2ab2efe08dbbe182c9255b6462e0
IRF5210STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 658 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.72 EUR
26+2.77 EUR
31+2.33 EUR
100+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530 IRF530.pdf irf530.pdf HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF irf5305.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
64+1.13 EUR
74+0.97 EUR
84+0.85 EUR
100+0.76 EUR
200+0.68 EUR
250+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRL 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf
Hersteller: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRL 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf
Hersteller: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530N-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF irf530n.pdf
IRF530NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
98+0.73 EUR
107+0.67 EUR
115+0.62 EUR
124+0.58 EUR
250+0.52 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NS irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
Hersteller: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NS irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
Hersteller: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
75+0.96 EUR
100+0.73 EUR
200+0.67 EUR
250+0.64 EUR
500+0.58 EUR
800+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530PBF description IRF530PBF.pdf
IRF530PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
113+0.64 EUR
122+0.59 EUR
142+0.51 EUR
148+0.49 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530S sihf530s.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 14A 100V 3.7W 0.160? IRF530S IRF530S TIRF530 s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530SPBF description irf530s.pdf
IRF530SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.25 EUR
50+1.43 EUR
100+0.96 EUR
250+0.89 EUR
500+0.84 EUR
750+0.82 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540 IRF542.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540 IRF542.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540N
Hersteller: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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