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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF520 IRF520
Produktcode: 23704
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IR IRF520.pdf irl620.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 09.05.2015
Rds(on), Ohm: 0.27
Ciss, pF/Qg, nC: 01.10.350
JHGF: THT
verfügbar: 6 Stück
1+0.48 EUR
10+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520 (TO-220 ST) IRF520 (TO-220 ST)
Produktcode: 186775
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ST Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
auf Bestellung 185 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 Stück:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBF IRF520NPBF
Produktcode: 55824
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Infineon-IRF520N-DataSheet-v01_01-EN.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix) IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)
Produktcode: 156292
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Siliconix irf520pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
auf Bestellung 21 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF IRF5210PBF
Produktcode: 113380
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IR irf5210pbf-221443.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
/: THT
auf Bestellung 110 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF IRF5305PBF
Produktcode: 40618
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IR irf5305pbf-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT
auf Bestellung 245 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10 Stück:
1+0.47 EUR
10+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305SPBF IRF5305SPBF
Produktcode: 185643
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JSMICRO irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
/: SMD
auf Bestellung 38 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF IRF530NPBF
Produktcode: 50641
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IR irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: THT
auf Bestellung 715 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.48 EUR
10+0.44 EUR
100+0.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NS IRF530NS
Produktcode: 117672
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Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: SMD
auf Bestellung 16 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530S IRF530S
Produktcode: 53545
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Vishay sihf530s.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
JHGF: SMD
auf Bestellung 21 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Produktcode: 3289
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IR f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 2260 Stück
31 Stück - stock Köln
2229 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.88 EUR
10+0.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NSPBF IRF540NSPBF
Produktcode: 34259
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IR irf540nspbf-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: SMD
auf Bestellung 45 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540PBF IRF540PBF
Produktcode: 182036
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Siliconix IRF540PBF-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 28 A
JHGF: THT
auf Bestellung 231 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540SPBF
Produktcode: 123222
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SILI sihf540s-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263
Uds,V: 100 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72
JHGF: SMD
auf Bestellung 3 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF IRF540ZPBF
Produktcode: 42002
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IR irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 36
Rds(on), Ohm: 0.0266
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42
JHGF: THT
auf Bestellung 247 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.54 EUR
10+0.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5505PBF
Produktcode: 36207
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IR irfr5505pbfg.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-262AA
Uds,V: 55
Id,A: 18
Rds(on),Om: 0.11
Ciss, pF/Qg, nC: 650/32
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 26 Stück
26 Stück - erwartet
1+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5800TR IRF5800TR
Produktcode: 37265
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IR irf5800-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 30
Id,A: 4
Rds(on),Om: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 535/11.4
/: SMD
verfügbar: 12 Stück
erwartet: 100 Stück
100 Stück - erwartet
1+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5850TRPBF IRF5850TRPBF
Produktcode: 34942
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IR irf5850pbf.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 20
Id,A: 1.8/2.2
Rds(on),Om: 0.135
Ciss, pF/Qg, nC: 320/3.6
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 20 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.34 EUR
10+0.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5852 IRF5852
Produktcode: 104324
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IR irf5852.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 20 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,09 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/4
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Модуль с 4х MOSFET IRF540
+2
 		Модуль с 4х MOSFET IRF540
Produktcode: 193624
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Modulare Elemente > Arduino und andere modulare Elemente
Beschreibung: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається із 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлена мікросхема PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватись тільки для керування ланцюгом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25А). Управління сигналом від МК: 5В.
Kategorie: Модуль комутуючі
Bestimmung: MOSFET
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 40 Stück:
40 Stück - erwartet
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 Siliconix irf510.pdf N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 Siliconix irf510.pdf N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D895190F3134469&compId=IRF510PBF.pdf?ci_sign=dec1e6b93ebba3f0ff82b8c0a90ef19c23c23418 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 8.3nC
Pulsed drain current: 20A
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+0.94 EUR
116+0.62 EUR
124+0.58 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D895190F3134469&compId=IRF510PBF.pdf?ci_sign=dec1e6b93ebba3f0ff82b8c0a90ef19c23c23418 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 8.3nC
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
116+0.62 EUR
124+0.58 EUR
500+0.52 EUR
1250+0.5 EUR
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay Semiconductors irf510.pdf MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.85 EUR
100+0.84 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY VISH-S-A0019270467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf510.pdf MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 6212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.53 EUR
10+0.69 EUR
100+0.64 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.56 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 VISHAY 3204807.pdf Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510S Siliconix N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787EEEFA406BA8745&compId=IRF510SPBF.pdf?ci_sign=61491bbd3bd1b10f2bd2d28bf911e87023c3dda2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 8.3nC
Pulsed drain current: 20A
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.1 EUR
85+0.84 EUR
105+0.68 EUR
115+0.63 EUR
250+0.56 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787EEEFA406BA8745&compId=IRF510SPBF.pdf?ci_sign=61491bbd3bd1b10f2bd2d28bf911e87023c3dda2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 8.3nC
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
85+0.84 EUR
105+0.68 EUR
115+0.63 EUR
250+0.56 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay Semiconductors sihf510s.pdf MOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
auf Bestellung 2138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.42 EUR
10+0.93 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.82 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY VISH-S-A0011126098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay Semiconductors sihf510s.pdf MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
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IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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800+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay Semiconductors sihf510s.pdf MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
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3+1.29 EUR
10+1.2 EUR
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IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF520 Siliconix IRF520.pdf irl620.pdf N-MOSFET 9.2A 100V 60W 0.27Ω IRF520 TIRF520
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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25+1.19 EUR
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IRF520-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 10A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF520; IRF520-BE3; IRF520N; SP001571310; IRF520-ML MOSLEADER TIRF520 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF520N Infineon IRF520N.pdf N-MOSFET 9.7A 100V 3.8W 0.20Ω IRF520N TIRF520n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B19F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf520n.pdf?ci_sign=27f17da5f6252371d050c61b0c74a57453d4cc02 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Gate charge: 16.7nC
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+0.63 EUR
154+0.47 EUR
171+0.42 EUR
182+0.39 EUR
192+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 114
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IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B19F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf520n.pdf?ci_sign=27f17da5f6252371d050c61b0c74a57453d4cc02 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Gate charge: 16.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 888 Stücke:
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114+0.63 EUR
154+0.47 EUR
171+0.42 EUR
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192+0.37 EUR
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IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies Infineon-IRF520N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC
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IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 26510 Stücke:
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184+0.79 EUR
271+0.52 EUR
285+0.47 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
4000+0.4 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 184
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IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon Technologies infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 27624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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311+0.45 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.37 EUR
4000+0.35 EUR
16000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 297
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IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON INFN-S-A0012826568-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 83216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520
Produktcode: 23704
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IRF520.pdf irl620.pdf
IRF520
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 09.05.2015
Rds(on), Ohm: 0.27
Ciss, pF/Qg, nC: 01.10.350
JHGF: THT
verfügbar: 6 Stück
Anzahl Preis
1+0.48 EUR
10+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520 (TO-220 ST)
Produktcode: 186775
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IRF520 (TO-220 ST)
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
auf Bestellung 185 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 Stück:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBF
Produktcode: 55824
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Infineon-IRF520N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF520NPBF
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)
Produktcode: 156292
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irf520pbf-datasheet.pdf
IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
auf Bestellung 21 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF
Produktcode: 113380
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irf5210pbf-221443.pdf
IRF5210PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
/: THT
auf Bestellung 110 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF
Produktcode: 40618
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irf5305pbf-datasheet.pdf
IRF5305PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT
auf Bestellung 245 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10 Stück:
Anzahl Preis
1+0.47 EUR
10+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305SPBF
Produktcode: 185643
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irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995
IRF5305SPBF
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
/: SMD
auf Bestellung 38 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NPBF
Produktcode: 50641
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irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
IRF530NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: THT
auf Bestellung 715 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.48 EUR
10+0.44 EUR
100+0.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530NS
Produktcode: 117672
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Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF530NS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: SMD
auf Bestellung 16 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530S
Produktcode: 53545
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sihf530s.pdf
IRF530S
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
JHGF: SMD
auf Bestellung 21 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 2260 Stück
31 Stück - stock Köln
2229 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.88 EUR
10+0.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NSPBF
Produktcode: 34259
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description irf540nspbf-datasheet.pdf
IRF540NSPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: SMD
auf Bestellung 45 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540PBF
Produktcode: 182036
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IRF540PBF-datasheet.pdf
IRF540PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 28 A
JHGF: THT
auf Bestellung 231 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540SPBF
Produktcode: 123222
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sihf540s-datasheet.pdf
Hersteller: SILI
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263
Uds,V: 100 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72
JHGF: SMD
auf Bestellung 3 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF
Produktcode: 42002
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description irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6
IRF540ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 36
Rds(on), Ohm: 0.0266
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42
JHGF: THT
auf Bestellung 247 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.54 EUR
10+0.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5505PBF
Produktcode: 36207
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irfr5505pbfg.pdf
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-262AA
Uds,V: 55
Id,A: 18
Rds(on),Om: 0.11
Ciss, pF/Qg, nC: 650/32
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 26 Stück
26 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5800TR
Produktcode: 37265
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irf5800-datasheet.pdf
IRF5800TR
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 30
Id,A: 4
Rds(on),Om: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 535/11.4
/: SMD
verfügbar: 12 Stück
erwartet: 100 Stück
100 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5850TRPBF
Produktcode: 34942
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irf5850pbf.pdf
IRF5850TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 20
Id,A: 1.8/2.2
Rds(on),Om: 0.135
Ciss, pF/Qg, nC: 320/3.6
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 20 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.34 EUR
10+0.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5852
Produktcode: 104324
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irf5852.pdf
IRF5852
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 20 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,09 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/4
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Модуль с 4х MOSFET IRF540
Produktcode: 193624
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Модуль с 4х MOSFET IRF540
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Modulare Elemente > Arduino und andere modulare Elemente
Beschreibung: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається із 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлена мікросхема PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватись тільки для керування ланцюгом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25А). Управління сигналом від МК: 5В.
Kategorie: Модуль комутуючі
Bestimmung: MOSFET
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 40 Stück:
40 Stück - erwartet
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 irf510.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 irf510.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D895190F3134469&compId=IRF510PBF.pdf?ci_sign=dec1e6b93ebba3f0ff82b8c0a90ef19c23c23418
IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 8.3nC
Pulsed drain current: 20A
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
116+0.62 EUR
124+0.58 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D895190F3134469&compId=IRF510PBF.pdf?ci_sign=dec1e6b93ebba3f0ff82b8c0a90ef19c23c23418
IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 8.3nC
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
116+0.62 EUR
124+0.58 EUR
500+0.52 EUR
1250+0.5 EUR
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.33 EUR
10+0.85 EUR
100+0.84 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF VISH-S-A0019270467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 irf510.pdf
IRF510PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 6212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.53 EUR
10+0.69 EUR
100+0.64 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.56 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 irf510.pdf
IRF510PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 irf510.pdf
IRF510PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 3204807.pdf
IRF510PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510S
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787EEEFA406BA8745&compId=IRF510SPBF.pdf?ci_sign=61491bbd3bd1b10f2bd2d28bf911e87023c3dda2
IRF510SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 8.3nC
Pulsed drain current: 20A
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
85+0.84 EUR
105+0.68 EUR
115+0.63 EUR
250+0.56 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787EEEFA406BA8745&compId=IRF510SPBF.pdf?ci_sign=61491bbd3bd1b10f2bd2d28bf911e87023c3dda2
IRF510SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 8.3nC
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
85+0.84 EUR
105+0.68 EUR
115+0.63 EUR
250+0.56 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
auf Bestellung 2138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.42 EUR
10+0.93 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.82 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
181+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 181
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF VISH-S-A0011126098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF510SPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 5267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
107+1.35 EUR
175+0.8 EUR
262+0.51 EUR
264+0.49 EUR
267+0.46 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
105+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
181+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 181
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 5267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
174+0.83 EUR
260+0.54 EUR
263+0.51 EUR
265+0.49 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 174
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.59 EUR
10+1.9 EUR
100+1.31 EUR
500+1.07 EUR
800+0.89 EUR
2400+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.29 EUR
10+1.2 EUR
100+1.09 EUR
800+0.83 EUR
4800+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
145+1 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520 IRF520.pdf irl620.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 9.2A 100V 60W 0.27Ω IRF520 TIRF520
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 10A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF520; IRF520-BE3; IRF520N; SP001571310; IRF520-ML MOSLEADER TIRF520 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520N IRF520N.pdf
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 9.7A 100V 3.8W 0.20Ω IRF520N TIRF520n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B19F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf520n.pdf?ci_sign=27f17da5f6252371d050c61b0c74a57453d4cc02
IRF520NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Gate charge: 16.7nC
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
154+0.47 EUR
171+0.42 EUR
182+0.39 EUR
192+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B19F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf520n.pdf?ci_sign=27f17da5f6252371d050c61b0c74a57453d4cc02
IRF520NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Gate charge: 16.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
154+0.47 EUR
171+0.42 EUR
182+0.39 EUR
192+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBF Infineon-IRF520N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF520NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC
auf Bestellung 8309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.83 EUR
10+0.56 EUR
100+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBF infineonirf520ndatasheetv0101en.pdf
IRF520NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 26510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
184+0.79 EUR
271+0.52 EUR
285+0.47 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
4000+0.4 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 184
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IRF520NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 27624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
297+0.49 EUR
311+0.45 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.37 EUR
4000+0.35 EUR
16000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 297
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IRF520NPBF INFN-S-A0012826568-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF520NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 83216 Stücke:
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