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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
S25FL064LABNFV040 S25FL064LABNFV040 INFINEON 2309630.pdf Description: INFINEON - S25FL064LABNFV040 - Flash-Speicher, Floating-Gate-Architektur, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, SPI, USON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: USON
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
auf Bestellung 1618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.84 EUR
70+3.34 EUR
73+2.95 EUR
100+2.87 EUR
250+2.73 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 295A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+10.92 EUR
35+6.74 EUR
50+5.31 EUR
100+4.41 EUR
250+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3107PBF IRFS3107PBF INFINEON 2043117.pdf Description: INFINEON - IRFS3107PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 230 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 230
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 370
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35
Verlustleistung: 370
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDN7511BXUSA1 1EDN7511BXUSA1 INFINEON 2718718.pdf Description: INFINEON - 1EDN7511BXUSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.55 EUR
230+1.01 EUR
295+0.73 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGA614H6327XTSA1 BGA614H6327XTSA1 INFINEON 1849715.html Description: INFINEON - BGA614H6327XTSA1 - HF-Verstärker, 17.5dB Verstärkung / 2.1dB Rauschmaß, DC-2.4GHz, 3V Versorgungsspannung, SOT-343-4
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: SOT-343
Rauschmaß, typ.: 2.1dB
Ausgangs-Intercept-Punkt dritter Ordnung (OIP3), typ.: 25dBm
Verstärkung: 17.5dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-343
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 0GHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 2.4GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 0GHz
Versorgungsspannung, max.: 3V
Frequenz, max.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Verstärkung, typ.: 17.5dB
auf Bestellung 11486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.75 EUR
98+2.39 EUR
109+1.96 EUR
500+1.77 EUR
1500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGA614H6327XTSA1 BGA614H6327XTSA1 INFINEON 1849715.html Description: INFINEON - BGA614H6327XTSA1 - HF-Verstärker, 17.5dB Verstärkung / 2.1dB Rauschmaß, DC-2.4GHz, 3V Versorgungsspannung, SOT-343-4
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: SOT-343
Rauschmaß, typ.: 2.1dB
Ausgangs-Intercept-Punkt dritter Ordnung (OIP3), typ.: 25dBm
Verstärkung: 17.5dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-343
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 0GHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 2.4GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 0GHz
Versorgungsspannung, max.: 3V
Frequenz, max.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Verstärkung, typ.: 17.5dB
auf Bestellung 11486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.39 EUR
109+1.96 EUR
500+1.77 EUR
1500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R041CFD7XKSA1 IPP65R041CFD7XKSA1 INFINEON Infineon-IPP65R041CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01730951a7f844ee Description: INFINEON - IPP65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.81 EUR
15+15.48 EUR
19+11.57 EUR
50+9.98 EUR
100+8.97 EUR
250+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R225C7XKSA1 IPP65R225C7XKSA1 INFINEON INFNS26378-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.62 EUR
47+5.03 EUR
100+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R060CFD7XKSA1 IPP65R060CFD7XKSA1 INFINEON 3159574.pdf Description: INFINEON - IPP65R060CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.11 EUR
30+7.94 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R065C7XKSA1 IPP65R065C7XKSA1 INFINEON INFNS28169-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.9 EUR
19+12.41 EUR
100+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R095C7XKSA1 IPP65R095C7XKSA1 INFINEON Infineon-IPP65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209e8c8600334 Description: INFINEON - IPP65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 128W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.59 EUR
25+9.47 EUR
100+7.26 EUR
500+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R155CFD7XKSA1 IPP65R155CFD7XKSA1 INFINEON Infineon-IPP65R155CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0d0be97bab Description: INFINEON - IPP65R155CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.131 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.52 EUR
56+4.15 EUR
100+3.38 EUR
500+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFDAAKSA1 IPP65R110CFDAAKSA1 INFINEON INFNS19116-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP65R110CFDAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.34 EUR
25+9.33 EUR
100+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 INFINEON DS_IPP65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7942aa8701ff Description: INFINEON - IPP65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.27 EUR
15+15.53 EUR
21+10.41 EUR
50+9.58 EUR
100+9.45 EUR
250+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFDXKSA1 IPP65R110CFDXKSA1 INFINEON INFNS16577-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP65R110CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CF2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.25 EUR
27+8.6 EUR
100+6.43 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R150CFDXKSA1 IPP65R150CFDXKSA1 INFINEON INFNS17309-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP65R150CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 22.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 195.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 195.3
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CFD2
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R310CFDXKSA1 IPP65R310CFDXKSA1 INFINEON INFNS17578-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP65R310CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.68 EUR
61+3.86 EUR
100+2.55 EUR
500+2.23 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R150CFDAAKSA1 IPP65R150CFDAAKSA1 INFINEON 2820334.pdf Description: INFINEON - IPP65R150CFDAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 22.4
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 195.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 195.3
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFD7XKSA1 IPP65R110CFD7XKSA1 INFINEON Infineon-IPP65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0cf6087ba8 Description: INFINEON - IPP65R110CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.087 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.38 EUR
48+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R090CFD7XKSA1 IPP65R090CFD7XKSA1 INFINEON Infineon-IPP65R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef5665e49f0 Description: INFINEON - IPP65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.97 EUR
26+8.94 EUR
100+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099CFD7AAKSA1 IPP65R099CFD7AAKSA1 INFINEON Infineon-IPP65R099CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701714e9346d9680b Description: INFINEON - IPP65R099CFD7AAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.22 EUR
29+8.03 EUR
100+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R074C6XKSA1 IPP65R074C6XKSA1 INFINEON 1932555.pdf Description: INFINEON - IPP65R074C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 57.7 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 57.7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 480.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 480.8
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099C6XKSA1 IPP65R099C6XKSA1 INFINEON 2354554.pdf Description: INFINEON - IPP65R099C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.089 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 38
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 278
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 278
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C6
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.089
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F4100R12KS4BOSA1 F4100R12KS4BOSA1 INFINEON 2255525.pdf Description: INFINEON - F4100R12KS4BOSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 130 A, 3.2 V, 660 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2
Dauer-Kollektorstrom: 130
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2
Verlustleistung Pd: 660
Verlustleistung: 660
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Viererpack
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 130
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS75R17KE3BOSA1 FS75R17KE3BOSA1 INFINEON Infineon-FS75R17KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fe90e4e40 Description: INFINEON - FS75R17KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 130 A, 2 V, 465 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 465W
Verlustleistung: 465W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 130A
Anzahl der Pins: 35Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 130A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+243.02 EUR
5+206.27 EUR
10+172.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA086N10N3GXKSA1 IPA086N10N3GXKSA1 INFINEON INFN-S-A0001300477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 8600 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 37.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
auf Bestellung 706 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.59 EUR
87+2.69 EUR
102+2.12 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP405H6740XTSA1 BFP405H6740XTSA1 INFINEON INFNS30130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP405H6740XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 75 mW, 25 mA, SOT-343
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5
Verlustleistung: 75
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60
Qualifikation: AEC-Q101
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauer-Kollektorstrom: 25
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+1.21 EUR
239+0.98 EUR
319+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP405H6327XTSA1 BFP405H6327XTSA1 INFINEON INFNS30130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP405H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 75 mW, 25 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 25mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.01 EUR
186+1.25 EUR
265+0.81 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP410H6327XTSA1 BFP410H6327XTSA1 INFINEON INFNS30057-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP410H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 150 mW, 40 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 40mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ3600R17HP4B2BOSA2 FZ3600R17HP4B2BOSA2 INFINEON Infineon-FZ3600R17HP4_B2-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac401527e85a7a06d26 Description: INFINEON - FZ3600R17HP4B2BOSA2 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 3.6 kA, 1.9 V, 19.5 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85415100
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9V
Verlustleistung Pd: 19.5kW
Verlustleistung: 19.5kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 3.6kA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3.6kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3456.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2117STRPBF IRS2117STRPBF INFINEON INFN-S-A0002786165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2117STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, 105ns Verzögerung, DIP-8
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.02 EUR
174+1.34 EUR
219+0.98 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYBLE-012011-00 CYBLE-012011-00 INFINEON Infineon-CYBLE-012011-00_EZ-BLE_Creator_Module-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5988a552b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - CYBLE-012011-00 - PROC™-Modul, Bluetooth® v4.1 Low Energy (BLE)-Wireless-Lösung, 2.4GHz, Single-Mode
tariffCode: 85176200
Empfangsempfindlichkeit: -87dBm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth 4.1
Bluetooth-Klasse: -
usEccn: EAR99
Signalbereich, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+36.01 EUR
8+31.86 EUR
10+27.93 EUR
50+25.68 EUR
100+23.51 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP40R12KT3BPSA1 FP40R12KT3BPSA1 INFINEON 2211610.pdf Description: INFINEON - FP40R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, Siebenerpack, 55 A, 1.8 V, 210 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 210W
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 55A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Siebenerpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+171.25 EUR
5+147.17 EUR
10+124.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BB439E6327HTSA1 BB439E6327HTSA1 INFINEON 1849684.html Description: INFINEON - BB439E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 43 pF, 20 mA, 28 V, 125 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Sperrspannung: 28V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 43pF
Produktpalette: BB439
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C65213-28PVXIT CY7C65213-28PVXIT INFINEON CYPR-S-A0004572493-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - CY7C65213-28PVXIT - Interface-Brücken, USB zu UART, 1.71 V, 5.5 V, SSOP, 28 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.45 EUR
40+5.91 EUR
43+5.01 EUR
50+4.76 EUR
100+4.5 EUR
250+4.28 EUR
500+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N120CS7XKSA1 IKW50N120CS7XKSA1 INFINEON 3437285.pdf Description: INFINEON - IKW50N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 428 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 82A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.79 EUR
22+10.82 EUR
27+8.12 EUR
50+7.97 EUR
100+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON INFN-S-A0000149040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGW15N120H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 217W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.79 EUR
43+5.5 EUR
100+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 INFINEON INFNS29742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGW25N120H3FKSA1 - IGBT, 50 A, 2.05 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.11 EUR
32+7.47 EUR
100+5.49 EUR
500+4.58 EUR
1000+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.06 EUR
112+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R400CEXKSA1 IPA65R400CEXKSA1 INFINEON INFN-S-A0002470694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA65R400CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.18 EUR
120+1.94 EUR
151+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C1019DV33-10VXI.. CY7C1019DV33-10VXI.. INFINEON CYPR-S-A0001416448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C1019DV33-10VXI.. - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 3V-3.6V Versorgung, SOJ-32
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C1019D-10VXI CY7C1019D-10VXI INFINEON 2309585.pdf Description: INFINEON - CY7C1019D-10VXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOJ, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.07 EUR
21+11.48 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY14B101NA-ZS25XI CY14B101NA-ZS25XI INFINEON CYPR-S-A0011719061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY14B101NA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 1MB, 64Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+53.37 EUR
10+47.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F3L150R12W2H3B11BPSA1 F3L150R12W2H3B11BPSA1 INFINEON INFN-S-A0014715330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - F3L150R12W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 75 A, 1.55 V, 500 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 500W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB59N10DPBF IRFB59N10DPBF INFINEON 1309742.pdf Description: INFINEON - IRFB59N10DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 59
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW35N60CFDFKSA1 SPW35N60CFDFKSA1 INFINEON INFNS16501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPW35N60CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34.1 A, 0.118 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 INFINEON INFN-S-A0000792643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP410N30NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.61 EUR
13+16.49 EUR
50+11.72 EUR
100+11.2 EUR
250+10.98 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGP07N120XKSA1 SGP07N120XKSA1 INFINEON 2255707.pdf Description: INFINEON - SGP07N120XKSA1 - IGBT, 16.5 A, 3.1 V, 125 W, 1.2 kV, TO-220, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 125
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16.5
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6623TRPBF IRF6623TRPBF INFINEON irf6623pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e8aa811a2d Description: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
auf Bestellung 4103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.09 EUR
58+4.06 EUR
100+2.76 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF INFINEON INFN-S-A0005253087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
auf Bestellung 2034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+2.73 EUR
125+1.87 EUR
250+1.18 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3004PBF IRFB3004PBF INFINEON INFN-S-A0012837708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3004PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1750 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1750µohm
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.38 EUR
38+6.18 EUR
100+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP77N06S212AKSA2 IPP77N06S212AKSA2 INFINEON 2354675.pdf Description: INFINEON - IPP77N06S212AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 9800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+6.91 EUR
100+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 INFINEON INFNS19466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.21 EUR
152+1.54 EUR
180+1.19 EUR
222+0.96 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE4913HTSA1 TLE4913HTSA1 INFINEON INFNS06066-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE4913HTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Geringe Leistungsaufnahme, Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0035 T
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0027T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0035T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+1.37 EUR
235+0.99 EUR
259+0.83 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLTS2242TRPBF IRLTS2242TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813306-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLTS2242TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+1.34 EUR
270+0.86 EUR
457+0.46 EUR
556+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDH16G65C5XKSA2 IDH16G65C5XKSA2 INFINEON 1694004.pdf Description: INFINEON - IDH16G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.7 EUR
23+10.38 EUR
100+7.71 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDW16G65C5XKSA1 IDW16G65C5XKSA1 INFINEON INFNS19612-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDW16G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.57 EUR
28+8.52 EUR
100+6.83 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYBT-343026-01 CYBT-343026-01 INFINEON Infineon-CYBT-343026-01_EZ-BT_WICED_Module-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee4bcdb6bec&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - CYBT-343026-01 - Bluetooth 5.0 + EDR, 2.3V-3.6V, Produktreihe EZ-BT WICED Series, 3MB/s, -89.5dBm Empfindlichkeit
tariffCode: 85176200
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 2.3V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth 5.0 + EDR
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: -
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Zertifikate: CE, FCC, ISED, MIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -89.5dBm
Übertragungsrate: 3Mbps
Produktpalette: EZ-BT WICED Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -89.5dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.69 EUR
12+18.61 EUR
50+16.92 EUR
100+15.23 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL064LABNFV040 2309630.pdf
S25FL064LABNFV040
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABNFV040 - Flash-Speicher, Floating-Gate-Architektur, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, SPI, USON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: USON
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
auf Bestellung 1618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+3.84 EUR
70+3.34 EUR
73+2.95 EUR
100+2.87 EUR
250+2.73 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7530TRLPBF INFN-S-A0012813666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7530TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 295A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3107TRLPBF INFN-S-A0012838786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3107TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+10.92 EUR
35+6.74 EUR
50+5.31 EUR
100+4.41 EUR
250+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3107PBF 2043117.pdf
IRFS3107PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3107PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 230 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 230
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 370
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35
Verlustleistung: 370
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1EDN7511BXUSA1 2718718.pdf
1EDN7511BXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7511BXUSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
162+1.55 EUR
230+1.01 EUR
295+0.73 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGA614H6327XTSA1 1849715.html
BGA614H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BGA614H6327XTSA1 - HF-Verstärker, 17.5dB Verstärkung / 2.1dB Rauschmaß, DC-2.4GHz, 3V Versorgungsspannung, SOT-343-4
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: SOT-343
Rauschmaß, typ.: 2.1dB
Ausgangs-Intercept-Punkt dritter Ordnung (OIP3), typ.: 25dBm
Verstärkung: 17.5dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-343
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 0GHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 2.4GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 0GHz
Versorgungsspannung, max.: 3V
Frequenz, max.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Verstärkung, typ.: 17.5dB
auf Bestellung 11486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+3.75 EUR
98+2.39 EUR
109+1.96 EUR
500+1.77 EUR
1500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGA614H6327XTSA1 1849715.html
BGA614H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BGA614H6327XTSA1 - HF-Verstärker, 17.5dB Verstärkung / 2.1dB Rauschmaß, DC-2.4GHz, 3V Versorgungsspannung, SOT-343-4
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: SOT-343
Rauschmaß, typ.: 2.1dB
Ausgangs-Intercept-Punkt dritter Ordnung (OIP3), typ.: 25dBm
Verstärkung: 17.5dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-343
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 0GHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 2.4GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 0GHz
Versorgungsspannung, max.: 3V
Frequenz, max.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Verstärkung, typ.: 17.5dB
auf Bestellung 11486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.39 EUR
109+1.96 EUR
500+1.77 EUR
1500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R041CFD7XKSA1 Infineon-IPP65R041CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01730951a7f844ee
IPP65R041CFD7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.81 EUR
15+15.48 EUR
19+11.57 EUR
50+9.98 EUR
100+8.97 EUR
250+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R225C7XKSA1 INFNS26378-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP65R225C7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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45+5.62 EUR
47+5.03 EUR
100+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R060CFD7XKSA1 3159574.pdf
IPP65R060CFD7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R060CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+16.11 EUR
30+7.94 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R065C7XKSA1 INFNS28169-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP65R065C7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+15.9 EUR
19+12.41 EUR
100+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R095C7XKSA1 Infineon-IPP65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209e8c8600334
IPP65R095C7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 128W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.59 EUR
25+9.47 EUR
100+7.26 EUR
500+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R155CFD7XKSA1 Infineon-IPP65R155CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0d0be97bab
IPP65R155CFD7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R155CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.131 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.52 EUR
56+4.15 EUR
100+3.38 EUR
500+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFDAAKSA1 INFNS19116-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP65R110CFDAAKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R110CFDAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.34 EUR
25+9.33 EUR
100+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R045C7XKSA1 DS_IPP65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7942aa8701ff
IPP65R045C7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+21.27 EUR
15+15.53 EUR
21+10.41 EUR
50+9.58 EUR
100+9.45 EUR
250+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFDXKSA1 INFNS16577-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP65R110CFDXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R110CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CF2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+12.25 EUR
27+8.6 EUR
100+6.43 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R150CFDXKSA1 INFNS17309-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP65R150CFDXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R150CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 22.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 195.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 195.3
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CFD2
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R310CFDXKSA1 INFNS17578-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP65R310CFDXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R310CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+5.68 EUR
61+3.86 EUR
100+2.55 EUR
500+2.23 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R150CFDAAKSA1 2820334.pdf
IPP65R150CFDAAKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R150CFDAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 22.4
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 195.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 195.3
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFD7XKSA1 Infineon-IPP65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0cf6087ba8
IPP65R110CFD7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R110CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.087 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+7.38 EUR
48+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R090CFD7XKSA1 Infineon-IPP65R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef5665e49f0
IPP65R090CFD7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+12.97 EUR
26+8.94 EUR
100+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099CFD7AAKSA1 Infineon-IPP65R099CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701714e9346d9680b
IPP65R099CFD7AAKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R099CFD7AAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+12.22 EUR
29+8.03 EUR
100+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R074C6XKSA1 1932555.pdf
IPP65R074C6XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R074C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 57.7 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 57.7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 480.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 480.8
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099C6XKSA1 2354554.pdf
IPP65R099C6XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R099C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.089 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 38
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 278
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 278
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C6
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.089
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F4100R12KS4BOSA1 2255525.pdf
F4100R12KS4BOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - F4100R12KS4BOSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 130 A, 3.2 V, 660 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2
Dauer-Kollektorstrom: 130
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2
Verlustleistung Pd: 660
Verlustleistung: 660
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Viererpack
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 130
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS75R17KE3BOSA1 Infineon-FS75R17KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fe90e4e40
FS75R17KE3BOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS75R17KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 130 A, 2 V, 465 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 465W
Verlustleistung: 465W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 130A
Anzahl der Pins: 35Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 130A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+243.02 EUR
5+206.27 EUR
10+172.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA086N10N3GXKSA1 INFN-S-A0001300477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA086N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 8600 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 37.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
auf Bestellung 706 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+5.59 EUR
87+2.69 EUR
102+2.12 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP405H6740XTSA1 INFNS30130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP405H6740XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP405H6740XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 75 mW, 25 mA, SOT-343
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5
Verlustleistung: 75
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60
Qualifikation: AEC-Q101
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauer-Kollektorstrom: 25
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
207+1.21 EUR
239+0.98 EUR
319+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP405H6327XTSA1 INFNS30130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP405H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP405H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 75 mW, 25 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 25mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
124+2.01 EUR
186+1.25 EUR
265+0.81 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP410H6327XTSA1 INFNS30057-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP410H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP410H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 150 mW, 40 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 40mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ3600R17HP4B2BOSA2 Infineon-FZ3600R17HP4_B2-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac401527e85a7a06d26
FZ3600R17HP4B2BOSA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FZ3600R17HP4B2BOSA2 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 3.6 kA, 1.9 V, 19.5 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85415100
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9V
Verlustleistung Pd: 19.5kW
Verlustleistung: 19.5kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 3.6kA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3.6kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3456.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2117STRPBF INFN-S-A0002786165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2117STRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2117STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, 105ns Verzögerung, DIP-8
tariffCode: 85423190
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
124+2.02 EUR
174+1.34 EUR
219+0.98 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYBLE-012011-00 Infineon-CYBLE-012011-00_EZ-BLE_Creator_Module-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5988a552b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CYBLE-012011-00
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-012011-00 - PROC™-Modul, Bluetooth® v4.1 Low Energy (BLE)-Wireless-Lösung, 2.4GHz, Single-Mode
tariffCode: 85176200
Empfangsempfindlichkeit: -87dBm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth 4.1
Bluetooth-Klasse: -
usEccn: EAR99
Signalbereich, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+36.01 EUR
8+31.86 EUR
10+27.93 EUR
50+25.68 EUR
100+23.51 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP40R12KT3BPSA1 2211610.pdf
FP40R12KT3BPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FP40R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, Siebenerpack, 55 A, 1.8 V, 210 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 210W
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 55A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Siebenerpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+171.25 EUR
5+147.17 EUR
10+124.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BB439E6327HTSA1 1849684.html
BB439E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BB439E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 43 pF, 20 mA, 28 V, 125 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Sperrspannung: 28V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 43pF
Produktpalette: BB439
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C65213-28PVXIT CYPR-S-A0004572493-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
CY7C65213-28PVXIT
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65213-28PVXIT - Interface-Brücken, USB zu UART, 1.71 V, 5.5 V, SSOP, 28 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.45 EUR
40+5.91 EUR
43+5.01 EUR
50+4.76 EUR
100+4.5 EUR
250+4.28 EUR
500+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N120CS7XKSA1 3437285.pdf
IKW50N120CS7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW50N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 428 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 82A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.79 EUR
22+10.82 EUR
27+8.12 EUR
50+7.97 EUR
100+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW15N120H3FKSA1 INFN-S-A0000149040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGW15N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGW15N120H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 217W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+10.79 EUR
43+5.5 EUR
100+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 INFNS29742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGW25N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGW25N120H3FKSA1 - IGBT, 50 A, 2.05 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+12.11 EUR
32+7.47 EUR
100+5.49 EUR
500+4.58 EUR
1000+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3705ZTRPBF INFN-S-A0012905729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3705ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.06 EUR
112+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R400CEXKSA1 INFN-S-A0002470694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA65R400CEXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R400CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+4.18 EUR
120+1.94 EUR
151+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C1019DV33-10VXI.. CYPR-S-A0001416448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C1019DV33-10VXI..
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1019DV33-10VXI.. - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 3V-3.6V Versorgung, SOJ-32
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C1019D-10VXI 2309585.pdf
CY7C1019D-10VXI
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1019D-10VXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOJ, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.07 EUR
21+11.48 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY14B101NA-ZS25XI CYPR-S-A0011719061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY14B101NA-ZS25XI
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY14B101NA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 1MB, 64Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+53.37 EUR
10+47.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F3L150R12W2H3B11BPSA1 INFN-S-A0014715330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
F3L150R12W2H3B11BPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - F3L150R12W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 75 A, 1.55 V, 500 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 500W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB59N10DPBF 1309742.pdf
IRFB59N10DPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB59N10DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 59
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW35N60CFDFKSA1 INFNS16501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPW35N60CFDFKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPW35N60CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34.1 A, 0.118 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP410N30NAKSA1 INFN-S-A0000792643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP410N30NAKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP410N30NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+21.61 EUR
13+16.49 EUR
50+11.72 EUR
100+11.2 EUR
250+10.98 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGP07N120XKSA1 2255707.pdf
SGP07N120XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SGP07N120XKSA1 - IGBT, 16.5 A, 3.1 V, 125 W, 1.2 kV, TO-220, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 125
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16.5
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6623TRPBF irf6623pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e8aa811a2d
IRF6623TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
auf Bestellung 4103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+7.09 EUR
58+4.06 EUR
100+2.76 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7424TRPBF INFN-S-A0005253087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7424TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
auf Bestellung 2034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
92+2.73 EUR
125+1.87 EUR
250+1.18 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3004PBF INFN-S-A0012837708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3004PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3004PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1750 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1750µohm
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+11.38 EUR
38+6.18 EUR
100+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP77N06S212AKSA2 2354675.pdf
IPP77N06S212AKSA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP77N06S212AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 9800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+6.91 EUR
100+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1 INFNS19466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP295H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
114+2.21 EUR
152+1.54 EUR
180+1.19 EUR
222+0.96 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE4913HTSA1 INFNS06066-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE4913HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4913HTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Geringe Leistungsaufnahme, Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0035 T
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0027T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0035T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
183+1.37 EUR
235+0.99 EUR
259+0.83 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLTS2242TRPBF INFN-S-A0012813306-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLTS2242TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLTS2242TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
187+1.34 EUR
270+0.86 EUR
457+0.46 EUR
556+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDH16G65C5XKSA2 1694004.pdf
IDH16G65C5XKSA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDH16G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+16.7 EUR
23+10.38 EUR
100+7.71 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDW16G65C5XKSA1 INFNS19612-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDW16G65C5XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDW16G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.57 EUR
28+8.52 EUR
100+6.83 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4227TRLPBF INFN-S-A0012837601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4227TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYBT-343026-01 Infineon-CYBT-343026-01_EZ-BT_WICED_Module-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee4bcdb6bec&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CYBT-343026-01
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYBT-343026-01 - Bluetooth 5.0 + EDR, 2.3V-3.6V, Produktreihe EZ-BT WICED Series, 3MB/s, -89.5dBm Empfindlichkeit
tariffCode: 85176200
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 2.3V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth 5.0 + EDR
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: -
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Zertifikate: CE, FCC, ISED, MIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -89.5dBm
Übertragungsrate: 3Mbps
Produktpalette: EZ-BT WICED Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -89.5dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+23.69 EUR
12+18.61 EUR
50+16.92 EUR
100+15.23 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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