Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IX4340N | IXYS |
Gate Driver IC, 5-20V, 2 Ch, IX4340N IX4340N UIIX4340n Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IX4340UETR | IXYS |
Gate Drivers; Dual Low-Side; 2/2; 5A; 7ns; 5V~20V; -55°C~150°C; IX4340UETR IX4340UE UIIX4340ue Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IX4428NTR | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXDD604SITR | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXDD604SIATR | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXDD609SI | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXDD609SIA | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXDD614SI | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXDF604SIA | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXDI614CI | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXDI630CI | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXDN604PI | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXDN609SIA | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXDN609YI | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXDN614SI | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CPC3703CTR | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGR48N60C3D1 | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CLA30E1200HB | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CLA30E1200PB | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CLA80E1200HF | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CS19-08ho1 | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CS19-12HO1 | IXYS |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CS20-14IO1 | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CS20-16IO1 | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MCC26-12io8B | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CPC1303G | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CPC1303GR | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 278 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CPC1006N | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CPC1008NTR | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 20 Stücke |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CPC1014NTR | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CPC1017NTR | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CPC1017NTR | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CPC1018NTR | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CPC1125N | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CPC1561BTR | IXYS |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH28N120B | Ixys |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
IXTH20N60 | Ixys |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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IXFH50N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247-3 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 364 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFQ50N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO3P On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 247 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFQ50N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 660W Case: TO3P On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 195ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IXFN56N90P | IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 56A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 1kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 0.145Ω Gate charge: 375nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 300ns Semiconductor structure: single transistor Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IXFH60N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
IXFH60N60X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 175ns |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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IXFQ60N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Power dissipation: 890W Case: TO3P On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
IXFT60N60X3HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 625W Case: TO268HV Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 175ns |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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IXGH60N60C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Collector current: 60A Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns Gate-emitter voltage: ±20V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IXGT60N60C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 380W Case: TO268 Mounting: SMD Gate charge: 115nC Kind of package: tube Collector current: 60A Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns Gate-emitter voltage: ±20V |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXKH24N60C5 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IXKP24N60C5 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 250W Case: TO220AB On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IXKP24N60C5M | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.5A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ Reverse recovery time: 390ns |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IXTP4N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 160ns Technology: X2-Class |
auf Bestellung 501 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFA8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns |
auf Bestellung 439 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFP8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns |
auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFY8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns |
auf Bestellung 152 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP8N65X2M | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IXTY8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXYP10N65C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 54A Collector-emitter voltage: 650V Turn-off time: 128ns Gate charge: 18nC Turn-on time: 44ns |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IXYP10N65C3D1M | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP Type of transistor: IGBT Power dissipation: 53W Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Turn-on time: 44ns Turn-off time: 128ns Collector current: 7A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Collector-emitter voltage: 650V Technology: GenX3™; Planar; XPT™ |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXXH110N65C4 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 880W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 167nC Kind of package: tube Turn-on time: 71ns Turn-off time: 160ns Collector current: 110A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Collector-emitter voltage: 650V Technology: GenX4™; Trench; XPT™ |
auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IX4340N |
Hersteller: IXYS
Gate Driver IC, 5-20V, 2 Ch, IX4340N IX4340N UIIX4340n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Gate Driver IC, 5-20V, 2 Ch, IX4340N IX4340N UIIX4340n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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50+ | 1.96 EUR |
IX4340UETR |
Hersteller: IXYS
Gate Drivers; Dual Low-Side; 2/2; 5A; 7ns; 5V~20V; -55°C~150°C; IX4340UETR IX4340UE UIIX4340ue
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Gate Drivers; Dual Low-Side; 2/2; 5A; 7ns; 5V~20V; -55°C~150°C; IX4340UETR IX4340UE UIIX4340ue
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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50+ | 1.96 EUR |
IX4428NTR |
![]() |
Hersteller: IXYS
Gate Driver IC, 4,5V~35V; 2Ch; Low Side Inv/Non-Inv; 1,2A; 10ns, 8ns; -40°C~125°C; Substitute: IX4428N; IX4428NTR UIIX4428n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Gate Driver IC, 4,5V~35V; 2Ch; Low Side Inv/Non-Inv; 1,2A; 10ns, 8ns; -40°C~125°C; Substitute: IX4428N; IX4428NTR UIIX4428n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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10+ | 2.75 EUR |
IXDD604SITR |
![]() |
Hersteller: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP IXDD604SITR; IXDD604SI UIIXDD604si
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP IXDD604SITR; IXDD604SI UIIXDD604si
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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10+ | 6.97 EUR |
IXDD604SIATR |
![]() |
Hersteller: IXYS
Gate Driver 2-OUT Low Side Non-Inv; 4A; 9ns; 4.5V~35V; -40°C~125°C; IXDD604SIA IXDD604SIATR UIIXDD604sia
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Gate Driver 2-OUT Low Side Non-Inv; 4A; 9ns; 4.5V~35V; -40°C~125°C; IXDD604SIA IXDD604SIATR UIIXDD604sia
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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10+ | 3.77 EUR |
IXDD609SI |
![]() |
Hersteller: IXYS
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP IXDD609SITR IXDD609SI UIIXDD609si
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP IXDD609SITR IXDD609SI UIIXDD609si
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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8+ | 4.47 EUR |
IXDD609SIA |
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Hersteller: IXYS
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDD609SIATR; IXDD609SIA IXYS UIIXDD609sia
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDD609SIATR; IXDD609SIA IXYS UIIXDD609sia
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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10+ | 3.72 EUR |
IXDD614SI |
![]() |
Hersteller: IXYS
Low Side Inverting Driver, 14A Peak, 4.5?35V, -55?150°C IXDD614SI IXYS UIIXDD614si
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Low Side Inverting Driver, 14A Peak, 4.5?35V, -55?150°C IXDD614SI IXYS UIIXDD614si
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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4+ | 9.41 EUR |
IXDF604SIA |
![]() |
Hersteller: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDF604SIATR IXDF604SIA IXYS UIIXDF604sia
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Driver 4A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDF604SIATR IXDF604SIA IXYS UIIXDF604sia
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.23 EUR |
IXDI614CI |
![]() |
Hersteller: IXYS
Driver 14A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI614CI IXYS UIIXDI614ci
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Driver 14A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI614CI IXYS UIIXDI614ci
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 9.94 EUR |
IXDI630CI |
![]() |
Hersteller: IXYS
Driver 30A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI630CI UIIXDI630ci
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Driver 30A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI630CI UIIXDI630ci
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 15.29 EUR |
IXDN604PI |
![]() |
Hersteller: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin PDIP IXDN604PI UIIXDN604pi
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin PDIP IXDN604PI UIIXDN604pi
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.76 EUR |
IXDN609SIA |
![]() |
Hersteller: IXYS
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN609SIATR UIIXDN609sia
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN609SIATR UIIXDN609sia
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.04 EUR |
IXDN609YI |
![]() |
Hersteller: IXYS
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDN609YI UIIXDN609yi
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDN609YI UIIXDN609yi
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 7.71 EUR |
IXDN614SI |
![]() |
Hersteller: IXYS
Driver; 14A; 1-OUT Low Side Non-Inv; 1-CH; 4,5V~35V; -40°C~125°C; Substitute: IXDN614SI; IXDN614SITR; IXDN614SITR UIIXDN614si
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Driver; 14A; 1-OUT Low Side Non-Inv; 1-CH; 4,5V~35V; -40°C~125°C; Substitute: IXDN614SI; IXDN614SITR; IXDN614SITR UIIXDN614si
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 9.82 EUR |
CPC3703CTR |
![]() |
Hersteller: IXYS
Trans MOSFET N-CH Si 250V Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Tube CPC3703CTR CPC3703C IXYS TCPC3703c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Trans MOSFET N-CH Si 250V Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Tube CPC3703CTR CPC3703C IXYS TCPC3703c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 1.65 EUR |
IXGR48N60C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 26.34 EUR |
CLA30E1200HB |
![]() |
Hersteller: IXYS
Thyristor; 47A; 1200V; 28mA; CLA30E1200HB TYCLA30e1200hb
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Thyristor; 47A; 1200V; 28mA; CLA30E1200HB TYCLA30e1200hb
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 7.16 EUR |
CLA30E1200PB |
![]() |
Hersteller: IXYS
Thyristor; 47A; 1200V; 30mA; CLA30E1200PB TYCLA30e1200pb
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Thyristor; 47A; 1200V; 30mA; CLA30E1200PB TYCLA30e1200pb
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 7.25 EUR |
CLA80E1200HF |
![]() |
Hersteller: IXYS
Thyristor; 126A; 1200V; 38mA; CLA80E1200HF TYCLA80e1200hf
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Thyristor; 126A; 1200V; 38mA; CLA80E1200HF TYCLA80e1200hf
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 17.51 EUR |
CS19-08ho1 |
![]() |
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 4.96 EUR |
CS19-12HO1 | ![]() |
![]() |
Hersteller: IXYS
It=31A; Vdrm=1,2kV; Igt=50mA; CS19-12HO1 IXYS TYCS19-12ho1
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
It=31A; Vdrm=1,2kV; Igt=50mA; CS19-12HO1 IXYS TYCS19-12ho1
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 5.44 EUR |
CS20-14IO1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
It=31A; Vdrm=1,4kV; Igt=80mA CS20-14IO1 IXYS TYCS20-14io1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
It=31A; Vdrm=1,4kV; Igt=80mA CS20-14IO1 IXYS TYCS20-14io1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 10.43 EUR |
CS20-16IO1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
It=31A; Vdrm=1,6kV; Igt=80mA CS20-16IO1 IXYS TYCS20-16io1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
It=31A; Vdrm=1,6kV; Igt=80mA CS20-16IO1 IXYS TYCS20-16io1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 10.34 EUR |
MCC26-12io8B |
![]() |
Hersteller: IXYS
Module; double series; 1.2kV; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; Ifsm: 440A MCC26-12IO8B IXYS MO MCC26-12IO8B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Module; double series; 1.2kV; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; Ifsm: 440A MCC26-12IO8B IXYS MO MCC26-12IO8B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 61.92 EUR |
CPC1303G |
![]() |
Hersteller: IXYS
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP CPC1303G OOCPC1303g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP CPC1303G OOCPC1303g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 1.72 EUR |
CPC1303GR |
![]() |
Hersteller: IXYS
Single-Channel CTR 200-2500% Vce 30V Uiso 5,0kV Transistor CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR IXYS OOCPC1303gr
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Single-Channel CTR 200-2500% Vce 30V Uiso 5,0kV Transistor CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR IXYS OOCPC1303gr
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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20+ | 2.61 EUR |
CPC1006N |
![]() |
Hersteller: IXYS
SPST-NO; 60VDC; 50mA; SOP-4 CPC1006NTR CPC1006N IXYS SSR P CPC1006N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
SPST-NO; 60VDC; 50mA; SOP-4 CPC1006NTR CPC1006N IXYS SSR P CPC1006N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 2.75 EUR |
CPC1008NTR |
![]() |
Hersteller: IXYS
SPST-NO; 50mA; SSR; 1 phase; 1,5kV; 2ms 4,09x3,81x2,03mm CPC1008N IXYS P CPC1008N IXYS
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
SPST-NO; 50mA; SSR; 1 phase; 1,5kV; 2ms 4,09x3,81x2,03mm CPC1008N IXYS P CPC1008N IXYS
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.51 EUR |
CPC1014NTR |
![]() |
Hersteller: IXYS
400mA; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-4; 4,09 x 3,81 x 2,03mm; SSR; CPC1014N P CPC1014N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
400mA; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-4; 4,09 x 3,81 x 2,03mm; SSR; CPC1014N P CPC1014N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.14 EUR |
CPC1017NTR |
![]() |
Hersteller: IXYS
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 2.26 EUR |
CPC1017NTR |
![]() |
Hersteller: IXYS
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 2.26 EUR |
CPC1018NTR |
![]() |
Hersteller: IXYS
Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 4.95 EUR |
CPC1125N |
![]() |
Hersteller: IXYS
Relay SSR 50mA 1.4V DC-IN 0.1A 400V DC-OUT 4-Pin SOP Odpowiednik: CPC1125NTR; CPC1125N P CPC1125N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Relay SSR 50mA 1.4V DC-IN 0.1A 400V DC-OUT 4-Pin SOP Odpowiednik: CPC1125NTR; CPC1125N P CPC1125N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.66 EUR |
CPC1561BTR |
![]() |
Hersteller: IXYS
1A; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-16; 10,211 x 7,493 x 2,337mm; SSR; CPC1561B P CPC1561B
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
1A; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-16; 10,211 x 7,493 x 2,337mm; SSR; CPC1561B P CPC1561B
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 26.75 EUR |
IXGH28N120B |
![]() |
Hersteller: Ixys
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH20N60 |
![]() |
Hersteller: Ixys
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH50N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.36 EUR |
8+ | 9.18 EUR |
9+ | 8.68 EUR |
30+ | 8.35 EUR |
IXFQ50N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.74 EUR |
8+ | 9.02 EUR |
9+ | 8.52 EUR |
120+ | 8.21 EUR |
IXFQ50N60X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFN56N90P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH60N60X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFH60N60X3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFQ60N60X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXFT60N60X3HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXGH60N60C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXGT60N60C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.05 EUR |
12+ | 6.05 EUR |
IXKH24N60C5 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXKP24N60C5 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXKP24N60C5M |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Reverse recovery time: 390ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Reverse recovery time: 390ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTP4N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
24+ | 3.06 EUR |
41+ | 1.74 EUR |
43+ | 1.67 EUR |
50+ | 1.62 EUR |
IXFA8N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
74+ | 0.97 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
81+ | 0.89 EUR |
IXFP8N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
22+ | 3.39 EUR |
24+ | 2.99 EUR |
27+ | 2.7 EUR |
28+ | 2.56 EUR |
50+ | 2.49 EUR |
IXFY8N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
68+ | 1.06 EUR |
IXTA8N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
26+ | 2.8 EUR |
34+ | 2.16 EUR |
38+ | 1.89 EUR |
IXTP8N65X2M |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTY8N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
27+ | 2.66 EUR |
35+ | 2.06 EUR |
47+ | 1.52 EUR |
IXYP10N65C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 54A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 54A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYP10N65C3D1M |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Collector current: 7A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Collector current: 7A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.46 EUR |
IXXH110N65C4 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.34 EUR |
7+ | 10.5 EUR |