Produkte > IXYS > Alle Produkte des Herstellers IXYS (18029) > Seite 275 nach 301

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 270 271 272 273 274 275 276 277 278 279 280 300 301  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXDI630CI IXYS IXD_630.pdf Driver 30A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI630CI UIIXDI630ci
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+15.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXDN604PI IXYS littelfuse-integrated-circuits-ixd-604si-sia-datasheet?assetguid=9f38a290-f482-4588-95a1-b6b544380200 Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin PDIP IXDN604PI UIIXDN604pi
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXDN609SIA IXYS IXD-609?assetguid=2E0352F3-1549-4FD2-9F7B-077F71DF5397 Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN609SIATR UIIXDN609sia
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXDN609YI IXYS IXD-609?assetguid=2E0352F3-1549-4FD2-9F7B-077F71DF5397 Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDN609YI UIIXDN609yi
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXDN614SI IXYS littelfuse-integrated-circuits-ixd-614-datasheet?assetguid=e66ef830-2f72-45bc-86ab-607383f42514 Driver; 14A; 1-OUT Low Side Non-Inv; 1-CH; 4,5V~35V; -40°C~125°C; Substitute: IXDN614SI; IXDN614SITR; IXDN614SITR UIIXDN614si
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+9.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC3703CTR IXYS PdfFile_200801.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Tube CPC3703CTR CPC3703C IXYS TCPC3703c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR48N60C3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48 Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+26.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CLA30E1200HB IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30E1200HB-Datasheet?assetguid=e5a919d0-df83-4f7b-913c-d9845e6ef7f6 Thyristor; 47A; 1200V; 28mA;   CLA30E1200HB TYCLA30e1200hb
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CLA30E1200PB IXYS CLA30E1200PB.pdf Thyristor; 47A; 1200V; 30mA;   CLA30E1200PB TYCLA30e1200pb
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.30 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CLA80E1200HF IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=f217bcf4-024a-43c9-8152-4bd306c33ce3&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA80E1200HF-Datasheet Thyristor; 126A; 1200V; 38mA;   CLA80E1200HF TYCLA80e1200hf
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+17.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CS19-08ho1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=d3d77e7a-0941-46af-ae2e-9d1d6ea11de5&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CS19-12ho1-Datasheet Thyristor; 31A; 800V; 28mA;   CS19-08HO1 TYCS19-08ho1
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CS19-12HO1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=d3d77e7a-0941-46af-ae2e-9d1d6ea11de5&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CS19-12ho1-Datasheet description It=31A; Vdrm=1,2kV; Igt=50mA;   CS19-12HO1 IXYS TYCS19-12ho1
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CS20-14IO1 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CS20-14io1-Datasheet?assetguid=e7e461a9-3eb6-43bb-bfd3-e125ab52c7ad It=31A; Vdrm=1,4kV; Igt=80mA   CS20-14IO1 IXYS TYCS20-14io1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+10.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CS20-16IO1 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CS20-16io1-Datasheet?assetguid=51acf299-9569-46ae-83ea-5ba21942b78d It=31A; Vdrm=1,6kV; Igt=80mA   CS20-16IO1 IXYS TYCS20-16io1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+10.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCC26-12io8B IXYS MCC26-12io8B.pdf Module; double series; 1.2kV; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; Ifsm: 440A   MCC26-12IO8B IXYS MO MCC26-12IO8B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+62.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1303G IXYS CPC1303.pdf Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP CPC1303G OOCPC1303g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1303GR IXYS CPC1303.pdf Single-Channel CTR 200-2500% Vce 30V Uiso 5,0kV Transistor CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR IXYS OOCPC1303gr
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1006N IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1006n-datasheet?assetguid=62c4d3a3-07a8-4904-8267-d2dbcff34e41 SPST-NO; 60VDC; 50mA; SOP-4 CPC1006NTR CPC1006N IXYS SSR P CPC1006N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1008NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1008n-datasheet?assetguid=55b0a818-3bfd-483f-9372-c078b9202476 SPST-NO; 50mA; SSR; 1 phase; 1,5kV; 2ms 4,09x3,81x2,03mm CPC1008N IXYS P CPC1008N IXYS
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1017NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1017n-datasheet?assetguid=b4f177f1-629f-4104-97a5-8b8d709e83de 60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.50 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1017NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1017n-datasheet?assetguid=b4f177f1-629f-4104-97a5-8b8d709e83de 60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.50 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1018NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1018n-datasheet?assetguid=5754d8fa-80db-484b-bf90-fc616cb67e8f Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1125N IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1125n-series-datasheet?assetguid=3df1af1c-e64d-4dc9-bd80-e20ab839a1e0 Relay SSR 50mA 1.4V DC-IN 0.1A 400V DC-OUT 4-Pin SOP Odpowiednik: CPC1125NTR; CPC1125N P CPC1125N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1125N IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1125n-series-datasheet?assetguid=3df1af1c-e64d-4dc9-bd80-e20ab839a1e0 Relay SSR 50mA 1.4V DC-IN 0.1A 400V DC-OUT 4-Pin SOP Odpowiednik: CPC1125NTR; CPC1125N P CPC1125N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1561BTR IXYS CPC1561B.pdf 1A; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-16; 10,211 x 7,493 x 2,337mm; SSR; CPC1561B P CPC1561B
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+26.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH28N120B Ixys littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgt28n120b_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH20N60 Ixys crete_mosfets_n-channel_standard_ixtm20n60_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.60 EUR
8+9.19 EUR
9+8.69 EUR
120+8.57 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+13.74 EUR
8+9.04 EUR
9+8.54 EUR
120+8.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60X IXFQ50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN56N90P IXFN56N90P IXYS IXFN56N90P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N60X IXFH60N60X IXYS IXFH(Q)60N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N60X3 IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ60N60X IXFQ60N60X IXYS IXFH(Q)60N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT60N60X3HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.05 EUR
12+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH24N60C5 IXKH24N60C5 IXYS IXKH(P)24N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKP24N60C5 IXKP24N60C5 IXYS IXKH(P)24N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M IXYS IXKP24N60C5M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.65 EUR
38+1.92 EUR
40+1.82 EUR
100+1.77 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N65X2 IXFA8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+0.97 EUR
77+0.93 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP8N65X2 IXFP8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.39 EUR
24+2.99 EUR
27+2.70 EUR
28+2.56 EUR
50+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+1.20 EUR
62+1.16 EUR
63+1.14 EUR
65+1.10 EUR
70+1.09 EUR
140+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.80 EUR
34+2.16 EUR
38+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M IXYS IXTP8N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.66 EUR
35+2.06 EUR
47+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP10N65C3 IXYP10N65C3 IXYS IXYP10N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 54A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP10N65C3D1M IXYP10N65C3D1M IXYS IXYP10N65C3D1M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 50A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.30 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS IXXH110N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.49 EUR
7+10.50 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS IXX_110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.23 EUR
25+18.88 EUR
50+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.08 EUR
16+4.56 EUR
20+3.63 EUR
21+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.81 EUR
16+4.69 EUR
17+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N80P IXFP10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 200W
Gate charge: 19nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.37 EUR
24+3.05 EUR
30+2.42 EUR
32+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3 IXYP15N65C3 IXYS IXYP15N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Collector current: 15A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3D1 IXYP15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Collector current: 15A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3D1M IXYP15N65C3D1M IXYS IXYP15N65C3D1M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Collector current: 9A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSS16-0045A DSS16-0045A IXYS DSS16-0045A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.57V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.69 EUR
48+1.52 EUR
54+1.34 EUR
57+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSS16-0045AS-TUB IXYS DSS16-0045A.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 16A; tube; 105W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXDI630CI IXD_630.pdf
Hersteller: IXYS
Driver 30A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI630CI UIIXDI630ci
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+15.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXDN604PI littelfuse-integrated-circuits-ixd-604si-sia-datasheet?assetguid=9f38a290-f482-4588-95a1-b6b544380200
Hersteller: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin PDIP IXDN604PI UIIXDN604pi
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXDN609SIA IXD-609?assetguid=2E0352F3-1549-4FD2-9F7B-077F71DF5397
Hersteller: IXYS
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN609SIATR UIIXDN609sia
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXDN609YI IXD-609?assetguid=2E0352F3-1549-4FD2-9F7B-077F71DF5397
Hersteller: IXYS
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDN609YI UIIXDN609yi
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXDN614SI littelfuse-integrated-circuits-ixd-614-datasheet?assetguid=e66ef830-2f72-45bc-86ab-607383f42514
Hersteller: IXYS
Driver; 14A; 1-OUT Low Side Non-Inv; 1-CH; 4,5V~35V; -40°C~125°C; Substitute: IXDN614SI; IXDN614SITR; IXDN614SITR UIIXDN614si
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+9.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC3703CTR PdfFile_200801.pdf
Hersteller: IXYS
Trans MOSFET N-CH Si 250V Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Tube CPC3703CTR CPC3703C IXYS TCPC3703c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR48N60C3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48
Hersteller: IXYS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+26.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CLA30E1200HB Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30E1200HB-Datasheet?assetguid=e5a919d0-df83-4f7b-913c-d9845e6ef7f6
Hersteller: IXYS
Thyristor; 47A; 1200V; 28mA;   CLA30E1200HB TYCLA30e1200hb
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+7.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CLA30E1200PB CLA30E1200PB.pdf
Hersteller: IXYS
Thyristor; 47A; 1200V; 30mA;   CLA30E1200PB TYCLA30e1200pb
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+7.30 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CLA80E1200HF media?resourcetype=datasheets&itemid=f217bcf4-024a-43c9-8152-4bd306c33ce3&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA80E1200HF-Datasheet
Hersteller: IXYS
Thyristor; 126A; 1200V; 38mA;   CLA80E1200HF TYCLA80e1200hf
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+17.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CS19-08ho1 media?resourcetype=datasheets&itemid=d3d77e7a-0941-46af-ae2e-9d1d6ea11de5&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CS19-12ho1-Datasheet
Hersteller: IXYS
Thyristor; 31A; 800V; 28mA;   CS19-08HO1 TYCS19-08ho1
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CS19-12HO1 description media?resourcetype=datasheets&itemid=d3d77e7a-0941-46af-ae2e-9d1d6ea11de5&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CS19-12ho1-Datasheet
Hersteller: IXYS
It=31A; Vdrm=1,2kV; Igt=50mA;   CS19-12HO1 IXYS TYCS19-12ho1
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CS20-14IO1 Littelfuse-Power-Semiconductors-CS20-14io1-Datasheet?assetguid=e7e461a9-3eb6-43bb-bfd3-e125ab52c7ad
Hersteller: IXYS
It=31A; Vdrm=1,4kV; Igt=80mA   CS20-14IO1 IXYS TYCS20-14io1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+10.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CS20-16IO1 Littelfuse-Power-Semiconductors-CS20-16io1-Datasheet?assetguid=51acf299-9569-46ae-83ea-5ba21942b78d
Hersteller: IXYS
It=31A; Vdrm=1,6kV; Igt=80mA   CS20-16IO1 IXYS TYCS20-16io1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+10.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCC26-12io8B MCC26-12io8B.pdf
Hersteller: IXYS
Module; double series; 1.2kV; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; Ifsm: 440A   MCC26-12IO8B IXYS MO MCC26-12IO8B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+62.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1303G CPC1303.pdf
Hersteller: IXYS
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP CPC1303G OOCPC1303g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1303GR CPC1303.pdf
Hersteller: IXYS
Single-Channel CTR 200-2500% Vce 30V Uiso 5,0kV Transistor CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR IXYS OOCPC1303gr
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1006N littelfuse-integrated-circuits-cpc1006n-datasheet?assetguid=62c4d3a3-07a8-4904-8267-d2dbcff34e41
Hersteller: IXYS
SPST-NO; 60VDC; 50mA; SOP-4 CPC1006NTR CPC1006N IXYS SSR P CPC1006N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1008NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1008n-datasheet?assetguid=55b0a818-3bfd-483f-9372-c078b9202476
Hersteller: IXYS
SPST-NO; 50mA; SSR; 1 phase; 1,5kV; 2ms 4,09x3,81x2,03mm CPC1008N IXYS P CPC1008N IXYS
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1017NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1017n-datasheet?assetguid=b4f177f1-629f-4104-97a5-8b8d709e83de
Hersteller: IXYS
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.50 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1017NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1017n-datasheet?assetguid=b4f177f1-629f-4104-97a5-8b8d709e83de
Hersteller: IXYS
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.50 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1018NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1018n-datasheet?assetguid=5754d8fa-80db-484b-bf90-fc616cb67e8f
Hersteller: IXYS
Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1125N littelfuse-integrated-circuits-cpc1125n-series-datasheet?assetguid=3df1af1c-e64d-4dc9-bd80-e20ab839a1e0
Hersteller: IXYS
Relay SSR 50mA 1.4V DC-IN 0.1A 400V DC-OUT 4-Pin SOP Odpowiednik: CPC1125NTR; CPC1125N P CPC1125N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1125N littelfuse-integrated-circuits-cpc1125n-series-datasheet?assetguid=3df1af1c-e64d-4dc9-bd80-e20ab839a1e0
Hersteller: IXYS
Relay SSR 50mA 1.4V DC-IN 0.1A 400V DC-OUT 4-Pin SOP Odpowiednik: CPC1125NTR; CPC1125N P CPC1125N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1561BTR CPC1561B.pdf
Hersteller: IXYS
1A; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-16; 10,211 x 7,493 x 2,337mm; SSR; CPC1561B P CPC1561B
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+26.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH28N120B littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgt28n120b_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: Ixys
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH20N60 crete_mosfets_n-channel_standard_ixtm20n60_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: Ixys
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFH50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.60 EUR
8+9.19 EUR
9+8.69 EUR
120+8.57 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFQ50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.74 EUR
8+9.04 EUR
9+8.54 EUR
120+8.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFQ50N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN56N90P IXFN56N90P.pdf
IXFN56N90P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N60X IXFH(Q)60N60X.pdf
IXFH60N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH60N60X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ60N60X IXFH(Q)60N60X.pdf
IXFQ60N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT60N60X3HV littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGH60N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGT60N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.05 EUR
12+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKH24N60C5 IXKH(P)24N60C5.pdf
IXKH24N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKP24N60C5 IXKH(P)24N60C5.pdf
IXKP24N60C5
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M.pdf
IXKP24N60C5M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.65 EUR
38+1.92 EUR
40+1.82 EUR
100+1.77 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFA8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
77+0.93 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFP8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.39 EUR
24+2.99 EUR
27+2.70 EUR
28+2.56 EUR
50+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFY8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFY8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.20 EUR
62+1.16 EUR
63+1.14 EUR
65+1.10 EUR
70+1.09 EUR
140+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTA8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.80 EUR
34+2.16 EUR
38+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M.pdf
IXTP8N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTY8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.66 EUR
35+2.06 EUR
47+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP10N65C3 IXYP10N65C3.pdf
IXYP10N65C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 54A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP10N65C3D1M IXYP10N65C3D1M.pdf
IXYP10N65C3D1M
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 50A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.30 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4.pdf
IXXH110N65C4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.49 EUR
7+10.50 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1 IXX_110N65B4H1.pdf
IXXK110N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.23 EUR
25+18.88 EUR
50+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFA10N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.08 EUR
16+4.56 EUR
20+3.63 EUR
21+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFH10N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.81 EUR
16+4.69 EUR
17+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFP10N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYA15N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 200W
Gate charge: 19nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.37 EUR
24+3.05 EUR
30+2.42 EUR
32+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3 IXYP15N65C3.pdf
IXYP15N65C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Collector current: 15A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYP15N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Collector current: 15A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3D1M IXYP15N65C3D1M.pdf
IXYP15N65C3D1M
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Collector current: 9A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSS16-0045A DSS16-0045A.pdf
DSS16-0045A
Hersteller: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.57V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.69 EUR
48+1.52 EUR
54+1.34 EUR
57+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSS16-0045AS-TUB DSS16-0045A.pdf
Hersteller: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 16A; tube; 105W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 270 271 272 273 274 275 276 277 278 279 280 300 301  [ Nächste Seite >> ]