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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DCK10I650PA DCK10I650PA IXYS dck10i650pa-datasheet?assetguid=9b5d15fc-c4a1-4bf1-94e4-71dcd40e367d Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 398pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29.3A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.51 EUR
50+4.37 EUR
100+3.97 EUR
500+3.27 EUR
1000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DCK10I1200PA DCK10I1200PA IXYS dck10i1200pa-datasheet?assetguid=75ab63a7-eaa1-45f4-ae79-cc11d6480a07 Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 28A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.97 EUR
50+5.76 EUR
100+5.26 EUR
500+4.38 EUR
1000+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DCK10I1200HA DCK10I1200HA IXYS dck10i1200ha-datasheet?assetguid=5be3408f-41a7-455b-8ce9-874e03b13e5b Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.5 EUR
30+6.52 EUR
120+5.43 EUR
510+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DCK15I1200HA DCK15I1200HA IXYS dck15i1200ha-datasheet?assetguid=44b53e84-c4e7-4c80-a892-b93db1544069 Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 15A TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 888pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.36 EUR
30+7.68 EUR
120+6.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DCK10I650HA DCK10I650HA IXYS dck10i650ha-datasheet?assetguid=e5d675c1-245d-4cad-ad47-33338feb2dfa Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 398pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30.4A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.95 EUR
10+5.93 EUR
450+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DCK10I1200UZ IXYS Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 595pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXCY10M45S IXCY10M45S IXYS Littelfuse-Power-Semi-IXCP10M45S-IXCY10M45s?assetguid=731077FA-A99E-41C1-BC82-960F7ED0C52C Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 450V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA
auf Bestellung 2908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.33 EUR
10+4.75 EUR
70+4.02 EUR
140+3.84 EUR
280+3.7 EUR
560+3.58 EUR
1050+3.5 EUR
2520+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXCY10M45S-TRL IXCY10M45S-TRL IXYS 98704.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 450V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N150HV-TRL IXTA4N150HV-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta4n150hv-datasheet?assetguid=ba849f96-97bf-4690-9a95-fae4b36fe859 Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT4N150HV-TRL IXTT4N150HV-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta4n150hv-datasheet?assetguid=ba849f96-97bf-4690-9a95-fae4b36fe859 Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO268HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSP8-12S-TRL DSP8-12S-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-12S-Datasheet?assetguid=9719434f-f61b-4b2f-aff1-587c9c00aa7d Description: DIODE ARRAY GP 1200V 11A TO263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 11A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 7 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSP8-12S-TRL DSP8-12S-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-12S-Datasheet?assetguid=9719434f-f61b-4b2f-aff1-587c9c00aa7d Description: DIODE ARRAY GP 1200V 11A TO263AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 11A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 7 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120P20T IXTK120P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf?assetguid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e Description: MOSFET P-CH 200V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+67.15 EUR
25+45.05 EUR
50+42.21 EUR
100+40.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N25P IXTK120N25P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXTK120N25P-Datasheet.PDF?assetguid=EAA52095-EEBE-4AEB-9ABA-160258F95F30 Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.87 EUR
25+23.51 EUR
50+21.8 EUR
100+20.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N25T IXFK180N25T IXYS DS100129AIXFKFX180N25T.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.21 EUR
25+28.64 EUR
100+24.95 EUR
500+24.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60P IXTK32P60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P60P-Datasheet.PDF?assetguid=4E3CC1EB-28DE-4BB7-B025-3DB667A4A4E2 Description: MOSFET P-CH 600V 32A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.09 EUR
25+31.44 EUR
100+27.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30P3 IXFK150N30P3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-150n30p3-datasheet?assetguid=0a16f037-5ff0-4073-8510-c98e76e3d154 Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.16 EUR
25+32.19 EUR
100+28.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_210p10t_datasheet.pdf?assetguid=cce7c83f-1d9e-454b-a7cb-d2902cd95200 Description: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Packaging: Tube
auf Bestellung 1447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.28 EUR
25+43.79 EUR
100+39.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK240N25X3 IXFK240N25X3 IXYS PdfFile108782.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 240A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.1 EUR
25+47.3 EUR
100+43.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UGE3126AY4 UGE3126AY4 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-UGE3126AY4-Datasheet?assetguid=2134b641-5bc2-41e8-96c6-300dd4861c1c Description: DIODE STANDARD 24000V 2A UGE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 24000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 18 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 24000 V
Supplier Device Package: UGE
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: UGE
Packaging: Box
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+212.91 EUR
12+211.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXCY10M90S IXCY10M90S IXYS Littelfuse-Power-Semi-IXCP10M90S-IXCY10M90S?assetguid=C96AECA6-1B81-4B5D-AF9F-6CBD5216C35E Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 900V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA
auf Bestellung 6375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.03 EUR
10+7.64 EUR
70+6.53 EUR
140+6.27 EUR
280+6.05 EUR
560+5.87 EUR
1050+5.72 EUR
2520+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXCP10M90S IXCP10M90S IXYS Littelfuse-Power-Semi-IXCP10M90S-IXCY10M90S?assetguid=C96AECA6-1B81-4B5D-AF9F-6CBD5216C35E Description: IC CURRENT REGULATOR TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 900V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220-3
auf Bestellung 4389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.81 EUR
10+7.49 EUR
50+6.56 EUR
100+6.26 EUR
250+5.96 EUR
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IXTA120P065T IXTA120P065T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120p065t-datasheet?assetguid=15f284ef-9657-4925-b296-4f60552beceb Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
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IXFB70N100X IXFB70N100X IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXFB70N100X-Datasheet.PDF?assetguid=94C5CCCD-2715-4D69-A428-53AF01206B6C Description: MOSFET N-CH 1000V 70A PLUS264
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IXGT25N250-T/R IXGT25N250-T/R IXYS PdfFile357005.pdf Description: IGBT NPT 2500V 60A TO-268HV
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IXGT25N250-T/R IXGT25N250-T/R IXYS PdfFile357005.pdf Description: IGBT NPT 2500V 60A TO-268HV
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DMA30P1600HR DMA30P1600HR IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=733120e1-b91a-45fb-8507-858f4287130f&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DMA30P1600HR-Datasheet Description: DIODE STANDARD 1600V 30A ISO247
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IXYA50N65C5 IXYA50N65C5 IXYS Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTXYA50N65C5Datasheet.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 110A TO-263
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IXFK110N07 IXFK110N07 IXYS 92802.pdf Description: MOSFET N-CH 70V 110A TO264AA
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IXXH80N65B4D1 IXXH80N65B4D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixxh80n65b4d1-datasheet?assetguid=279c11a8-2935-4966-866a-fc76b6081c30 Description: IGBT PT 650V 180A TO-247AD
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IXTH6N150 IXTH6N150 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-6n150-datasheet?assetguid=cb2b205b-634c-47df-8b0c-0bbd42d60262 Description: MOSFET N-CH 1500V 6A TO247
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IXFR140N30P IXFR140N30P IXYS IXFR140N30P.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247
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IXFN140N30P IXFN140N30P IXYS DS99571FIXFN140N30P.pdf description Description: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
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DHG55I3300FE DHG55I3300FE IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=f4778fd3-9be4-4357-a6ee-3f2091f2a007&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DHG55I3300FE-Datasheet Description: DIODE STANDARD 3.3KV 50A ISOPLUS
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IXTQ460P2 IXTQ460P2 IXYS DS100216BTATPTQTH460P2.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
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IXTH120P065T IXTH120P065T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120p065t-datasheet?assetguid=15f284ef-9657-4925-b296-4f60552beceb Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO247
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IXFA72N30X3 IXFA72N30X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfa72n30x3-datasheet?assetguid=a7dc041c-d643-42db-b8fa-3c8eacfc3472 Description: MOSFET N-CH 300V 72A TO263AA
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IXTT12N150 IXTT12N150 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixth12n150-datasheet?assetguid=132d0873-d950-4b9b-8f36-572225e04e24 Description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO268
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IXTT12N150HV-TRL IXTT12N150HV-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtt12n150hv-datasheet?assetguid=da85b9fa-4ef6-47ad-9f28-773174b06926 Description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO268HV
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IRFP264 IRFP264 IXYS IRFP264.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247AD
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DHG60U1200LB-TUB DHG60U1200LB-TUB IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=18f98573-a03e-4696-beb4-d5c97f0ab1a8&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DHG60U1200LB-Datasheet Description: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 60A 9-SMPDB
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MDNA700P2200CC MDNA700P2200CC IXYS littelfuse-diode-modules-dual-mdna700p2200cc-datasheet?assetguid=c926db6b-d806-48cc-a63f-5ae7c494cb13 Description: DIODE MOD GP 2200V 700A COMPACK
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IXTQ150N06P IXYS Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO3P
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SK230RTP SK230RTP IXYS sxx30x-datasheet?assetguid=d584cc0c-6ac3-4595-9965-6dfeb7defaaa Description: SCR 1.2KV 30A TO-220
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1000+4.26 EUR
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SK230NRP SK230NRP IXYS sxx30x-datasheet?assetguid=d584cc0c-6ac3-4595-9965-6dfeb7defaaa Description: SCR 1.2KV 30A TO-263 (D2PAK)
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SK230NRP SK230NRP IXYS sxx30x-datasheet?assetguid=d584cc0c-6ac3-4595-9965-6dfeb7defaaa Description: SCR 1.2KV 30A TO-263 (D2PAK)
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DAA200XA1800NA DAA200XA1800NA IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DAA200XA1800NA-Datasheet?assetguid=6d681674-0f6b-4b00-b0e2-3aa2ba830407 Description: DIODE MODULE AVAL 1800V SOT227B
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DAA200X1800NA DAA200X1800NA IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DAA200X1800NA-Datasheet?assetguid=47a334c9-8a81-41d7-b6a8-33fe5c680b07 Description: DIODE MODULE AVAL 1800V SOT227B
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QJ6016NH5TP QJ6016NH5TP IXYS QJxx16xHx_Series_RevGD06-07-21.pdf Description: TRIAC ALTERNISTOR 600V 16A TO263
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113+4.91 EUR
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IXTA110N055T2-TRL IXTA110N055T2-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-110n055t2-datasheet?assetguid=21c020da-ce9b-49ec-a4f7-c30b99262b3a Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
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ITF38IF1200HJ IXYS Description: DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
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CSM350KN IXYS Description: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-264(3)
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IXFA4N100P IXFA4N100P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-4n100p-datasheet?assetguid=c0771f82-eebb-4a78-a88d-a53fc7a592a4 Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
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10+7.5 EUR
50+5.89 EUR
100+5.38 EUR
500+4.49 EUR
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IXFN75N120SK IXFN75N120SK IXYS ixfn75n120sk-datasheet?assetguid=fcadf421-c9d1-4a70-a9b4-9c4c8a66ee8b Description: SIC AND MULTICHIP DISCRETE
auf Bestellung 182 Stücke:
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IXFN30N120SK IXFN30N120SK IXYS isolated-minibloc-solution-for-plasma-power-supplies-flyer?assetguid=557f76ca-313b-4510-a3e8-8b23507a6436 Description: SIC AND MULTICHIP DISCRETE
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IXTY1R6N50D2-TRL IXTY1R6N50D2-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
auf Bestellung 2500 Stücke:
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IXTY1R6N50D2-TRL IXTY1R6N50D2-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
auf Bestellung 3517 Stücke:
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3+10.08 EUR
10+6.7 EUR
50+5.25 EUR
100+4.78 EUR
500+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXTP1R6N50D2 IXTP1R6N50D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.08 EUR
10+6.7 EUR
50+5.25 EUR
100+4.78 EUR
500+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXTP6N50D2 IXTP6N50D2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37 Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.43 EUR
10+15.57 EUR
50+12.63 EUR
100+11.67 EUR
500+10.07 EUR
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IXTA1R6N50D2 IXTA1R6N50D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.1 EUR
10+7.4 EUR
50+5.81 EUR
100+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DCK10I650PA dck10i650pa-datasheet?assetguid=9b5d15fc-c4a1-4bf1-94e4-71dcd40e367d
DCK10I650PA
Hersteller: IXYS
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 398pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29.3A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.51 EUR
50+4.37 EUR
100+3.97 EUR
500+3.27 EUR
1000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DCK10I1200PA dck10i1200pa-datasheet?assetguid=75ab63a7-eaa1-45f4-ae79-cc11d6480a07
DCK10I1200PA
Hersteller: IXYS
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 28A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+10.97 EUR
50+5.76 EUR
100+5.26 EUR
500+4.38 EUR
1000+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DCK10I1200HA dck10i1200ha-datasheet?assetguid=5be3408f-41a7-455b-8ce9-874e03b13e5b
DCK10I1200HA
Hersteller: IXYS
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.5 EUR
30+6.52 EUR
120+5.43 EUR
510+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DCK15I1200HA dck15i1200ha-datasheet?assetguid=44b53e84-c4e7-4c80-a892-b93db1544069
DCK15I1200HA
Hersteller: IXYS
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 15A TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 888pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+13.36 EUR
30+7.68 EUR
120+6.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DCK10I650HA dck10i650ha-datasheet?assetguid=e5d675c1-245d-4cad-ad47-33338feb2dfa
DCK10I650HA
Hersteller: IXYS
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 398pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30.4A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.95 EUR
10+5.93 EUR
450+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DCK10I1200UZ
Hersteller: IXYS
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 595pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXCY10M45S Littelfuse-Power-Semi-IXCP10M45S-IXCY10M45s?assetguid=731077FA-A99E-41C1-BC82-960F7ED0C52C
IXCY10M45S
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 450V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA
auf Bestellung 2908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.33 EUR
10+4.75 EUR
70+4.02 EUR
140+3.84 EUR
280+3.7 EUR
560+3.58 EUR
1050+3.5 EUR
2520+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXCY10M45S-TRL 98704.pdf
IXCY10M45S-TRL
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 450V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N150HV-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixta4n150hv-datasheet?assetguid=ba849f96-97bf-4690-9a95-fae4b36fe859
IXTA4N150HV-TRL
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT4N150HV-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixta4n150hv-datasheet?assetguid=ba849f96-97bf-4690-9a95-fae4b36fe859
IXTT4N150HV-TRL
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO268HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSP8-12S-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-12S-Datasheet?assetguid=9719434f-f61b-4b2f-aff1-587c9c00aa7d
DSP8-12S-TRL
Hersteller: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 1200V 11A TO263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 11A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 7 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSP8-12S-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-12S-Datasheet?assetguid=9719434f-f61b-4b2f-aff1-587c9c00aa7d
DSP8-12S-TRL
Hersteller: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 1200V 11A TO263AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 11A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 7 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf?assetguid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e
IXTK120P20T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+67.15 EUR
25+45.05 EUR
50+42.21 EUR
100+40.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N25P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXTK120N25P-Datasheet.PDF?assetguid=EAA52095-EEBE-4AEB-9ABA-160258F95F30
IXTK120N25P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+36.87 EUR
25+23.51 EUR
50+21.8 EUR
100+20.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK180N25T DS100129AIXFKFX180N25T.pdf
IXFK180N25T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+44.21 EUR
25+28.64 EUR
100+24.95 EUR
500+24.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P60P-Datasheet.PDF?assetguid=4E3CC1EB-28DE-4BB7-B025-3DB667A4A4E2
IXTK32P60P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 600V 32A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+48.09 EUR
25+31.44 EUR
100+27.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK150N30P3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-150n30p3-datasheet?assetguid=0a16f037-5ff0-4073-8510-c98e76e3d154
IXFK150N30P3
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+49.16 EUR
25+32.19 EUR
100+28.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK210P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_210p10t_datasheet.pdf?assetguid=cce7c83f-1d9e-454b-a7cb-d2902cd95200
IXTK210P10T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Packaging: Tube
auf Bestellung 1447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+65.28 EUR
25+43.79 EUR
100+39.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK240N25X3 PdfFile108782.pdf
IXFK240N25X3
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 240A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+70.1 EUR
25+47.3 EUR
100+43.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UGE3126AY4 Littelfuse-Power-Semiconductors-UGE3126AY4-Datasheet?assetguid=2134b641-5bc2-41e8-96c6-300dd4861c1c
UGE3126AY4
Hersteller: IXYS
Description: DIODE STANDARD 24000V 2A UGE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 24000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 18 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 24000 V
Supplier Device Package: UGE
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: UGE
Packaging: Box
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+212.91 EUR
12+211.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXCY10M90S Littelfuse-Power-Semi-IXCP10M90S-IXCY10M90S?assetguid=C96AECA6-1B81-4B5D-AF9F-6CBD5216C35E
IXCY10M90S
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 900V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA
auf Bestellung 6375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+10.03 EUR
10+7.64 EUR
70+6.53 EUR
140+6.27 EUR
280+6.05 EUR
560+5.87 EUR
1050+5.72 EUR
2520+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXCP10M90S Littelfuse-Power-Semi-IXCP10M90S-IXCY10M90S?assetguid=C96AECA6-1B81-4B5D-AF9F-6CBD5216C35E
IXCP10M90S
Hersteller: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 900V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220-3
auf Bestellung 4389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.81 EUR
10+7.49 EUR
50+6.56 EUR
100+6.26 EUR
250+5.96 EUR
500+5.77 EUR
1000+5.63 EUR
2500+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA120P065T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120p065t-datasheet?assetguid=15f284ef-9657-4925-b296-4f60552beceb
IXTA120P065T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
auf Bestellung 1785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+17.49 EUR
50+9.59 EUR
100+8.83 EUR
500+7.51 EUR
1000+7.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB70N100X Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXFB70N100X-Datasheet.PDF?assetguid=94C5CCCD-2715-4D69-A428-53AF01206B6C
IXFB70N100X
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 70A PLUS264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT25N250-T/R PdfFile357005.pdf
IXGT25N250-T/R
Hersteller: IXYS
Description: IGBT NPT 2500V 60A TO-268HV
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
400+60.43 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT25N250-T/R PdfFile357005.pdf
IXGT25N250-T/R
Hersteller: IXYS
Description: IGBT NPT 2500V 60A TO-268HV
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+90.8 EUR
10+73.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMA30P1600HR media?resourcetype=datasheets&itemid=733120e1-b91a-45fb-8507-858f4287130f&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DMA30P1600HR-Datasheet
DMA30P1600HR
Hersteller: IXYS
Description: DIODE STANDARD 1600V 30A ISO247
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA50N65C5 Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTXYA50N65C5Datasheet.pdf
IXYA50N65C5
Hersteller: IXYS
Description: IGBT TRENCH FS 650V 110A TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK110N07 92802.pdf
IXFK110N07
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 70V 110A TO264AA
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+35.47 EUR
25+26.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4D1 littelfuse-discrete-igbts-ixxh80n65b4d1-datasheet?assetguid=279c11a8-2935-4966-866a-fc76b6081c30
IXXH80N65B4D1
Hersteller: IXYS
Description: IGBT PT 650V 180A TO-247AD
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+19.65 EUR
30+12.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-6n150-datasheet?assetguid=cb2b205b-634c-47df-8b0c-0bbd42d60262
IXTH6N150
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 6A TO247
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IXFR140N30P IXFR140N30P.pdf
IXFR140N30P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN140N30P description DS99571FIXFN140N30P.pdf
IXFN140N30P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
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DHG55I3300FE media?resourcetype=datasheets&itemid=f4778fd3-9be4-4357-a6ee-3f2091f2a007&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DHG55I3300FE-Datasheet
DHG55I3300FE
Hersteller: IXYS
Description: DIODE STANDARD 3.3KV 50A ISOPLUS
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IXTQ460P2 DS100216BTATPTQTH460P2.pdf
IXTQ460P2
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
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2+15.98 EUR
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IXTH120P065T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120p065t-datasheet?assetguid=15f284ef-9657-4925-b296-4f60552beceb
IXTH120P065T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO247
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30+11.76 EUR
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IXFA72N30X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixfa72n30x3-datasheet?assetguid=a7dc041c-d643-42db-b8fa-3c8eacfc3472
IXFA72N30X3
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 72A TO263AA
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1+23.7 EUR
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IXTT12N150 littelfuse-discrete-mosfets-ixth12n150-datasheet?assetguid=132d0873-d950-4b9b-8f36-572225e04e24
IXTT12N150
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO268
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IXTT12N150HV-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixtt12n150hv-datasheet?assetguid=da85b9fa-4ef6-47ad-9f28-773174b06926
IXTT12N150HV-TRL
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO268HV
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400+105.53 EUR
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IRFP264 IRFP264.pdf
IRFP264
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247AD
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DHG60U1200LB-TUB media?resourcetype=datasheets&itemid=18f98573-a03e-4696-beb4-d5c97f0ab1a8&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DHG60U1200LB-Datasheet
DHG60U1200LB-TUB
Hersteller: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 60A 9-SMPDB
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20+45.9 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDNA700P2200CC littelfuse-diode-modules-dual-mdna700p2200cc-datasheet?assetguid=c926db6b-d806-48cc-a63f-5ae7c494cb13
MDNA700P2200CC
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MOD GP 2200V 700A COMPACK
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IXTQ150N06P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO3P
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SK230RTP sxx30x-datasheet?assetguid=d584cc0c-6ac3-4595-9965-6dfeb7defaaa
SK230RTP
Hersteller: IXYS
Description: SCR 1.2KV 30A TO-220
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SK230NRP sxx30x-datasheet?assetguid=d584cc0c-6ac3-4595-9965-6dfeb7defaaa
SK230NRP
Hersteller: IXYS
Description: SCR 1.2KV 30A TO-263 (D2PAK)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SK230NRP sxx30x-datasheet?assetguid=d584cc0c-6ac3-4595-9965-6dfeb7defaaa
SK230NRP
Hersteller: IXYS
Description: SCR 1.2KV 30A TO-263 (D2PAK)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAA200XA1800NA Littelfuse-Power-Semiconductors-DAA200XA1800NA-Datasheet?assetguid=6d681674-0f6b-4b00-b0e2-3aa2ba830407
DAA200XA1800NA
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE AVAL 1800V SOT227B
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAA200X1800NA Littelfuse-Power-Semiconductors-DAA200X1800NA-Datasheet?assetguid=47a334c9-8a81-41d7-b6a8-33fe5c680b07
DAA200X1800NA
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE AVAL 1800V SOT227B
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QJ6016NH5TP QJxx16xHx_Series_RevGD06-07-21.pdf
QJ6016NH5TP
Hersteller: IXYS
Description: TRIAC ALTERNISTOR 600V 16A TO263
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3+10.45 EUR
10+6.97 EUR
113+4.91 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA110N055T2-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-110n055t2-datasheet?assetguid=21c020da-ce9b-49ec-a4f7-c30b99262b3a
IXTA110N055T2-TRL
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITF38IF1200HJ
Hersteller: IXYS
Description: DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
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Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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CSM350KN
Hersteller: IXYS
Description: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-264(3)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N100P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-4n100p-datasheet?assetguid=c0771f82-eebb-4a78-a88d-a53fc7a592a4
IXFA4N100P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
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2+11.21 EUR
10+7.5 EUR
50+5.89 EUR
100+5.38 EUR
500+4.49 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN75N120SK ixfn75n120sk-datasheet?assetguid=fcadf421-c9d1-4a70-a9b4-9c4c8a66ee8b
IXFN75N120SK
Hersteller: IXYS
Description: SIC AND MULTICHIP DISCRETE
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1+126.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN30N120SK isolated-minibloc-solution-for-plasma-power-supplies-flyer?assetguid=557f76ca-313b-4510-a3e8-8b23507a6436
IXFN30N120SK
Hersteller: IXYS
Description: SIC AND MULTICHIP DISCRETE
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IXTY1R6N50D2-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd
IXTY1R6N50D2-TRL
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
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2500+3.47 EUR
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IXTY1R6N50D2-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd
IXTY1R6N50D2-TRL
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
auf Bestellung 3517 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3+10.08 EUR
10+6.7 EUR
50+5.25 EUR
100+4.78 EUR
500+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N50D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd
IXTP1R6N50D2
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+10.08 EUR
10+6.7 EUR
50+5.25 EUR
100+4.78 EUR
500+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N50D2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37
IXTP6N50D2
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+22.43 EUR
10+15.57 EUR
50+12.63 EUR
100+11.67 EUR
500+10.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA1R6N50D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd
IXTA1R6N50D2
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.1 EUR
10+7.4 EUR
50+5.81 EUR
100+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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