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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MIXG330PF1200PTSF IXYS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; SimBus F
Case: SimBus F
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: X2PT
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MIXG330PF1200TSF IXYS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; SimBus F
Case: SimBus F
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: X2PT
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MIXG450PF1700TSF IXYS MIXG450PF1700TSF IGBT modules
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MIXG490PF1200PTSF IXYS MIXG490PF1200PTSF IGBT modules
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MIXG490PF1200TSF IXYS MIXG490PF1200TSF IGBT modules
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MIXG70W1200TED IXYS MIXG70W1200TED IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MKE38P600LB IXYS SMPD%20MOSFET%20and%20IGBTs_Product%20Brief_01.pdf MKE38P600LB Multi channel transistors
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MKE38RK600DFELB IXYS MKE38RK600DFELB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; SMPD; diode/transistor
Mounting: SMD
Drain current: 50A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: diode/transistor
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.19µC
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Case: SMPD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MKI100-12F8 IXYS MKI100-12F8 IGBT modules
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MKI50-06A7 IXYS MKI50-06A7_MKI50-06A7T.pdf MKI50-06A7 IGBT modules
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MKI50-06A7T IXYS MKI50-06A7_MKI50-06A7T.pdf MKI50-06A7T IGBT modules
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MKI50-12F7 IXYS MKI50-12F7 IGBT modules
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MKI65-06A7T IXYS MKI65-06A7T IGBT modules
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MKI75-06A7 IXYS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge,NTC thermistor
Collector current: 60A
Power dissipation: 280W
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: NPT
Application: for UPS; motors
Topology: H-bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MKI75-06A7T IXYS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 600V; Ic: 60A
Collector current: 60A
Power dissipation: 280W
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: NPT
Application: for UPS; motors
Topology: H-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MMIX1F132N50P3
+1
 		MMIX1F132N50P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f132n50p3_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 63A; Idm: 330A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 520W
Case: SMPD
Mounting: SMD
On-state resistance: 43mΩ
Gate charge: 267nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 330A
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 63A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+48.18 EUR
10+46.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F160N30T MMIX1F160N30T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f160n30t_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 102A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 570W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 367nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+44.97 EUR
10+43.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F180N25T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f180n25t_datasheet.pdf.pdf MMIX1F180N25T SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F210N30P3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=670ef26e-24b2-4f5e-8ee0-56c3d653d777&filename=littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f210n30p3_datasheet.pdf MMIX1F210N30P3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+72.22 EUR
2+51.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F230N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f230n20t_datasheet.pdf.pdf MMIX1F230N20T SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F360N15T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f360n15t2_datasheet.pdf.pdf MMIX1F360N15T2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F40N110P IXYS DS100431(MMIX1F40N110P).pdf MMIX1F40N110P SMD N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+92.09 EUR
2+65.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F420N10T IXYS Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 334A; Idm: 1kA; 680W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 334A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 680W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 670nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F44N100Q3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f44n100q3_datasheet.pdf.pdf MMIX1F44N100Q3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+81.65 EUR
2+58.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F520N075T2 IXYS MMIX1F520N075T2.pdf MMIX1F520N075T2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1G120N120A3V1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAE059161B39820&compId=MMIX1G120N120A3V1.pdf?ci_sign=ca00727da0a846fcc14b17f244a4389dd779232d Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Power dissipation: 400W
Case: SMPD
Mounting: SMD
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1365ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 105A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MMIX1G320N60B3 IXYS MMIX1G320N60B3 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1H60N150V1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=c2eb9caa-b966-4fbd-a662-234ddc74b761&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MMIX1H60N150V1-Datasheet MMIX1H60N150V1 SMD/THT thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1T550N055T2
+1
 		MMIX1T550N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1t550n055t2_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 55V; 550A; Idm: 2kA; 830W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 550A
Pulsed drain current: 2kA
Power dissipation: 830W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 595nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+46.58 EUR
10+44.84 EUR
20+44.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1T600N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1t600n04t2_datasheet.pdf.pdf MMIX1T600N04T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+36.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1X100N60B3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_smpd_packages_mmix1x100n60b3h1_datasheet.pdf.pdf MMIX1X100N60B3H1 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1X200N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE3B85789625820&compId=MMIX1X200N60B3.pdf?ci_sign=84acc0af2a6bf8c13487a93e933f7203148ae1d0 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 120A; 625W; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 625W
Case: SMPD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1kA
Mounting: SMD
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 395ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1X200N60B3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE3BC62455B9820&compId=MMIX1X200N60B3H1.pdf?ci_sign=4eb98eeb74ccf8882cbf2fb2254ebb50f4a1cb97 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 72A; 520W; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 520W
Case: SMPD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1kA
Mounting: SMD
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 395ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1X340N65B4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA78862F0E7820&compId=MMIX1X340N65B4.pdf?ci_sign=d2491b7f4fdece1fa3ddaa0a18602d4894132816 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 650V; 295A; 1.2kW; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; XPT™
Power dissipation: 1.2kW
Case: SMPD
Mounting: SMD
Gate charge: 553nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 295A
Pulsed collector current: 1.2kA
Turn-off time: 346ns
Turn-on time: 119ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1Y100N120C3H1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-mmix1y100n120c3h1-datasheet?assetguid=6dd043d9-9ee4-49c7-9ba3-98bf8ed32c89 MMIX1Y100N120C3H1 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX2F60N50P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix2f60n50p3_datasheet.pdf.pdf MMIX2F60N50P3 Multi channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+42.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX4B22N300 IXYS littelfuse-discrete-igbts-mmix4b22n300-datasheet?assetguid=81dd2495-4dd4-4c93-b49a-6dea5b917706 MMIX4B22N300 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX4G20N250 IXYS MMIX4G20N250 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMJX1H40N150 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-MMJX1H40N150-Datasheet?assetguid=8177E2BD-744B-41AB-98A1-60D6E9993F18 MMJX1H40N150 SMD/THT thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO110-12IO7 IXYS MMO110,%20MLO110.pdf MMO110-12IO7 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO110-14IO7 IXYS MMO110,%20MLO110.pdf MMO110-14IO7 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO140-12IO7 IXYS MMO140%2C%20MLO140.pdf MMO140-12IO7 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO140-16IO7 IXYS MMO140%2C%20MLO140.pdf MMO140-16IO7 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO175-12IO7 IXYS MMO175%2CMLO175.pdf MMO175-12IO7 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO175-16IO7 IXYS MMO175%2CMLO175.pdf MMO175-16IO7 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO230-12IO7 IXYS MMO230,%20MLO230.pdf MMO230-12IO7 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO230-16IO7 IXYS MMO230,%20MLO230.pdf MMO230-16IO7 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO62-12IO6 MMO62-12IO6 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B8F478DC2F5F9E28&compId=MMo62-12io6-DTE.pdf?ci_sign=10ad4c18982c2d0b7cdd649068aaadc5dde3b16c Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 30A; SOT227B; Ufmax: 1.29V
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.29V
Load current: 30A
Semiconductor structure: opposing
Gate current: 100mA
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+30.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO62-16IO6 IXYS MMO62-16io6.pdf MMO62-16IO6 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO74-12IO6 IXYS MMO74-12io6.pdf MMO74-12IO6 Thyristor modules
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+36.87 EUR
3+34.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO74-16IO6 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-MMO74-16io6-Datasheet?assetguid=e1650286-7e65-49c0-abee-cdb12724fc8e MMO74-16IO6 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO90-12io6 IXYS MMO90-12io6.pdf MMO90-12IO6 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO90-14IO6 IXYS MMO90-14io6.pdf MMO90-14IO6 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO90-16io6 MMO90-16io6 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE91E3F6999A3700D5&compId=MMO90-16IO6.pdf?ci_sign=e29137af8795e6f7a6691cc1bdf75a444308fbee Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 600V; 41A; SOT227B; Ufmax: 1.43V; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 41A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.43V
Max. forward impulse current: 860A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
Gate current: 100/200mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.92 EUR
3+35.56 EUR
5+34.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPK95-06DA IXYS MPK95-06DA.pdf MPK95-06DA Diode modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUBW10-06A6K IXYS MUBW10-06A6K IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUBW10-06A7 IXYS MUBW10-06A7.pdf MUBW10-06A7 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUBW10-12A7 IXYS MUBW10-12A7.pdf MUBW10-12A7 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUBW100-06A8 IXYS MUBW100-06A8 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUBW15-06A6K IXYS MUBW15-06A6K IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MIXG330PF1200PTSF
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; SimBus F
Case: SimBus F
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: X2PT
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MIXG330PF1200TSF
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; SimBus F
Case: SimBus F
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: X2PT
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MIXG450PF1700TSF
Hersteller: IXYS
MIXG450PF1700TSF IGBT modules
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MIXG490PF1200PTSF
Hersteller: IXYS
MIXG490PF1200PTSF IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MIXG490PF1200TSF
Hersteller: IXYS
MIXG490PF1200TSF IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MIXG70W1200TED
Hersteller: IXYS
MIXG70W1200TED IGBT modules
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MKE38P600LB SMPD%20MOSFET%20and%20IGBTs_Product%20Brief_01.pdf
Hersteller: IXYS
MKE38P600LB Multi channel transistors
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MKE38RK600DFELB MKE38RK600DFELB.pdf
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; SMPD; diode/transistor
Mounting: SMD
Drain current: 50A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: diode/transistor
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.19µC
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Case: SMPD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MKI100-12F8
Hersteller: IXYS
MKI100-12F8 IGBT modules
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MKI50-06A7 MKI50-06A7_MKI50-06A7T.pdf
Hersteller: IXYS
MKI50-06A7 IGBT modules
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MKI50-06A7T MKI50-06A7_MKI50-06A7T.pdf
Hersteller: IXYS
MKI50-06A7T IGBT modules
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MKI50-12F7
Hersteller: IXYS
MKI50-12F7 IGBT modules
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MKI65-06A7T
Hersteller: IXYS
MKI65-06A7T IGBT modules
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MKI75-06A7
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge,NTC thermistor
Collector current: 60A
Power dissipation: 280W
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: NPT
Application: for UPS; motors
Topology: H-bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MKI75-06A7T
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 600V; Ic: 60A
Collector current: 60A
Power dissipation: 280W
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: NPT
Application: for UPS; motors
Topology: H-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F132N50P3 littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f132n50p3_datasheet.pdf.pdf
MMIX1F132N50P3
+1
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 63A; Idm: 330A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 520W
Case: SMPD
Mounting: SMD
On-state resistance: 43mΩ
Gate charge: 267nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 330A
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 63A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+48.18 EUR
10+46.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MMIX1F160N30T littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f160n30t_datasheet.pdf.pdf
MMIX1F160N30T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 102A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 570W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 367nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+44.97 EUR
10+43.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F180N25T littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f180n25t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
MMIX1F180N25T SMD N channel transistors
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MMIX1F210N30P3 media?resourcetype=datasheets&itemid=670ef26e-24b2-4f5e-8ee0-56c3d653d777&filename=littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f210n30p3_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
MMIX1F210N30P3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+72.22 EUR
2+51.55 EUR
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MMIX1F230N20T littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f230n20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
MMIX1F230N20T SMD N channel transistors
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MMIX1F360N15T2 littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f360n15t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
MMIX1F360N15T2 SMD N channel transistors
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MMIX1F40N110P DS100431(MMIX1F40N110P).pdf
Hersteller: IXYS
MMIX1F40N110P SMD N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+92.09 EUR
2+65.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F420N10T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 334A; Idm: 1kA; 680W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 334A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 680W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 670nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F44N100Q3 littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f44n100q3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
MMIX1F44N100Q3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+81.65 EUR
2+58.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F520N075T2 MMIX1F520N075T2.pdf
Hersteller: IXYS
MMIX1F520N075T2 SMD N channel transistors
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MMIX1G120N120A3V1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAE059161B39820&compId=MMIX1G120N120A3V1.pdf?ci_sign=ca00727da0a846fcc14b17f244a4389dd779232d
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Power dissipation: 400W
Case: SMPD
Mounting: SMD
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1365ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 105A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1G320N60B3
Hersteller: IXYS
MMIX1G320N60B3 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1H60N150V1 media?resourcetype=datasheets&itemid=c2eb9caa-b966-4fbd-a662-234ddc74b761&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MMIX1H60N150V1-Datasheet
Hersteller: IXYS
MMIX1H60N150V1 SMD/THT thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1T550N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1t550n055t2_datasheet.pdf.pdf
MMIX1T550N055T2
+1
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 55V; 550A; Idm: 2kA; 830W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 550A
Pulsed drain current: 2kA
Power dissipation: 830W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 595nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+46.58 EUR
10+44.84 EUR
20+44.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1T600N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1t600n04t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
MMIX1T600N04T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+36.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1X100N60B3H1 littelfuse_discrete_igbts_smpd_packages_mmix1x100n60b3h1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
MMIX1X100N60B3H1 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1X200N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE3B85789625820&compId=MMIX1X200N60B3.pdf?ci_sign=84acc0af2a6bf8c13487a93e933f7203148ae1d0
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 120A; 625W; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 625W
Case: SMPD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1kA
Mounting: SMD
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 395ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1X200N60B3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE3BC62455B9820&compId=MMIX1X200N60B3H1.pdf?ci_sign=4eb98eeb74ccf8882cbf2fb2254ebb50f4a1cb97
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 72A; 520W; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 520W
Case: SMPD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1kA
Mounting: SMD
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 395ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1X340N65B4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA78862F0E7820&compId=MMIX1X340N65B4.pdf?ci_sign=d2491b7f4fdece1fa3ddaa0a18602d4894132816
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 650V; 295A; 1.2kW; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; XPT™
Power dissipation: 1.2kW
Case: SMPD
Mounting: SMD
Gate charge: 553nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 295A
Pulsed collector current: 1.2kA
Turn-off time: 346ns
Turn-on time: 119ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1Y100N120C3H1 littelfuse-discrete-igbts-mmix1y100n120c3h1-datasheet?assetguid=6dd043d9-9ee4-49c7-9ba3-98bf8ed32c89
Hersteller: IXYS
MMIX1Y100N120C3H1 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX2F60N50P3 littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix2f60n50p3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
MMIX2F60N50P3 Multi channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+42.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX4B22N300 littelfuse-discrete-igbts-mmix4b22n300-datasheet?assetguid=81dd2495-4dd4-4c93-b49a-6dea5b917706
Hersteller: IXYS
MMIX4B22N300 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX4G20N250
Hersteller: IXYS
MMIX4G20N250 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMJX1H40N150 Littelfuse-Power-Semiconductors-MMJX1H40N150-Datasheet?assetguid=8177E2BD-744B-41AB-98A1-60D6E9993F18
Hersteller: IXYS
MMJX1H40N150 SMD/THT thyristors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO110-12IO7 MMO110,%20MLO110.pdf
Hersteller: IXYS
MMO110-12IO7 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO110-14IO7 MMO110,%20MLO110.pdf
Hersteller: IXYS
MMO110-14IO7 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO140-12IO7 MMO140%2C%20MLO140.pdf
Hersteller: IXYS
MMO140-12IO7 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO140-16IO7 MMO140%2C%20MLO140.pdf
Hersteller: IXYS
MMO140-16IO7 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO175-12IO7 MMO175%2CMLO175.pdf
Hersteller: IXYS
MMO175-12IO7 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO175-16IO7 MMO175%2CMLO175.pdf
Hersteller: IXYS
MMO175-16IO7 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO230-12IO7 MMO230,%20MLO230.pdf
Hersteller: IXYS
MMO230-12IO7 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO230-16IO7 MMO230,%20MLO230.pdf
Hersteller: IXYS
MMO230-16IO7 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO62-12IO6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B8F478DC2F5F9E28&compId=MMo62-12io6-DTE.pdf?ci_sign=10ad4c18982c2d0b7cdd649068aaadc5dde3b16c
MMO62-12IO6
Hersteller: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 30A; SOT227B; Ufmax: 1.29V
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.29V
Load current: 30A
Semiconductor structure: opposing
Gate current: 100mA
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+30.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO62-16IO6 MMO62-16io6.pdf
Hersteller: IXYS
MMO62-16IO6 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO74-12IO6 MMO74-12io6.pdf
Hersteller: IXYS
MMO74-12IO6 Thyristor modules
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+36.87 EUR
3+34.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO74-16IO6 Littelfuse-Power-Semiconductors-MMO74-16io6-Datasheet?assetguid=e1650286-7e65-49c0-abee-cdb12724fc8e
Hersteller: IXYS
MMO74-16IO6 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO90-12io6 MMO90-12io6.pdf
Hersteller: IXYS
MMO90-12IO6 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO90-14IO6 MMO90-14io6.pdf
Hersteller: IXYS
MMO90-14IO6 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMO90-16io6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE91E3F6999A3700D5&compId=MMO90-16IO6.pdf?ci_sign=e29137af8795e6f7a6691cc1bdf75a444308fbee
MMO90-16io6
Hersteller: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 600V; 41A; SOT227B; Ufmax: 1.43V; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 41A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.43V
Max. forward impulse current: 860A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
Gate current: 100/200mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.92 EUR
3+35.56 EUR
5+34.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPK95-06DA MPK95-06DA.pdf
Hersteller: IXYS
MPK95-06DA Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUBW10-06A6K
Hersteller: IXYS
MUBW10-06A6K IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUBW10-06A7 MUBW10-06A7.pdf
Hersteller: IXYS
MUBW10-06A7 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUBW10-12A7 MUBW10-12A7.pdf
Hersteller: IXYS
MUBW10-12A7 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUBW100-06A8
Hersteller: IXYS
MUBW100-06A8 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUBW15-06A6K
Hersteller: IXYS
MUBW15-06A6K IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
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