Seite 267 nach 271

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
IXSH150N120L3KHV	IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXGT64N60B3-TRL	IXYS	Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 460W; TO268 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 64A Power dissipation: 460W Case: TO268 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Mounting: SMD Gate charge: 168nC Kind of package: reel; tape	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXGX100N170	IXYS	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; PLUS247™ Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Pulsed collector current: 600A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 285ns Kind of package: tube Case: PLUS247™ Turn-off time: 720ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Collector-emitter voltage: 1.7kV Power dissipation: 830W Gate charge: 425nC Technology: NPT	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CPC1909J	IXYS	Category: One Phase Solid State Relays Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 100mA; 6500mA; max.60VAC Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO Control current max.: 100mA Max. operating current: 6.5A Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC Manufacturer series: OptoMOS Relay variant: 1-phase; current source On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Case: ISOPLUS264™ Body dimensions: 19.91x26.16x5.03mm Insulation voltage: 2.5kV Turn-on time: 25ms Turn-off time: 10ms Kind of output: MOSFET Operating temperature: -40...85°C	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CPC1908J	IXYS	Category: One Phase Solid State Relays Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 100mA; 3500mA; max.60VAC Max. operating current: 3.5A Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC On-state resistance: 0.3Ω Contacts configuration: SPST-NO Insulation voltage: 2.5kV Turn-on time: 20ms Case: i4-pac Turn-off time: 5ms Control current max.: 100mA Type of relay: solid state Mounting: THT Manufacturer series: OptoMOS Relay variant: 1-phase; current source Kind of output: MOSFET Body dimensions: 19.91x20.88x5.03mm Operating temperature: -40...85°C	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IX4426N	IXYS	Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Case: SO8 Output current: -1.5...1.5A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: inverting Supply voltage: 4.5...35V	auf Bestellung 544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DSEE29-12CC	IXYS	Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; Ifsm: 200A; ISOPLUS220™; tube Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 30A Semiconductor structure: double series Features of semiconductor devices: fast switching Max. forward impulse current: 200A Case: ISOPLUS220™ Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.62V Power dissipation: 165W Reverse recovery time: 35ns Technology: HiPerFRED™	auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DSI30-12A	IXYS	Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; Ifsm: 300A; TO220AC; tube; 160W Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A Max. forward impulse current: 0.3kA Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.25V Power dissipation: 160W Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Type of diode: rectifying Mounting: THT	auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DHG30I1200HA	IXYS	Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; Ifsm: 200A; TO247-2; tube; 180W Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A Max. forward impulse current: 200A Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.95V Power dissipation: 180W Technology: Sonic FRD™ Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Type of diode: rectifying Reverse recovery time: 200ns Mounting: THT	auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DSEI2X30-12B	IXYS	Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 30Ax2; SOT227B; screw Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A x2 Max. forward impulse current: 375A Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: SOT227B Max. forward voltage: 2.2V Type of semiconductor module: diode Max. load current: 60A Kind of package: tube Semiconductor structure: double independent	auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DSEP2X31-12A	IXYS	Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 30Ax2; SOT227B; screw Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A x2 Max. forward impulse current: 200A Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: SOT227B Max. forward voltage: 1.77V Type of semiconductor module: diode Max. load current: 60A Kind of package: tube Semiconductor structure: double independent	auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MMIX1F132N50P3	IXYS	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 63A; Idm: 330A; 520W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 63A Power dissipation: 520W Case: SMPD Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Gate charge: 267nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Pulsed drain current: 330A	auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXDN602CPI	IXYS	Category: MOSFET/IGBT drivers Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXDN602CSIA	IXYS	Category: MOSFET/IGBT drivers Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXDN602CSIATR	IXYS	Category: MOSFET/IGBT drivers Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CLA40MT1200NPB	IXYS	Category: Triacs Description: Triac; 1.2kV; 20A; Igt: 40/60mA; TO220AB; tube; Ifsm: 170A Max. forward impulse current: 170A Gate current: 40/60mA Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 20A Kind of package: tube Case: TO220AB Typ of triac: standard Mounting: THT	auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CLA40MT1200NPZ-TUB	IXYS	Category: Triacs Description: Triac; 1.2kV; 20A; Igt: 40/60mA; TO263ABHV; tube; Ifsm: 170A Max. forward impulse current: 170A Gate current: 40/60mA Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 20A Kind of package: tube Case: TO263ABHV Typ of triac: standard Mounting: SMD	auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CLA30MT1200NPZ-TRL	IXYS	Category: Triacs Description: Triac; 1.2kV; 33A; Igt: 40mA; D2PAK; reel,tape Gate current: 40mA Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 33A Kind of package: reel; tape Case: D2PAK Typ of triac: standard Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CLA60MT1200NTZ-TRL	IXYS	Category: SMD/THT thyristors Description: Thyristor: standard; 1.2kV; Ifmax: 66A; 30A; Igt: 60mA; SMD Gate current: 60mA Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A Max. load current: 66A Kind of package: reel; tape Case: D3PAK; TO268AA Type of thyristor: standard Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CLA40MT1200NHR	IXYS	Category: Triacs Description: Triac; 1.2kV; 20A; Igt: 60/100A; ISO247™; tube; Ifsm: 155A Max. forward impulse current: 155A Gate current: 60/100A Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 20A Kind of package: tube Case: ISO247™ Typ of triac: standard Mounting: THT	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CLA40MT1200NPZ-TRL	IXYS	Category: Triacs Description: Triac; 1.2kV; 44A; Igt: 40mA; D2PAK; reel,tape Gate current: 40mA Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 44A Kind of package: reel; tape Case: D2PAK Typ of triac: standard Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DSEI2X101-06A	IXYS	Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 600V; If: 96Ax2; SOT227B; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 96A x2 Case: SOT227B Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 1.3kA Electrical mounting: screw Max. load current: 192A Mechanical mounting: screw Kind of package: tube	auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DSEI2X61-12B	IXYS	Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 52Ax2; SOT227B; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 52A x2 Case: SOT227B Max. forward voltage: 2.5V Max. forward impulse current: 0.5kA Electrical mounting: screw Max. load current: 104A Mechanical mounting: screw Kind of package: tube	auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DSEI2X31-06C	IXYS	Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 600V; If: 30Ax2; SOT227B; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 30A x2 Case: SOT227B Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 260A Electrical mounting: screw Max. load current: 60A Mechanical mounting: screw Kind of package: tube Technology: FRED	auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DSEI2X61-04C	IXYS	Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 600V; If: 60Ax2; SOT227B; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 60A x2 Case: SOT227B Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 0.6kA Electrical mounting: screw Max. load current: 120A Mechanical mounting: screw Kind of package: tube	auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DSEI2X31-12B	IXYS	Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 28Ax2; SOT227B; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 28A x2 Case: SOT227B Max. forward voltage: 2.55V Max. forward impulse current: 210A Electrical mounting: screw Max. load current: 46A Mechanical mounting: screw Kind of package: tube	auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DSEP2X91-03A	IXYS	Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 300V; If: 90Ax2; SOT227B; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 300V Load current: 90A x2 Case: SOT227B Max. forward voltage: 1.54V Max. forward impulse current: 1kA Electrical mounting: screw Max. load current: 180A Mechanical mounting: screw Kind of package: tube Technology: HiPerFRED™	auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DSEP2X101-04A	IXYS	Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 400V; If: 100Ax2; SOT227B; screw Case: SOT227B Kind of package: tube Max. forward impulse current: 1kA Max. forward voltage: 1.73V Type of semiconductor module: diode Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 0.4kV Electrical mounting: screw Load current: 100A x2 Max. load current: 200A Semiconductor structure: double independent	auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTA160N10T	IXYS	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 430W; D2PAK,TO263AB; 60ns Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 160A Power dissipation: 430W Case: D2PAK; TO263AB Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 132nC Application: automotive industry Reverse recovery time: 60ns	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTA160N10T7	IXYS	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 430W; TO263-7; 100ns Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 160A Power dissipation: 430W Case: TO263-7 Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 132nC Application: automotive industry Reverse recovery time: 100ns	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTH160N10T	IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 160A; 430W; TO247-3; 100ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 100V Drain current: 160A Power dissipation: 430W Case: TO247-3 Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 132nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 100ns Application: automotive industry	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTQ160N10T	IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 430W; TO3P; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 160A Power dissipation: 430W Case: TO3P Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 132nC Application: automotive industry Reverse recovery time: 100ns	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MDNA280UB2200PTED	IXYS	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 200A Max. off-state voltage: 1.7kV Electrical mounting: Press-in PCB Semiconductor structure: diode/transistor Case: E2-Pack Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXYR100N120C3	IXYS	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 56A; 484W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 56A Power dissipation: 484W Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 450A Mounting: THT Gate charge: 260nC Kind of package: tube Turn-on time: 143ns Turn-off time: 271ns	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXYR100N65A3V1	IXYS	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; ISOPLUS247™ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 100A Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXFY4N60P3	IXYS	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A Power dissipation: 114W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.9nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 8A Reverse recovery time: 250ns	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DSEI2X161-12P	IXYS	Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 128Ax2; ECO-PAC 2 Max. forward voltage: 1.9V Type of semiconductor module: diode Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: THT Load current: 128A x2 Max. load current: 256A Kind of package: bulk Semiconductor structure: double independent Case: ECO-PAC 2 Max. forward impulse current: 1.2kA	auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTH50P10	IXYS	Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -50A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 180ns	auf Bestellung 305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTT68P20T	IXYS	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -68A; 568W; TO268 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -68A Power dissipation: 568W Case: TO268 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 55mΩ Mounting: SMD Gate charge: 380nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: TrenchP™ Reverse recovery time: 245ns	auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CPC2330N	IXYS	Category: One Phase Solid State Relays Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA Manufacturer series: OptoMOS Operating temperature: -40...85°C Type of relay: solid state Mounting: SMT Relay variant: 1-phase; current source Body dimensions: 9.35x3.81x2.18mm Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC Insulation voltage: 1.5kV Turn-on time: 3ms Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Case: SO8 Max. operating current: 120mA Turn-off time: 3ms Control current max.: 50mA On-state resistance: 30Ω	auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PAA132	IXYS	Category: One Phase Solid State Relays Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 600mA; max.60VAC Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 Control current max.: 50mA Max. operating current: 0.6A Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC Manufacturer series: OptoMOS Relay variant: 1-phase; current source On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Case: DIP8 Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm Insulation voltage: 3.75kV Turn-on time: 5ms Turn-off time: 2ms Kind of output: MOSFET Operating temperature: -40...85°C	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
VGO36-16IO7	IXYS	Category: Single phase controlled bridge rectif. Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.6kV; If: 36A; Igt: 65mA Max. off-state voltage: 1.6kV Load current: 36A Case: ECO-PAC 1 Max. forward impulse current: 280A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Version: module Leads: wire Ø 0.75mm Type of bridge rectifier: half-controlled Gate current: 65mA	auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GUO40-12NO1	IXYS	Category: Three phase diode bridge rectifiers Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.2kV; If: 40A; Ifsm: 370A Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 40A Case: GUFP Max. forward voltage: 1.06V Max. forward impulse current: 370A Electrical mounting: THT Version: flat Leads: flat pin Type of bridge rectifier: three-phase	auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MCC72-16io1B	IXYS	Category: Thyristor modules Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 116A; TO240AA; screw Type of semiconductor module: thyristor Semiconductor structure: double series Max. off-state voltage: 1.6kV Load current: 116A Case: TO240AA Max. forward voltage: 1.82V Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Kind of package: bulk Gate current: 150/200mA	auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MCC21-14IO8B	IXYS	Category: Thyristor modules Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 21A; TO240AA; Ufmax: 1.52V Type of semiconductor module: thyristor Semiconductor structure: double series Max. off-state voltage: 1.4kV Load current: 21A Case: TO240AA Max. forward voltage: 1.52V Max. forward impulse current: 345A Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Kind of package: bulk Gate current: 65/80mA	auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
VUO36-18NO8	IXYS	Category: Three phase diode bridge rectifiers Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.8kV; If: 27A; Ifsm: 550A Max. off-state voltage: 1.8kV Load current: 27A Case: FO-B Max. forward voltage: 1.05V Max. forward impulse current: 0.55kA Electrical mounting: THT Version: square Leads: connectors FASTON Leads dimensions: 6.3x0.8mm Type of bridge rectifier: three-phase	auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IX2127N	IXYS	Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -500÷250mA; Ch: 1; U: 600V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Case: SO8 Output current: -500...250mA Number of channels: 1 Supply voltage: 9...12V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V	auf Bestellung 811 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXFA80N25X3	IXYS	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO263; 120ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 80A Power dissipation: 390W Case: TO263 On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 83nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 120ns	auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXFA230N075T2	IXYS	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263; 59ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 230A Power dissipation: 480W Case: TO263 On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 178nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 59ns	auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXFA60N25X3	IXYS	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO263; 95ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A Power dissipation: 320W Case: TO263 On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 95ns	auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXFA230N075T2-7	IXYS	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263-7; 59ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 230A Power dissipation: 480W Case: TO263-7 On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 178nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 59ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet	auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTA170N075T2	IXYS	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO263; 63ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 170A Power dissipation: 360W Case: TO263 On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 109nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 63ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet	auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXFA3N120	IXYS	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3A Power dissipation: 200W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 306 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DSI45-08A	IXYS	Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 45A; Ifsm: 410A; TO247-2; tube; 270W Mounting: THT Max. forward impulse current: 410A Max. forward voltage: 1.23V Power dissipation: 270W Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 45A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Type of diode: rectifying	auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DSP45-12AZ-TUB	IXYS	Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 45A; TO268AA; Ufmax: 1.23V; Ifsm: 410A Mounting: SMD Max. forward impulse current: 410A Max. forward voltage: 1.23V Power dissipation: 270W Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 45A Kind of package: tube Semiconductor structure: double series Case: TO268AA Type of diode: rectifying	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
VUO22-14NO1	IXYS	Category: Three phase diode bridge rectifiers Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.4kV; If: 22A; Ifsm: 100A Mechanical mounting: screw Electrical mounting: FASTON connectors Case: V1-A-Pack Version: module Leads: connectors Max. off-state voltage: 1.4kV Load current: 22A Leads dimensions: 2x0.5mm Type of bridge rectifier: three-phase Max. forward impulse current: 100A Max. forward voltage: 1.12V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
VUO122-14NO7	IXYS	Category: Three phase diode bridge rectifiers Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.4kV; If: 125A; Ifsm: 1kA Mechanical mounting: screw Electrical mounting: Press-in PCB Case: ECO-PAC 2 Version: module Leads: wire Ø 1.5mm Max. off-state voltage: 1.4kV Load current: 125A Type of bridge rectifier: three-phase Max. forward impulse current: 1kA Max. forward voltage: 1.13V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTX600N04T2	IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 600A; 1250W; PLUS247™; 100ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 600A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 590nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 100ns	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXXH75N60B3	IXYS	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 160A; 750W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 160A Power dissipation: 750W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 300A Gate charge: 107nC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXTA08N100D2HV	IXYS	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263HV Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO263HV On-state resistance: 21Ω Mounting: SMD Gate charge: 325nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXSH150N120L3KHV

Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 450 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXGT64N60B3-TRL

Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 460W; TO268
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 64A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 400 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXGX100N170

Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; PLUS247™
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 600A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 285ns
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Turn-off time: 720ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 830W
Gate charge: 425nC
Technology: NPT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CPC1909J

Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 100mA; 6500mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 6.5A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Case: ISOPLUS264™
Body dimensions: 19.91x26.16x5.03mm
Insulation voltage: 2.5kV
Turn-on time: 25ms
Turn-off time: 10ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CPC1908J

Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 100mA; 3500mA; max.60VAC
Max. operating current: 3.5A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
On-state resistance: 0.3Ω
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 2.5kV
Turn-on time: 20ms
Case: i4-pac
Turn-off time: 5ms
Control current max.: 100mA
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 19.91x20.88x5.03mm
Operating temperature: -40...85°C

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IX4426N

Hersteller: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting
Supply voltage: 4.5...35V

auf Bestellung 544 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DSEE29-12CC

Hersteller: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; Ifsm: 200A; ISOPLUS220™; tube
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 200A
Case: ISOPLUS220™
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.62V
Power dissipation: 165W
Reverse recovery time: 35ns
Technology: HiPerFRED™

auf Bestellung 85 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DSI30-12A

Hersteller: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; Ifsm: 300A; TO220AC; tube; 160W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 160W
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Mounting: THT

auf Bestellung 41 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DHG30I1200HA

Hersteller: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; Ifsm: 200A; TO247-2; tube; 180W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 200A
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.95V
Power dissipation: 180W
Technology: Sonic FRD™
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 200ns
Mounting: THT

auf Bestellung 44 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DSEI2X30-12B

Hersteller: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A x2
Max. forward impulse current: 375A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 2.2V
Type of semiconductor module: diode
Max. load current: 60A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent

auf Bestellung 59 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DSEP2X31-12A

Hersteller: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A x2
Max. forward impulse current: 200A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.77V
Type of semiconductor module: diode
Max. load current: 60A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MMIX1F132N50P3

Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 63A; Idm: 330A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 63A
Power dissipation: 520W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 267nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Pulsed drain current: 330A

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXDN602CPI

Hersteller: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXDN602CSIA

Hersteller: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXDN602CSIATR

Hersteller: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CLA40MT1200NPB

Hersteller: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 20A; Igt: 40/60mA; TO220AB; tube; Ifsm: 170A
Max. forward impulse current: 170A
Gate current: 40/60mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 20A
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Typ of triac: standard
Mounting: THT

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CLA40MT1200NPZ-TUB

Hersteller: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 20A; Igt: 40/60mA; TO263ABHV; tube; Ifsm: 170A
Max. forward impulse current: 170A
Gate current: 40/60mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 20A
Kind of package: tube
Case: TO263ABHV
Typ of triac: standard
Mounting: SMD

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CLA30MT1200NPZ-TRL

media?resourcetype=datasheets&itemid=636eac5f-86db-4f80-a492-aa2746822f9d&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30MT1200NPZ-Datasheet

Hersteller: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 33A; Igt: 40mA; D2PAK; reel,tape
Gate current: 40mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 33A
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Typ of triac: standard
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CLA60MT1200NTZ-TRL

Hersteller: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.2kV; Ifmax: 66A; 30A; Igt: 60mA; SMD
Gate current: 60mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. load current: 66A
Kind of package: reel; tape
Case: D3PAK; TO268AA
Type of thyristor: standard
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 400 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CLA40MT1200NHR

Hersteller: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 20A; Igt: 60/100A; ISO247™; tube; Ifsm: 155A
Max. forward impulse current: 155A
Gate current: 60/100A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 20A
Kind of package: tube
Case: ISO247™
Typ of triac: standard
Mounting: THT

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CLA40MT1200NPZ-TRL

Hersteller: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 44A; Igt: 40mA; D2PAK; reel,tape
Gate current: 40mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 44A
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Typ of triac: standard
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DSEI2X101-06A

Hersteller: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 600V; If: 96Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 96A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 1.3kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 192A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DSEI2X61-12B

Hersteller: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 52Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 52A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 2.5V
Max. forward impulse current: 0.5kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 104A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube

auf Bestellung 269 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DSEI2X31-06C

Hersteller: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 600V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 260A
Electrical mounting: screw
Max. load current: 60A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Technology: FRED

auf Bestellung 187 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DSEI2X61-04C

Hersteller: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 600V; If: 60Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 60A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.6kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 120A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DSEI2X31-12B

Hersteller: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 28Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 28A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 2.55V
Max. forward impulse current: 210A
Electrical mounting: screw
Max. load current: 46A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube

auf Bestellung 52 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DSEP2X91-03A

Hersteller: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 300V; If: 90Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 90A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 1kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 180A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Technology: HiPerFRED™

auf Bestellung 59 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DSEP2X101-04A

Hersteller: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 400V; If: 100Ax2; SOT227B; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 1kA
Max. forward voltage: 1.73V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 0.4kV
Electrical mounting: screw
Load current: 100A x2
Max. load current: 200A
Semiconductor structure: double independent

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA160N10T

238_littelfusediscretemosfetsnchanneltrenchgate.pdf

Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 430W; D2PAK,TO263AB; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 132nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 60ns

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 300 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA160N10T7

Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 430W; TO263-7; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 132nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 100ns

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 300 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTH160N10T

Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 160A; 430W; TO247-3; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 132nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 300 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTQ160N10T

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth160n10t_datasheet.pdf.pdf

Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 430W; TO3P; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO3P
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 132nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 100ns

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 300 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MDNA280UB2200PTED

Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXYR100N120C3

Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 56A; 484W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Power dissipation: 484W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 271ns

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXYR100N65A3V1

Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 300 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXFY4N60P3

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n60p3_datasheet.pdf.pdf

Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 114W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
Reverse recovery time: 250ns

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DSEI2X161-12P

Hersteller: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 128Ax2; ECO-PAC 2
Max. forward voltage: 1.9V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: THT
Load current: 128A x2
Max. load current: 256A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double independent
Case: ECO-PAC 2
Max. forward impulse current: 1.2kA

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTH50P10

Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns

auf Bestellung 305 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTT68P20T

Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -68A; 568W; TO268
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -68A
Power dissipation: 568W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Reverse recovery time: 245ns

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CPC2330N

Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 9.35x3.81x2.18mm
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: SO8
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 30Ω

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PAA132

Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 600mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.6A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

VGO36-16IO7

Hersteller: IXYS
Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.6kV; If: 36A; Igt: 65mA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 36A
Case: ECO-PAC 1
Max. forward impulse current: 280A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Version: module
Leads: wire Ø 0.75mm
Type of bridge rectifier: half-controlled
Gate current: 65mA

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GUO40-12NO1

Hersteller: IXYS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.2kV; If: 40A; Ifsm: 370A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Case: GUFP
Max. forward voltage: 1.06V
Max. forward impulse current: 370A
Electrical mounting: THT
Version: flat
Leads: flat pin
Type of bridge rectifier: three-phase

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MCC72-16io1B

Hersteller: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 116A; TO240AA; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 116A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.82V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
Gate current: 150/200mA

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MCC21-14IO8B

Hersteller: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 21A; TO240AA; Ufmax: 1.52V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 21A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.52V
Max. forward impulse current: 345A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
Gate current: 65/80mA

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

VUO36-18NO8

Hersteller: IXYS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.8kV; If: 27A; Ifsm: 550A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 27A
Case: FO-B
Max. forward voltage: 1.05V
Max. forward impulse current: 0.55kA
Electrical mounting: THT
Version: square
Leads: connectors FASTON
Leads dimensions: 6.3x0.8mm
Type of bridge rectifier: three-phase

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IX2127N

Hersteller: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -500÷250mA; Ch: 1; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -500...250mA
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...12V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V

auf Bestellung 811 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXFA80N25X3

Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO263; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 120ns

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXFA230N075T2

Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXFA60N25X3

Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO263; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns

auf Bestellung 73 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXFA230N075T2-7

Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263-7; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 59ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA170N075T2

Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO263; 63ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 63ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet

auf Bestellung 37 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXFA3N120

Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 306 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DSI45-08A

Hersteller: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 45A; Ifsm: 410A; TO247-2; tube; 270W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 410A
Max. forward voltage: 1.23V
Power dissipation: 270W
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 45A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: rectifying

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DSP45-12AZ-TUB

Hersteller: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 45A; TO268AA; Ufmax: 1.23V; Ifsm: 410A
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 410A
Max. forward voltage: 1.23V
Power dissipation: 270W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 45A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double series
Case: TO268AA
Type of diode: rectifying

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

VUO22-14NO1

Hersteller: IXYS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.4kV; If: 22A; Ifsm: 100A
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: FASTON connectors
Case: V1-A-Pack
Version: module
Leads: connectors
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 22A
Leads dimensions: 2x0.5mm
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. forward impulse current: 100A
Max. forward voltage: 1.12V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

VUO122-14NO7

Hersteller: IXYS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.4kV; If: 125A; Ifsm: 1kA
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: ECO-PAC 2
Version: module
Leads: wire Ø 1.5mm
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 125A
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. forward impulse current: 1kA
Max. forward voltage: 1.13V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTX600N04T2

Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 600A; 1250W; PLUS247™; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 600A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 590nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 300 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXXH75N60B3

Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 160A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 160A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Gate charge: 107nC

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 300 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTA08N100D2HV

Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263HV
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263HV
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH