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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RGT30NL65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT30NL65DGTL - IGBT, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT30NL65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: LPDS
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 133 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 32 nC
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT30NL65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT30NL65DGTL - IGBT, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT30NL65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS
Power - Max: 133 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 32 nC
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: LPDS
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT30NS65DGC9ROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.95 EUR
10+3.53 EUR
100+3.2 EUR
500+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT30NS65DGC9Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-262
Power - Max: 133 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 32 nC
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-262
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 2894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.94 EUR
50+3.51 EUR
100+3.18 EUR
500+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT30NS65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 133 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT30NS65DGTLROHM SemiconductorIGBTs 650V 15A IGBT Stop Trench
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.71 EUR
10+3.72 EUR
100+2.59 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT30NS65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 133 W
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.81 EUR
10+3.76 EUR
100+2.61 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT30NS65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT30NS65DGTL - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263S, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.84 EUR
59+3.99 EUR
100+2.7 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT30TM65DGC9ROHMDescription: ROHM - RGT30TM65DGC9 - IGBT, 14 A, 1.65 V, 32 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220NFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT30TM65DGC9Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 14A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 32 W
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.39 EUR
50+3.75 EUR
100+3.4 EUR
500+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT30TM65DGC9ROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 3862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+2.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT40NL65DROHM SemiconductorIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT40NL65DGTLROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.52 EUR
10+4.96 EUR
100+3.5 EUR
500+3.17 EUR
1000+2.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT40NL65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT40NL65DGTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 161000mW 3-Pin(2+Tab) LPDL T/R
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+4.02 EUR
100+3.68 EUR
250+3.33 EUR
500+3 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT40NL65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT40NL65DGTL - IGBT, 40 A, 1.65 V, 161 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT40NL65DGTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 161000mW 3-Pin(2+Tab) LPDL T/R
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT40NL65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
auf Bestellung 1962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.44 EUR
10+4.89 EUR
100+3.44 EUR
500+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT40NL65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT40NL65DGTL - IGBT, 40 A, 1.65 V, 161 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.82 EUR
72+3.22 EUR
100+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT40NS65DGC9Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD 650V 40A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.55 EUR
10+3.65 EUR
100+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT40NS65DGC9ROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.66 EUR
10+5.05 EUR
100+3.56 EUR
500+3.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT40NS65DGTLROHM SemiconductorIGBTs 650V 20A IGBT Stop Trench
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.62 EUR
10+4.32 EUR
100+3.01 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT40NS65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
auf Bestellung 6903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.15 EUR
10+4.02 EUR
100+2.8 EUR
500+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT40NS65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT40TM65DGC9ROHMDescription: ROHM - RGT40TM65DGC9 - IGBT, 17 A, 1.65 V, 39 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220NFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 17A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT40TM65DGC9Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 17A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 39 W
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.23 EUR
50+4.21 EUR
100+3.82 EUR
500+3.14 EUR
1000+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT40TM65DGC9ROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.07 EUR
10+4.14 EUR
100+3.77 EUR
500+3.08 EUR
1000+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT40TM65DGC9Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 17A 39000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NFM Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT40TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 20A IGBT Stop Trench
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.14 EUR
10+3.92 EUR
100+3.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT40TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 144 W
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.12 EUR
30+3.9 EUR
120+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT40TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 20A TRNCH
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.08 EUR
10+10.7 EUR
100+9.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT40TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 144 W
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.34 EUR
30+8.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT40TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGT40TS65DGC13 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 144 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.44 EUR
23+10.14 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50NL65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT50NL65DGTL - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 194
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 48
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.7 EUR
52+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50NL65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
auf Bestellung 1357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.96 EUR
10+5.26 EUR
100+3.72 EUR
500+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50NL65DGTLROHM SemiconductorIGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 1095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.07 EUR
10+5.34 EUR
100+3.8 EUR
500+3.5 EUR
1000+2.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50NL65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50NS65DGC9Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194000mW Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+7.31 EUR
52+3.37 EUR
54+3.13 EUR
100+2.95 EUR
250+2.82 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50NS65DGC9Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.63 EUR
50+4.46 EUR
100+4.07 EUR
500+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50NS65DGC9ROHM SemiconductorIGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.83 EUR
10+4.55 EUR
100+3.97 EUR
500+3.42 EUR
1000+3.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50NS65DGC9Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194000mW Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50NS65DGC9ROHMDescription: ROHM - RGT50NS65DGC9 - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50NS65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT50NS65DGTL - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50NS65DGTL
Produktcode: 216321
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50NS65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.9 EUR
10+5.21 EUR
100+3.68 EUR
500+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50NS65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT50NS65DGTL - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50NS65DGTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.53 EUR
50+4.91 EUR
100+4.09 EUR
500+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50NS65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50NS65DGTLROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, LPDS, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.96 EUR
10+5.28 EUR
100+3.75 EUR
500+3.44 EUR
1000+2.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50TM65DRohmNPN Trench IGBT, Vces=650V, Ic=13A, Vce(sat)=1.65V, Pd=47W, TO-220NFM, -40...+175 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50TM65DGC9ROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.69 EUR
10+4.49 EUR
100+4.06 EUR
500+3.37 EUR
1000+3.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50TM65DGC9Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 21A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 47 W
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.65 EUR
50+4.46 EUR
100+4.05 EUR
500+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50TS65DROHM SemiconductorIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247N
Power - Max: 174 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Part Status: Not For New Designs
Gate Charge: 49 nC
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 48A 174000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 174 W
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.94 EUR
30+4.09 EUR
120+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 25A IGBT Stop Trench
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.44 EUR
10+6.24 EUR
25+5.89 EUR
100+5.05 EUR
250+4.77 EUR
450+4.49 EUR
900+4.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 25A TRNCH
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.74 EUR
10+13.07 EUR
100+10.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 48A 174W 3-Pin(3+Tab) TO-247N
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.69 EUR
28+6.31 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247G
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 174 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Part Status: Active
Gate Charge: 49 nC
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.29 EUR
10+13.99 EUR
100+10.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGT50TS65DGC13 - IGBT, 48 A, 1.65 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 174W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.42 EUR
16+14.6 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT50TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 48A 174W 3-Pin(3+Tab) TO-247N
auf Bestellung 120 Stücke:
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44+4.01 EUR
50+3.63 EUR
100+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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RGT60TS65DROHM SemiconductorIGBT Transistors
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RGT60TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
auf Bestellung 25 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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RGT60TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 194 W
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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RGT60TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGT60TS65DGC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 55A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9 EUR
40+5.84 EUR
100+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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RGT60TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A IGBT Stop Trench
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.57 EUR
10+5.65 EUR
100+4 EUR
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RGT60TS65DGC11
Produktcode: 174167
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RGT60TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247N
Power - Max: 194 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Part Status: Not For New Designs
Gate Charge: 58 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT60TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
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27+9.45 EUR
50+9.21 EUR
100+8.56 EUR
600+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT60TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO-247G
Power - Max: 194 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Part Status: Active
Gate Charge: 58 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.62 EUR
10+13.58 EUR
100+10.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT60TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 90 Stücke:
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11+16.04 EUR
16+10.95 EUR
50+8.66 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT60TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.03 EUR
50+4.77 EUR
100+4.51 EUR
250+4.28 EUR
500+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT60TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGT60TS65DGC13 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.29 EUR
20+11.77 EUR
100+10.63 EUR
500+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT60TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 30A TRNCH
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.77 EUR
10+13.7 EUR
100+10.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT80TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 234 W
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT80TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 40A IGBT Stop Trench
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT80TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.68 EUR
25+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT80TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 40A TRNCH
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.24 EUR
10+15.46 EUR
100+11.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT80TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.52 EUR
53+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT80TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGT80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.65 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 70A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.42 EUR
17+13.8 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT80TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247G
Power - Max: 234 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Part Status: Active
Gate Charge: 79 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.66 EUR
10+15.74 EUR
100+11.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT8BM65DGTL1ROHMDescription: ROHM - RGT8BM65DGTL1 - IGBT, 12 A, 1.65 V, 62 W, 650 V, TO-252GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252GE
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.18 EUR
106+2.02 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT8BM65DGTL1Rohm SemiconductorDescription: SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V 4A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-252GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 62 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT8BM65DGTL1ROHMDescription: ROHM - RGT8BM65DGTL1 - IGBT, 12 A, 1.65 V, 62 W, 650 V, TO-252GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252GE
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.34 EUR
73+3.18 EUR
106+2.02 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT8BM65DGTL1ROHM SemiconductorIGBT Transistors 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 4A, FRD Built-in, TO-252, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3 EUR
10+2.45 EUR
100+1.92 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.32 EUR
2500+1.25 EUR
5000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT8BM65DGTL1Rohm SemiconductorDescription: SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V 4A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-252GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 62 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
10+2.67 EUR
25+2.53 EUR
100+2.08 EUR
250+1.94 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT8BM65DTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-252
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 62 W
auf Bestellung 2140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.27 EUR
10+3.55 EUR
100+2.82 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT8BM65DTLROHM SemiconductorIGBTs 650V 4A IGBT Stop Trench
auf Bestellung 2141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+3.53 EUR
100+2.48 EUR
500+2.07 EUR
1000+2.05 EUR
2500+1.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT8BM65DTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-252
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 62 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT8NL65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.09 EUR
10+3.3 EUR
100+2.27 EUR
500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT8NL65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT8NL65DGTL - IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT8NL65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGT8NL65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT8NL65DGTL - IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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RGT8NL65DGTLROHM SemiconductorIGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 4A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+2.89 EUR
100+2.18 EUR
500+1.87 EUR
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RGT8NS65DROHM Semiconductor
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RGT8NS65DGC9ROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 4A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RGT8NS65DGC9ROHMDescription: ROHM - RGT8NS65DGC9 - IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-262
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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