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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N60to-220/fAAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N60 AATTO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2N60-B
auf Bestellung 10000 Stücke:
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2N600MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
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2N6004FSC
auf Bestellung 2100 Stücke:
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2N600AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
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2N601MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
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2N601AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N602MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
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2N6025ON09+
auf Bestellung 58 Stücke:
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2N6027Solid State Inc.Description: PUT TO92
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
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2N6027onsemiBipolar Transistors - BJT 40V 300mW PUT
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2N6027ON
auf Bestellung 2000 Stücke:
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2N6027 APM PBFREECentral SemiconductorSilicon Programmable Unijunction Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40V,150mA Through-Hole Programmable UJT
auf Bestellung 5475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.33 EUR
10+4.82 EUR
100+3.58 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.87 EUR
10000+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40V,150mA Through-Hole Programmable UJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 APP PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.87 EUR
10+4.5 EUR
100+3.31 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.78 EUR
2000+2.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 APP PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 APP TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 PBFREECentral SemiconductorThyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 Box
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction
auf Bestellung 14334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.14 EUR
10+4.66 EUR
100+3.28 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.49 EUR
2500+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 PBFREECentral Semiconductor Corp.Programmable Unijunction Transistor (UJT) 40V 300 mW TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA). Аналог: N13T1 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 PBFREECentral SemiconductorThyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Active
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
auf Bestellung 4203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.25 EUR
10+4.75 EUR
100+3.32 EUR
500+2.71 EUR
1000+2.52 EUR
2500+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 TIN/LEADCentral SemiconductorThyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vg
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 TRA PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 TRA PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 TRA TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 TRB PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 TRB TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 TRB TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 TRE PBFREECentral SemiconductorSilicon Programmable Unijunction Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.38 EUR
10+4.82 EUR
100+3.61 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.81 EUR
2000+2.57 EUR
4000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40V,150mA Through-Hole Programmable UJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027GOn SemiconductorPUT TO-92 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027GonsemiDescription: TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027GonsemiBipolar Transistors - BJT 40V 300mW PUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027G
Produktcode: 28415
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ONThyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-92
Sperrspannung Uzu, V: 40 V
Durchlassstrom I-auf, mA: 0,15 mA
Maximalstrom Imax, A: 0,5 A
Angaben: Unijunction-Transistor
verfügbar: 30 St.
  • 30 St. - stock Köln
1+0.39 EUR
10+0.36 EUR
100+0.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027G-T92-BUTCPUT 40V 70mA 350mW *obsolete* 2N6027G, 2N6027RL1G, 2N6027RLRAG 2N6027 T2N6027
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027G-T92-BUTCPUT 40V 70mA 350mW *obsolete* 2N6027G, 2N6027RL1G, 2N6027RLRAG 2N6027 T2N6027
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027RL1onsemiDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027RL1GonsemiDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027RLRAonsemiDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Power Dissipation (Max): 300 mW
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Part Status: Obsolete
Current - Valley (Iv): 50 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Peak: 2 µA
Voltage: 40V
Voltage - Output: 11V
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6027RLRAGonsemiDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6028NTE Electronics, Inc.Thyristor UJT 40V 5A 3-Pin TO-92
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.33 EUR
250+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6028On SemiconductorПрограммируемый однопереходный транзистор (PUT), 40V, 0.3Вт, TO-92 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6028onsemiBipolar Transistors - BJT 40V 300mW PUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6028CentralsemiTO-92 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6028Solid State Inc.Description: PUT TO92
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Box
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6028MOTOROLACAN
auf Bestellung 50030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6028 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40V,150mA Through-Hole Programmable UJT
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.33 EUR
10+4.82 EUR
100+3.58 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.78 EUR
2000+2.51 EUR
4000+2.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6028 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6028 APM PBFREECentral SemiconductorSilicon Programmable Unijunction Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6028 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40V,150mA Through-Hole Programmable UJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6028 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6028 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction
auf Bestellung 615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.25 EUR
10+4.76 EUR
100+3.33 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.53 EUR
2500+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6028 PBFREECentral SemiconductorThyristor PUT 40V 5A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6028 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Part Status: Active
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
auf Bestellung 4384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.38 EUR
10+4.83 EUR
100+3.38 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.57 EUR
2500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6028 PBFREECentral SemiconductorThyristor PUT 40V 5A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6028 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6028 TIN/LEADCentral SemiconductorThyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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2N6028 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vg
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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2N6028 TRE PBFREECentral SemiconductorThyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N6028 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vak 50mA 300mW
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2N6028 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N6028 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40V,150mA Through-Hole Programmable UJT
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6028 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N6028GonsemiBipolar Transistors - BJT 40V 300mW PUT
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2N6028GOn SemiconductorПрограммируемый однопереходный транзистор (PUT), 40V, 0.3Вт, TO-92 Транзистори
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2N6028GonsemiDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
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2N6028G (2N6028)
Produktcode: 28416
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Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-92
Sperrspannung Uzu, V: 40 V
Durchlassstrom I-auf, mA: 0,15 mA
Maximalstrom Imax, A: 0,5 A
Angaben: Unijunction-Transistor
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2N6028LOSEOn SemiconductorПрограммируемый однопереходный транзистор (PUT), 40V, 0.3Вт, TO-92 Транзистори
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2N6028RLRAonsemiDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Power Dissipation (Max): 300 mW
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Part Status: Obsolete
Current - Valley (Iv): 25 µA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Peak: 150 nA
Voltage: 40V
Voltage - Output: 11V
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6028RLRAOn SemiconductorПрограммируемый однопереходный транзистор (PUT), 40V, 0.3Вт, TO-92 Транзистори
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2N6028RLRAON05+06+
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N6028RLRAGonsemiDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Power Dissipation (Max): 300 mW
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Part Status: Obsolete
Current - Valley (Iv): 25 µA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Peak: 150 nA
Voltage: 40V
Voltage - Output: 11V
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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2N6028RLRAGOn SemiconductorПрограммируемый однопереходный транзистор (PUT), 40V, 0.3Вт, TO-92 Транзистори
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2N6028RLRMGonsemiDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6028RLRPonsemiDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
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2N6028RLRPGonsemiDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
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2N6029Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N6029Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 100V 16A TO204AA
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N6029MOT01+ TO-3
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N6029 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Pwr
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 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6029 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 100Vcbo 100Vceo 7.0Vebo 16A 200W
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 Mindestbestellmenge: 180 Stücke
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2N602AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N603MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N6030Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 120V 16A TO204AA
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6030MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6030Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 120V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6030Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6031MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6031Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 140V 16A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6031Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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