Produkte > 2N6
Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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2N60 | to-220/f | AAT | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N60 | N/A | 09+ | auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N60 AAT | TO-220/F 08+ | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N60-B | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
2N600 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6004 | FSC | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N600A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N601 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N601A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N602 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6025 | ON | 09+ | auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6027 | Solid State Inc. | Description: PUT TO92 Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027 | MOT | CAN | auf Bestellung 397 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6027 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW PUT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027 | ON | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6027 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Programmable UJT | auf Bestellung 7164 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6027 APM PBFREE | Central Semiconductor | Silicon Programmable Unijunction Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Programmable UJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027 APP PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027 PBFREE | Central Semiconductor | Thyristor Diode PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction | auf Bestellung 50113 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6027 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Part Status: Active Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027 PBFREE | Central Semiconductor | Thyristor Diode PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vg | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027 TRA PBFREE | Central Semiconductor | Through-Hole-Programmable UJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027 TRA PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027 TRB PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027 TRB TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Silicon Programmable Unijunction Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027 TRE PBFREE | Central Semiconductor | 2N6027 TRE PBFREE | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Silicon Programmable Unijunction Transistors | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6027 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Programmable UJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027G | ON Semiconductor | Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW PUT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027G | onsemi | Description: TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92 Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027G Produktcode: 28415 | ON | Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors Gehäuse: TO-92 U,zu,V: 40V I-auf,mA: 0,15mA Imax,A: 0,5A Angaben: Unijunktionstransistor | verfügbar 30 Stück: |
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2N6027G-T92-B | UTC | PUT 40V 70mA 350mW *obsolete* 2N6027G, 2N6027RL1G, 2N6027RLRAG 2N6027 T2N6027 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6027G-T92-B | UTC | PUT 40V 70mA 350mW *obsolete* 2N6027G, 2N6027RL1G, 2N6027RLRAG 2N6027 T2N6027 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6027RL1 | onsemi | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027RL1G | onsemi | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027RL1G | ON Semiconductor | Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027RLRA | onsemi | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027RLRAG | ON Semiconductor | Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6027RLRAG | onsemi | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6028 | ON | TO92 09+ | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6028 | Solid State Inc. | Description: PUT TO92 Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active | auf Bestellung 4050 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6028 | NTE Electronics, Inc. | Thyristor UJT 40V 5A 3-Pin TO-92 | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6028 | MOTOROLA | CAN | auf Bestellung 50030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6028 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW PUT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6028 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Programmable UJT | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6028 APM PBFREE | Central Semiconductor | Silicon Programmable Unijunction Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6028 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Programmable UJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6028 PBFREE | Central Semiconductor | Thyristor PUT 40V 5A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6028 PBFREE | Central Semiconductor | Thyristor PUT 40V 5A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6028 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction | auf Bestellung 9439 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6028 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 150 nA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Valley (Iv): 25 µA Part Status: Active Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6028 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vg | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6028 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6028 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6028 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vak 50mA 300mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6028 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Programmable UJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6028G | onsemi | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 150 nA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Valley (Iv): 25 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6028G | ON Semiconductor | Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6028G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW PUT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6028G Produktcode: 28416 | Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors Gehäuse: TO-92 U,zu,V: 40V I-auf,mA: 0,15mA Imax,A: 0,5A Angaben: Unijunktionstransistor | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
2N6028RLRA | onsemi | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 150 nA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Valley (Iv): 25 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6028RLRA | ON | 05+06+ | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6028RLRAG | ON Semiconductor | Thyristor Diode PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6028RLRAG | onsemi | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 150 nA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Valley (Iv): 25 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6028RLRMG | ON Semiconductor | Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 Fan-Fold | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6028RLRMG | onsemi | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 150 nA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Valley (Iv): 25 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6028RLRMG | ON Semiconductor | Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 Fan-Fold | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6028RLRP | onsemi | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 150 nA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Valley (Iv): 25 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6028RLRPG | ON Semiconductor | Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 Fan-Fold | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6028RLRPG | onsemi | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 150 nA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Valley (Iv): 25 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6029 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6029 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 200 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6029 | MOT | 01+ TO-3 | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6029 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6029 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Pwr | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6029 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 100Vcbo 100Vceo 7.0Vebo 16A 200W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N602A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N602A | MOT | CAN | auf Bestellung 469 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N603 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6030 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6030 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6030 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6030 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 120V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6031 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 200 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6031 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 140V 16A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6031 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 140V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6031 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6031 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6031 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6031 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6032 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6032 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 90V NPN Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6032 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 5A, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50A, 2.6V Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V Power - Max: 140 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6033 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6033 | Microchip Technology / Atmel | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6033 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 4A, 40A Current - Collector Cutoff (Max): 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 40A, 2V Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 140 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6033 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 120V NPN Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6034 | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 40V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6034 | CDIL | Category: PNP THT Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 40V; 4A; 1.5/40W; TO126 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 4A Power dissipation: 1.5/40W Case: TO126 Pulsed collector current: 8A Current gain: 100...15000 Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 1785 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6034 | onsemi | Darlington Transistors 4A 40V Bipolar | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6034 | ON | 09+ | auf Bestellung 11118 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6034 | CDIL | Category: PNP THT Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 40V; 4A; 1.5/40W; TO126 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 4A Power dissipation: 1.5/40W Case: TO126 Pulsed collector current: 8A Current gain: 100...15000 Mounting: THT Kind of package: tube | auf Bestellung 1785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6034 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors PNP Darlington | auf Bestellung 671 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6034 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 4.0A 40W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6034G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6034G | onsemi | Darlington Transistors 4A 40V Bipolar Power PNP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6034G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6034G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6034G | ONSEMI | Category: PNP THT Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 40V; 4A; 40W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 4A Power dissipation: 40W Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6034G | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 40V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6034G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6034G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6034G | ONSEMI | Category: PNP THT Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 40V; 4A; 40W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 4A Power dissipation: 40W Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6034G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6034G - Darlington-Transistor, PNP, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | auf Bestellung 11730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6035 | CDIL | Category: PNP THT Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 4A; 1.5/40W; TO126 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 4A Power dissipation: 1.5/40W Case: TO126 Pulsed collector current: 8A Current gain: 100...15000 Mounting: THT Kind of package: tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6035 | STMicroelectronics | Darlington Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6035 | CDIL | Category: PNP THT Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 4A; 1.5/40W; TO126 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 4A Power dissipation: 1.5/40W Case: TO126 Pulsed collector current: 8A Current gain: 100...15000 Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6035 | onsemi | Darlington Transistors 4A 60V Bipolar | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6035 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors PNP Pwr Darlington | auf Bestellung 443 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6035 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors PNP 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 4.0A 40W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6035G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6035G | onsemi | Darlington Transistors 4A 60V Bipolar Power PNP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6035G | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 60V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6035G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6035G | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 60V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 40 W | auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6036 | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6036 | STMicroelectronics | Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6036 | CDIL | Category: PNP THT Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 4A; 1.5/40W; TO126 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 4A Power dissipation: 1.5/40W Case: TO126 Pulsed collector current: 8A Current gain: 100...15000 Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 1325 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6036 | STMicroelectronics | Darlington Transistors PNP Darlington | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6036 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP DARL 80V 4A SOT32 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Supplier Device Package: SOT-32 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6036 | STMicroelectronics | Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6036 | CDIL | Category: PNP THT Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 4A; 1.5/40W; TO126 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 4A Power dissipation: 1.5/40W Case: TO126 Pulsed collector current: 8A Current gain: 100...15000 Mounting: THT Kind of package: tube | auf Bestellung 1325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6036 | onsemi | Darlington Transistors 4A 80V Bipolar | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6036 Produktcode: 44112 | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: SOT-32 U, V: 80 U, V: 80 I, А: 4 h21,max: 100 | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
2N6036-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Darlington Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6036-AP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6036-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Darlington Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6036-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Darlington Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6036G | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6036G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6036G | ONSEMI | Category: PNP THT Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 4A; 40W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 4A Power dissipation: 40W Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6036G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6036G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6036G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 100 Verlustleistung Pd: 1.5 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-225 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 4 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6036G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6036G | ONSEMI | Category: PNP THT Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 4A; 40W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 4A Power dissipation: 40W Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6036G | onsemi | Darlington Transistors 4A 80V Bipolar Power PNP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6037 | ON | 09+ | auf Bestellung 10748 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6037 | CENTRAL | 0105 | auf Bestellung 3457 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6037 | N/A | 99+ | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6037 | CDIL | Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 4A; 1.5/40W; TO126 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 4A Power dissipation: 1.5/40W Case: TO126 Pulsed collector current: 8A Current gain: 100...15000 Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6037 | CDIL | Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 4A; 1.5/40W; TO126 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 4A Power dissipation: 1.5/40W Case: TO126 Pulsed collector current: 8A Current gain: 100...15000 Mounting: THT Kind of package: tube | auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6037 | MOT | n/a | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6037 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN Pwr Darlington | auf Bestellung 319 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6037 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 4.0A 40W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6037 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Complementary Silicon Darlington Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6038 | STMicroelectronics | Darlington Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6038 | CDIL | Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 4A; 1.5/40W; TO126 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 4A Power dissipation: 1.5/40W Case: TO126 Pulsed collector current: 8A Current gain: 100...15000 Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 1810 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6038 | CDIL | Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 4A; 1.5/40W; TO126 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 4A Power dissipation: 1.5/40W Case: TO126 Pulsed collector current: 8A Current gain: 100...15000 Mounting: THT Kind of package: tube | auf Bestellung 1810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6038 | onsemi | Darlington Transistors 4A 60V Bipolar | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6038 | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 60V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6038 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN Pwr Darlington | auf Bestellung 694 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6038 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 4.0A 40W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6038G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 60V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 40 W | auf Bestellung 19514 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6038G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6038G - TRANSISTOR, NPN, 60V, 4A, TO-225AA tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 19514 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6038G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 60V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6038G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6038G Produktcode: 167160 | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
2N6038G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6038G | onsemi | Darlington Transistors 4A 60V Bipolar Power NPN | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6039 | NTE Electronics, Inc. | Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6039 | CDIL | Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 4A; 1.5/40W; TO126 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 4A Power dissipation: 1.5/40W Case: TO126 Pulsed collector current: 8A Current gain: 100...15000 Mounting: THT Kind of package: tube | auf Bestellung 1655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6039 | onsemi | Darlington Transistors 4A 80V Bipolar | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6039 | STMicroelectronics | Darlington Transistors NPN Darlington | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6039 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN DARL 80V 4A SOT32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Supplier Device Package: SOT-32-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6039 | CDIL | Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 4A; 1.5/40W; TO126 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 4A Power dissipation: 1.5/40W Case: TO126 Pulsed collector current: 8A Current gain: 100...15000 Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 1655 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6039 PBFREE | Central Semiconductor | Trans Darlington NPN 80V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6039 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN Darlington | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6039 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 4.0A 40W | auf Bestellung 614 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6039G Produktcode: 163221 | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
2N6039G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 80V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6039G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6039G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6039G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6039G - TRANSISTOR, NPN, 80V, 4A, TO-225 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6039G | onsemi | Darlington Transistors 4A 80V Bipolar Power NPN | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N603A | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
2N604 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6040 | onsemi | Darlington Transistors 8A 60V Bipolar | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6040 | Solid State Inc. | Description: TRANS PNP DARL 60V 8A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6040 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors PNP Darl SW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6040G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 60V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6040G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6040G - TRANSISTOR, PNP, -60C, -8A, TO-220 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6040G | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 60V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6040G | onsemi | Darlington Transistors 8A 60V Bipolar Power PNP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6040G Produktcode: 148657 | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
2N6040G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 60V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6041 | Solid State Inc. | Description: TRANS PNP DARL 80V 8A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 75 W | auf Bestellung 4830 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6041 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors PNP Darl SW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6041 PBFREE | Central Semiconductor | Trans Darlington PNP 80V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6041 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 75 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6041 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 8.0A 75W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6042 | Solid State Inc. | Description: TRANS PNP DARL 100V 8A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 75 W | auf Bestellung 3670 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6042 | onsemi | Darlington Transistors 8A 100V Bipolar | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6042 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors PNP Darl SW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6042 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors PNP 100Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 8.0A 75W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6042G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6042G | onsemi | Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6042G Produktcode: 124248 | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
2N6042G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6042G | ONSEMI | Category: PNP THT Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 75W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6042G | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 75 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6043 | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 60V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6043 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6043 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
2N6043 | onsemi | Darlington Transistors 8A 60V Bipolar | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6043 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN Darl SW | auf Bestellung 487 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6043 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 8.0A 75W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6043G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6043G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6043G | ONSEMI | Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 8A; 75W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 8A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6043G | onsemi | Darlington Transistors 8A 60V Bipolar Power NPN | auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6043G | ONSEMI | Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 8A; 75W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 8A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube | auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6043G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6043G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6043G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 60V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W | auf Bestellung 1277 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6043G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6043G - Darlington-Transistor, NPN, 60 V, 75 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 75W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 507 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6044 | SOLID STATE | Description: SOLID STATE - 2N6044 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 0 Qualifikation: 0 Dauer-Kollektorstrom: 0 MSL: 0 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 0 euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: 0 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 0 Anzahl der Pins: 0 Produktpalette: 0 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 0 Übergangsfrequenz: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6044 | Solid State Inc. | Description: TRANS NPN DARL 80V 8A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 75 W | auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6044 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN Darl Pwr | auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6044 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 8.0A 75W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6045 | onsemi | Darlington Transistors 8A 100V Bipolar | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6045 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N6045 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 75 W, 16 A, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 75W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 16A Betriebstemperatur, max.: 150°C | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6045 | Solid State Inc. | Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 75 W | auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6045 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6045 | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 75 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6045 | ON | 07+; | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6045 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN Darl SW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6045 PBFREE | Central Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6045 TIN/LEAD | Central Semiconductor | 2N6045 TIN/LEAD | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6045 TIN/LEAD | Central Semiconductor | 2N6045 TIN/LEAD | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6045 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN 100Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 8.0A 75W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6045-AP | Micro Commercial Co | Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -60°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 75 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6045-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6045G | onsemi | Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN | auf Bestellung 6400 Stücke: Lieferzeit 283-297 Tag (e) |
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2N6045G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6045G | ONSEMI | Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 75W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6045G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6045G | ONSEMI | Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 75W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6045G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 75 W | auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6046 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-63 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 114 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6046 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6047 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-63 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 114 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6047 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6048 | Microchip Technology | Description: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6048 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6049 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6049 | Solid State Inc. | Description: TRANS PNP 55V 4A TO66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 800mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-66 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V Power - Max: 75 W | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6049 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6049 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 55V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-66 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6049 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 4.0A 75W 90Vcbo 55Vceo 0.5A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6049 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 4.0A 75W 90Vcbo 55Vceo 0.5A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N604A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N604A | MOT | CAN | auf Bestellung 391 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N604L | INFINEON | 09+ SOP8 | auf Bestellung 12200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N604L | Infineon | 09+ | auf Bestellung 2518 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N604L | N/A | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N604L | INFINEON | auf Bestellung 2298 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N604L . | 09+ | auf Bestellung 3400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N605 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N605 | MOT | CAN | auf Bestellung 619 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6050 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6050 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6050 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6050 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 24mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6050 | MOT | 01+ TO-3 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6050 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors PNP Pwr Darlington | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6050 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors PNP 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 12A 150W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6051 | CDIL | Category: PNP THT Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 12A; 150W; TO3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 12A Power dissipation: 150W Case: TO3 Current gain: 100...18000 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 4MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6051 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6051 | Microchip Technology | Trans Darlington PNP 80V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6051 | CDIL | Category: PNP THT Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 12A; 150W; TO3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 12A Power dissipation: 150W Case: TO3 Current gain: 100...18000 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 4MHz | auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6051 | Microchip Technology | Description: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6051 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6051 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N6051 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 12 A, 150 W, TO-3, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 12A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6051 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors PNP Darlington | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6051 PBFREE | Central Semiconductor | Trans Darlington PNP 80V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6051 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 12A 150W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6051.. | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N6051.. - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 80 V, 150 W, 12 A, TO-3, 2 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 18000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 12A Betriebstemperatur, max.: 200°C | auf Bestellung 267 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6052 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6052 | Microchip Technology | Description: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6052 | Microchip Technology | Trans Darlington PNP 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6052 | MOT | 01+ TO-3 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6052 | Microchip Technology | Trans Darlington PNP 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6052 | NTE Electronics, Inc. | Trans Darlington PNP 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6052 | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 12A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 150 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6052 | MOT | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6052 | ST | 09+ | auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6052 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 100V 12A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 150 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6052 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors PNP Pwr Darlington | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6052 PBFREE | Central Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6052 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors PNP 100Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 12A 150W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6052G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6052G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6052G | onsemi | Darlington Transistors 12A 100V Bipolar Power PNP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6052G | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 12A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 150 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6053 | Microchip Technology | Darlington Transistors Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6053 | ON | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6053 | Microchip Technology / Atmel | Bipolar Transistors - BJT 680Vcbo 80Vceo 5.0V 8.0A Ic 16A Icm 100W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6053 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6053 | MOT | 01+ TO-3 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6053 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors PNP 60Vcbo 60Vceo Complemenary 8A 100W | auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6054 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6054 | MOT | 01+ TO-3 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6055 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6055 | MOT | 01+ TO-3 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6055 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 60V 8A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 100 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6055 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN Pwr Darlington | auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6055 PBFREE | Central Semiconductor | Power Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6055 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 8.0A 100W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6056 | MOT | 01+ TO-3 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6056 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6056 PBFREE | Central Semiconductor | Trans Darlington NPN 80V 8A 100000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6056 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors 680Vcbo 80Vceo 5.0V 8.0A Ic 16A Icm 100W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6056 PBFREE | Central Semiconductor | Trans Darlington NPN 80V 8A 100000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6056 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 680Vcbo 80Vceo 5.0V 8.0A Ic 16A Icm 100W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6057 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6057 | MOT | 01+ TO-3 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6057 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6057 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 24mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6057 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6057 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN Pwr Darlington | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6058 | CDIL | Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 12A; 150W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 12A Power dissipation: 150W Case: TO3 Current gain: 100...18000 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 4MHz | auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6058 | Microchip Technology | Description: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6058 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 80V 20A 150W NPN Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6058 | CDIL | Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 12A; 150W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 12A Power dissipation: 150W Case: TO3 Current gain: 100...18000 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 4MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6058 | Microchip Technology | Trans Darlington NPN 80V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6058 | Multicomp | Trans Darlington PNP 80V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 | auf Bestellung 483 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6058 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N6058 - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 150 W, 12 A, TO-3, 2 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 12A Betriebstemperatur, max.: 200°C | auf Bestellung 1549 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6058 Produktcode: 125033 | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
2N6058 PBFREE | Central Semiconductor | Trans Darlington NPN 80V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6058 PBFREE | Central Semiconductor | Trans Darlington NPN 80V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6058 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 12A 150W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6058 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 12A 150W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6059 | CDIL | Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 150W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 12A Power dissipation: 150W Case: TO3 Current gain: 100...18000 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 4MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 847 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6059 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 100V 12A 150W NPN Power BJT THT | auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6059 | Microchip Technology | Trans Darlington NPN 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6059 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN DARL 100V 12A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-3 Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 150 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6059 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N6059 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 150 W, 12 A, TO-3, 2 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 12A Betriebstemperatur, max.: 200°C | auf Bestellung 2006 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6059 | Microchip Technology | Trans Darlington NPN 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6059 Produktcode: 184091 | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-3P fT: 4 MHz Uceo,V: 100 V Ucbo,V: 100 V Ic,A: 12 A ZCODE: THT | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
2N6059 | CDIL | Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 150W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 12A Power dissipation: 150W Case: TO3 Current gain: 100...18000 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 4MHz | auf Bestellung 847 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6059 | STMicroelectronics | Trans Darlington NPN 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6059 | Microchip Technology | Description: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6059 PBFREE | Central Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N605A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N606 | MOT | CAN | auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N606 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6060 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-63 Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 262 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6060 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6061 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6061 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-63 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 262 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6062 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-63 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 150 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6062 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6063 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6063 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-63 Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 150 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6064 | MOT | CAN | auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6065 | MOT | CAN | auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6066 | MOT | CAN | auf Bestellung 627 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6067 | MOT | CAN | auf Bestellung 837 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N606A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N607 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N607 | MOT | CAN | auf Bestellung 648 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6070A | onsemi | Description: TRIAC, 100V, 2A RMS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6071A | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6071A - TRIAC, 4A 200V TO-126 tariffCode: 85413000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 213912 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6071A | ON Semiconductor | Triacs THY 4A 200V TRIAC | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6071A | auf Bestellung 586 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
2N6071A | onsemi | Description: THYRISTOR TRIAC 4A 200V TO225AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V Supplier Device Package: TO-126 Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A Voltage - Off State: 200 V | auf Bestellung 213912 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6071A PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRIAC 4A 200V TO-126 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6071A TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: TRIAC 4A 200V TO-126 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6071AG | Littelfuse | TRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6071AG | LITTELFUSE | Category: Triacs Description: Triac; 200V; 4A; TO225; Igt: 5mA; glass passivated,sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 200V Max. load current: 4A Case: TO225 Gate current: 5mA Features of semiconductor devices: glass passivated; sensitive gate Mounting: THT Kind of package: bulk Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2449 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6071AG | LITTELFUSE | Category: Triacs Description: Triac; 200V; 4A; TO225; Igt: 5mA; glass passivated,sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 200V Max. load current: 4A Case: TO225 Gate current: 5mA Features of semiconductor devices: glass passivated; sensitive gate Mounting: THT Kind of package: bulk | auf Bestellung 2449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6071AG | Littelfuse | TRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6071AG | Littelfuse | TRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 3993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6071AG | Littelfuse | TRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6071AG | Littelfuse | TRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6071AG | Littelfuse | TRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 3993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6071AG | Littelfuse | TRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6071AG | Littelfuse | Triacs THY 4A 200V TRIAC | auf Bestellung 3609 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6071AG | Littelfuse Inc. | Description: TRIAC SENS GATE 200V 4A TO225AA Packaging: Box Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V Supplier Device Package: TO-225AA Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A Voltage - Off State: 200 V | auf Bestellung 3799 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6071AG | Littelfuse | TRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6071ATG | Littelfuse | Triacs SENSITIVE GATE | auf Bestellung 967 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6071ATG | Littelfuse Inc. | Description: TRIAC SENS GATE 200V 4A TO225AA Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V Supplier Device Package: TO-225AA Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A Voltage - Off State: 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6071ATG | Littelfuse | TRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6071ATG | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6071ATG - 2N6071ATG, TRIACS tariffCode: 85413000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 4450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6071ATG | Littelfuse | TRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6071ATG | Littelfuse | TRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6071B PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRIAC 4A 200V TO-126 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6071B TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: TRIAC 4A 200V TO-126 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6071BG | Littelfuse | TRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | auf Bestellung 1185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6071BG | Littelfuse Inc. | Description: TRIAC SENS GATE 200V 4A TO225AA Packaging: Box Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 3 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V Supplier Device Package: TO-225AA Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A Voltage - Off State: 200 V | auf Bestellung 27940 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6071BG | Littelfuse | TRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6071BG | Littelfuse | TRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | auf Bestellung 651 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6071BG | Littelfuse | TRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | auf Bestellung 1185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6071BG | Littelfuse | TRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6071BG | Littelfuse | TRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | auf Bestellung 1290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6071BG | LITTELFUSE | Category: Triacs Description: Triac; 200V; 4A; TO225AA; Igt: 3mA; Ifsm: 30A; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 200V Max. load current: 4A Case: TO225AA Gate current: 3mA Max. forward impulse current: 30A Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: bulk Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6071BG | LITTELFUSE | Category: Triacs Description: Triac; 200V; 4A; TO225AA; Igt: 3mA; Ifsm: 30A; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 200V Max. load current: 4A Case: TO225AA Gate current: 3mA Max. forward impulse current: 30A Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: bulk | auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6071BG | Littelfuse | TRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | auf Bestellung 1290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6071BG | Littelfuse | Triacs Sensitive Gate | auf Bestellung 1762 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6071BT | onsemi | Description: TRIAC SENS GATE 200V 4A TO126 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 3 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V Supplier Device Package: TO-126 Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A Voltage - Off State: 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6071BTG | Littelfuse | TRIAC Diode 200V 4A(RMS) 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6071BTG | Littelfuse Inc. | Description: TRIAC SENS GATE 200V 4A TO225AA Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 3 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V Supplier Device Package: TO-225AA Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A Voltage - Off State: 200 V | auf Bestellung 789 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6071BTG | LITTELFUSE | Category: Triacs Description: Triac; 200V; 4A; TO225AA; Igt: 3mA; Ifsm: 30A; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 200V Max. load current: 4A Case: TO225AA Gate current: 3mA Max. forward impulse current: 30A Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6071BTG | LITTELFUSE | Category: Triacs Description: Triac; 200V; 4A; TO225AA; Igt: 3mA; Ifsm: 30A; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 200V Max. load current: 4A Case: TO225AA Gate current: 3mA Max. forward impulse current: 30A Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6071BTG | Littelfuse | Triacs Sensitive Gate | auf Bestellung 1340 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6071BTG | Littelfuse | TRIAC Diode 200V 4A(RMS) 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6071BTG | Littelfuse | TRIAC Diode 200V 4A(RMS) 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6073 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRIAC SENS GATE 400V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 30 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Supplier Device Package: TO-126 Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A Voltage - Off State: 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6073 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: TRIAC SENS GATE 400V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 30 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Supplier Device Package: TO-126 Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A Voltage - Off State: 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6073A | onsemi | Triacs THY 4A 400V TRIAC | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6073A | onsemi | Description: THYRISTOR TRIAC 4A 400V TO225AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V Supplier Device Package: TO-126 Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A Voltage - Off State: 400 V | auf Bestellung 392928 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6073A | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6073A - 2N6073A, TRIACS tariffCode: 85413000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 392928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6073A PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRIAC 4A 400V TO-126 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6073A TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: TRIAC SENS GATE 400V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Supplier Device Package: TO-126 Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A Voltage - Off State: 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6073AG | LITTELFUSE | Category: Triacs Description: Triac; 400V; 4A; TO225; Igt: 5mA; glass passivated,sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 4A Case: TO225 Gate current: 5mA Features of semiconductor devices: glass passivated; sensitive gate Mounting: THT Kind of package: bulk | auf Bestellung 1263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6073AG | Littelfuse | TRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6073AG | Littelfuse | TRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6073AG | Littelfuse | TRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 11004 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6073AG | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6073AG - Triac, 400 V, 4 A, TO-225, 2.5 V, 30 A, 15 mA tariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-225 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 15mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 30A MSL: - usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 2.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 110°C | auf Bestellung 44009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6073AG | onsemi | Description: TRIAC SENS GATE 400V 4A TO225-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V Supplier Device Package: TO-225-3 Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A Voltage - Off State: 400 V | auf Bestellung 44009 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6073AG | Littelfuse | TRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6073AG | Littelfuse | Triacs THY 4A 400V TRIACR | auf Bestellung 10858 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6073AG | Littelfuse | TRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6073AG | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - 2N6073AG - Triac, 400 V, 4 A, TO-225, 2.5 V, 30 A, 15 mA tariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-225 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 15mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 30A Spitzen-Durchlassspannung: 2V MSL: - usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 2.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 110°C | auf Bestellung 6877 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6073AG | Littelfuse Inc. | Description: TRIAC SENS GATE 400V 4A TO225AA Packaging: Box Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V Supplier Device Package: TO-225AA Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A Voltage - Off State: 400 V | auf Bestellung 5765 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6073AG | Littelfuse | TRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6073AG | Littelfuse | TRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6073AG | LITTELFUSE | Category: Triacs Description: Triac; 400V; 4A; TO225; Igt: 5mA; glass passivated,sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 4A Case: TO225 Gate current: 5mA Features of semiconductor devices: glass passivated; sensitive gate Mounting: THT Kind of package: bulk Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1263 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6073B | ON | 09+ | auf Bestellung 10018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6073B | ON | auf Bestellung 38889 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6073B PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRIAC SENS GATE 400V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Supplier Device Package: TO-126 Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A Voltage - Off State: 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6073B TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: TRIAC SENS GATE 400V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Supplier Device Package: TO-126 Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A Voltage - Off State: 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6073BG Produktcode: 169009 | Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
2N6073BG | Littelfuse | TRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | auf Bestellung 965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6073BG | Littelfuse Inc. | Description: TRIAC SENS GATE 400V 4A TO225AA Packaging: Box Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 3 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V Supplier Device Package: TO-225AA Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A Voltage - Off State: 400 V | auf Bestellung 30538 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6073BG | Littelfuse | Triacs Sensitive Gate | auf Bestellung 2692 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6073BG | Littelfuse | TRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6073BG | Littelfuse | TRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6073BG | LITTELFUSE | Category: Triacs Description: Triac; 400V; 4A; TO225; Igt: 3mA; glass passivated,sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 4A Case: TO225 Gate current: 3mA Features of semiconductor devices: glass passivated; sensitive gate Mounting: THT Kind of package: bulk | auf Bestellung 435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6073BG | Littelfuse | TRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6073BG | LITTELFUSE | Category: Triacs Description: Triac; 400V; 4A; TO225; Igt: 3mA; glass passivated,sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 4A Case: TO225 Gate current: 3mA Features of semiconductor devices: glass passivated; sensitive gate Mounting: THT Kind of package: bulk Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 435 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6073BG | Littelfuse | TRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | auf Bestellung 965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6073BG; 400V; 4A; 3mA; корпус: TO-126 (TO-225); LITTELFUSE | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
2N6075 | ON | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6075A | ON | 05+06+ | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6075A | ON | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6075A | onsemi | Triacs THY 4A 600V TRIAC | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6075A PBFREE | Central Semiconductor | Triacs . . | auf Bestellung 564 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6075A PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRIAC SENS GATE 600V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A Voltage - Off State: 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6075A TIN/LEAD | Central Semiconductor | Triacs Sensitive Gate Triac 600Vdrm 4.0A Rms | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6075A TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: TRIAC SENS GATE 600V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A Voltage - Off State: 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6075AG | Littelfuse Inc. | Description: TRIAC SENS GATE 600V 4A TO225AA Packaging: Box Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V Supplier Device Package: TO-225AA Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A Voltage - Off State: 600 V | auf Bestellung 10492 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6075AG | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - 2N6075AG - Triac, 600 V, 4 A, TO-225, 2.5 V, 30 A, 15 mA tariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-225 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 15mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 30A Spitzen-Durchlassspannung: 2V MSL: - usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 2.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 110°C SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6075AG | Littelfuse | TRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 27546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6075AG | Littelfuse | TRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 1775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6075AG | LITTELFUSE | Category: Triacs Description: Triac; 600V; 4A; TO225; Igt: 5mA; glass passivated,sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 4A Case: TO225 Gate current: 5mA Features of semiconductor devices: glass passivated; sensitive gate Mounting: THT Kind of package: bulk | auf Bestellung 1615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6075AG | Littelfuse | TRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 27546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6075AG | LITTELFUSE | Triac; It=4A; Vdrm=600V; Igt=10mA 2N6075AG 2N6075A TR0042n6075a Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6075AG | Littelfuse | TRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6075AG | Littelfuse | TRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6075AG | Littelfuse | Triacs Sensitive Gate | auf Bestellung 3169 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6075AG | Littelfuse | TRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6075AG | Littelfuse | TRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 1775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6075AG | LITTELFUSE | Category: Triacs Description: Triac; 600V; 4A; TO225; Igt: 5mA; glass passivated,sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 4A Case: TO225 Gate current: 5mA Features of semiconductor devices: glass passivated; sensitive gate Mounting: THT Kind of package: bulk Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1615 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6075AG | Littelfuse | TRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | auf Bestellung 27546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6075B | onsemi | Triacs THY 4A 600V TRIAC | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6075B | onsemi | Description: THYRISTOR TRIAC 4A 600V TO225AA | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6075B Produktcode: 173157 | Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
2N6075B | ON | auf Bestellung 38889 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6075B PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRIAC SENS GATE 600V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Supplier Device Package: TO-126 Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A Voltage - Off State: 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6075B TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: TRIAC SENS GATE 600V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Supplier Device Package: TO-126 Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A Voltage - Off State: 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6075BG | Littelfuse | TRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | auf Bestellung 4809 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6075BG | Littelfuse | TRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6075BG | LITTELFUSE | Triac; It=4A; Vdrm=600V; Igt=5mA 2N6075BG 2N6075B TR0042n6075b Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6075BG | Littelfuse | TRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6075BG | Littelfuse | TRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | auf Bestellung 4809 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6075BG | Littelfuse Inc. | Description: TRIAC SENS GATE 600V 4A TO225AA Packaging: Box Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 3 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V Supplier Device Package: TO-225AA Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A Voltage - Off State: 600 V | auf Bestellung 9449 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6075BG | Littelfuse | TRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | auf Bestellung 4809 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6075BG | LITTELFUSE | Category: Triacs Description: Triac; 600V; 4A; TO225; Igt: 3mA; glass passivated,sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 4A Case: TO225 Gate current: 3mA Features of semiconductor devices: glass passivated; sensitive gate Mounting: THT Kind of package: bulk Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2130 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6075BG | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - 2N6075BG - Triac, 600 V, 4 A, TO-225, 2.5 V, 30 A, 15 mA tariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-225 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 15mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 30A Spitzen-Durchlassspannung: 2V MSL: - usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 2.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 110°C | auf Bestellung 1003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6075BG | Littelfuse | TRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6075BG | Littelfuse | TRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6075BG | LITTELFUSE | Category: Triacs Description: Triac; 600V; 4A; TO225; Igt: 3mA; glass passivated,sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 4A Case: TO225 Gate current: 3mA Features of semiconductor devices: glass passivated; sensitive gate Mounting: THT Kind of package: bulk | auf Bestellung 2130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6075BG | Littelfuse | Triacs Sensitive Gate | auf Bestellung 11964 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6075BG | Littelfuse | TRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6075BG | Littelfuse | TRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6076 | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 25V 0.5A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 36106 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6076 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6076 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 36106 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6076 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6076 | MOT | CAN | auf Bestellung 461 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6076 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6076 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6076 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Lo Noise | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6076 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 100mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6076 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6076 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6076_D26Z | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 0.5A TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6076_D27Z | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 0.5A TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6076_D75Z | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 0.5A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6077 | Microsemi | Trans GP BJT NPN 275V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-66 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6077 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6077-QR-B | Welwyn Components / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT BACK OF CLASS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6077-QR-B | Semelab (TT electronics) | Trans GP BJT NPN 275V 7A 45000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6078 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200µA, 1.2mA Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 45 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6078 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6078 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6079 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6079 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6079 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200µA, 1.2mA Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 45 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N607A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N608 | MOT | CAN | auf Bestellung 913 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N608 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6080 | MOT | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6081 | MOTOROLA | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6082 | MOTOROLA | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6083 | MOTOROLA | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6084 | MOTOROLA | auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6085 | MOT | CAN | auf Bestellung 843 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6086 | MOT | CAN | auf Bestellung 691 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6087 | MOT | CAN | auf Bestellung 466 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6088 | MOT | CAN | auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6089 | MOT | CAN | auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N608A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N609 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N609 | MOT | CAN | auf Bestellung 827 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6090 | MOT | CAN | auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6090 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6091 | MOT | CAN | auf Bestellung 318 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6091 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6092 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6092 | MOT | CAN | auf Bestellung 617 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6093 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6097 | MOTO | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6099 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6099 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6099 LEADFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purp Power | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6099 LEADFREE | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6099 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purp Power | auf Bestellung 1811 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6099 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 60V 10A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6099 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 10A 75W 70Vcbo 60Vceo 10A 5.0MHz | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N609A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N60A | CAN | auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N60B | CAN | auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N60B Produktcode: 56361 | Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 600 Idd,A: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
2N60C | CAN | auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N60E | PH | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N60L | UTC | auf Bestellung 65000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N60L-A | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
2N60L-B | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
2N61 | CAN | auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N610 | MOT | CAN | auf Bestellung 541 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N610 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6100 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6100 (TO-220) Produktcode: 72867 | Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
2N6101 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 1.8/75W; TO220 Mounting: THT Case: TO220 Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 70V Current gain: 20...80 Collector current: 10A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1.8/75W Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6101 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 1.8/75W; TO220 Mounting: THT Case: TO220 Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 70V Current gain: 20...80 Collector current: 10A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1.8/75W Polarisation: bipolar | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6102 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6103 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6104 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6106 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6107 | ARK | PNP 7A 70V 40W 2N6107 T2N6107 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 1520 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6107 | onsemi | Description: TRANS PNP 70V 7A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6107 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 7A 70V 40W PNP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6107 | CDIL | PNP 7A 70V 40W 2N6107 T2N6107 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6107 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N6107 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 70 V, 7 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6107 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6107 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Med Power | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6107 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 70V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6107 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 70V 7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6107 SL PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80Vcbo 70Vceo 5V 7.0A 10A Icm 40W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6107 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 70Vceo 5.0Vebo 7.0A 40W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6107-AP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PNP 70V 7A TO220AB Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6107G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 70V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6107G | onsemi | Description: TRANS PNP 70V 7A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6107G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 70V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6107G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 7A 70V 40W PNP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6107G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 70V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6107G | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 70V; 7A; 40W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 70V Collector current: 7A Power dissipation: 40W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 10MHz | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6108 | Harris Corporation | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6109 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6109 - 2N6109, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3609 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6109 | CDIL | PNP 7A 50V 40W (=BDP284) 2N6109 T2N6109 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6109 | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 7A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6109 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N6109 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 7 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6109 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS PNP 50V 7A TO220 Packaging: Bag Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 40 W | auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6109 Produktcode: 173158 | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
2N6109 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6109 | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 7A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 40 W | auf Bestellung 3609 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6109 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 7A 50V 40W PNP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6109 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 50V 7A TO220-3 Packaging: Box Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 40 W | auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6109 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Med Power | auf Bestellung 454 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6109 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6109 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 50Vceo 5.0Vebo 7.0A 40W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6109G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6109G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 7A 50V 40W PNP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6109G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6109G - TRANSISTOR, BIPOL, PNP, 50V, TO-220-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 9126 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6109G | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 7A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6109G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N610A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N611 | MOT | CAN | auf Bestellung 918 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N611 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6110 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6111 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6111 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 30V 7A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6111 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 30V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6111 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 7A 30V 40W PNP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6111 | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 7A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6111 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6111G | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 7A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 40 W | auf Bestellung 56401 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6111G Produktcode: 140236 | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
2N6111G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 7A 30V 40W PNP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6111G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6111G - TRANSISTOR, PNP, -30V, -7A, TO-220AB tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 56449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6111G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6111G | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 7A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6111G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6111G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6112 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6113 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6114 | MOT | CAN | auf Bestellung 728 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6115 | MOT | CAN | auf Bestellung 318 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6116 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6116 | VISHAY | CAN | auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6117 | MOT | CAN | auf Bestellung 288 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6117 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6118 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6118 | MOT | CAN | auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6119 | MOT | CAN | auf Bestellung 495 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6119 | MOT | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N611A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N612 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N612 | MOT | CAN | auf Bestellung 329 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6120 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6120 | MOT | CAN | auf Bestellung 317 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6123 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 80V 4A TO220 Packaging: Bag Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2.5MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6123 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6123 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N6123 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 100 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4 Verlustleistung: 40 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6123 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 80V 4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2.5MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W | auf Bestellung 436 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6123 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Med Pwr | auf Bestellung 157 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6123 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO220 Mounting: THT Case: TO220 Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 20...80 Collector current: 4A Type of transistor: NPN Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Frequency: 2.5MHz | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6123 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO220 Mounting: THT Case: TO220 Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 20...80 Collector current: 4A Type of transistor: NPN Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Frequency: 2.5MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6123 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 4.0A 40W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N612340 | Harris Corporation | Description: NPN POWER TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6124 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6124 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6124 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N6124 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 4 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 100 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4 Verlustleistung: 40 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 2.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6124 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Sleeve | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6124 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Med Power | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6124 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 45Vcbo 45Vceo 5.0Vebo 4.0A 40W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6125 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS PNP 60V 4A TO220 Packaging: Bag Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2.5MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6125 | NTE Electronics, Inc. | High Power PNP Transistor | auf Bestellung 525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6125 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 4A 40W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6125 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Med Power | auf Bestellung 283 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6126 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6126 | Harris Corporation | Description: TRANS PNP 80V 4A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2.5MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W | auf Bestellung 608 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6126 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Med Power | auf Bestellung 535 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6126 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 4.0A 40W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6127 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 10A 3-Pin TO-61 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6127 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6128 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin TO-61 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6128 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6129 | Harris Corporation | Description: NPN POWER TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3.2A, 16A Frequency - Transition: 2.5MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V | auf Bestellung 593 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N612A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N613 | MOT | CAN | auf Bestellung 841 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N613 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6131 | Harris Corporation | Description: NPN POWER TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6134 | Harris Corporation | Description: PNP POWER TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3.2A, 16A Frequency - Transition: 2.5MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 50 W | auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6137 | MOT | CAN | auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6138 | MOT | CAN | auf Bestellung 865 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N613A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N614 | MOT | CAN | auf Bestellung 657 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N614 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6145 | Solid State Inc. | Description: TO 48 15 AMP TRIAC | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6146 | Solid State Inc. | Description: TO 48 15 AMP TRIAC | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6147 | Solid State Inc. | Description: TO 48 15 AMP TRIAC | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N614A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N615 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N615 | MOT | CAN | auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N615A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N616 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N616 | MOT | CAN | auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6160 | Solid State Inc. | Description: TO 48 30 AMP TRIAC | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6161 | Solid State Inc. | Description: TO 48 30 AMP TRIAC | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6162 | Solid State Inc. | Description: TO 48 30 AMP TRIAC | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6163 | Solid State Inc. | Description: ISOLATED STUD TO48 30 AMP TRIAC | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6164 | Solid State Inc. | Description: ISOLATED STUD TO48 30 AMP TRIAC | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6165 | Solid State Inc. | Description: ISOLATED STUD TO48 30 AMP TRIAC | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6165 | SOLID STATE | Description: SOLID STATE - 2N6165 - Triac, 600 V, 30 A, TO-48, 250 mA, 3.4 V, 20 W Bauform - Triac: TO-48 Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 600 Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 250 Zündspannung, max., Vgt: 3.4 Haltestrom Ih, max.: 200 Zündstrom, max. (QI), Igt: 250 Spitzensteuerleistung: 20 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 125 Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 30 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6165 | Solid State Inc. | 2N6165 | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6166 | MOTOROLA | auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6166S | MOTOROLA | auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N616A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N617 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N617 | MOT | CAN | auf Bestellung 655 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6171 | Solid State Inc. | Description: ISOLATED STUD TO48 35 AMP SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6172 | Solid State Inc. | Description: ISOLATED STUD TO48 35 AMP SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6173 | Solid State Inc. | Description: ISOLATED STUD TO48 35 AMP SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6174 | Solid State Inc. | Description: ISOLATED STUD TO48 35 AMP SCR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N617A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N618 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6182 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200µA, 2mA Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 60 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6182 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6183 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6183 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200µA, 2mA Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 60 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6184 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6184 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200µA, 2mA Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 60 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6185 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6185 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 60 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6186 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6186 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 60 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6187 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 60 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6187 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6188 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6188 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100µA, 2mA Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 60 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6189 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6189 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100µA, 2mA Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 60 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6189 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 100V 10A 60000mW 3-Pin TO-59 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N618A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N619 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N619 | MOT | CAN | auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6190 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 5A 3-Pin TO-5 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6190 | SILICONI | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6190 | MOT | CAN | auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6190 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6190 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 5A 3-Pin TO-5 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6190 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Small Signal Transistor | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6191 | SILICONI | auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6191 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 5A 10000mW 3-Pin TO-5 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6191 | MOT | CAN | auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6191 | Microchip Technology | Description: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6191 | MOT | 04+ QFP | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6191 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6192 | SILICONI | auf Bestellung 2320 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6192 | Microchip Technology | Description: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6192 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6192 | MOT | CAN | auf Bestellung 369 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6193 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 100V 5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6193 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6193 | MOT | CAN | auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6193 | MOT | auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6193 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6193 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6193 MOD1 | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6193JAN | Microchip Technology | Description: 2N6193JAN | auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6193QFN | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6193QFN | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6193QFN/TR | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6193QFN/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6193U3 | Microchip Technology | Description: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6193U3 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6193U3 | Microchip Technology | PNP Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N619A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N62 | CAN | auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N620 | MOT | CAN | auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N620 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6202 | MOTOROLA | auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N620A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N621 | MOT | CAN | auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N621 | MOT | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6211 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 225V 0.005A TO66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TA) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 125mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 225 V Power - Max: 3 W | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6211 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6211 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 225V 2A 3000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6211 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 225V 2A 3000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6211 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 225V 2A 3000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6211 | MSC | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6211 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 275Vcbo 225Vceo 6.0Vebo | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6211P | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6212 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 300V 2A 3000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6212 | MSC | auf Bestellung 890 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6212 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6212 | Microsemi Corporation | Description: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6212 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6212 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 350Vcbo 300Vceo 6.0Vebo 2.0A 35W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6213 | Microchip Technology | Description: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6213 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 350V 2A 3000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6213 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6213 | MSC | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6213 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6213 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 5A 35000mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6213 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 5A 35000mW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6214 | MOT | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6214 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 400V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-66 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6214 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6214 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 450Vcbo 450Vcex 425Vcer 400Vceo 35W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6215 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6216 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6217 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N621A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N622 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N622 | MOT | CAN | auf Bestellung 987 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6226 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 100V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6226 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6226 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 100V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6227 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6227 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 120V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6227 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6227 | Microchip Technology | Description: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6227 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 120V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6228 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 266-280 Tag (e) |
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2N6228 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6228 | Microchip Technology | Description: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6229 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 100V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6229 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6229 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N622A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N623 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6230 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6230 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6231 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6231 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6232 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 100V 10A 1250mW 3-Pin TO-5 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6232 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 100V 10A 1250mW 3-Pin TO-5 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6232 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6232 | MOT | CAN | auf Bestellung 549 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6232 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 100V 10A 1250mW 3-Pin TO-5 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N62324 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6233 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6233 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6233 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 225V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-66 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6233 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6233 | General Semiconductor | Description: TRANS NPN 225V 5A TO66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 5V Supplier Device Package: TO-66 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 225 V Power - Max: 50 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6234 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6234 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6234 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6235 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 325V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-66 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6235 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 325V 5A 50000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6235 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 300V 5A NPN Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6235 | Microsemi Corporation | Description: NPN TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6235 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6235 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N623A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N624 | MOT | CAN | auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N624 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6240 | onsemi | Description: SILICON CONTROLLED RECTIFIER Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6246 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6246 | MOT | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6246 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 125 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6246 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6247 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 125 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6247 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 80V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6247 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6247 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6248 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6248 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6248 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 5mA Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 125 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6248 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 100V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6249 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6249 | Microsemi Corporation | Description: NPN TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6249 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 200V 10A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6249 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6249T1 | Microsemi Corporation | Description: NPN TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6249T1 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 200V 10A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6249T1 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N624A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N625 | MOT | CAN | auf Bestellung 638 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N625 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6250 | Welwyn Components / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6250 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6250 | Microsemi Corporation | Description: NPN TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6250 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 275V 10A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6251 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6251 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 350V 10A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6251 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6251 | MOT | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6251 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 450Vcbo 350Vceo 375V 6.0V 10A 175W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6251T1 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6251T1 | Microsemi Corporation | Description: NPN TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6252 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6253 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6254 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6255 | MOT | CAN | auf Bestellung 368 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6255 | MSC | auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6257 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6258 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6259 | NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT NPN 150V 16A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 | auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6259 | Solid State Inc. | Description: TRANS NPN TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Supplier Device Package: TO-3 | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6259 (Transistor) Produktcode: 62657 | Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
2N625A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N626 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6260 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6260 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 4.0A 50Vcbo 40Vceo 1.5Vce | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6260 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 4.0A 50Vcbo 40Vceo 1.5Vce | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6261 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6261 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6261 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 4.0A 90Vcbo 80Vceo 0.5Vce | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6261 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 4A 50000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6261 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 4.0A 90Vcbo 80Vceo 0.5Vce | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6262 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6263 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6264 | Harris Corporation | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6264 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N626A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N627 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6270 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6271 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6272 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6272 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 30A 3-Pin TO-63 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6273 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6274 | MOTOROLA | auf Bestellung 1650 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6274 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 100V 50A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6274 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 100V 50A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6274 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6274 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 100V 50A NPN Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6275 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6275 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6275 | MOTOROLA | auf Bestellung 1650 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6275 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 120V 50A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6276 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6276 | MOTOROLA | auf Bestellung 1650 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6276 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 120V 50A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6276 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6277 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 150V 50A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6277 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6277 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 150V 50A NPN Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6277 | MOT | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6278 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6278 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 100V 50A 3-Pin TO-63 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6278 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6279 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6279 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N627A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N628 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6280 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6280 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6281 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 150V 50A 3-Pin TO-63 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6281 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6281 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6282 | onsemi | Darlington Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6282 | Microchip Technology | Description: POWER BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6282 | Microchip Technology / Atmel | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6282 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6282 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6282 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6282 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6283 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN DARL 80V 0.001A TO204 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 1A, 3V Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 1 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 175 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6283 | onsemi | onsemi | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6283 | MOT | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6283 | Microchip Technology | Trans Darlington NPN 80V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6283 | Microchip Technology | Darlington Transistors 80V 20A 175W NPN Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6283 | Microchip Technology | Trans Darlington NPN 80V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6283 | Microchip Technology | Trans Darlington NPN 80V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6283 PBFREE | Central Semiconductor | Trans Darlington NPN 80V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6283 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors . . | auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6283 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Complementary Silicon Darlington Power Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6283 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 5.0A 160W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6284 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN DARL 100V 20A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V Supplier Device Package: TO-3 Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 160 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6284 Produktcode: 60728 | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
2N6284 | STMicroelectronics | Trans Darlington NPN 100V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Bag | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6284 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 1A, 3V Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 175 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6284 | Microchip Technology | Trans Darlington NPN 100V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6284 | ON | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6284 | Microchip Technology | Trans Darlington NPN 100V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6284 | STMicroelectronics | Darlington Transistors NPN Darlington Sw | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6284 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6284 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6284G | ONS | Биполярный транзистор NPN DARL 100V 20A TO3 | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6284G | ONSEMI | Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 20A Power dissipation: 160W Case: TO3 Current gain: 100...18000 Mounting: THT Kind of package: in-tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6284G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6284G | ONSEMI | Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 20A Power dissipation: 160W Case: TO3 Current gain: 100...18000 Mounting: THT Kind of package: in-tray Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6284G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6284G | onsemi | Darlington Transistors 20A 100V Bipolar Power NPN | auf Bestellung 4939 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N6284G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6284G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, TO-3, 2 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 160W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 20A Betriebstemperatur, max.: 200°C | auf Bestellung 288 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6284G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 20A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 160 W | auf Bestellung 854 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6284G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6284G Produktcode: 129923 | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
2N6285 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6285 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6285 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6285 | onsemi | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 20A, 6 Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V Supplier Device Package: Die Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 160 W | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6285 | SGS | PNP 20A 60V 160W 2N6285 T2N6285 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N6286 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP DARL 80V 20A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 1A, 3V Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 175 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6286 | MOTOROLA | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
2N6286 | Microchip Technology | Trans Darlington PNP 80V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6286 | onsemi | Darlington Transistors 20A 80V Bipolar | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6286 | Microchip Technology | Darlington Transistors 80V 20A 175W PNP Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6286G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 80V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6286G | onsemi | Darlington Transistors 20A 80V Bipolar Power PNP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6286G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 80V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6286G Produktcode: 182086 | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
2N6286G | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 80V 20A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 160 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6286G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 80V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
2N6286G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6286G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 40 A, 160 W, TO-3, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 100 Verlustleistung Pd: 160 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 40 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
2N6287 Produktcode: 73585 | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
2N6287 | STMicroelectronics | Trans Darlington PNP 100V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Bag | Produkt ist nicht verfügbar |