Produkte > IQD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IQD-DB1M-01A | IQRF TECH | Category: RF modules Description: Module: DALI Bridge; GFSK; 868MHz; -101dBm; 10dBm; Dim: 88x38x22mm Type of communications module: DALI Bridge Frequency: 868MHz Receiver sensitivity: -101dBm Transmitter output power: 10dBm Range: 130m Operating temperature: -10...60°C TX/RX supply current: 8.3/11.8mA Kit contents: base board Dimensions: 88x38x22mm Kind of modulation: GFSK Connection: screw Communictions protocol: DALI Components: DCTR-76D | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD005N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD005N04NM6ATMA1 Produktcode: 198771
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IQD005N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD005N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 610A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD005N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 40V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 610A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD005N04NM6CGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 40V | auf Bestellung 5083 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQD005N04NM6CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 9-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 610A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm | auf Bestellung 4680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD005N04NM6CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 9-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 610A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm | auf Bestellung 4680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD005N04NM6CGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 58A 9-Pin TTFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6CGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V | auf Bestellung 4230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQD005N04NM6CGSCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 597A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 9Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm | auf Bestellung 3806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD005N04NM6CGSCATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6CGSCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 40V | auf Bestellung 3090 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQD005N04NM6CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6CGSCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 597A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WHTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm | auf Bestellung 3806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD005N04NM6SCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 40V | auf Bestellung 2635 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQD005N04NM6SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 8POWERWDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V | auf Bestellung 4290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQD005N04NM6SCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD005N04NM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 597A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm | auf Bestellung 2609 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD005N04NM6SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 8POWERWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD005N04NM6SCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD005N04NM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 597A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WHSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm | auf Bestellung 2609 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD009N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD009N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 445A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm | auf Bestellung 4795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD009N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD009N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD009N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V | auf Bestellung 4988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQD009N06NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD009N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 445A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm | auf Bestellung 4795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD009N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | auf Bestellung 4145 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQD009N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5CG | Infineon Technologies | IFX FET 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 9-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 445A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD009N06NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 9-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc) FET Type: N-Channel | auf Bestellung 2535 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQD009N06NM5CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 445A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD009N06NM5CGSCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD009N06NM5CGSCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 445A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: WHTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD009N06NM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin WHTFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V | auf Bestellung 4756 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQD009N06NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin WHSON EP T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD009N06NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | auf Bestellung 7753 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQD009N06NM5SCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD009N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 445A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WHSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm | auf Bestellung 4685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD009N06NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin WHSON EP T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD009N06NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin WHSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD009N06NM5SCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD009N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 445A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm | auf Bestellung 4685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD009N06NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin WHSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD016N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V | auf Bestellung 4528 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQD016N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 323A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1526 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD016N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD016N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQD016N08NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 323A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1526 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD016N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD016N08NM5CG | Infineon Technologies | IFX FET > 60-80V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET > 60-80V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 323A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm | auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 65 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V | auf Bestellung 4760 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQD016N08NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 323A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm | auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD016N08NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5CGSC | Infineon Technologies | IFX FET > 60-80V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin WHTFN EP T/R | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD016N08NM5CGSCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 323A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 9Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm | auf Bestellung 4090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD016N08NM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET > 60-80V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin WHTFN EP T/R | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD016N08NM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin WHTFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5CGSCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 323A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WHTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm | auf Bestellung 4090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD016N08NM5SC | Infineon Technologies | IFX FET > 60-80V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5SCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 323A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WHSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD016N08NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET > 60-80V | auf Bestellung 3060 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQD016N08NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 31A 8-Pin WHSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD016N08NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V | auf Bestellung 2199 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQD016N08NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 31A 8-Pin WHSON EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD016N08NM5SCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 323A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD016N08NM5SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD020N10NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 276A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3557 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD020N10NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD020N10NM5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 276A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3557 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD020N10NM5ATMA1 | Infineon Technologies | N-channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V | auf Bestellung 4885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQD020N10NM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | auf Bestellung 6053 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQD020N10NM5CG | Infineon Technologies | IFX FET >80 - 100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | auf Bestellung 3133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IQD020N10NM5CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 273A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm | auf Bestellung 4300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD020N10NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IQD020N10NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin TTFN EP T/R | auf Bestellung 3610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IQD020N10NM5CGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 1800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 273A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm | auf Bestellung 4300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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