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IQD-DB1M-01A

Category: RF modules
Description: Module: DALI Bridge; GFSK; 868MHz; DALI; -101dBm; 10dBm; 8.3/11.8mA
Interface: DALI
Operating temperature: -10...60°C
Components: DCTR-76D
Kind of modulation: GFSK
Kind of connector: screw
Receiver sensitivity: -101dBm
TX/RX supply current: 8.3/11.8mA
Dimensions: 88x38x22mm
Transmitter output power: 10dBm
Range: 130m
Frequency: 868MHz
Kit contents: base board
Communictions protocol: DALI
Type of communications module: DALI Bridge

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	42.1 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IQD-DB1M-01A

IQRF TECH

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Mindestbestellmenge: 2

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IQD-GW-02

IQRF TECH

Category: RF modules
Description: Module: gateway; GFSK; 868MHz; Ethernet,USB; -101dBm; 10dBm
Kit contents: base board
Components: DCTR-76D
Interface: Ethernet; USB
Kind of connector: RJ45; USB A; USB B micro
Range: 400m
Dimensions: 50x54x36mm
Type of communications module: gateway
Kind of modulation: GFSK
Receiver sensitivity: -101dBm
Transmitter output power: 10dBm
Operating temperature: -10...40°C
Frequency: 868MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1+	216 EUR
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IQD-GW-02

IQRF TECH

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1+	216 EUR

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IQD005N04NM6ATMA1
Produktcode: 198771

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

auf Bestellung 4889 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.11 EUR
10+	4.68 EUR
100+	3.31 EUR
500+	2.72 EUR
1000+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.12 EUR
10+	3.84 EUR
100+	2.94 EUR
500+	2.62 EUR
1000+	2.46 EUR
5000+	2.38 EUR

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IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

auf Bestellung 110 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.05 EUR
44+	3.22 EUR
45+	2.99 EUR
100+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 36

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IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

TRENCH <= 40V

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IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

auf Bestellung 110 Stücke:

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36+	4.05 EUR
44+	3.22 EUR
45+	2.99 EUR
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IQD005N04NM6ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD005N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

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IQD005N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

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IQD005N04NM6ATMA1

INFINEON

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IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 58A 9-Pin TTFN EP T/R

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IQD005N04NM6CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4884 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

auf Bestellung 4265 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.28 EUR
10+	3.95 EUR
25+	3.62 EUR
100+	3.25 EUR
250+	3.08 EUR
500+	2.98 EUR
1000+	2.89 EUR
2500+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 58A 9-Pin TTFN EP T/R

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IQD005N04NM6CGATMA1

INFINEON

auf Bestellung 4884 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 610A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

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IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 3829 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.73 EUR
10+	3.56 EUR
25+	3.26 EUR
100+	2.94 EUR
250+	2.76 EUR
500+	2.68 EUR
2500+	2.66 EUR

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IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 58A T/R

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IQD005N04NM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

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IQD005N04NM6CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 597A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 4995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IQD005N04NM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 4860 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.03 EUR
10+	4.31 EUR
25+	4.28 EUR
100+	3.84 EUR
250+	3.63 EUR
500+	3.24 EUR
1000+	2.99 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD005N04NM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD005N04NM6CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 4995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD005N04NM6SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 3812 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.83 EUR
10+	4.49 EUR
100+	3.63 EUR
500+	3.24 EUR
1000+	2.76 EUR
2500+	2.66 EUR
5000+	2.59 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD005N04NM6SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD005N04NM6SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 597A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	5.24 EUR
32+	4.44 EUR
34+	4.06 EUR
100+	3.45 EUR
250+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 28

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	5.24 EUR
32+	4.44 EUR
34+	4.06 EUR
100+	3.45 EUR
250+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 28

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 4584 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.04 EUR
10+	5.91 EUR
25+	5.58 EUR
100+	4.79 EUR
250+	4.52 EUR
500+	4.26 EUR
1000+	3.64 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD009N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V

auf Bestellung 4988 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.06 EUR
10+	5.92 EUR
100+	4.79 EUR
500+	4.26 EUR
1000+	3.65 EUR
2000+	3.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD009N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD009N06NM5CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4615 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD009N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD009N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V

auf Bestellung 3868 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.07 EUR
10+	4.6 EUR
25+	4.23 EUR
100+	3.82 EUR
250+	3.72 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IQD009N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 4890 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.72 EUR
10+	5.09 EUR
25+	4.68 EUR
100+	4.22 EUR
250+	4.01 EUR
500+	3.87 EUR
1000+	3.77 EUR

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IQD009N06NM5CGATMA1

INFINEON

auf Bestellung 4615 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IQD009N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IQD009N06NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R

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IQD009N06NM5CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IQD009N06NM5CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IQD009N06NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V

auf Bestellung 4756 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.73 EUR
10+	5.97 EUR
100+	4.84 EUR
500+	4.19 EUR
1000+	3.76 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IQD009N06NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V

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IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.44 EUR
31+	4.62 EUR
32+	4.22 EUR
100+	3.58 EUR
250+	2.92 EUR

Mindestbestellmenge: 27

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IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.44 EUR
31+	4.62 EUR
32+	4.22 EUR
100+	3.58 EUR
250+	2.92 EUR

Mindestbestellmenge: 27

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IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

auf Bestellung 4528 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6 EUR
10+	4.69 EUR
100+	3.94 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

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IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

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IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 4990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.01 EUR
10+	5.49 EUR
100+	4 EUR
500+	3.56 EUR

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IQD016N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R

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IQD016N08NM5CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 0.0014 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4588 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 6316 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.95 EUR
10+	5.28 EUR
25+	4.86 EUR
100+	4.4 EUR
250+	4.17 EUR
500+	4.03 EUR
1000+	3.89 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

auf Bestellung 4780 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.28 EUR
10+	4.77 EUR
25+	4.38 EUR
100+	3.96 EUR
250+	3.86 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD016N08NM5CGATMA1

INFINEON

auf Bestellung 4588 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 9-Pin TTFN EP T/R

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IQD016N08NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 375-379 Tag (e)

1+	7.83 EUR
10+	6.56 EUR
25+	6.2 EUR
100+	5.3 EUR
250+	5.02 EUR
500+	4.72 EUR
1000+	4.05 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD016N08NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD016N08NM5SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 4950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.83 EUR
10+	6.56 EUR
25+	6.2 EUR
100+	5.3 EUR
250+	5.02 EUR
500+	4.72 EUR
1000+	4.05 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD016N08NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 323A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

auf Bestellung 4527 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.76 EUR
10+	6.07 EUR
100+	4.91 EUR
500+	4.26 EUR
1000+	4.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

auf Bestellung 4885 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.3 EUR
10+	5.46 EUR
100+	4.14 EUR
500+	3.44 EUR
1000+	3.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	5.67 EUR
29+	4.81 EUR
31+	4.4 EUR
100+	3.73 EUR
250+	3.03 EUR

Mindestbestellmenge: 26

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 1802 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.81 EUR
10+	4.56 EUR
100+	3.78 EUR
500+	3.31 EUR
1000+	3.27 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	5.67 EUR
29+	4.81 EUR
31+	4.4 EUR
100+	3.73 EUR
250+	3.03 EUR

Mindestbestellmenge: 26

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD020N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD020N10NM5CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 273A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4975 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD020N10NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

auf Bestellung 4932 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IQD020N10NM5CGATMA1

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Trans MOSFET N-CH 100V 26A T/R

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Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin TTFN EP T/R

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INFINEON

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IQD020N10NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

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IQD020N10NM5CGATMA1

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MOSFETs TRENCH >=100V

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Trans MOSFET N-CH 100V 26A 9-Pin TTFN EP T/R

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IQD020N10NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 4516 Stücke:

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1+	7.41 EUR
10+	6.04 EUR
100+	4.89 EUR
500+	4.35 EUR
1000+	3.73 EUR
2500+	3.52 EUR
5000+	3.5 EUR

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IQD020N10NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

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IQD020N10NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

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IQD020N10NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

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IQD020N10NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

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MOSFETs TRENCH >=100V

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N-channel Power MOSFET

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N-channel Power MOSFET

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IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

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IQD063N15NM5ATMA1

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N-channel Power MOSFET

auf Bestellung 250 Stücke:

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25+	5.89 EUR
29+	4.96 EUR
30+	4.55 EUR
100+	3.88 EUR
250+	3.16 EUR

Mindestbestellmenge: 25

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IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 4742 Stücke:

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25+	4.91 EUR
100+	4.28 EUR
500+	4.22 EUR
1000+	3.63 EUR
2500+	3.41 EUR

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IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

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IQD063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

auf Bestellung 4658 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	5.88 EUR
10+	5.03 EUR
100+	4.19 EUR
500+	4.04 EUR
1000+	3.99 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IQD063N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

auf Bestellung 4998 Stücke:

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100+	4.09 EUR
250+	3.88 EUR
500+	3.76 EUR
1000+	3.66 EUR
2500+	3.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD063N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 4082 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.49 EUR
10+	4.93 EUR
25+	4.52 EUR
100+	4.1 EUR
250+	3.89 EUR
500+	3.77 EUR
1000+	3.66 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD063N15NM5CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQD063N15NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 0.0051 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD063N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD063N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 14.1A 9-Pin TTFN EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD063N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

TRENCH >=100V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD063N15NM5CGATMA1

INFINEON

auf Bestellung 4980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD063N15NM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 14.1A 9-Pin TTFN EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD063N15NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD063N15NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD063N15NM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 4633 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.86 EUR
10+	5.9 EUR
25+	5.83 EUR
100+	5.07 EUR
500+	4.52 EUR
1000+	3.94 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD063N15NM5SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 4432 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.62 EUR
10+	6.3 EUR
100+	5.1 EUR
500+	4.52 EUR
1000+	3.87 EUR
2500+	3.66 EUR
5000+	3.64 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD063N15NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQD063N15NM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH29NE2LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH29NE2LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

auf Bestellung 4826 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.74 EUR
10+	4.83 EUR
100+	3.91 EUR
500+	3.47 EUR
1000+	2.97 EUR
2000+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH29NE2LM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 3201 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.53 EUR
10+	4.65 EUR
25+	4.4 EUR
100+	3.48 EUR
250+	3.41 EUR
500+	2.89 EUR
1000+	2.75 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH29NE2LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

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IQDH29NE2LM5CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4889 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IQDH29NE2LM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 3010 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.93 EUR
10+	4.47 EUR
25+	4.07 EUR
100+	3.59 EUR
250+	3.38 EUR
500+	3.24 EUR
1000+	3.04 EUR

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IQDH29NE2LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

auf Bestellung 4447 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.14 EUR
10+	3.85 EUR
25+	3.52 EUR
100+	3.17 EUR
250+	3 EUR
500+	2.9 EUR
1000+	2.81 EUR
2500+	2.72 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IQDH29NE2LM5CGATMA1

INFINEON

auf Bestellung 4889 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 4990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.12 EUR
10+	5.14 EUR
25+	4.84 EUR
100+	4.15 EUR
250+	3.92 EUR
500+	3.7 EUR
1000+	3.15 EUR

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IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH29NE2LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

auf Bestellung 4963 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.02 EUR
10+	4.65 EUR
100+	3.93 EUR
500+	3.16 EUR
1000+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH29NE2LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V

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IQDH29NE2LM5SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 375-379 Tag (e)

1+	6.14 EUR
10+	5.16 EUR
25+	4.86 EUR
100+	4.17 EUR
250+	3.92 EUR
500+	3.7 EUR
1000+	3.17 EUR

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IQDH35N03LM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 4974 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.78 EUR
10+	4.82 EUR
25+	4.49 EUR
100+	3.61 EUR
250+	3.47 EUR
500+	2.99 EUR
1000+	2.85 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

auf Bestellung 4823 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.67 EUR
10+	4.53 EUR
100+	3.2 EUR
500+	2.71 EUR
1000+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 310 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4075 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 66A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

auf Bestellung 4231 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.07 EUR
10+	3.8 EUR
25+	3.48 EUR
100+	3.13 EUR
250+	2.96 EUR
500+	2.86 EUR
1000+	2.78 EUR
2500+	2.69 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5CGATMA1

INFINEON

auf Bestellung 4075 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 4540 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.03 EUR
10+	3.78 EUR
25+	3.47 EUR
100+	3.12 EUR
250+	2.94 EUR
500+	2.85 EUR
1000+	2.76 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.74 EUR
10+	5.33 EUR
25+	4.88 EUR
100+	4.42 EUR
250+	3.71 EUR
500+	3.5 EUR
1000+	3.2 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 4790 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.74 EUR
10+	5.33 EUR
25+	4.88 EUR
100+	4.42 EUR
250+	3.71 EUR
500+	3.5 EUR
1000+	3.2 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH35N03LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

auf Bestellung 4610 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.21 EUR
10+	4.37 EUR
100+	3.14 EUR
500+	2.9 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH45N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 2601 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.49 EUR
10+	4.15 EUR
100+	3.15 EUR
500+	2.97 EUR
1000+	2.82 EUR
2500+	2.73 EUR
5000+	2.52 EUR

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IQDH45N04LM6ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5645 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IQDH45N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

TRENCH <= 40V

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IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

IQDH45N04LM6CGATMA1

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IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

auf Bestellung 1145 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.88 EUR
10+	3.66 EUR
25+	3.35 EUR
100+	3.02 EUR
250+	2.9 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 6412 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.26 EUR
10+	3.96 EUR
25+	3.63 EUR
100+	3.27 EUR
250+	3.1 EUR
500+	2.99 EUR
1000+	2.9 EUR

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IQDH45N04LM6CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 524 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 9-Pin TTFN EP

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IQDH45N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IQDH45N04LM6CGATMA1

INFINEON

auf Bestellung 524 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IQDH45N04LM6CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IQDH45N04LM6CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IQDH45N04LM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 6433 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.61 EUR
10+	4.82 EUR
25+	4.73 EUR
100+	3.89 EUR
500+	3.45 EUR
1000+	3.29 EUR
5000+	3.27 EUR

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IQDH45N04LM6SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 4420 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.32 EUR
10+	4.52 EUR
25+	4.51 EUR
100+	4.15 EUR
250+	3.89 EUR
500+	3.45 EUR
1000+	3.2 EUR

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IQDH88N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

N-channel Power MOSFET

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IQDH88N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 4425 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.94 EUR
10+	5.42 EUR
25+	5.32 EUR
100+	3.94 EUR
250+	3.92 EUR
500+	3.41 EUR

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IQDH88N06LM5ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, TSON, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

auf Bestellung 4697 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.59 EUR
10+	5.71 EUR
100+	4.08 EUR
500+	3.39 EUR
1000+	3.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IQDH88N06LM5ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5CGATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V

auf Bestellung 3863 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	5.97 EUR
10+	4.51 EUR
25+	4.15 EUR
100+	3.75 EUR
250+	3.64 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 6047 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.6 EUR
10+	5 EUR
25+	4.59 EUR
100+	4.15 EUR
250+	3.94 EUR
500+	3.82 EUR
1000+	3.7 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 9-Pin TTFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5CGATMA1

INFINEON

auf Bestellung 4775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQDH88N06LM5CGSCATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH