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HGTG30N60A4 HGTG30N60A4
Produktcode: 42509 		FAIR HGTG30N60A4.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 463
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/150
auf Bestellung 7 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.4 EUR
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D
Produktcode: 31842 		Intersil HGTG30N60A4D.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 463
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 24/180
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+4 EUR
30N60A
auf Bestellung 48 Stücke:
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30N60C3
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW30N60CT_DS_v02_01_EN-1730980.pdf IGBT Transistors DISCRETES
auf Bestellung 288 Stücke:
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1+10.79 EUR
10+ 9.35 EUR
25+ 8.82 EUR
100+ 7.6 EUR
240+ 5.68 EUR
1200+ 5.4 EUR
APT30N60BC6 APT30N60BC6 MICROCHIP (MICROSEMI) 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 219W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.74 EUR
10+ 9.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8
APT30N60BC6 APT30N60BC6 MICROCHIP (MICROSEMI) 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 219W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.74 EUR
10+ 9.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8
APT30N60BC6 Microchip Technology 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 30 A TO-247
auf Bestellung 6 Stücke:
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1+9.22 EUR
100+ 7.97 EUR
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 Bourns Bourns_7_25_2022_BIDNW30N60H3_datasheet-3005228.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
auf Bestellung 2435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.14 EUR
10+ 5.16 EUR
25+ 5.12 EUR
100+ 4.17 EUR
250+ 3.71 EUR
600+ 3.5 EUR
BIDW30N60T BIDW30N60T Bourns Bourns_7_25_2022_BIDW30N60T_datasheet-3005225.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
auf Bestellung 3905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.79 EUR
10+ 6.64 EUR
25+ 5.39 EUR
100+ 4.61 EUR
250+ 4.1 EUR
600+ 3.5 EUR
1200+ 3.38 EUR
DAMI330N60 DAMI330N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+36.18 EUR
3+ 36.16 EUR
10+ 35.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
DAMI330N60 DAMI330N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+36.18 EUR
3+ 36.16 EUR
10+ 35.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCP130N60 FCP130N60 onsemi / Fairchild FCP130N60_D-2312110.pdf MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 21 Stücke:
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1+8.76 EUR
10+ 7.73 EUR
50+ 6.55 EUR
100+ 5.53 EUR
250+ 5.07 EUR
500+ 4.93 EUR
800+ 4.26 EUR
FCP130N60 FCP130N60 ON Semiconductor 3650094738295768fcp130n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HGTG30N60A4D Fairchaild hgtg30n60a4d-d.pdf description IGBT транзистор - [TO-247-3]; 600 V; 75 A Low Conduction Loss
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+37.55 EUR
10+ 33.12 EUR
HGTG30N60B3D ON-Semicoductor hgtg30n60b3d-d.pdf 60A; 600V; 208W; IGBT w/ Diode   HGTG30N60B3D THGTG30n60b3d
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+12.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IGB30N60H3 IGB30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGB30N60H3_DS_v02_03_en-3360235.pdf IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+ 3.92 EUR
100+ 3.2 EUR
250+ 3.13 EUR
500+ 2.69 EUR
1000+ 2.29 EUR
2000+ 2.18 EUR
IGB30N60T IGB30N60T Infineon Technologies Infineon_IGB30N60T_DataSheet_v02_05_EN-3361639.pdf IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.56 EUR
10+ 3.82 EUR
25+ 3.61 EUR
100+ 3.1 EUR
250+ 2.92 EUR
500+ 2.75 EUR
1000+ 2.34 EUR
IGP30N60H3 Infineon INFNS30178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 60A; 600V; 187W; IGBT IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IGP30N60H3 IGP30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGP30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362059.pdf IGBT Transistors 600V 30A 187W
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.88 EUR
10+ 3.92 EUR
100+ 3.22 EUR
250+ 3.2 EUR
500+ 2.69 EUR
1000+ 2.2 EUR
5000+ 2.13 EUR
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.52 EUR
19+ 3.79 EUR
28+ 2.62 EUR
29+ 2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 16
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.52 EUR
19+ 3.79 EUR
28+ 2.62 EUR
29+ 2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 16
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 Infineon Technologies infineon-igp30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IGW30N60H3 IGW30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362220.pdf IGBT Transistors 600V HI SPEED SW IGBT
auf Bestellung 1212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.79 EUR
10+ 4.68 EUR
25+ 3.78 EUR
100+ 3.26 EUR
240+ 3.2 EUR
480+ 2.46 EUR
1200+ 2.34 EUR
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies infineon-igw30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IGW30N60T IGW30N60T Infineon Technologies Infineon_IGW30N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361611.pdf IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.52 EUR
10+ 4.44 EUR
25+ 3.66 EUR
100+ 3.31 EUR
480+ 2.5 EUR
1200+ 2.36 EUR
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.51 EUR
15+ 4.96 EUR
19+ 3.79 EUR
20+ 3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IGW30N60TFKSA1 Infineon INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 45A; 600V; 187W; IGBT IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 Infineon Technologies infineon-igw30n60t-datasheet-v02_08-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IGW30N60TPXKSA1 IGW30N60TPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW30N60TP_DataSheet_v02_01_EN-3362241.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.1 EUR
10+ 2.92 EUR
100+ 2.71 EUR
240+ 2.69 EUR
480+ 1.95 EUR
1200+ 1.85 EUR
2640+ 1.8 EUR
IGW30N60TPXKSA1 IGW30N60TPXKSA1 Infineon Technologies infineon-igw30n60t-datasheet-v02_08-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKW30N60DTPXKSA1 IKW30N60DTPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60DTP_DataSheet_v02_01_EN-3361844.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 143-147 Tag (e)
1+4.01 EUR
25+ 3.48 EUR
100+ 2.97 EUR
240+ 2.96 EUR
480+ 2.25 EUR
1200+ 2.13 EUR
IKW30N60H3 Infineon 60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IKW30N60H3 IKW30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf IGBT Transistors 600V 30A 187W
auf Bestellung 3702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.4 EUR
10+ 4.54 EUR
25+ 4.29 EUR
100+ 3.66 EUR
240+ 3.4 EUR
480+ 3.24 EUR
1200+ 2.78 EUR
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.11 EUR
21+ 3.52 EUR
22+ 3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.11 EUR
21+ 3.52 EUR
22+ 3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf IGBT Transistors 600V 30A 187W
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.12 EUR
10+ 4.84 EUR
25+ 3.8 EUR
100+ 3.52 EUR
240+ 3.5 EUR
480+ 2.78 EUR
1200+ 2.64 EUR
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKW30N60T IKW30N60T Infineon Technologies Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 143-147 Tag (e)
1+7.2 EUR
10+ 6.05 EUR
25+ 5.72 EUR
100+ 4.89 EUR
240+ 4.59 EUR
480+ 4.33 EUR
1200+ 3.71 EUR
IKW30N60TFKSA1 Infineon IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d 45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60T TIKW30n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+12.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
auf Bestellung 1374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.2 EUR
10+ 7.11 EUR
25+ 5.42 EUR
100+ 4.79 EUR
240+ 4.77 EUR
480+ 3.71 EUR
1200+ 3.5 EUR
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw30n60t-datasheet-v02_06-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXFH30N60P IXFH30N60P IXYS media-3323679.pdf MOSFET 600V 30A
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 332-336 Tag (e)
1+17.2 EUR
10+ 17.18 EUR
30+ 13.71 EUR
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS IXFR30N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 166W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+16.03 EUR
7+ 10.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS IXFR30N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 166W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.03 EUR
7+ 10.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXGH30N60C3 IXYS/Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_30n60c3_datasheet.pdf.pdf Транзистор IGBT без зворотного діоду; Uceb, В = 600; Ic, А = 60; Pmax, Вт = 220; Uce(on), В = 3; Uge(th), В = 15; Тексп, °С = -40...+125; Тип монт = вивідний; td(on), нс = 26; td(off), нс = 42; TO-247AD
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+4.69 EUR
10+ 4.04 EUR
100+ 3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXGH30N60C3D1 IXGH30N60C3D1 IXYS media-3322335.pdf IGBT Transistors High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
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IXTH30N60L2 IXTH30N60L2 IXYS media-3323906.pdf MOSFET 30 Amps 600V
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IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
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IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
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IXTQ30N60L2 IXTQ30N60L2 IXYS media-3323906.pdf MOSFET 30 Amps 600V
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IXTQ30N60P IXTQ30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
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IXTQ30N60P IXTQ30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
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IXTT30N60L2 IXTT30N60L2 IXYS media-3323906.pdf MOSFET 30 Amps 600V
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IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS IXXH30N60B3D1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
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IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS IXXH30N60B3D1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
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IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS media-3321928.pdf IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
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IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1 IXYS media-3320805.pdf IGBT Transistors XPT 600V IGBT 30A
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HGTG30N60A4
Produktcode: 42509		 HGTG30N60A4.pdf
HGTG30N60A4
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 463
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/150
auf Bestellung 7 Stück:
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HGTG30N60A4D
Produktcode: 31842		 description HGTG30N60A4D.pdf
HGTG30N60A4D
Hersteller: Intersil
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 463
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 24/180
auf Bestellung 1 Stück:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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30N60A
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30N60C3
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AIKW30N60CTXKSA1 Infineon_AIKW30N60CT_DS_v02_01_EN-1730980.pdf
AIKW30N60CTXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
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100+ 7.6 EUR
240+ 5.68 EUR
1200+ 5.4 EUR
APT30N60BC6 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet
APT30N60BC6
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 219W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+9.74 EUR
10+ 9.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8
APT30N60BC6 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet
APT30N60BC6
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 219W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
8+9.74 EUR
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Mindestbestellmenge: 8
APT30N60BC6 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet
Hersteller: Microchip Technology
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 30 A TO-247
auf Bestellung 6 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+9.22 EUR
100+ 7.97 EUR
BIDNW30N60H3 Bourns_7_25_2022_BIDNW30N60H3_datasheet-3005228.pdf
BIDNW30N60H3
Hersteller: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
auf Bestellung 2435 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.14 EUR
10+ 5.16 EUR
25+ 5.12 EUR
100+ 4.17 EUR
250+ 3.71 EUR
600+ 3.5 EUR
BIDW30N60T Bourns_7_25_2022_BIDW30N60T_datasheet-3005225.pdf
BIDW30N60T
Hersteller: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
auf Bestellung 3905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.79 EUR
10+ 6.64 EUR
25+ 5.39 EUR
100+ 4.61 EUR
250+ 4.1 EUR
600+ 3.5 EUR
1200+ 3.38 EUR
DAMI330N60
DAMI330N60
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+36.18 EUR
3+ 36.16 EUR
10+ 35.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
DAMI330N60
DAMI330N60
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+36.18 EUR
3+ 36.16 EUR
10+ 35.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCP130N60 FCP130N60_D-2312110.pdf
FCP130N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+8.76 EUR
10+ 7.73 EUR
50+ 6.55 EUR
100+ 5.53 EUR
250+ 5.07 EUR
500+ 4.93 EUR
800+ 4.26 EUR
FCP130N60 3650094738295768fcp130n60.pdf
FCP130N60
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HGTG30N60A4D description hgtg30n60a4d-d.pdf
Hersteller: Fairchaild
IGBT транзистор - [TO-247-3]; 600 V; 75 A Low Conduction Loss
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+37.55 EUR
10+ 33.12 EUR
HGTG30N60B3D hgtg30n60b3d-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
60A; 600V; 208W; IGBT w/ Diode   HGTG30N60B3D THGTG30n60b3d
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+12.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IGB30N60H3 Infineon_IGB30N60H3_DS_v02_03_en-3360235.pdf
IGB30N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.82 EUR
10+ 3.92 EUR
100+ 3.2 EUR
250+ 3.13 EUR
500+ 2.69 EUR
1000+ 2.29 EUR
2000+ 2.18 EUR
IGB30N60T Infineon_IGB30N60T_DataSheet_v02_05_EN-3361639.pdf
IGB30N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.56 EUR
10+ 3.82 EUR
25+ 3.61 EUR
100+ 3.1 EUR
250+ 2.92 EUR
500+ 2.75 EUR
1000+ 2.34 EUR
IGP30N60H3 INFNS30178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
60A; 600V; 187W; IGBT IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IGP30N60H3 Infineon_IGP30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362059.pdf
IGP30N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600V 30A 187W
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.88 EUR
10+ 3.92 EUR
100+ 3.22 EUR
250+ 3.2 EUR
500+ 2.69 EUR
1000+ 2.2 EUR
5000+ 2.13 EUR
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3-DTE.pdf
IGP30N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
16+4.52 EUR
19+ 3.79 EUR
28+ 2.62 EUR
29+ 2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 16
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3-DTE.pdf
IGP30N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
16+4.52 EUR
19+ 3.79 EUR
28+ 2.62 EUR
29+ 2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 16
IGP30N60H3XKSA1 infineon-igp30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf
IGP30N60H3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IGW30N60H3 Infineon_IGW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362220.pdf
IGW30N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600V HI SPEED SW IGBT
auf Bestellung 1212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.79 EUR
10+ 4.68 EUR
25+ 3.78 EUR
100+ 3.26 EUR
240+ 3.2 EUR
480+ 2.46 EUR
1200+ 2.34 EUR
IGW30N60H3FKSA1 infineon-igw30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf
IGW30N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IGW30N60T Infineon_IGW30N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361611.pdf
IGW30N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.52 EUR
10+ 4.44 EUR
25+ 3.66 EUR
100+ 3.31 EUR
480+ 2.5 EUR
1200+ 2.36 EUR
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf
IGW30N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+5.51 EUR
15+ 4.96 EUR
19+ 3.79 EUR
20+ 3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IGW30N60TFKSA1 INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
45A; 600V; 187W; IGBT IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IGW30N60TFKSA1 infineon-igw30n60t-datasheet-v02_08-en.pdf
IGW30N60TFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IGW30N60TPXKSA1 Infineon_IGW30N60TP_DataSheet_v02_01_EN-3362241.pdf
IGW30N60TPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.1 EUR
10+ 2.92 EUR
100+ 2.71 EUR
240+ 2.69 EUR
480+ 1.95 EUR
1200+ 1.85 EUR
2640+ 1.8 EUR
IGW30N60TPXKSA1 infineon-igw30n60t-datasheet-v02_08-en.pdf
IGW30N60TPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKW30N60DTPXKSA1 Infineon_IKW30N60DTP_DataSheet_v02_01_EN-3361844.pdf
IKW30N60DTPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 143-147 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.01 EUR
25+ 3.48 EUR
100+ 2.97 EUR
240+ 2.96 EUR
480+ 2.25 EUR
1200+ 2.13 EUR
IKW30N60H3
Hersteller: Infineon
60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+6.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IKW30N60H3 Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf
IKW30N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600V 30A 187W
auf Bestellung 3702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5.4 EUR
10+ 4.54 EUR
25+ 4.29 EUR
100+ 3.66 EUR
240+ 3.4 EUR
480+ 3.24 EUR
1200+ 2.78 EUR
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+5.11 EUR
21+ 3.52 EUR
22+ 3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+5.11 EUR
21+ 3.52 EUR
22+ 3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IKW30N60H3FKSA1 Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600V 30A 187W
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5.12 EUR
10+ 4.84 EUR
25+ 3.8 EUR
100+ 3.52 EUR
240+ 3.5 EUR
480+ 2.78 EUR
1200+ 2.64 EUR
IKW30N60H3FKSA1 infineon-ikw30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKW30N60T Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf
IKW30N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 143-147 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+7.2 EUR
10+ 6.05 EUR
25+ 5.72 EUR
100+ 4.89 EUR
240+ 4.59 EUR
480+ 4.33 EUR
1200+ 3.71 EUR
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d
Hersteller: Infineon
45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60T TIKW30n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+12.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IKW30N60TFKSA1 Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf
IKW30N60TFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
auf Bestellung 1374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+7.2 EUR
10+ 7.11 EUR
25+ 5.42 EUR
100+ 4.79 EUR
240+ 4.77 EUR
480+ 3.71 EUR
1200+ 3.5 EUR
IKW30N60TFKSA1 infineon-ikw30n60t-datasheet-v02_06-en.pdf
IKW30N60TFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXFH30N60P media-3323679.pdf
IXFH30N60P
Hersteller: IXYS
MOSFET 600V 30A
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 332-336 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+17.2 EUR
10+ 17.18 EUR
30+ 13.71 EUR
IXFR30N60P IXFR30N60P.pdf
IXFR30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 166W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+16.03 EUR
7+ 10.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXFR30N60P IXFR30N60P.pdf
IXFR30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 166W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+16.03 EUR
7+ 10.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXGH30N60C3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_30n60c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS/Littelfuse
Транзистор IGBT без зворотного діоду; Uceb, В = 600; Ic, А = 60; Pmax, Вт = 220; Uce(on), В = 3; Uge(th), В = 15; Тексп, °С = -40...+125; Тип монт = вивідний; td(on), нс = 26; td(off), нс = 42; TO-247AD
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+4.69 EUR
10+ 4.04 EUR
100+ 3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXGH30N60C3D1 media-3322335.pdf
IXGH30N60C3D1
Hersteller: IXYS
IGBT Transistors High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+8.99 EUR
IXTH30N60L2 media-3323906.pdf
IXTH30N60L2
Hersteller: IXYS
MOSFET 30 Amps 600V
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+32.42 EUR
IXTH30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTH30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+11.98 EUR
9+ 8.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IXTH30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTH30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+11.98 EUR
9+ 8.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IXTH30N60P media-3323016.pdf
IXTH30N60P
Hersteller: IXYS
MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+17.05 EUR
10+ 15.26 EUR
30+ 13.43 EUR
120+ 12.18 EUR
270+ 11.77 EUR
510+ 10.75 EUR
1020+ 9.91 EUR
IXTQ30N60L2 media-3323906.pdf
IXTQ30N60L2
Hersteller: IXYS
MOSFET 30 Amps 600V
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+30.5 EUR
10+ 26.88 EUR
30+ 24.43 EUR
60+ 23.83 EUR
120+ 22.48 EUR
270+ 21.68 EUR
510+ 20.93 EUR
IXTQ30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTQ30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+11.41 EUR
9+ 8.18 EUR
10+ 7.74 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IXTQ30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTQ30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+11.41 EUR
9+ 8.18 EUR
10+ 7.74 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IXTQ30N60P media-3323016.pdf
IXTQ30N60P
Hersteller: IXYS
MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 332-336 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+16.17 EUR
10+ 13.87 EUR
30+ 12.57 EUR
120+ 11.55 EUR
270+ 10.17 EUR
510+ 9.72 EUR
1020+ 9.38 EUR
IXTT30N60L2 media-3323906.pdf
IXTT30N60L2
Hersteller: IXYS
MOSFET 30 Amps 600V
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 332-336 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+33.86 EUR
10+ 33.84 EUR
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1-DTE.pdf
IXXH30N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+10.32 EUR
10+ 7.16 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1-DTE.pdf
IXXH30N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+10.32 EUR
10+ 7.16 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IXXH30N60B3D1 media-3321928.pdf
IXXH30N60B3D1
Hersteller: IXYS
IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+10.37 EUR
10+ 9.47 EUR
30+ 8.29 EUR
120+ 8.15 EUR
510+ 7.71 EUR
IXXH30N60C3D1 media-3320805.pdf
IXXH30N60C3D1
Hersteller: IXYS
IGBT Transistors XPT 600V IGBT 30A
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+10.95 EUR
10+ 10.1 EUR
30+ 9.15 EUR
120+ 8.4 EUR
270+ 7.9 EUR
510+ 7.06 EUR
1020+ 6.71 EUR
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