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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SIRA34DP-T1-GE3 SIRA34DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira34dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
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SIS330DN-T1-GE3 SIS330DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis330dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
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SIS334DN-T1-GE3 SIS334DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis334dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
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SIS448DN-T1-GE3 SIS448DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis448dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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SIS472DN-T1-GE3 SIS472DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis472dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
6000+0.39 EUR
9000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS776DN-T1-GE3 SIS776DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis776dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA12ADN-T1-GE3 SISA12ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa12adn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA18ADN-T1-GE3 SISA18ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa18adn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.37 EUR
6000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SJM181BCA01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SJM181BCC01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
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SJM181BIA01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
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SJM181BIC01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
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SJM181BXA Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
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SJM181BXC Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
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SJM182BXC Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM184BEA01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM184BEC01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM184BXA Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM184BXC Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM185BXC Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM187BCA01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM187BCC01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM187BIA01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM187BIC01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM187BXA Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM187BXC Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM190BEA01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM190BEC01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM190BXA Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM190BXC Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM191BXC Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM200BCA01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM200BCC01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM200BIA01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM200BIC01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM201BEA01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM201BEAP1 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM201BEC01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM300BCA01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM300BCC01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM300BIA01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM300BIC01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM301BCA01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM301BCC01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM301BIA01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM301BIC01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM302BCA01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM302BCC01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM304BCA01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM304BCC01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM304BIA01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM304BIC01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM306BCA01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM306BCC01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM307BCA01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM307BCC01 Vishay Siliconix Description: IC ANALOG SWITCH
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SQ2348ES-T1_GE3 SQ2348ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2348es.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
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SQ3410EV-T1_GE3 SQ3410EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3410ev.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SQ3469EV-T1-GE3 Vishay Siliconix sq3469ev.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6
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SQ4401EY-T1-GE3 SQ4401EY-T1-GE3 Vishay Siliconix sq4401ey.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
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SIRA34DP-T1-GE3 sira34dp.pdf
SIRA34DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS330DN-T1-GE3 sis330dn.pdf
SIS330DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS334DN-T1-GE3 sis334dn.pdf
SIS334DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS448DN-T1-GE3 sis448dn.pdf
SIS448DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS472DN-T1-GE3 sis472dn.pdf
SIS472DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.42 EUR
6000+0.39 EUR
9000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS776DN-T1-GE3 sis776dn.pdf
SIS776DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA12ADN-T1-GE3 sisa12adn.pdf
SISA12ADN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA18ADN-T1-GE3 sisa18adn.pdf
SISA18ADN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.37 EUR
6000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SJM181BCA01
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SJM181BCC01
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SJM181BIA01
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SJM181BIC01
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SJM181BXA
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SJM181BXC
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SJM182BXC
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SJM184BEA01
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SJM184BEC01
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SJM184BXA
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SJM184BXC
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SJM185BXC
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SJM187BCA01
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SJM187BCC01
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
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SJM187BIA01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM187BIC01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM187BXA
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM187BXC
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM190BEA01
Hersteller: Vishay Siliconix
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Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM190BXA
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM190BXC
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM191BXC
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM200BCA01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM200BCC01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM200BIA01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM200BIC01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM201BEA01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM201BEAP1
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM201BEC01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM300BCA01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM300BCC01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM300BIA01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM300BIC01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM301BCA01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM301BCC01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM301BIA01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM301BIC01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM302BCA01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM302BCC01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM304BCA01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM304BCC01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM304BIA01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM304BIC01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM306BCA01
Hersteller: Vishay Siliconix
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Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM307BCA01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SJM307BCC01
Hersteller: Vishay Siliconix
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SQ2348ES-T1_GE3 sq2348es.pdf
SQ2348ES-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
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SQ3410EV-T1_GE3 sq3410ev.pdf
SQ3410EV-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3469EV-T1-GE3 sq3469ev.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6
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SQ4401EY-T1-GE3 sq4401ey.pdf
SQ4401EY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
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