Produkte > VISHAY SILICONIX > Alle Produkte des Herstellers VISHAY SILICONIX (11064) > Seite 108 nach 185
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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SIP4282DVP3-T1GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 PWRPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled Package / Case: PowerPAK® SC-75-6L Output Type: P-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 105mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 1.8V ~ 5.5V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Current - Output (Max): 1.4A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6L Fault Protection: UVLO Part Status: Active |
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| SIP4612BDVP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC75-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® TSC-75-6 Output Type: P-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 150mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 2.4V ~ 5.5V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Current - Output (Max): 1A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: PowerPAK® TSC75-6 Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO Part Status: Obsolete |
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SIR330DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 27.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V |
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SIR482DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 |
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| SIR672DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 27.6A SO-8 |
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SIR770DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 |
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SIR814DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
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SIR818DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR864DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SO |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR872DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 75 V |
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SIRA34DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
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SIS330DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 |
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SIS334DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 |
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SIS448DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 15 V |
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SIS472DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIS776DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 |
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SISA12ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISA18ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SJM181BCA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP |
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| SJM181BCC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP |
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| SJM181BIA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP |
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| SJM181BIC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP |
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| SJM181BXA | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP |
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| SJM181BXC | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP |
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| SJM182BXC | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM184BEA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM184BEC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM184BXA | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM184BXC | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM185BXC | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM187BCA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM187BCC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM187BIA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM187BIC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM187BXA | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM187BXC | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM190BEA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM190BEC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM190BXA | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM190BXC | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM191BXC | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM200BCA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM200BCC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM200BIA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM200BIC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM201BEA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM201BEAP1 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM201BEC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM300BCA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM300BCC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM300BIA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM300BIC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM301BCA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM301BCC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM301BIA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM301BIC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM302BCA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM302BCC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM304BCA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SJM304BCC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
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| SIP4282DVP3-T1GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 PWRPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6L
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 105mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.8V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6L
Fault Protection: UVLO
Part Status: Active
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 PWRPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6L
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 105mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.8V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6L
Fault Protection: UVLO
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SIP4612BDVP-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® TSC-75-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.4V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PowerPAK® TSC75-6
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
Part Status: Obsolete
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® TSC-75-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.4V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PowerPAK® TSC75-6
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SIR330DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SIR482DP-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SIR672DP-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 27.6A SO-8
Description: MOSFET N-CH 80V 27.6A SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SIR770DP-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SIR814DP-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SIR818DP-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.85 EUR |
| SIR864DP-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SO
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SO
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIR872DP-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 75 V
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Stück im Wert von UAH
| SIRA34DP-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
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Stück im Wert von UAH
| SIS330DN-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| SIS334DN-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SIS448DN-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 15 V
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| SIS472DN-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.42 EUR |
| 6000+ | 0.39 EUR |
| 9000+ | 0.36 EUR |
| SIS776DN-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
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Stück im Wert von UAH
| SISA12ADN-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.52 EUR |
| SISA18ADN-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.37 EUR |
| 6000+ | 0.34 EUR |
| SJM181BCA01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SJM181BCC01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SJM181BIA01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SJM181BIC01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SJM181BXA |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SJM181BXC |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SJM182BXC |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SJM184BEA01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SJM184BEC01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Stück im Wert von UAH
| SJM184BXA |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SJM184BXC |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SJM185BXC |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SJM187BCA01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Stück im Wert von UAH
| SJM187BCC01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Stück im Wert von UAH
| SJM187BIA01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SJM187BIC01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SJM187BXA |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Stück im Wert von UAH
| SJM187BXC |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Stück im Wert von UAH
| SJM190BEA01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Stück im Wert von UAH
| SJM190BEC01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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| SJM190BXA |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Stück im Wert von UAH
| SJM190BXC |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Stück im Wert von UAH
| SJM191BXC |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Stück im Wert von UAH
| SJM200BCA01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SJM200BCC01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SJM200BIA01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SJM200BIC01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SJM201BEA01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Stück im Wert von UAH
| SJM201BEAP1 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Stück im Wert von UAH
| SJM201BEC01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Stück im Wert von UAH
| SJM300BCA01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Stück im Wert von UAH
| SJM300BCC01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Stück im Wert von UAH
| SJM300BIA01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Stück im Wert von UAH
| SJM300BIC01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Stück im Wert von UAH
| SJM301BCA01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Stück im Wert von UAH
| SJM301BCC01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SJM301BIA01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Stück im Wert von UAH
| SJM301BIC01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Stück im Wert von UAH
| SJM302BCA01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| SJM302BCC01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Stück im Wert von UAH
| SJM304BCA01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SJM304BCC01 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH