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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPL60R075CFD7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R075CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ea3aa6a5731ad Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R095CFD7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R095CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633f96542e4f53 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R125C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b448dc78594a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R140CFD7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-MOSFET_CoolMOS_CFD7_600V-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fdd5758e81db7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R160CFD7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R160CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633ef18bea4d44 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R180P6AUMA1 IPL60R180P6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R180P6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.4A; 176W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22.4A
Power dissipation: 176W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R185C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R185C7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b42d65c55913 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R185CFD7 IPL60R185CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R185CFD7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 85W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 85W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.346Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R185CFD7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R185CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ea3bcb41d31af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R199CPAUMA1 IPL60R199CPAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R199CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16.4A; 139W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16.4A
Power dissipation: 139W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R1K5C6SATMA1 IPL60R1K5C6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R1K5C6S-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 26.6W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R299CPAUMA1 IPL60R299CPAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R299CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.1A; 96W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 96W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R2K1C6SATMA1 IPL60R2K1C6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R2K1C6S-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.3A; 21.6W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 21.6W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R365P7AUMA1 IPL60R365P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R365P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 46W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 46W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Version: ESD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R065CFD7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R065CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d4bd84e822b7f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R095CFD7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R095CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca6ba6ac52236 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R115CFD7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R115CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca6df361922d7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R130CFD7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R130CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca703ad8b22fd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R160CFD7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R160CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca7319187233f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R200CFD7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL65R200CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca74ce8a12374 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N65C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP_A_I20N65C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ea4314a07 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW32N50C3FKSA1 SPW32N50C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW32N50C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d1edf480e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 32A; 284W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 32A
Power dissipation: 284W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848CE6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITS4100SSJNXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ITS4100S-SJ-N-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c9049397e2318 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBD914E6327HTSA1 SMBD914E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBD914E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Reverse recovery time: 4ns
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.37W
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.25A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Type of diode: switching
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL215CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.5/-1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 0.173/0.25Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.02 EUR
120+0.71 EUR
163+0.52 EUR
168+0.51 EUR
185+0.46 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F475R12KS4B11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-F4_75R12KS4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043345a30bc01346aa99f261370 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO2C; Inverter; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Case: AG-ECONO2C
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
Technology: EconoPACK™ 2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F475R12KS4BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-F4_75R12KS4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43166255432 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO2B; Inverter; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 100A
Case: AG-ECONO2B
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS100R12PT4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS100R12PT4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124c4106aac11cd Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO4-1; Inverter; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 500W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO4-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: NTC thermistor
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 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R280P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.69 EUR
50+1.71 EUR
56+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 82W
Gate charge: 20.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 6.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.65Ω
auf Bestellung 2151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.06 EUR
90+0.95 EUR
101+0.84 EUR
105+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7c89cc51e98 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 49W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 49W
Gate charge: 9.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280CFD7 IPD60R280CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R280CFD7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 51W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.536Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 51W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 10A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 386mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 64W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R170CFD7 IPD60R170CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R170CFD7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 76W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 76W
Gate charge: 28nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7S IPD60R280P7S INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R280P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD600N25N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD600N25N3G_-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f17012496b03c67195b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 18A; Idm: 100A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c45f839e9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 4A; Idm: 14A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.219Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d54edbbd60f38 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R2K0C6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee012a0dfc6b8b064f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 6A; 22.3W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 22.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252
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IPD60R950C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPD60R400CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83667001f0c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.3A; Idm: 30A; 112W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 112W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 9.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252
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IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60N10S4-12-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a018870c994de0a3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 94W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 94W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK; TO252
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IPD60R145CFD7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R145CFD7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635ebca8052a8d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPD60R170CFD7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPD60R180C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fd622c0914c61 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPD60R180CM8XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R180CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8cd870c30405 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R1K0CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7bf4c481e94 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.8A; 61W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 61W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
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IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed6256d5839ef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 3A; Idm: 8.8A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.978Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
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IPD60R1K4C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R1K4C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129eef00aaa05e5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPD60R1K5PFD7SAUMA1 IPD60R1K5PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R1K5PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225df2d46744 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 2.2A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.892Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 2.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
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IPD60R280P7SE8228AUMA1 IPD60R280P7SE8228AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipd60r280p7-datasheet-en.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 12A; 53W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK
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IPD60R280PFD7SAUMA1 IPD60R280PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R280PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e22702a14674d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 7A; Idm: 31A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 549mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 51W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
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IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R2K1CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7e404601eaa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.7A; 38W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 38W
Gate charge: 6.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
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IPD60R360CFD7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R360CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2ce90c22eda Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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BSZ105N04NSGATMA1 BSZ105N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ105N04NSG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 29A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™ 3
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IQD005N04NM6CGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IQD005N04NM6CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8c9f7b0533 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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BSZ105N04NSGATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ105N04NSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30431689f4420116c485c67f084e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IQD005N04NM6CGSCATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IQD005N04NM6CGSC-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac8019169e6d0105447 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IAUA200N04S5N010AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUA200N04S5N010.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 800A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 800A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 132nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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IPL60R075CFD7AUMA1 Infineon-IPL60R075CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ea3aa6a5731ad
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPL60R095CFD7AUMA1 Infineon-IPL60R095CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633f96542e4f53
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125C7AUMA1 Infineon-IPL60R125C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b448dc78594a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPL60R140CFD7AUMA1 Infineon-MOSFET_CoolMOS_CFD7_600V-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fdd5758e81db7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R160CFD7AUMA1 Infineon-IPL60R160CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633ef18bea4d44
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPL60R180P6AUMA1 IPL60R180P6-DTE.pdf
IPL60R180P6AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.4A; 176W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22.4A
Power dissipation: 176W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IPL60R185C7AUMA1 Infineon-IPL60R185C7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b42d65c55913
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPL60R185CFD7 IPL60R185CFD7.pdf
IPL60R185CFD7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 85W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 85W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.346Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
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IPL60R185CFD7AUMA1 Infineon-IPL60R185CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ea3bcb41d31af
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPL60R199CPAUMA1 IPL60R199CP-DTE.pdf
IPL60R199CPAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16.4A; 139W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16.4A
Power dissipation: 139W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IPL60R1K5C6SATMA1 IPL60R1K5C6S-DTE.pdf
IPL60R1K5C6SATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 26.6W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IPL60R299CPAUMA1 IPL60R299CP-DTE.pdf
IPL60R299CPAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.1A; 96W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 96W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R2K1C6SATMA1 IPL60R2K1C6S-DTE.pdf
IPL60R2K1C6SATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.3A; 21.6W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 21.6W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IPL60R365P7AUMA1 IPL60R365P7.pdf
IPL60R365P7AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 46W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 46W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Version: ESD
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IPL65R065CFD7AUMA1 Infineon-IPL65R065CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d4bd84e822b7f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R095CFD7AUMA1 Infineon-IPL65R095CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca6ba6ac52236
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPL65R115CFD7AUMA1 Infineon-IPL65R115CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca6df361922d7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPL65R160CFD7AUMA1 Infineon-IPL65R160CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca7319187233f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPL65R200CFD7AUMA1 Infineon-IPL65R200CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca74ce8a12374
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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SPA20N65C3XKSA1 Infineon-SPP_A_I20N65C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ea4314a07
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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SPW32N50C3FKSA1 SPW32N50C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d1edf480e
SPW32N50C3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 32A; 284W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 32A
Power dissipation: 284W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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6+14.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848CE6433HTMA1 bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITS4100SSJNXUMA1 Infineon-ITS4100S-SJ-N-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c9049397e2318
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBD914E6327HTSA1 SMBD914E6327HTSA1.pdf
SMBD914E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Reverse recovery time: 4ns
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.37W
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.25A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Type of diode: switching
auf Bestellung 2 Stücke:
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2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1.pdf
BSL215CH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.5/-1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 0.173/0.25Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
auf Bestellung 949 Stücke:
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84+1.02 EUR
120+0.71 EUR
163+0.52 EUR
168+0.51 EUR
185+0.46 EUR
500+0.38 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F475R12KS4B11BPSA1 Infineon-F4_75R12KS4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043345a30bc01346aa99f261370
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO2C; Inverter; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Case: AG-ECONO2C
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
Technology: EconoPACK™ 2
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F475R12KS4BPSA1 Infineon-F4_75R12KS4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43166255432
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO2B; Inverter; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 100A
Case: AG-ECONO2B
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS100R12PT4BOSA1 Infineon-FS100R12PT4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124c4106aac11cd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO4-1; Inverter; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 500W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO4-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: NTC thermistor
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7.pdf
IPD60R280P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+2.69 EUR
50+1.71 EUR
56+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R650CEAUMA1 Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55
IPD60R650CEAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 82W
Gate charge: 20.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 6.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.65Ω
auf Bestellung 2151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
81+1.06 EUR
90+0.95 EUR
101+0.84 EUR
105+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon-IPD60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7c89cc51e98
IPD60R1K5CEAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 49W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 49W
Gate charge: 9.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280CFD7 IPD60R280CFD7.pdf
IPD60R280CFD7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 51W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.536Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 51W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a
IPD60R210PFD7SAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 10A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 386mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 64W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R170CFD7 IPD60R170CFD7.pdf
IPD60R170CFD7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 76W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 76W
Gate charge: 28nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7S IPD60R280P7S.pdf
IPD60R280P7S
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD600N25N3GATMA1 Infineon-IPD600N25N3G_-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f17012496b03c67195b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 18A; Idm: 100A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c45f839e9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 4A; Idm: 14A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.219Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7SAUMA1 Infineon-IPD60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d54edbbd60f38
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0C6ATMA1 Infineon-IPD60R2K0C6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee012a0dfc6b8b064f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 6A; 22.3W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 22.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R400CEAUMA1 Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83667001f0c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.3A; Idm: 30A; 112W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 112W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 9.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 Infineon-IPD60N10S4-12-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a018870c994de0a3a
IPD60N10S412ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 94W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 94W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK; TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon-IPD60R145CFD7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635ebca8052a8d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R170CFD7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180C7ATMA1 Infineon-IPD60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fd622c0914c61
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180CM8XTMA1 Infineon-IPD60R180CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8cd870c30405
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon-IPD60R1K0CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7bf4c481e94
IPD60R1K0CEAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.8A; 61W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 61W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed6256d5839ef
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 3A; Idm: 8.8A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.978Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K4C6ATMA1 Infineon-IPD60R1K4C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129eef00aaa05e5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R1K5PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225df2d46744
IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 2.2A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.892Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 2.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7SE8228AUMA1 infineon-ipd60r280p7-datasheet-en.pdf
IPD60R280P7SE8228AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 12A; 53W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R280PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e22702a14674d
IPD60R280PFD7SAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 7A; Idm: 31A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 549mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 51W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon-IPD60R2K1CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7e404601eaa
IPD60R2K1CEAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.7A; 38W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 38W
Gate charge: 6.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360CFD7ATMA1 Infineon-IPD60R360CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2ce90c22eda
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ105N04NSGATMA1 BSZ105N04NSG.pdf
BSZ105N04NSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 29A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™ 3
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IQD005N04NM6CGATMA1 Infineon-IQD005N04NM6CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8c9f7b0533
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSZ105N04NSGATMA2 Infineon-BSZ105N04NSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30431689f4420116c485c67f084e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IQD005N04NM6CGSCATMA1 Infineon-IQD005N04NM6CGSC-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac8019169e6d0105447
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IAUA200N04S5N010AUMA1 IAUA200N04S5N010.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 800A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 800A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 132nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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