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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPA80R360P7XKSA1 IPA80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipa80r360p7-datasheet-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; Idm: 34A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.96 EUR
31+2.82 EUR
37+2.34 EUR
43+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC019S06S1XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-igc019s06s1-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC025S08S1XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-igc025s08s1-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRLPBF IRFS7434TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7434pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a730021cc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 320A; 294W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 320A
Power dissipation: 294W
Case: D2PAK; TO263AB
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 216nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irfs7434-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a7c0721ce Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 229A; Idm: 1.3kA; 245W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 229A
Power dissipation: 245W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.3kA
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7430TRL7PP IRFS7430TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES IRFS7430TRL7PP.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.55mΩ
Power dissipation: 375W
Gate charge: 305nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA11N80C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP11N80C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a9132fee5c9a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N80C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW11N80C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bf6e0463d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYBT-343026-01 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CYBT-343026-01_EZ-BT_WICED_Module-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee4bcdb6bec&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth Low Energy; Bluetooth: BLE; 9dBm; I2C,SPI,UART
Type of communications module: Bluetooth Low Energy
Bluetooth version: BLE
Transmitter output power: 9dBm
Supply voltage: 2.3...3.6V DC
Interface: I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Dimensions: 12x15.5x1.95mm
Receiver sensitivity: -93.5dBm
Kind of module: wireless
Frequency: 2.4GHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYBLE-212020-01 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CYBLE-212020-01-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee1d41a67e4&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth Low Energy; Bluetooth: 4.2,BLE; 3dBm; SMD
Type of communications module: Bluetooth Low Energy
Bluetooth version: 4.2; BLE
Transmitter output power: 3dBm
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Interface: I2C; I2S; SPI; UART
Mounting: SMD
Dimensions: 19.2x14.5mm
Receiver sensitivity: -91dBm
Kind of module: wireless
Frequency: 2.4GHz
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE73683EXUMA3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE7368-DataSheet-v02_60-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d271b041d1 Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE4476DATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE4476D-DS-v02_50-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d22e8e41b9 Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD082N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+3.18 EUR
33+2.58 EUR
38+2.28 EUR
52+1.65 EUR
100+1.46 EUR
250+1.26 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R400CEXKSA1 IPA65R400CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384fc4e327493 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.1A; 31W; TO220FP
Mounting: THT
Power dissipation: 31W
Gate charge: 39nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 15.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.36Ω
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+2.09 EUR
52+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD009N06NM5CGSCATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IQD009N06NM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b2e911db0ff1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD009N06NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IQD009N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4659dc640465 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD009N06NM5CGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IQD009N06NM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8caea00536 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD009N06NM5SCATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IQD009N06NM5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b653e47149d2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD016N08NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IQD016N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4562cd2a01fe Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD016N08NM5CGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IQD016N08NM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8cb6f20539 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD016N08NM5CGSCATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IQD016N08NM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b6de11e05fb1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD016N08NM5SCATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IQD016N08NM5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b6dff5a3603c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD020N10NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IQD020N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a467e766504b8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD020N10NM5CGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IQD020N10NM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8cc0be053c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD020N10NM5SCATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IQD020N10NM5SCATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD063N15NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IQD063N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a46631b2a048b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD063N15NM5CGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IQD063N15NM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188b384db7e0809 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD063N15NM5SCATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IQD063N15NM5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b7814b9a6c5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLD21421EPXUMA1 TLD21421EPXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLD21421EP.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 240mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.24A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD04N50C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD04N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f19f2e04218fd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCX5516H6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcx54_bcx55_bcx56.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589d20fda0368 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCX5516H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcx54_bcx55_bcx56.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589d20fda0368 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R090M1HXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP095N20NM6AKSA1 IPP095N20NM6AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP095N20NM6AKSA1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 116A; Idm: 464A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 116A
Pulsed drain current: 464A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
Technology: OptiMOS™ 6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD90N03S4L02.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 90A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT65R018CM8XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT65R018CM8-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019625e7adc80aaf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 134A; 694W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 134A
Power dissipation: 694W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 173nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R024CM8XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 103A; 543W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 103A
Power dissipation: 543W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R070CM8XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 40A; 245W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 245W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R099CM8XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPT60R099CM8_2_0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 30A; 186W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 186W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT65R025CM8XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 101A; 543W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 101A
Power dissipation: 543W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 124nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT65R040CM8XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT65R040CM8-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626b3288c3b65 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 67A; 390W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 67A
Power dissipation: 390W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC019N06NS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546789c12ca7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRMCF341TY IRMCF341TY INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irmcf341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015356726d8c2742 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; I2C,SPI; LQFP64
Type of integrated circuit: driver
Interface: I2C; SPI
Case: LQFP64
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
auf Bestellung 800 Stücke:
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800+9.42 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDM02G120C5-DTE.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 98W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO252-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.4V
Leakage current: 1.2µA
Max. forward impulse current: 31A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 98W
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T640N16TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T640N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd8012863803806534a Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 1.25kA; 644A; Igt: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 9.4kA
Gate current: 250mA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Body dimensions: Ø48/Ø30mm
Load current: 644A
Max. load current: 1.25kA
Kind of package: in-tray
Case: A-PUK
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 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T640N14TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T640N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd8012863803806534a Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.4kV; Ifmax: 1.25kA; 644A; Igt: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 9.4kA
Gate current: 250mA
Max. off-state voltage: 1.4kV
Body dimensions: Ø48/Ø30mm
Load current: 644A
Max. load current: 1.25kA
Kind of package: in-tray
Case: A-PUK
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 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T640N18TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T640N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd8012863803806534a Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 1.25kA; 644A; Igt: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 9.4kA
Gate current: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Body dimensions: Ø48/Ø30mm
Load current: 644A
Max. load current: 1.25kA
Kind of package: in-tray
Case: A-PUK
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BAT6406E6327HTSA1 BAT6406E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
auf Bestellung 6429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.23 EUR
463+0.18 EUR
516+0.17 EUR
752+0.11 EUR
826+0.1 EUR
879+0.096 EUR
942+0.09 EUR
1000+0.087 EUR
3000+0.075 EUR
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BAT5405E6327HTSA1 BAT5405E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
auf Bestellung 4532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
491+0.18 EUR
532+0.15 EUR
671+0.13 EUR
733+0.12 EUR
875+0.098 EUR
1000+0.093 EUR
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT5403WE6327HTSA1 BAT5403WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAT54SERIES-DS-v01_01-en.pdf BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.35 EUR
343+0.25 EUR
435+0.19 EUR
485+0.18 EUR
754+0.11 EUR
1000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT5404E6327HTSA1 BAT5404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.43 EUR
285+0.3 EUR
334+0.25 EUR
473+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF2804STRL7P INFINEON TECHNOLOGIES auirf2804.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a8f7df1381 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlhm630pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.7W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY15B104Q-SXI CY15B104Q-SXI INFINEON TECHNOLOGIES CY15B104Q-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4MbFRAM; SPI; 512kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 40MHz
Memory: 4Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512kx8bit
Case: SO8
Interface: SPI
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CY15B104Q-LHXI CY15B104Q-LHXI INFINEON TECHNOLOGIES CY15B104Q-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4MbFRAM; SPI; 512kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; TDFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 40MHz
Memory: 4Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512kx8bit
Case: TDFN8
Interface: SPI
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY15B102Q-SXE CY15B102Q-SXE INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B102Q_2-Mbit_(256_K_8)_Serial_(SPI)_Automotive_F-RAM-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecf5fe049d3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 2MbFRAM; SPI; 256kx8bit; 2÷3.6VDC; 20MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...125°C
Clock frequency: 20MHz
Memory: 2Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 256kx8bit
Case: SO8
Interface: SPI
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 Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY15B102QN-50SXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B102QN_CY15V102QN_Excelon-LP_2-Mbit_(256K_X_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee849827123 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
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 Mindestbestellmenge: 470 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY15B108QSN-108BKXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B108QSN-108BKXI-DataSheet-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d329018137fe180308ad Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY15B064J-SXAT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R360P7XKSA1 infineon-ipa80r360p7-datasheet-en.pdf
IPA80R360P7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; Idm: 34A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+3.96 EUR
31+2.82 EUR
37+2.34 EUR
43+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC019S06S1XTMA1 infineon-igc019s06s1-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGC025S08S1XTMA1 infineon-igc025s08s1-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRLPBF irfs7434pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a730021cc
IRFS7434TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 320A; 294W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 320A
Power dissipation: 294W
Case: D2PAK; TO263AB
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 216nC
Kind of channel: enhancement
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRL7PP irfs7434-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a7c0721ce
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 229A; Idm: 1.3kA; 245W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 229A
Power dissipation: 245W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.3kA
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7430TRL7PP IRFS7430TRL7PP.pdf
IRFS7430TRL7PP
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.55mΩ
Power dissipation: 375W
Gate charge: 305nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA11N80C3XKSA1 SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP11N80C3XKSA1 Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a9132fee5c9a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N80C3FKSA1 SPW11N80C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bf6e0463d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYBT-343026-01 Infineon-CYBT-343026-01_EZ-BT_WICED_Module-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee4bcdb6bec&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth Low Energy; Bluetooth: BLE; 9dBm; I2C,SPI,UART
Type of communications module: Bluetooth Low Energy
Bluetooth version: BLE
Transmitter output power: 9dBm
Supply voltage: 2.3...3.6V DC
Interface: I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Dimensions: 12x15.5x1.95mm
Receiver sensitivity: -93.5dBm
Kind of module: wireless
Frequency: 2.4GHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYBLE-212020-01 Infineon-CYBLE-212020-01-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee1d41a67e4&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth Low Energy; Bluetooth: 4.2,BLE; 3dBm; SMD
Type of communications module: Bluetooth Low Energy
Bluetooth version: 4.2; BLE
Transmitter output power: 3dBm
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Interface: I2C; I2S; SPI; UART
Mounting: SMD
Dimensions: 19.2x14.5mm
Receiver sensitivity: -91dBm
Kind of module: wireless
Frequency: 2.4GHz
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE73683EXUMA3 Infineon-TLE7368-DataSheet-v02_60-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d271b041d1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE4476DATMA1 Infineon-TLE4476D-DS-v02_50-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d22e8e41b9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3G-DTE.pdf
IPD082N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+3.18 EUR
33+2.58 EUR
38+2.28 EUR
52+1.65 EUR
100+1.46 EUR
250+1.26 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R400CEXKSA1 Infineon-IPA65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384fc4e327493
IPA65R400CEXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.1A; 31W; TO220FP
Mounting: THT
Power dissipation: 31W
Gate charge: 39nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 15.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.36Ω
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+2.09 EUR
52+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD009N06NM5CGSCATMA1 Infineon-IQD009N06NM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b2e911db0ff1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD009N06NM5ATMA1 Infineon-IQD009N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4659dc640465
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD009N06NM5CGATMA1 Infineon-IQD009N06NM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8caea00536
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD009N06NM5SCATMA1 Infineon-IQD009N06NM5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b653e47149d2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD016N08NM5ATMA1 Infineon-IQD016N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4562cd2a01fe
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQD016N08NM5CGATMA1 Infineon-IQD016N08NM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8cb6f20539
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IQD016N08NM5CGSCATMA1 Infineon-IQD016N08NM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b6de11e05fb1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IQD016N08NM5SCATMA1 Infineon-IQD016N08NM5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b6dff5a3603c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IQD020N10NM5ATMA1 Infineon-IQD020N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a467e766504b8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IQD020N10NM5CGATMA1 Infineon-IQD020N10NM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8cc0be053c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IQD020N10NM5SCATMA1 IQD020N10NM5SCATMA1.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IQD063N15NM5ATMA1 Infineon-IQD063N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a46631b2a048b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IQD063N15NM5CGATMA1 Infineon-IQD063N15NM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188b384db7e0809
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IQD063N15NM5SCATMA1 Infineon-IQD063N15NM5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b7814b9a6c5a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLD21421EPXUMA1 TLD21421EP.pdf
TLD21421EPXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 240mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.24A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD04N50C3ATMA1 Infineon-SPD04N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f19f2e04218fd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCX5516H6433XTMA1 bcx54_bcx55_bcx56.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589d20fda0368
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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BCX5516H6327XTSA1 bcx54_bcx55_bcx56.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589d20fda0368
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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AIMBG75R090M1HXTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPP095N20NM6AKSA1 IPP095N20NM6AKSA1.pdf
IPP095N20NM6AKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 116A; Idm: 464A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 116A
Pulsed drain current: 464A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
Technology: OptiMOS™ 6
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IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02.pdf
IPD90N03S4L02ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 90A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT65R018CM8XTMA1 Infineon-IPT65R018CM8-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019625e7adc80aaf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 134A; 694W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 134A
Power dissipation: 694W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 173nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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IPT60R024CM8XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 103A; 543W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 103A
Power dissipation: 543W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Application: automotive industry
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IPT60R070CM8XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 40A; 245W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 245W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Application: automotive industry
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IPT60R099CM8XTMA1 DS_IPT60R099CM8_2_0.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 30A; 186W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 186W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Application: automotive industry
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IPT65R025CM8XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 101A; 543W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 101A
Power dissipation: 543W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 124nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT65R040CM8XTMA1 Infineon-IPT65R040CM8-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626b3288c3b65
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 67A; 390W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 67A
Power dissipation: 390W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1 Infineon-BSC019N06NS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546789c12ca7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRMCF341TY infineon-irmcf341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015356726d8c2742
IRMCF341TY
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; I2C,SPI; LQFP64
Type of integrated circuit: driver
Interface: I2C; SPI
Case: LQFP64
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+9.42 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5-DTE.pdf
IDM02G120C5XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 98W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO252-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.4V
Leakage current: 1.2µA
Max. forward impulse current: 31A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 98W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T640N16TOFXPSA1 Infineon-T640N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd8012863803806534a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 1.25kA; 644A; Igt: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 9.4kA
Gate current: 250mA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Body dimensions: Ø48/Ø30mm
Load current: 644A
Max. load current: 1.25kA
Kind of package: in-tray
Case: A-PUK
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T640N14TOFXPSA1 Infineon-T640N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd8012863803806534a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.4kV; Ifmax: 1.25kA; 644A; Igt: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 9.4kA
Gate current: 250mA
Max. off-state voltage: 1.4kV
Body dimensions: Ø48/Ø30mm
Load current: 644A
Max. load current: 1.25kA
Kind of package: in-tray
Case: A-PUK
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T640N18TOFXPSA1 Infineon-T640N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd8012863803806534a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 1.25kA; 644A; Igt: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 9.4kA
Gate current: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Body dimensions: Ø48/Ø30mm
Load current: 644A
Max. load current: 1.25kA
Kind of package: in-tray
Case: A-PUK
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT6406E6327HTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6406E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
auf Bestellung 6429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
385+0.23 EUR
463+0.18 EUR
516+0.17 EUR
752+0.11 EUR
826+0.1 EUR
879+0.096 EUR
942+0.09 EUR
1000+0.087 EUR
3000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT5405E6327HTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5405E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
auf Bestellung 4532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
455+0.19 EUR
491+0.18 EUR
532+0.15 EUR
671+0.13 EUR
733+0.12 EUR
875+0.098 EUR
1000+0.093 EUR
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT5403WE6327HTSA1 Infineon-BAT54SERIES-DS-v01_01-en.pdf BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5403WE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
250+0.35 EUR
343+0.25 EUR
435+0.19 EUR
485+0.18 EUR
754+0.11 EUR
1000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT5404E6327HTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5404E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.43 EUR
285+0.3 EUR
334+0.25 EUR
473+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF2804STRL7P auirf2804.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a8f7df1381
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHM630TRPBF irlhm630pbf.pdf
IRLHM630TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.7W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY15B104Q-SXI CY15B104Q-DTE.pdf
CY15B104Q-SXI
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4MbFRAM; SPI; 512kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 40MHz
Memory: 4Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512kx8bit
Case: SO8
Interface: SPI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY15B104Q-LHXI CY15B104Q-DTE.pdf
CY15B104Q-LHXI
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4MbFRAM; SPI; 512kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; TDFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 40MHz
Memory: 4Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512kx8bit
Case: TDFN8
Interface: SPI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY15B102Q-SXE Infineon-CY15B102Q_2-Mbit_(256_K_8)_Serial_(SPI)_Automotive_F-RAM-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecf5fe049d3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY15B102Q-SXE
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 2MbFRAM; SPI; 256kx8bit; 2÷3.6VDC; 20MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...125°C
Clock frequency: 20MHz
Memory: 2Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 256kx8bit
Case: SO8
Interface: SPI
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY15B102QN-50SXI Infineon-CY15B102QN_CY15V102QN_Excelon-LP_2-Mbit_(256K_X_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee849827123
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
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CY15B108QSN-108BKXI Infineon-CY15B108QSN-108BKXI-DataSheet-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d329018137fe180308ad
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
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CY15B064J-SXAT download
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
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