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IRG7CH50UED Infineon Technologies Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG7CH50UEF Infineon Technologies Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG7CH54K10EF-R Infineon Technologies irg7ch54k10ef.pdf Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG7CH73K10EF Infineon Technologies irg7ch73k10ef.pdf Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG7CH73K10EF-R Infineon Technologies irg7ch73k10ef-r.pdf Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: Die
Td (on/off) @ 25°C: 105ns/45ns
Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
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IRG7CH73UED-R Infineon Technologies Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG7CH73UEF-R Infineon Technologies irg7ch73uef-r.pdf Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: Die
Td (on/off) @ 25°C: 90ns/580ns
Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 540 nC
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
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IRG7CH75K10EF Infineon Technologies Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG7CH75K10EF-R Infineon Technologies irg7ch75k10ef-r.pdf Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG7CH75UED-R Infineon Technologies Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG7CH75UEF-R Infineon Technologies irg7ch75uef-r.pdf Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG7CH81K10EF Infineon Technologies Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG7CH81K10EF-R Infineon Technologies irg7ch81k10ef-r.pdf Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG7PH35U-EPBF IRG7PH35U-EPBF Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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IRG7PH42UD-EPBF IRG7PH42UD-EPBF Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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IRG7PH50U-EP IRG7PH50U-EP Infineon Technologies irg7ph50upbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564db8e123c3 Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247AD
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/430ns
Switching Energy: 4.6mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 440 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 556 W
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IRG7PK35UD1MPBF Infineon Technologies Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247
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IRG7PK42UD1-EPBF Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247
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IRG8CH106K10F Infineon Technologies irg8ch106k10f.pdf Description: IGBT 1200V 110A DIE
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IRG8CH10K10F Infineon Technologies irg8ch10k10f.pdf Description: IGBT 1200V 5A DIE
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IRG8CH15K10D Infineon Technologies Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG8CH15K10F Infineon Technologies irg8ch15k10f.pdf Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG8CH20K10D Infineon Technologies Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG8CH20K10F Infineon Technologies irg8ch20k10f.pdf Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG8CH29K10D Infineon Technologies Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG8CH29K10F Infineon Technologies irg8ch29k10f.pdf Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG8CH42K10D Infineon Technologies Description: IGBT 1200V 40A DIE
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IRG8CH42K10F Infineon Technologies irg8ch42k10f.pdf Description: IGBT 1200V 40A DIE
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BSP75NNT BSP75NNT Infineon Technologies BSP75N_2008-07-10.pdf Description: IC PWR DRVR N-CHAN 1:1 SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto Restart
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 430mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 60V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 700mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
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PTFA181001E V4 T500 PTFA181001E V4 T500 Infineon Technologies PTFA181001(E,F).pdf Description: IC FET RF LDMOS
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TLE4253GSXUMA2 TLE4253GSXUMA2 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC REG LINEAR POS ADJ 250MA DSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 250mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 150 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Voltage - Output (Min/Fixed): Tracking
Control Features: Enable
Part Status: Discontinued at Digi-Key
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.6V @ 200mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 15 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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TLE4254GSXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE4254-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928c6663dc6 Description: IC REG LINEAR POS ADJ 70MA 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 70mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 80 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Voltage - Output (Min/Fixed): Tracking
Control Features: Enable
Part Status: Discontinued at Digi-Key
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 70mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 15 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDC08D120T6MX1SA2 Infineon Technologies Infineon-IDC08D120T6M_L4667B-DS-v00_09-en.pdf?fileId=db3a304314dca38901151dc36f1d0f50 Description: DIODE GP 1.2KV 10A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 µA @ 1200 V
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IDC10D120T6MX1SA1 Infineon Technologies Infineon-IDC10D120T6M_L4668B-DS-v00_09-en.pdf?fileId=db3a304314dca38901151dc977af0f53 Description: DIODE STD 1200V 15A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.05 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.5 µA @ 1200 V
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IDC15D120T6MX1SA2 Infineon Technologies Infineon-IDC15D120T6M_L4669B-DS-v00_09-en.pdf?fileId=db3a304314dca38901151dcf0a670f55 Description: DIODE GP 1.2KV 25A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.05 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5.2 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDC28D120T6MX1SA2 Infineon Technologies Infineon-IDC28D120T6M_L4671B-DS-v00_09-en.pdf?fileId=db3a304314dca38901151ddb5e980f57 Description: DIODE STD 1200V 50A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.05 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
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IDC40D120T6MX1SA4 Infineon Technologies Infineon-IDC40D120T6M_L4672B-DS-v00_09-en.pdf?fileId=db3a304314dca38901151dddbaec0f58 Description: DIODE STD 1200V 75A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.05 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 75
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
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SIDC06D120H8X1SA2 SIDC06D120H8X1SA2 Infineon Technologies Infineon-SIDC06D120H8-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c821f38900182203fc7973f46 Description: DIODE STANDARD 1.2KV 7.5A SAWN
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 7.5A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDC08D120H8X1SA1 SIDC08D120H8X1SA1 Infineon Technologies Infineon-SIDC08D120H8-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c821f38900182203fba833f43 Description: DIODE STANDARD 1200V 150A
Packaging: Bulk
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDC105D120H8X1SA1 SIDC105D120H8X1SA1 Infineon Technologies Infineon-SIDC105D120H8-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c821f38900182203fa90e3f40 Description: DIODE STANDARD 1.2KV 200A SAWN
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDC10D120H8X1SA2 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: DIODE GP 1.2KV 15A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDC14D120H8X1SA1 Infineon Technologies Infineon-SIDC14D120H8-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c821f38900182205173f420a6 Description: DIODE GP 1.2KV 25A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDC30D120H8X1SA4 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: DIODE GP 1.2KV 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDC42D120H8X1SA3 SIDC42D120H8X1SA3 Infineon Technologies Infineon-SIDC42D120H8-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c821f38900182205188dc20ac Description: DIODE STD 1200V 75A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDC81D120H8X1SA3 SIDC81D120H8X1SA3 Infineon Technologies Infineon-SIDC81D120H8-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c821f389001822051937320af Description: DIODE STANDARD 1200V 150A
Packaging: Bulk
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.15 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH101DB6 Infineon Technologies ird3ch101db6.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
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IRD3CH101DD6 Infineon Technologies Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH101DF6 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH11DB6 Infineon Technologies IRD3CH11DB6_Web.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 190 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.7 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH11DD6 Infineon Technologies Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH11DF6 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH16DB6 Infineon Technologies ird3ch16db6.pdf Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
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IRD3CH16DD6 Infineon Technologies Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH16DF6 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH24DB6 Infineon Technologies ird3ch24db6.pdf Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH24DD6 Infineon Technologies Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH24DF6 Infineon Technologies Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH31DB6 Infineon Technologies ird3ch31db6.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH31DD6 Infineon Technologies Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH31DF6 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Packaging: Bulk
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IRG7CH50UED
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG7CH50UEF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG7CH54K10EF-R irg7ch54k10ef.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG7CH73K10EF irg7ch73k10ef.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG7CH73K10EF-R irg7ch73k10ef-r.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: Die
Td (on/off) @ 25°C: 105ns/45ns
Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
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IRG7CH73UED-R
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG7CH73UEF-R irg7ch73uef-r.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: Die
Td (on/off) @ 25°C: 90ns/580ns
Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 540 nC
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
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IRG7CH75K10EF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG7CH75K10EF-R irg7ch75k10ef-r.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG7CH75UED-R
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG7CH75UEF-R irg7ch75uef-r.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG7CH81K10EF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG7CH81K10EF-R irg7ch81k10ef-r.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG7PH35U-EPBF Part_Number_Guide_Web.pdf
IRG7PH35U-EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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IRG7PH42UD-EPBF Part_Number_Guide_Web.pdf
IRG7PH42UD-EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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IRG7PH50U-EP irg7ph50upbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564db8e123c3
IRG7PH50U-EP
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247AD
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/430ns
Switching Energy: 4.6mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 440 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 556 W
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IRG7PK35UD1MPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247
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IRG7PK42UD1-EPBF Part_Number_Guide_Web.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247
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IRG8CH106K10F irg8ch106k10f.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 110A DIE
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IRG8CH10K10F irg8ch10k10f.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 5A DIE
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IRG8CH15K10D
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG8CH15K10F irg8ch15k10f.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG8CH20K10D
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG8CH20K10F irg8ch20k10f.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG8CH29K10D
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG8CH29K10F irg8ch29k10f.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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IRG8CH42K10D
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 40A DIE
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IRG8CH42K10F irg8ch42k10f.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 40A DIE
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BSP75NNT BSP75N_2008-07-10.pdf
BSP75NNT
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC PWR DRVR N-CHAN 1:1 SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto Restart
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 430mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 60V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 700mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
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PTFA181001E V4 T500 PTFA181001(E,F).pdf
PTFA181001E V4 T500
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC FET RF LDMOS
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TLE4253GSXUMA2 fundamentals-of-power-semiconductors
TLE4253GSXUMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR POS ADJ 250MA DSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 250mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 150 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Voltage - Output (Min/Fixed): Tracking
Control Features: Enable
Part Status: Discontinued at Digi-Key
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.6V @ 200mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 15 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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TLE4254GSXUMA2 Infineon-TLE4254-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928c6663dc6
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR POS ADJ 70MA 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 70mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 80 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Voltage - Output (Min/Fixed): Tracking
Control Features: Enable
Part Status: Discontinued at Digi-Key
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 70mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 15 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDC08D120T6MX1SA2 Infineon-IDC08D120T6M_L4667B-DS-v00_09-en.pdf?fileId=db3a304314dca38901151dc36f1d0f50
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 1.2KV 10A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 µA @ 1200 V
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IDC10D120T6MX1SA1 Infineon-IDC10D120T6M_L4668B-DS-v00_09-en.pdf?fileId=db3a304314dca38901151dc977af0f53
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE STD 1200V 15A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.05 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.5 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDC15D120T6MX1SA2 Infineon-IDC15D120T6M_L4669B-DS-v00_09-en.pdf?fileId=db3a304314dca38901151dcf0a670f55
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 1.2KV 25A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.05 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5.2 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDC28D120T6MX1SA2 Infineon-IDC28D120T6M_L4671B-DS-v00_09-en.pdf?fileId=db3a304314dca38901151ddb5e980f57
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE STD 1200V 50A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.05 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDC40D120T6MX1SA4 Infineon-IDC40D120T6M_L4672B-DS-v00_09-en.pdf?fileId=db3a304314dca38901151dddbaec0f58
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE STD 1200V 75A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.05 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 75
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDC06D120H8X1SA2 Infineon-SIDC06D120H8-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c821f38900182203fc7973f46
SIDC06D120H8X1SA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE STANDARD 1.2KV 7.5A SAWN
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 7.5A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDC08D120H8X1SA1 Infineon-SIDC08D120H8-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c821f38900182203fba833f43
SIDC08D120H8X1SA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE STANDARD 1200V 150A
Packaging: Bulk
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDC105D120H8X1SA1 Infineon-SIDC105D120H8-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c821f38900182203fa90e3f40
SIDC105D120H8X1SA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE STANDARD 1.2KV 200A SAWN
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDC10D120H8X1SA2 fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 1.2KV 15A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDC14D120H8X1SA1 Infineon-SIDC14D120H8-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c821f38900182205173f420a6
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 1.2KV 25A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDC30D120H8X1SA4 fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 1.2KV 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDC42D120H8X1SA3 Infineon-SIDC42D120H8-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c821f38900182205188dc20ac
SIDC42D120H8X1SA3
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE STD 1200V 75A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIDC81D120H8X1SA3 Infineon-SIDC81D120H8-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c821f389001822051937320af
SIDC81D120H8X1SA3
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE STANDARD 1200V 150A
Packaging: Bulk
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.15 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH101DB6 ird3ch101db6.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH101DD6
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH101DF6 Part_Number_Guide_Web.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH11DB6 IRD3CH11DB6_Web.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 190 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.7 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH11DD6
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH11DF6 fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH16DB6 ird3ch16db6.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH16DD6
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH16DF6 fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH24DB6 ird3ch24db6.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
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IRD3CH24DD6
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH24DF6
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH31DB6 ird3ch31db6.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
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IRD3CH31DD6
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRD3CH31DF6 fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Packaging: Bulk
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