Produkte > IPG
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPG-22211 | BUD INDUSTRIES | Description: BUD INDUSTRIES - IPG-22211 - CABLE GLAND, NYLON, 9.9MM, BLACK tariffCode: 39269097 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Gewindemaß: PG11 Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide) rohsCompliant: YES Kabeldurchmesser, min.: 5mm euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 IP- / NEMA-Schutzart: IP66 Farbe d. Kabelverschraubung: Black usEccn: EAR99 Kabeldurchmesser, max.: 9.9mm Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG-22211 | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 5.08-9.91MM PG11 Packaging: Bulk Color: Black Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG11 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 0.730" (18.5mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.390" (9.91mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.200" (5.08mm) Thread Length: 0.320" (8.13mm) | auf Bestellung 2024 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22211 | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall (PG-11) .2 to .39" | auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22211 | BUD Industries | NYLON CABLE GLAND IP66 | auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22211-BPG | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 5-10MM PG11 NYLON Packaging: Bulk Color: Gray Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG11 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 0.730" (18.5mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.390" (9.91mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.200" (5.08mm) Thread Length: 0.320" (8.13mm) | auf Bestellung 968 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22211-BPG | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Bend Proof (PG-11) .2 to .39" | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22211-G | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 5.08-9.91MM PG11 Packaging: Bulk Color: Gray Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG11 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 0.730" (18.5mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.390" (9.91mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.200" (5.08mm) Thread Length: 0.320" (8.13mm) | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22211-G | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall - Gray (PG-11) .2 to .39" | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-222114-G | BUD Industries | CABLE GLAND,IP66 0.20-0.39 LG | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG-222114-G | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 5.08-9.91MM PG11 Packaging: Bulk Color: Gray Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG11 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 0.710" (18.0mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.390" (9.91mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.200" (5.08mm) Thread Length: 0.590" (14.99mm) | auf Bestellung 2605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-222114-G | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thick Wall (PG-11) .2 to .39" | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-222135 | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 6.1-11.94MM PG13.5 Packaging: Bulk Color: Black Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG13.5 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 0.800" (20.3mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.470" (11.94mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.240" (6.10mm) Thread Length: 0.350" (8.89mm) | auf Bestellung 10645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-222135 | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall (PG-13.5) .24 to .47" | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-222135 | BUD INDUSTRIES | Description: BUD INDUSTRIES - IPG-222135 - CABLE GLAND, NYLON, 11.9MM, BLACK tariffCode: 39269097 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Gewindemaß: PG13.5 Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide) rohsCompliant: YES Kabeldurchmesser, min.: 6.1mm euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 IP- / NEMA-Schutzart: IP66 Farbe d. Kabelverschraubung: Black usEccn: EAR99 Kabeldurchmesser, max.: 11.9mm Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG-222135-BPG | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 6-12MM PG13.5 NYLON Packaging: Bulk Color: Gray Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG13.5 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 0.800" (20.3mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.470" (11.94mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.240" (6.10mm) Thread Length: 0.350" (8.89mm) | auf Bestellung 289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-222135-BPG | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Bend Proof (PG-13.5) .24 to .47" | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-222135-G | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 6.1-11.94MM PG13.5 Packaging: Bulk Color: Gray Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG13.5 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 0.800" (20.3mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.470" (11.94mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.240" (6.10mm) Thread Length: 0.350" (8.89mm) | auf Bestellung 9998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-222135-G | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips NYLON CABLE GLAND WI RE DIA 0.24- 0.47" | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG-2221354-G | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips CABLE GLAND/LNG THRD WIRE DIA 0.24- 0.47 | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG-2221354-G | BUD Industries | Cable Accessories Gland Nylon Light Gray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG-2221354-G | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 6.1-11.94MM PG13.5 Packaging: Bulk Color: Gray Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG13.5 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 0.790" (20.1mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.470" (11.94mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.240" (6.10mm) Thread Length: 0.590" (14.99mm) | auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22216 | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 9.91-13.97MM PG16 Packaging: Bulk Color: Black Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG16 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 0.890" (22.6mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.550" (13.97mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.390" (9.91mm) Thread Length: 0.390" (9.91mm) | auf Bestellung 2501 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22216 | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall (PG-16) .39 to .55" | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22216 | BUD INDUSTRIES | Description: BUD INDUSTRIES - IPG-22216 - CABLE GLAND, NYLON, 14MM, BLACK tariffCode: 39269097 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Gewindemaß: PG16 Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide) rohsCompliant: YES Kabeldurchmesser, min.: 9.9mm euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 IP- / NEMA-Schutzart: IP66 Farbe d. Kabelverschraubung: Black usEccn: EAR99 Kabeldurchmesser, max.: 14mm Produktpalette: - | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG-22216-BPG | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 10-14MM PG16 NYLON Packaging: Bulk Color: Gray Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG16 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 0.890" (22.6mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.550" (13.97mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.390" (9.91mm) Thread Length: 0.390" (9.91mm) | auf Bestellung 449 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22216-BPG | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Bend Proof (PG-16) .39 to .55" | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG-22216-G | BUD INDUSTRIES | Description: BUD INDUSTRIES - IPG-22216-G - CABLE GLAND, NYLON, 14MM, GREY Gewindemaß - Imperial: PG16 Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide) Kabeldurchmesser, min.: 9.9 Gewindemaß - Metrisch: - IP- / NEMA-Schutzart: IP66 Farbe d. Kabelverschraubung: Grey Kabeldurchmesser, max.: 14 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG-22216-G | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 9.91-13.97MM PG16 Packaging: Bulk Color: Gray Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG16 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 0.890" (22.6mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.550" (13.97mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.390" (9.91mm) Thread Length: 0.390" (9.91mm) | auf Bestellung 2211 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22216-G | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall - Gray (PG-16) .39 to .55" | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-222164-G | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 10-14MM PG16 NYLON Packaging: Bulk Color: Gray Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG16 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 0.870" (22.1mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.550" (13.97mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.390" (9.91mm) Thread Length: 0.590" (14.99mm) | auf Bestellung 877 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-222164-G | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thick Wall - Gray (PG-16) .39 to .55" | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22219 | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall (PG-19) 0.47 to 0.59 | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22219 | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 11.94-14.99MM PG19 Packaging: Bulk Color: Black Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG19 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 0.930" (23.6mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.590" (14.99mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.470" (11.94mm) Thread Length: 0.390" (9.91mm) | auf Bestellung 21878 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22219-G | BUD INDUSTRIES | Description: BUD INDUSTRIES - IPG-22219-G - CABLE GLAND, NYLON, 15MM, GREY tariffCode: 39269097 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Gewindemaß: PG19 Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide) rohsCompliant: YES Kabeldurchmesser, min.: 11.9mm euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 IP- / NEMA-Schutzart: IP66 Farbe d. Kabelverschraubung: Grey usEccn: EAR99 Kabeldurchmesser, max.: 15mm Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG-22219-G | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 11.94-14.99MM PG19 Packaging: Bulk Color: Gray Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG19 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 0.930" (23.6mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.590" (14.99mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.470" (11.94mm) Thread Length: 0.390" (9.91mm) | auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22219-G | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall - Gray (PG-19) 0.47 to 0.59 | auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22221 | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 12.95-18.03MM PG21 Packaging: Bulk Color: Black Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG21 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 1.110" (28.2mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.710" (18.03mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.510" (12.95mm) Thread Length: 0.390" (9.91mm) | auf Bestellung 2373 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22221 | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall (PG-21) .51 to .7" | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22221 | BUD INDUSTRIES | Description: BUD INDUSTRIES - IPG-22221 - CABLE GLAND, NYLON, 18MM, BLACK tariffCode: 39269097 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Gewindemaß: PG21 Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide) rohsCompliant: YES Kabeldurchmesser, min.: 12.9mm euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 IP- / NEMA-Schutzart: IP66 Farbe d. Kabelverschraubung: Black usEccn: EAR99 Kabeldurchmesser, max.: 18mm Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG-22221-BPG | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 13-17.8MM PG21 NYLON Packaging: Bulk Color: Gray Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG21 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 1.110" (28.2mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.700" (17.78mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.510" (12.95mm) Thread Length: 0.390" (9.91mm) | auf Bestellung 737 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22221-BPG | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Bend Proof (PG-21) .51 to .7" | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22221-G | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 12.95-18.03MM PG21 Packaging: Bulk Color: Gray Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG21 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 1.110" (28.2mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.710" (18.03mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.510" (12.95mm) Thread Length: 0.390" (9.91mm) | auf Bestellung 1523 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22221-G | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall - Gray (PG-21) .51 to .7" | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22225 | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall (PG-25) 0.59 to 0.75 | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22225 | BUD INDUSTRIES | Description: BUD INDUSTRIES - IPG-22225 - CABLE GLAND, NYLON, 19MM, BLACK tariffCode: 39269097 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Gewindemaß: PG25 Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide) rohsCompliant: YES Kabeldurchmesser, min.: 15mm euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 IP- / NEMA-Schutzart: IP66 Farbe d. Kabelverschraubung: Black usEccn: EAR99 Kabeldurchmesser, max.: 19mm Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG-22225 | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 14.99-19.05MM PG25 Packaging: Bulk Color: Black Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG25 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 1.160" (29.5mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Outside Cable Diameter (Max): 0.750" (19.05mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.590" (14.99mm) Thread Length: 0.430" (10.92mm) | auf Bestellung 10327 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22225-G | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 14.99-19.05MM PG25 Packaging: Bulk Color: Gray Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG25 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 1.160" (29.5mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.750" (19.05mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.590" (14.99mm) Thread Length: 0.430" (10.92mm) | auf Bestellung 974 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22225-G | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall - Gray (PG-25) 0.59 to 0.75 | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22229 | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 18-25MM PG29 NYLON Packaging: Bulk Color: Black Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG29 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 1.460" (37.1mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Outside Cable Diameter (Max): 0.980" (24.89mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.710" (18.03mm) Thread Length: 0.470" (11.94mm) | auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22229 | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall (PG-29) 0.71 to 0.98 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG-22229-G | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 18-25MM PG29 NYLON | auf Bestellung 1469 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22229-G | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall - Gray (PG-29) 0.71 to 0.98 | auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22236 | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 22.1-32MM PG36 Packaging: Bulk Color: Black Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG36 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 1.850" (47.0mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Outside Cable Diameter (Max): 1.260" (32.00mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.870" (22.10mm) Thread Length: 0.530" (13.46mm) | auf Bestellung 459 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22236 | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall (PG-36) 0.87 to 1.26 | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22236-G | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 22-32MM PG36 NYLON | auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG-22236-G | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall - Gray (PG-36) 0.87 to 1.26 | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22242 | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 29.97-38.1MM PG42 Packaging: Bulk Color: Black Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG42 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 2.130" (54.1mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Outside Cable Diameter (Max): 1.500" (38.10mm) Outside Cable Diameter (Min): 1.180" (29.97mm) Thread Length: 0.570" (14.48mm) | auf Bestellung 317 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22242 | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall (PG-42) 1.18 to 1.50 | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22242-G | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 29.97-38.1MM PG42 Packaging: Bulk Color: Gray Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG42 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 2.130" (54.1mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Outside Cable Diameter (Max): 1.500" (38.10mm) Outside Cable Diameter (Min): 1.180" (29.97mm) Thread Length: 0.570" (14.48mm) | auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22242-G | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall - Gray (PG-42) 1.18 to 1.50 | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22248 | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 34-44MM PG48 NYLON Packaging: Bulk Color: Black Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG48 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 2.320" (58.9mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 1.730" (43.94mm) Outside Cable Diameter (Min): 1.340" (34.04mm) Thread Length: 0.550" (13.97mm) | auf Bestellung 499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22248 | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall (PG-48) 1.34 to 1.73 | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22248-G | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 34-44MM PG48 NYLON Packaging: Bulk Color: Gray Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG48 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 2.320" (58.9mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 1.730" (43.94mm) Outside Cable Diameter (Min): 1.340" (34.04mm) Thread Length: 0.550" (13.97mm) | auf Bestellung 1958 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22248-G | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall - Gray (PG-48) 1.34 to 1.73 | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22263 | Bud Industries | Cable Mounting & Accessories NYLON CABLE GLAND WIRE DIA 1.65-1.97" | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG-22263-G | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips NYLON CABLE GLAND WI RE DIA 1.65-1.97" | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG-2227 | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall (PG-7) .12 to .24" | auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-2227 | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 3.05-6.1MM PG7 Packaging: Bulk Color: Black Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG7 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 0.490" (12.4mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.240" (6.10mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.120" (3.05mm) Thread Length: 0.320" (8.13mm) | auf Bestellung 66585 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-2227 | BUD INDUSTRIES | Description: BUD INDUSTRIES - IPG-2227 - CABLE GLAND, NYLON, 6MM, BLACK tariffCode: 85472000 Gewindemaß - Imperial: PG7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide) rohsCompliant: YES Kabeldurchmesser, min.: 3mm Gewindemaß - Metrisch: - euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 IP- / NEMA-Schutzart: IP66 Farbe d. Kabelverschraubung: Black usEccn: EAR99 Kabeldurchmesser, max.: 6mm Produktpalette: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG-2227-BPG | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 3-6MM PG7 NYLON Packaging: Bulk Color: Gray Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG7 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 0.490" (12.4mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.240" (6.10mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.120" (3.05mm) Thread Length: 0.320" (8.13mm) | auf Bestellung 531 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-2227-BPG | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Bend Proof (PG-7) .12 to .24" | auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-2227-G | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 3.05-6.1MM PG7 Packaging: Bulk Color: Gray Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG7 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 0.490" (12.4mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.240" (6.10mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.120" (3.05mm) Thread Length: 0.320" (8.13mm) | auf Bestellung 2519 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-2227-G | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall - Gray (PG-7) .12 to .24" | auf Bestellung 1289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-2227-G | BUD INDUSTRIES | Description: BUD INDUSTRIES - IPG-2227-G - CABLE GLAND, NYLON, 6MM, GREY tariffCode: 85472000 Gewindemaß - Imperial: PG7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide) rohsCompliant: YES Kabeldurchmesser, min.: 3mm Gewindemaß - Metrisch: - euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 IP- / NEMA-Schutzart: IP66 Farbe d. Kabelverschraubung: Grey usEccn: EAR99 Kabeldurchmesser, max.: 6mm Produktpalette: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG-22274-G | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 3.05-6.1MM PG7 Packaging: Bulk Color: Gray Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG7 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 0.470" (11.9mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.240" (6.10mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.120" (3.05mm) Thread Length: 0.590" (14.99mm) | auf Bestellung 1576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22274-G | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thick Wall - Gray (PG-7) .12 to .24" | auf Bestellung 154 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-2229 | BUD INDUSTRIES | Description: BUD INDUSTRIES - IPG-2229 - CABLE GLAND, NYLON, 7.9MM, BLACK tariffCode: 85472000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide) rohsCompliant: YES Kabeldurchmesser, min.: 4mm euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 IP- / NEMA-Schutzart: IP66 Farbe d. Kabelverschraubung: Black usEccn: EAR99 Kabeldurchmesser, max.: 0 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 292 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG-2229 | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 4.06-7.87MM PG9 Packaging: Bulk Color: Black Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG9 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 0.600" (15.2mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.310" (7.87mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.160" (4.06mm) Thread Length: 0.320" (8.13mm) | auf Bestellung 12507 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-2229 | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips NYLON CABLE GLAND WI RE DIA 0.16- 0.31" | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG-2229-BPG | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Bend Proof (PG-9) .16 to .31" | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-2229-BPG | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 4.06-7.87MM PG9 Packaging: Bulk Color: Gray Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG9 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 0.600" (15.2mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.310" (7.87mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.160" (4.06mm) Thread Length: 0.320" (8.13mm) | auf Bestellung 1078 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-2229-G | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 4.06-7.87MM PG9 Packaging: Bulk Color: Gray Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG9 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 0.600" (15.2mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Part Status: Active Outside Cable Diameter (Max): 0.310" (7.87mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.160" (4.06mm) Thread Length: 0.320" (8.13mm) | auf Bestellung 7893 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-2229-G | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall - Gray (PG-9) .16 to .31" | auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22294-G | Bud Industries | Description: CABLE GLAND 4.06-7.87MM PG9 Packaging: Bulk Color: Gray Material: Polyamide (PA), Nylon Thread Size: PG9 Type: Cable Gland Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Panel Hole Size: 0.630" (16.0mm) Includes: Gasket Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant Outside Cable Diameter (Max): 0.310" (7.87mm) Outside Cable Diameter (Min): 0.160" (4.06mm) Thread Length: 0.590" (14.99mm) | auf Bestellung 37902 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG-22294-G | Bud Industries | Cable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thick Wall - Gray (PG-9) .16 to .31" | auf Bestellung 5013 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG1-25828-1 | Sensata-Airpax | Description: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG1-25828-3 | Sensata-Airpax | Description: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG1-25828-6 | Sensata-Airpax | Description: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG1-30037-1 | Sensata-Airpax | Description: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER Packaging: Bulk Mounting Type: Panel Mount Actuator Type: Lever Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay) Number of Poles: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG15N06S3L-45 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 55V 15A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 21W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG16N10S4-61 Produktcode: 177704
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPG16N10S4-61 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET | auf Bestellung 7761 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG16N10S461AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 29W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4968 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG16N10S461AATMA1 | Infineon | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPG16N10S461AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | auf Bestellung 5187 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG16N10S461AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 29W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG16N10S461AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG16N10S461AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG16N10S461ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET | auf Bestellung 17995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG16N10S461ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm | auf Bestellung 4579 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG16N10S461ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 3875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG16N10S461ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 29W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3834 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG16N10S461ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG16N10S461ATMA1 Produktcode: 155670
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPG16N10S461ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG16N10S461ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 29W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG16N10S461ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 3875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG16N10S461ATMA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 16 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25; Qg, нКл = 7; Rds = 61 @ 16 А; 10 В мОм; Ugs(th) = 3,5 В; Р, Вт = 29; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; PowerVDFN-8 | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG16N10S4L61AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG16N10S4L61AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG16N10S4L61AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG16N10S4L61AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 29W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 17511 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG16N10S4L61AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | auf Bestellung 6032 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG16N10S4L61AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 29W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG2-0820A5P167 | SICK, Inc. | Description: IP-HOUSING Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Sensor Accessory Type: Pipe | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG2-1720A5P167 | SICK, Inc. | Description: IP-HOUSING Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Sensor Accessory Type: Pipe | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG2-2020A5P167 | SICK, Inc. | Description: IP-HOUSING Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Sensor Accessory Type: Pipe | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG2-2320A5P167 | SICK, Inc. | Description: IP-HOUSING Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Sensor Accessory Type: Pipe | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4-08 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 9812 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S4-08 | Infineon Technologies | Description: IPG20N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 374-378 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S4-12 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 20046 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S408AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET | auf Bestellung 322 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S408AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S408AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S408AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S408AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 4366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S408AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4071 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S408AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S408AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S408AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S408AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 4366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S408ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S408ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3762 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active | auf Bestellung 13190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S408ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 65W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 20A Power dissipation: 65W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ T2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S408ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S408ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3762 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S408ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 65W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 20A Power dissipation: 65W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ T2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S408BATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4668 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S408BATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S408BATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S408BATMA1 | Infineon Technologies | IPG20N04S408BATMA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S409AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S409AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 54W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S409AATMA1 | Infineon Technologies | SP001200172 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S409AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 54W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S409ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S409ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S409ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S409ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPG20N04S409 Multi channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S409ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S409ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S409ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S409ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S409ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S409ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S409ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 374-378 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S409ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S412AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 41W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S412AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S412AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S412AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.011 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm Verlustleistung, p-Kanal: 41W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 41W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S412AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET | auf Bestellung 16438 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S412AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 41W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 28498 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S412AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S412AATMA1 | Infineon | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPG20N04S412AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S412AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S412AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.011 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm Verlustleistung, p-Kanal: 41W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 41W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S412ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S412ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S412ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S412ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0111 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0111ohm Verlustleistung, p-Kanal: 41W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0111ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 41W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S412ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S412ATMA1 | Infineon | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPG20N04S412ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 41W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S412ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S412ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S412ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0111 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0111ohm Verlustleistung, p-Kanal: 41W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0111ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 41W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S412ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 41W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S418AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S418AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | auf Bestellung 4939 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S418AATMA1 | Infineon Technologies | IPG20N04S418AATMA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S418AATMA1 | Infineon Technologies | SP003127446 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L-07 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 2375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L-08 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 7917 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L-11 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 18552 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L-11 | Infineon | auf Bestellung 105000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPG20N04S4L-11A | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L07AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L07AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L07AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L07AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 | auf Bestellung 6051 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L07AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L07ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L07ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S4L07ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0065 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 5962 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L07ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2249 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L07ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L07ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S4L07ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0065 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 5962 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L07ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L07ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L08AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L08AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL_30/40V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L08AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 54W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3925 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L08AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L08AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L08AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 54W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 54W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L08ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0072 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0072ohm Verlustleistung, p-Kanal: 54W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0072ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 54W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 33108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 54W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 33758 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 4119 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L08ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0072 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0072ohm Verlustleistung, p-Kanal: 54W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0072ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 54W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 33108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L11AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0101 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0101ohm Verlustleistung, p-Kanal: 41W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0101ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 41W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4451 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L11AATMA1 Produktcode: 158575
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPG20N04S4L11AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 41W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L11AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | auf Bestellung 3918 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L11AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L11AATMA1 | Infineon | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPG20N04S4L11AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0101 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0101ohm Verlustleistung, p-Kanal: 41W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0101ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 41W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4451 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L11AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L11AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 41W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L11ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L11ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPG20N04S4L11ATMA1 Multi channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L11ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 41W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 38091 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L11ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L11ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 41W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L18AATMA1 | Infineon Technologies | SP003127442 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L18AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1071pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4670 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L18AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1071pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N04S4L18AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L-35 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS | auf Bestellung 4536 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L-35AATMA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L-50 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS | auf Bestellung 3167 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L-65 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS | auf Bestellung 2727 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L35AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L35AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 13276 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L35AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET | auf Bestellung 4643 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L35AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L35AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L35AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L35ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L35ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 14229 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L35ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N06S2L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.028 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 21722 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L35ATMA1 | Infineon Technologies | IPG20N06S2L35ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L35ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L35ATMA1 | Infineon | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPG20N06S2L35ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N06S2L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.028 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 22850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L50AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L50AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 51W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L50AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L50AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 51W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L50AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 55V 20A TDSON-8 | auf Bestellung 4998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L50ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 51W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L50ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N06S2L50ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.039 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm Verlustleistung, p-Kanal: 51W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.039ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 51W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 9655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L50ATMA1 | Infineon | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPG20N06S2L50ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L50ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L50ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N06S2L50ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.039 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm Verlustleistung, p-Kanal: 51W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.039ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 51W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 9655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L50ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 51W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active | auf Bestellung 4954 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L50ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L65AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L65AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 43W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L65AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L65AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L65AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 43W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 13698 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L65AAUMA1 | Infineon Technologies | IPG20N06S2L-65A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L65AAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 43W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L65ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 43W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L65ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L65ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.053 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm Verlustleistung, p-Kanal: 43W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 43W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2406 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L65ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 43W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 26421 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L65ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L65ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.053 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm Verlustleistung, p-Kanal: 43W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 43W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2406 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L65ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S2L65ATMA1 | Infineon | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPG20N06S2L65AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S3L-23 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 45W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 16A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S3L-35 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 30W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 11A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S3L23XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4-15 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 2674 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S415AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S415AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6405 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S415AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S415AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N06S415AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0129 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0129ohm Verlustleistung, p-Kanal: 50W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 50W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 3280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S415AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S415AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_55/60V | auf Bestellung 663 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S415AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S415AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N06S415AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0129 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0129ohm Verlustleistung, p-Kanal: 50W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 50W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 3280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S415AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S415ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S415ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N06S415ATMA2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0129 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS -T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 50W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S415ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET | auf Bestellung 771 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S415ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S415ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S415ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N06S415ATMA2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0129 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS -T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 50W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S415ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L-11 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 2851 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L-14 | Infineon | auf Bestellung 95092 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPG20N06S4L-26 | Infineon | auf Bestellung 55000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPG20N06S4L-26 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 19955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L-26A | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 55V 20A TDSON-8 | auf Bestellung 6336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L11AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L11AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L11AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L11AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L11AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL_55/60V | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L11ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L11ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0095 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 22658 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L11ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3051 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L11ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 1737 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L11ATMA1 | Infineon | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPG20N06S4L11ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L11ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L11ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0095 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 22658 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L11ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA2 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0095 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 20137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L11ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_)40V 60V) | auf Bestellung 4999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L11ATMA2 | Infineon Technologies | SP001404020 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L11ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA2 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0095 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 20137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L11ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 26369 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L11ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L14AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L14AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm Verlustleistung, p-Kanal: 50W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 50W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 19419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L14AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 401 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L14AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm Verlustleistung, p-Kanal: 50W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 50W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 19419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L14AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 29787 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L14AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_)40V 60V) | auf Bestellung 5999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L14AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L14ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L14ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L14ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8938 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L14ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L14ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L26AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L26AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 55V 20A TDSON-8 | auf Bestellung 5548 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L26AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 33W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L26AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L26AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 33W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3291 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L26AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L26ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L26ATMA1 | Infineon | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPG20N06S4L26ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 33W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active | auf Bestellung 2879 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L26ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 365000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L26ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N06S4L26ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 33W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 33W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3106 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L26ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L26ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 74052 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L26ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N06S4L26ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 33W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 33W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3106 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N06S4L26ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 33W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S436AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N10S436AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.031ohm Verlustleistung, p-Kanal: 43W euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 43W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S436AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 43W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 16µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 65000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N10S436AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL 100+ | auf Bestellung 13822 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N10S436AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S436AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 43W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 16µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 66239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N10S436AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N10S436AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.031ohm Verlustleistung, p-Kanal: 43W euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 43W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S436AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S436AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L-22 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET | auf Bestellung 2634 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L-22A | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | auf Bestellung 4862 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L-22A | Infineon | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPG20N10S4L-35 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET | auf Bestellung 5018 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L22AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 60W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 60W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 15195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L22AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 60W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Part Status: Active | auf Bestellung 20540 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L22AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L22AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | auf Bestellung 2979 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L22AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 60W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Part Status: Active | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L22AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 60W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 60W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 15195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L22AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L22ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L22ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L22ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET | auf Bestellung 1639 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L22ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L22ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 60W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 60W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 48053 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L22ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 60W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5898 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L22ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L22ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L22ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 60W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L22ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 11276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L22ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 60W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 60W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 49838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L35AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 43W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L35AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L35AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm Verlustleistung, p-Kanal: 43W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 43W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L35AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L35AATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm Verlustleistung, p-Kanal: 43W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 43W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L35AATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 43W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3095 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L35AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L35AATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L35AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | auf Bestellung 4978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L35ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 43W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L35ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L35ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L35ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N10S4L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm Verlustleistung, p-Kanal: 43W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 43W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 11151 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L35ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET | auf Bestellung 27642 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L35ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPG20N10S4L35ATMA1 Multi channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L35ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L35ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPG20N10S4L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm Verlustleistung, p-Kanal: 43W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 43W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 10861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L35ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 43W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 34558 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPG20N10S4L35ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPG6-27390-1 | Sensata Technologies/Airpax | Description: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPGH11-20845-2-V | Sensata-Airpax | Description: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER Packaging: Bulk Mounting Type: Panel Mount Actuator Type: Lever Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay) Part Status: Active Number of Poles: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPGH11-28676-25-V | Sensata-Airpax | Description: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER Packaging: Bulk Mounting Type: Panel Mount Actuator Type: Lever Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay) Part Status: Active Number of Poles: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPGH11-30036-1-V | Sensata-Airpax | Description: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER Packaging: Bulk Mounting Type: Panel Mount Actuator Type: Lever Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay) Number of Poles: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPGH11-30036-7 | Sensata-Airpax | Description: CIR BRKR MAG-HYDR LEVER Packaging: Bulk Mounting Type: Panel Mount Actuator Type: Lever Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay) Part Status: Active Number of Poles: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPGH111-25450-1-V | Sensata-Airpax | Description: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPGH1111-23259-1-V | Sensata-Airpax | Description: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER Packaging: Bulk Mounting Type: Panel Mount Actuator Type: Lever Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay) Part Status: Active Number of Poles: 4 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPGH1111-28676-2-V | Sensata-Airpax | Description: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER Packaging: Bulk Mounting Type: Panel Mount Actuator Type: Lever Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay) Part Status: Active Number of Poles: 4 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPGH266-20628-2 | Sensata Technologies/Airpax | Description: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPGH66-20788-1-V | Sensata Technologies/Airpax | Description: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPGH66-20788-2-V | Sensata Technologies/Airpax | Description: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPGH66-20788-3-V | Sensata Technologies/Airpax | Description: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPGH666-1REC4-23578-1-V | Sensata-Airpax | Description: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER Packaging: Bulk Mounting Type: Panel Mount Actuator Type: Lever Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay) Part Status: Active Number of Poles: 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPGHB111-22761-1 | Sensata-Airpax | Description: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER Packaging: Bulk Mounting Type: Panel Mount Actuator Type: Lever Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay) Number of Poles: 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPGHF666-32689-30 | Sensata-Airpax | Description: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPGSK-1316 | ITT | IPGSK-1316 | auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| IPGSK-1316 | Sure-Seal | Description: GASKET CIRCULAR 13/16 10PK Packaging: Box Accessory Type: Gasket Part Status: Active | auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|