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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IPG-22211BUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-22211 - CABLE GLAND, NYLON, 9.9MM, BLACK
tariffCode: 85472000
Gewindemaß - Imperial: PG11
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 5mm
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Black
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 0
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22211Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 5.08-9.91MM PG11
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG11
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.730" (18.5mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.390" (9.91mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.200" (5.08mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
auf Bestellung 1463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.48 EUR
16+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22211Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall (PG-11) .2 to .39"
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.47 EUR
10+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22211BUD IndustriesNYLON CABLE GLAND IP66
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.14 EUR
100+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22211-BPGBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 5-10MM PG11 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG11
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.730" (18.5mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.390" (9.91mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.200" (5.08mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.72 EUR
10+3.53 EUR
100+3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22211-BPGBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Bend Proof (PG-11) .2 to .39"
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.75 EUR
10+3.56 EUR
100+3.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22211-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall - Gray (PG-11) .2 to .39"
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.47 EUR
10+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22211-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 5.08-9.91MM PG11
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG11
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.730" (18.5mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.390" (9.91mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.200" (5.08mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.46 EUR
16+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-222114-GBUD IndustriesCABLE GLAND,IP66 0.20-0.39 LG
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-222114-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 5.08-9.91MM PG11
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG11
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.710" (18.0mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.390" (9.91mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.200" (5.08mm)
Thread Length: 0.590" (14.99mm)
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.02 EUR
12+1.52 EUR
100+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-222114-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thick Wall (PG-11) .2 to .39"
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.97 EUR
10+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-222135Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 6.1-11.94MM PG13.5
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG13.5
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.800" (20.3mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.470" (11.94mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.240" (6.10mm)
Thread Length: 0.350" (8.89mm)
auf Bestellung 10959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.78 EUR
14+1.34 EUR
100+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-222135Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall (PG-13.5) .24 to .47"
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.80 EUR
10+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-222135BUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-222135 - CABLE GLAND, NYLON, 11.9MM, BLACK
tariffCode: 85472000
Gewindemaß - Imperial: PG13.5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 6.1mm
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Black
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 0
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-222135-BPGBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 6-12MM PG13.5 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG13.5
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.800" (20.3mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.470" (11.94mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.240" (6.10mm)
Thread Length: 0.350" (8.89mm)
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.98 EUR
10+4.49 EUR
100+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-222135-BPGBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Bend Proof (PG-13.5) .24 to .47"
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.56 EUR
10+4.17 EUR
100+4.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-222135-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 6.1-11.94MM PG13.5
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG13.5
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.800" (20.3mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.470" (11.94mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.240" (6.10mm)
Thread Length: 0.350" (8.89mm)
auf Bestellung 9998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.78 EUR
14+1.34 EUR
100+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-222135-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips NYLON CABLE GLAND WI RE DIA 0.24- 0.47"
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-2221354-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips CABLE GLAND/LNG THRD WIRE DIA 0.24- 0.47
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-2221354-GBUD IndustriesCable Accessories Gland Nylon Light Gray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-2221354-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 6.1-11.94MM PG13.5
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG13.5
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.790" (20.1mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.470" (11.94mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.240" (6.10mm)
Thread Length: 0.590" (14.99mm)
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.43 EUR
10+1.83 EUR
100+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22216BUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-22216 - CABLE GLAND, NYLON, 14MM, BLACK
tariffCode: 85472000
Gewindemaß - Imperial: PG16
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 9.9mm
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Black
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 0
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22216Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 9.91-13.97MM PG16
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG16
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.890" (22.6mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.550" (13.97mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.390" (9.91mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
auf Bestellung 2514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.11 EUR
12+1.58 EUR
100+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22216Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall (PG-16) .39 to .55"
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.13 EUR
10+1.60 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22216-BPGBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 10-14MM PG16 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG16
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.890" (22.6mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.550" (13.97mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.390" (9.91mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.57 EUR
10+5.68 EUR
100+5.30 EUR
250+5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22216-BPGBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Bend Proof (PG-16) .39 to .55"
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.04 EUR
10+5.26 EUR
100+5.10 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22216-GBUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-22216-G - CABLE GLAND, NYLON, 14MM, GREY
Gewindemaß - Imperial: PG16
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
Kabeldurchmesser, min.: 9.9
Gewindemaß - Metrisch: -
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Grey
Kabeldurchmesser, max.: 14
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22216-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 9.91-13.97MM PG16
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG16
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.890" (22.6mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.550" (13.97mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.390" (9.91mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.11 EUR
12+1.58 EUR
100+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22216-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall - Gray (PG-16) .39 to .55"
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.13 EUR
10+1.60 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-222164-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 10-14MM PG16 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG16
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.870" (22.1mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.550" (13.97mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.390" (9.91mm)
Thread Length: 0.590" (14.99mm)
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.89 EUR
10+2.17 EUR
100+2.02 EUR
250+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-222164-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thick Wall - Gray (PG-16) .39 to .55"
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.94 EUR
10+2.22 EUR
100+2.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22219Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 11.94-14.99MM PG19
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG19
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.930" (23.6mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.590" (14.99mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.470" (11.94mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
auf Bestellung 2351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.43 EUR
10+1.83 EUR
100+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22219Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall (PG-19) 0.47 to 0.59
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.52 EUR
10+1.87 EUR
100+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22219-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 11.94-14.99MM PG19
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG19
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.930" (23.6mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.590" (14.99mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.470" (11.94mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.43 EUR
10+1.83 EUR
100+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22219-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall - Gray (PG-19) 0.47 to 0.59
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.52 EUR
10+1.87 EUR
100+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22219-GBUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-22219-G - CABLE GLAND, NYLON, 15MM, GREY
tariffCode: 85472000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 11.9mm
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Grey
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 0
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22221Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 12.95-18.03MM PG21
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG21
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 1.110" (28.2mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.710" (18.03mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.510" (12.95mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
auf Bestellung 1916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.24 EUR
10+2.44 EUR
100+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22221Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall (PG-21) .51 to .7"
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.27 EUR
10+2.46 EUR
100+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22221BUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-22221 - CABLE GLAND, NYLON, 18MM, BLACK
tariffCode: 85472000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 12.9mm
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Black
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 18mm
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22221-BPGBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 13-17.8MM PG21 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG21
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 1.110" (28.2mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.700" (17.78mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.510" (12.95mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.04 EUR
10+8.27 EUR
100+7.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22221-BPGBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Bend Proof (PG-21) .51 to .7"
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22221-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 12.95-18.03MM PG21
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG21
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 1.110" (28.2mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.710" (18.03mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.510" (12.95mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
auf Bestellung 1523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.36 EUR
10+2.52 EUR
100+2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22221-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall - Gray (PG-21) .51 to .7"
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.27 EUR
10+2.46 EUR
100+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22225BUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-22225 - CABLE GLAND, NYLON, 19MM, BLACK
tariffCode: 39269097
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 15mm
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Black
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 0
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22225Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 14.99-19.05MM PG25
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG25
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 1.160" (29.5mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Outside Cable Diameter (Max): 0.750" (19.05mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.590" (14.99mm)
Thread Length: 0.430" (10.92mm)
auf Bestellung 10570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.57 EUR
10+2.68 EUR
100+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22225Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall (PG-25) 0.59 to 0.75
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
5+2.62 EUR
100+2.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22225-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 14.99-19.05MM PG25
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG25
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 1.160" (29.5mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.750" (19.05mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.590" (14.99mm)
Thread Length: 0.430" (10.92mm)
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.57 EUR
10+2.68 EUR
100+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22225-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall - Gray (PG-25) 0.59 to 0.75
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.68 EUR
10+2.76 EUR
100+2.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22229Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 18-25MM PG29 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG29
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 1.460" (37.1mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Outside Cable Diameter (Max): 0.980" (24.89mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.710" (18.03mm)
Thread Length: 0.470" (11.94mm)
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.32 EUR
10+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22229Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips NYLON CABLE GLAND WI RE DIA 0.71- 0.98"
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22229-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 18-25MM PG29 NYLON
auf Bestellung 1469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.53 EUR
10+4.14 EUR
100+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22229-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips NYLON CABLE GLAND WI RE DIA 0.71- 0.98"
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22236Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 22.1-32MM PG36
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG36
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 1.850" (47.0mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Outside Cable Diameter (Max): 1.260" (32.00mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.870" (22.10mm)
Thread Length: 0.530" (13.46mm)
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.06 EUR
10+6.80 EUR
100+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22236Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall (PG-36) 0.87 to 1.26
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.17 EUR
10+6.88 EUR
100+6.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22236-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 22-32MM PG36 NYLON
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22236-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall - Gray (PG-36) 0.87 to 1.26
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.17 EUR
10+6.88 EUR
100+6.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22242Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 29.97-38.1MM PG42
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG42
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 2.130" (54.1mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Outside Cable Diameter (Max): 1.500" (38.10mm)
Outside Cable Diameter (Min): 1.180" (29.97mm)
Thread Length: 0.570" (14.48mm)
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.65 EUR
10+9.50 EUR
100+8.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22242Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall (PG-42) 1.18 to 1.50
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.76 EUR
10+9.57 EUR
25+9.56 EUR
100+9.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22242-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 29.97-38.1MM PG42
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG42
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 2.130" (54.1mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Outside Cable Diameter (Max): 1.500" (38.10mm)
Outside Cable Diameter (Min): 1.180" (29.97mm)
Thread Length: 0.570" (14.48mm)
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.64 EUR
10+9.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22242-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall - Gray (PG-42) 1.18 to 1.50
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.76 EUR
10+9.57 EUR
100+9.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22248Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 34-44MM PG48 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG48
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 2.320" (58.9mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 1.730" (43.94mm)
Outside Cable Diameter (Min): 1.340" (34.04mm)
Thread Length: 0.550" (13.97mm)
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.31 EUR
10+10.73 EUR
100+10.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22248Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall (PG-48) 1.34 to 1.73
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.40 EUR
10+10.81 EUR
100+10.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22248-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 34-44MM PG48 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG48
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 2.320" (58.9mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 1.730" (43.94mm)
Outside Cable Diameter (Min): 1.340" (34.04mm)
Thread Length: 0.550" (13.97mm)
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.31 EUR
10+10.73 EUR
100+10.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22248-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall - Gray (PG-48) 1.34 to 1.73
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.40 EUR
10+10.81 EUR
100+10.65 EUR
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IPG-22263Bud IndustriesCable Mounting & Accessories NYLON CABLE GLAND WIRE DIA 1.65-1.97"
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22263-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips NYLON CABLE GLAND WI RE DIA 1.65-1.97"
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-2227Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall (PG-7) .12 to .24"
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.62 EUR
100+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-2227BUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-2227 - CABLE GLAND, NYLON, 6MM, BLACK
tariffCode: 85472000
Gewindemaß - Imperial: PG7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 3mm
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Black
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 6mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-2227Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 3.05-6.1MM PG7
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG7
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.490" (12.4mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.240" (6.10mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.120" (3.05mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
auf Bestellung 1765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.81 EUR
29+0.61 EUR
100+0.57 EUR
250+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-2227-BPGBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 3-6MM PG7 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG7
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.490" (12.4mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.240" (6.10mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.120" (3.05mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.34 EUR
10+2.51 EUR
100+2.34 EUR
250+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-2227-BPGBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Bend Proof (PG-7) .12 to .24"
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.19 EUR
10+2.38 EUR
250+2.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-2227-GBUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-2227-G - CABLE GLAND, NYLON, 6MM, GREY
tariffCode: 85472000
Gewindemaß - Imperial: PG7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 3mm
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Grey
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 6mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-2227-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall - Gray (PG-7) .12 to .24"
auf Bestellung 1331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.82 EUR
10+0.59 EUR
100+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-2227-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 3.05-6.1MM PG7
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG7
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.490" (12.4mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.240" (6.10mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.120" (3.05mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
auf Bestellung 2946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.81 EUR
29+0.61 EUR
100+0.57 EUR
250+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22274-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 3.05-6.1MM PG7
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG7
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.470" (11.9mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.240" (6.10mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.120" (3.05mm)
Thread Length: 0.590" (14.99mm)
auf Bestellung 2315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.14 EUR
21+0.85 EUR
100+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22274-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thick Wall - Gray (PG-7) .12 to .24"
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.88 EUR
100+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-2229Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 4.06-7.87MM PG9
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG9
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.600" (15.2mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.310" (7.87mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.160" (4.06mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
auf Bestellung 4237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.14 EUR
21+0.85 EUR
100+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-2229Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips NYLON CABLE GLAND WI RE DIA 0.16- 0.31"
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-2229BUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-2229 - CABLE GLAND, NYLON, 7.9MM, BLACK
tariffCode: 85472000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 4mm
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Black
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 0
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-2229-BPGBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Bend Proof (PG-9) .16 to .31"
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.94 EUR
100+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-2229-BPGBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 4.06-7.87MM PG9
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG9
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.600" (15.2mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.310" (7.87mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.160" (4.06mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.03 EUR
10+3.02 EUR
100+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-2229-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 4.06-7.87MM PG9
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG9
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.600" (15.2mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.310" (7.87mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.160" (4.06mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
auf Bestellung 7893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.14 EUR
21+0.85 EUR
100+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-2229-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall - Gray (PG-9) .16 to .31"
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.15 EUR
10+0.86 EUR
100+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG-22294-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thick Wall - Gray (PG-9) .16 to .31"
auf Bestellung 5013 Stücke:
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IPG-22294-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 4.06-7.87MM PG9
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG9
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.630" (16.0mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Outside Cable Diameter (Max): 0.310" (7.87mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.160" (4.06mm)
Thread Length: 0.590" (14.99mm)
auf Bestellung 38557 Stücke:
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IPG1-25828-1Sensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Produkt ist nicht verfügbar
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IPG1-25828-3Sensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Produkt ist nicht verfügbar
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IPG1-25828-6Sensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Produkt ist nicht verfügbar
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IPG1-30037-1Sensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Number of Poles: 1
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IPG15N06S3L-45Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 15A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 21W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
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IPG16N10S4-61Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
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IPG16N10S4-61
Produktcode: 177704
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG16N10S461AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6950 Stücke:
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IPG16N10S461AATMA1Infineon
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IPG16N10S461AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
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IPG16N10S461AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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IPG16N10S461AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG16N10S461AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
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IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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IPG16N10S461ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 740 Stücke:
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IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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87+1.72 EUR
97+1.48 EUR
101+1.37 EUR
126+1.06 EUR
250+0.92 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.59 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 87
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IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.01 EUR
10+1.91 EUR
100+1.29 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IPG16N10S461ATMA1
Produktcode: 155670
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG16N10S461ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
auf Bestellung 4579 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.54 EUR
101+1.42 EUR
126+1.10 EUR
250+0.96 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.62 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 16 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25; Qg, нКл = 7; Rds = 61 @ 16 А; 10 В мОм; Ugs(th) = 3,5 В; Р, Вт = 29; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; PowerVDFN-8
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+3.37 EUR
10+2.90 EUR
100+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG16N10S4L61AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG16N10S4L61AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG16N10S4L61AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.01 EUR
10+1.83 EUR
100+1.17 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG16N10S4L61AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 6134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.36 EUR
100+0.96 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.69 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG16N10S4L61AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG16N10S4L61AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG2-0820A5P167SICK, Inc.Description: IP-HOUSING
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Sensor
Accessory Type: Pipe
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG2-1720A5P167SICK, Inc.Description: IP-HOUSING
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Sensor
Accessory Type: Pipe
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG2-2020A5P167SICK, Inc.Description: IP-HOUSING
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Sensor
Accessory Type: Pipe
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG2-2320A5P167SICK, Inc.Description: IP-HOUSING
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Sensor
Accessory Type: Pipe
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4-08Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
auf Bestellung 9824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.46 EUR
10+1.92 EUR
100+1.34 EUR
500+1.10 EUR
1000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4-08Infineon TechnologiesDescription: IPG20N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4-09Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+2.38 EUR
100+1.85 EUR
500+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4-12Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
auf Bestellung 22766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
10+1.42 EUR
100+1.00 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S408AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+2.81 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.42 EUR
2000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S408AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S408AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPG20N04S408AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.80 EUR
10+3.36 EUR
100+2.76 EUR
250+2.71 EUR
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IPG20N04S408ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S408ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPG20N04S408ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
auf Bestellung 13439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.59 EUR
10+2.29 EUR
100+1.55 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
2000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IPG20N04S408ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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IPG20N04S408ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 65W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 7.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
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IPG20N04S408ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 65W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 7.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPG20N04S408ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S408ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPG20N04S408ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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IPG20N04S408ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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IPG20N04S408ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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IPG20N04S408BATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.54 EUR
10+2.26 EUR
100+1.53 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.12 EUR
2000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IPG20N04S408BATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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IPG20N04S408BATMA1Infineon TechnologiesIPG20N04S408BATMA1
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IPG20N04S408BATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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IPG20N04S409AATMA1Infineon TechnologiesSP001200172
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IPG20N04S409AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
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IPG20N04S409AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.12 EUR
10+1.98 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.96 EUR
2000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IPG20N04S409AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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IPG20N04S409ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 8.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21.7nC
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
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IPG20N04S409ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 8.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21.7nC
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S409ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S409ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
2+2.66 EUR
5000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
auf Bestellung 16952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.11 EUR
10+1.39 EUR
100+1.03 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.74 EUR
5000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S412AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 28518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.69 EUR
12+1.60 EUR
100+1.10 EUR
500+0.90 EUR
1000+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412AATMA1Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S412AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S412AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPG20N04S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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IPG20N04S412ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S412ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0111 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0111ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0111ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPG20N04S412ATMA1Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPG20N04S412ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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IPG20N04S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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IPG20N04S412ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S412ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0111 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0111ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0111ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPG20N04S412ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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IPG20N04S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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IPG20N04S412ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
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IPG20N04S418AATMA1Infineon TechnologiesSP003127446
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IPG20N04S418AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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2+1.47 EUR
10+1.21 EUR
100+0.94 EUR
500+0.80 EUR
1000+0.65 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IPG20N04S418AATMA1Infineon TechnologiesIPG20N04S418AATMA1
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IPG20N04S418AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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IPG20N04S4L-07Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
auf Bestellung 5862 Stücke:
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2+2.13 EUR
10+1.59 EUR
100+1.25 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
5000+1.01 EUR
10000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IPG20N04S4L-08Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
auf Bestellung 15320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.13 EUR
10+1.74 EUR
100+1.36 EUR
500+1.15 EUR
1000+0.94 EUR
2500+0.88 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IPG20N04S4L-11Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
auf Bestellung 18162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.52 EUR
100+1.05 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.72 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IPG20N04S4L-11Infineon
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPG20N04S4L-11AInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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IPG20N04S4L07AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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IPG20N04S4L07AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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IPG20N04S4L07AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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IPG20N04S4L07AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8
auf Bestellung 5267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.63 EUR
10+2.32 EUR
100+1.63 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.14 EUR
10000+1.00 EUR
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IPG20N04S4L07AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L07ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S4L07ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0065 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L07ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.59 EUR
10+2.30 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
2000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L07ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L07ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S4L07ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0065 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L08AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL_30/40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L08AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L08AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.15 EUR
10+2.01 EUR
100+1.36 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L08AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L08AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L08AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L08ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0072ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 54W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0072ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 54W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.84 EUR
10000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L08ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0072ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 54W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0072ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 54W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
auf Bestellung 8653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.38 EUR
10+1.70 EUR
100+1.19 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 34158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.20 EUR
10+2.04 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.97 EUR
2000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPG20N04S4L11AATMA1
Produktcode: 158575
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L11AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0101 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0101ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0101ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L11AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 4834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+1.45 EUR
100+1.04 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.78 EUR
2500+0.77 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L11AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L11AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L11AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L11AATMA1Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L11AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0101 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0101ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0101ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L11AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L11ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L11ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; Idm: 80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 11.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 80A
Case: PG-TDSON-8-4
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L11ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 38095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.73 EUR
11+1.73 EUR
100+1.15 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.83 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L11ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.69 EUR
10000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L11ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; Idm: 80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 11.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 80A
Case: PG-TDSON-8-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L11ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L18AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1071pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.34 EUR
12+1.47 EUR
100+0.98 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.70 EUR
2000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L18AATMA1Infineon TechnologiesSP003127442
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L18AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1071pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S4L18AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L-35Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 4862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.22 EUR
10+1.88 EUR
100+1.39 EUR
500+1.10 EUR
1000+0.93 EUR
2500+0.92 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L-35AATMA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L-50Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 3473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.52 EUR
100+1.09 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.75 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L-65Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 3802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.66 EUR
10+1.41 EUR
100+1.00 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.67 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L35AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14676 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.22 EUR
10+2.03 EUR
100+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.91 EUR
2000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L35AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
auf Bestellung 4820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.27 EUR
10+1.81 EUR
100+1.27 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L35AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L35ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.13 EUR
10+2.00 EUR
100+1.35 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
2000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L35ATMA1Infineon TechnologiesIPG20N06S2L35ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L35ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S2L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 22850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L35ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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IPG20N06S2L35ATMA1Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L35ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPG20N06S2L35ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S2L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 22850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L50AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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IPG20N06S2L50AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.83 EUR
10+1.80 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IPG20N06S2L50AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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IPG20N06S2L50AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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IPG20N06S2L50AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 55V 20A TDSON-8
auf Bestellung 4998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.94 EUR
10+1.58 EUR
100+1.11 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.77 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L50ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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IPG20N06S2L50ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S2L50ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.039 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 51W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.039ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L50ATMA1Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPG20N06S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L50ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
auf Bestellung 9954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.78 EUR
10+1.76 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.85 EUR
2000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IPG20N06S2L50ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S2L50ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.039 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 51W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.039ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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IPG20N06S2L65AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L65AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L65AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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IPG20N06S2L65AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L65AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 13698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.62 EUR
11+1.66 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.80 EUR
2000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L65AAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L65AAUMA1Infineon TechnologiesIPG20N06S2L-65A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L65ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L65ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L65ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L65ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 26581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.55 EUR
11+1.62 EUR
100+1.08 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L65ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+58.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L65ATMA1Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L65ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L65ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S2L65AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S3L-23Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S3L-35Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 30W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S3L23XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4-15Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
auf Bestellung 2674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S415AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S415AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0129 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0129ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S415AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
491+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 491
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S415AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S415AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S415AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0129 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0129ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S415AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S415AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S415AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL_55/60V
auf Bestellung 663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+2.48 EUR
100+1.94 EUR
500+1.60 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S415AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S415AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S415ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S415ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S415ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S415ATMA2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0129 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S415ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
auf Bestellung 811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.03 EUR
10+2.02 EUR
100+1.37 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.93 EUR
5000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S415ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S415ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S415ATMA2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0129 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S415ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.20 EUR
10+2.04 EUR
100+1.37 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.97 EUR
2000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L-11Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
auf Bestellung 5522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.48 EUR
10+1.88 EUR
100+1.42 EUR
250+1.39 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L-14Infineon
auf Bestellung 95092 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L-26Infineon
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L-26Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
auf Bestellung 21704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.85 EUR
10+1.52 EUR
100+1.18 EUR
500+1.00 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.77 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L-26AInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 55V 20A TDSON-8
auf Bestellung 11581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.51 EUR
100+1.17 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.76 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.87 EUR
10+2.48 EUR
100+1.69 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL_55/60V
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.04 EUR
10+2.36 EUR
100+1.64 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+120.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.80 EUR
10+2.44 EUR
100+1.66 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.22 EUR
2000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 18180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11ATMA1Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 18180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA2 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 20487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 5023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.66 EUR
10+2.46 EUR
100+1.69 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1.15 EUR
5000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 26419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.80 EUR
10+2.44 EUR
100+1.66 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA2 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 20487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L11ATMA2Infineon TechnologiesSP001404020
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L14AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L14AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 19419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L14AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L14AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 29787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.64 EUR
13+1.43 EUR
100+1.14 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L14AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 19419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L14AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.03 EUR
88+1.62 EUR
89+1.55 EUR
90+1.47 EUR
116+1.09 EUR
250+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L14AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 7617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.32 EUR
10+1.31 EUR
100+1.15 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.93 EUR
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L14ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L14ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L14ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L14ATMA2Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L14ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.22 EUR
10+2.05 EUR
100+1.38 EUR
500+1.10 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L14ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L14ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.73 EUR
11+1.73 EUR
100+1.16 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 55V 20A TDSON-8
auf Bestellung 5838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.16 EUR
10+1.57 EUR
100+1.15 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.77 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
auf Bestellung 11880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.62 EUR
13+1.42 EUR
100+1.01 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S4L26ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
auf Bestellung 77172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.22 EUR
100+0.96 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.71 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 365000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N06S4L26ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S4L26ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.81 EUR
10000+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 100+
auf Bestellung 14090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.72 EUR
100+1.24 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S436AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S436AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.031ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 66239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.10 EUR
10+1.97 EUR
100+1.33 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S436AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S436AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.031ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L-22Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
auf Bestellung 3068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+2.16 EUR
100+1.71 EUR
250+1.59 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.23 EUR
2500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L-22AInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 4882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+2.20 EUR
100+1.76 EUR
250+1.62 EUR
500+1.47 EUR
1000+1.26 EUR
2500+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L-22AInfineon
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L-35Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
auf Bestellung 5193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.41 EUR
10+1.63 EUR
100+1.30 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.93 EUR
2500+0.89 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
auf Bestellung 20540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.87 EUR
10+2.29 EUR
100+1.65 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.04 EUR
10+2.06 EUR
100+1.58 EUR
250+1.56 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
auf Bestellung 5316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.04 EUR
10+2.16 EUR
100+1.65 EUR
250+1.64 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.21 EUR
78+1.84 EUR
79+1.75 EUR
100+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.80 EUR
10+2.44 EUR
100+1.66 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 11276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.44 EUR
108+1.33 EUR
121+1.14 EUR
200+1.05 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.86 EUR
5000+0.81 EUR
10000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 49838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.21 EUR
78+1.84 EUR
79+1.75 EUR
100+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.58 EUR
95+1.51 EUR
121+1.14 EUR
200+1.05 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.86 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 49838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1.75 EUR
93+1.54 EUR
114+1.21 EUR
200+1.09 EUR
1000+0.92 EUR
2000+0.83 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.22 EUR
10+2.03 EUR
100+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
2000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.29 EUR
10+1.81 EUR
100+1.27 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.95 EUR
5000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 100V; 17A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
auf Bestellung 29006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.76 EUR
100+1.24 EUR
500+1.00 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 100V; 17A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 34671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.15 EUR
10+1.98 EUR
100+1.30 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L35ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG6-27390-1Sensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH11-20845-2-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH11-28676-25-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH11-30036-1-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Number of Poles: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH11-30036-7Sensata-AirpaxDescription: CIR BRKR MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH111-25450-1-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH1111-23259-1-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH1111-28676-2-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH266-20628-2Sensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH66-20788-1-VSensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH66-20788-2-VSensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH66-20788-3-VSensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGH666-1REC4-23578-1-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGHB111-22761-1Sensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Number of Poles: 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGHF666-32689-30Sensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGSK-1316Sure-SealDescription: GASKET CIRCULAR 13/16 10PK
Packaging: Box
Accessory Type: Gasket
Part Status: Active
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.44 EUR
10+15.43 EUR
25+12.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPGSK-1316ITTIPGSK-1316
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+4.90 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH